JPH03211810A - 積層型ｌｃノイズフィルタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野〕 本発明は積層型ＬＣ素子、特に複数の絶縁層が積層され
た積層体内にインダクタ導体、キャパシタ導体からなる
ＬＣの分布定数的回路を形成した分布定数型積層ＬＣ素
子に関する。

［従来の技術］ 近年の電子技術の発達に伴い、電子回路は各種分野にお
いて幅広く用いられており、従って、これら各電子回路
を、外部からのノイズの影響を受けることなく安定して
確実に作動させることが望まれる。

特に、近年では各種高性能の電子機器を多数使用してい
るため、ノイズに対する規制も益々激しくなっている。

このため、発生するノイズを確実に除去することができ
る小型でしかも高性能なノイズフィルタの開発が望まれ
る。

しかし、従来のＬＣノイズフィルタは、第２１図に示す
よう、コア１０に２組の巻線１２．１．４を巻回し、こ
れら巻線１２．１４の両端にコンデンサ１６．１８をそ
れぞれ平行に接続して形成されていた。

従って、インダクタを構成するコア１０および巻線１２
．１４の部分が大きくなり、しかもインダクタとコンデ
ンサ１６．１８とが別部材で構成されているため、フィ
ルタ全体が大きくなってしまい、小型軽量化という要求
品質を満足できないという問題があった。

このような問題を解決するため、特開昭５８−５０５０
７号、特開昭５６−１４４５２４号、特開昭５８−１４
２８２２号。

特開昭８３−７６３１３号にかかる提案が行われている
。

この従来技術、例えば特開昭５６−５０５０７号にかか
る複合電子部品では、第２２図に示すよう、複数の絶縁
体層２０ａ、２０ｂ、２０ｃ・・・を積層することによ
り積層体を形成する。そして、前記各絶縁体層２０ａ、
２０ｂ・・・の層間に、１つの層間から次の層間へと連
続して周回する導電パターン２２ａ、２２ｂ、２２ｃを
設け、これにより所定のターン数のコイルＬを形成する
。

また、前記絶縁体層２０　ａ　、　　２０　ｂ　、　　
２０　ｃ　−・の層間に、前記周回導電パターン２２ａ
、２２ｃと間隔をあけて導電層２４ａ、２４ｂを配置し
、これら導電層２４ａ、２４ｂと導電パターン２２ａ、
２２ｃとの間にキャパシタンスＣを形成する。

これにより、第２３図に示すようＬおよびＣからなる集
中定数型のノイズフィルタを得ることができる。

さらに、この従来技術では、ＬおよびＣが積層体内に組
込まれているため、小型で軽量なＬＣノイズフィルタと
して用いることができる。

［発明が解決しようとする課題］ ■　しかし、このＬＣフィルタは、各絶縁体層２０　ａ
　、　　２０　ｂ　、　　２０　ｃ−・・の層間で、導
電パターン２２ａ、２２ｃを半ターンしか周回させてい
ない。このため、積層体の限られた空間内では、充分な
ターン数（充分なインダクタンス）をもったコイルを得
ることができないという問題があった。

■　また、このＬＣフィルタは、キャパシタンスを形成
する導電層２４ａ、２４ｃを、コイルを形成する導電パ
ターンの１部２２　ａ　＊　　２２ｃの直線部分にのみ
隣接して設けるだけである。このため、コイルと導電層
２４との間のキャパシタンスＣが小さく、良好な減衰特
性を得ることができないという問題があった。

特に、このＬＣフィルタは、第２２図に示すよう集中定
数型のＬＣフィルタとして形成されている。このため、
各種ノイズ、特にスイッチングサージ等のコモンモード
ノイズや、リップル分等のノーマルモードノイズを確実
に除去できないという問題があった。

■　さらに、このＬＣフィルタは、３端子型のノーマル
モードフィルタとしてしか用いることができず、４端子
型のコモンモード型ノイズとして用いることはできない
という問題があった。

本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、積層体の限られた空間内で十分大
きなインダクタンスおよびキャパシタンスを有し、しか
も侵入するノイズを確実に除去することができる小型の
積層型ＬＣ素子を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、ノーマルモード型のノイズ
フィルタとしてばかりでなく、必要に応じてコモンモー
ド型ノイズフィルタとしても用いることができる積層型
ＬＣ素子を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 前記目的を達成するため、本発明の積層型ＬＣ素子は、 複数の絶縁層が積層された積層体と、 前記絶縁層の層間に第１のスパイラル導体を設け、各層
間に設けられた第１のスパイラル導体が、１の層間から
他の層間にかけて同方向に周回し所定ターン数のコイル
を形成する第１の導体と、前記絶縁層の層間に、前記第
１のスパイラル導体と絶縁層を介して相対向する第２の
スパイラル導体を設け前記第１の導体との間にキャパシ
タンスを形成するとともに、各層間に設けられた第２の
スパイラル導体が、１の層間から他の層間にかけて同方
向に周回し所定ターン数のコイルを形成する第２の導体
と、 を含むことを特徴とする。

［作　用］ 次に本発明の詳細な説明する。

本発明のＬＣ素子は、複数の絶縁層を積層して積層体を
形成している。

そして、第１の導体は、所定ターン数をもった第１のス
パイラル導体が、前記絶縁層の層間に、−の層間から他
の層間にかけて同方向に連続して周回するよう設けられ
ている。これにより、第１の導体は、積層体の限られた
空間内で充分なターン数およびインダクタンスをもった
コイルとして機能することになる。

また、第２の導体は、所定ターン数をもった第２のスパ
イラル導体が、前記絶縁体の層間に−の層間から他の層
間にかけて同方向に連続して周回するよう設けられてい
る。

本発明の特徴は、前記第１のスパイラル導体と、第２の
スパイラル導体とを絶縁層を介して相対向するように設
け、両者を静電容量で容量結合したことにある。

従って、第１および第２の導体の間には、十分大きなキ
ャパシタンスが形成されることになり、しかもこのキャ
パシタンスは、分布定数的に形成されることになる。

これにより、本発明の積層型ＬＣ素子は、積層体という
限られた空間内にもかかわらず、十分大きなインダクタ
ンスおよびキャパシタンスを有する分布定数タイプのＬ
Ｃフィルタとして機能し、従来の集中定数タイプのＬＣ
フィルタに比べ、比較的広い帯域にわたり良好な減衰特
性を得ることができ、各種ノイズをリングング等を伴う
ことなく除去することができる。特に、本発明の積層型
ＬＣ素子は、分布定数回路のし成分、Ｃ成分が有効に機
能し、各種ノイズを有効に除去することができる。

さらに、本発明の積層型ＬＣ素子は、第２の導体にアー
ス端子を設け、第１の導体の両端に入出力端子を設ける
ことによりノーマルモード型のＬＣノイズフィルタとし
て用いることができる。

このとき、前記アース端子は、第２の導体の両端に設け
るものではなく、片側端部にのみ設けることが好ましく
、しかも設けられたアース端子は、第１の導体の入出力
端子に近接配置することが好ましい。これにより、ノー
マルモード型のＬＣノイズフィルタとして、より良好な
減衰特性を得ることができる。

さらに、本発明の積層型ＬＣ素子は、前記第１および第
２の導体の両端に入出力端子を設けることにより、コモ
ンモード型のＬＣノイズフィルタとしても用いることが
できる。

〔実施例〕

次に、発明の好適な実施例を図面に基づき詳細に説明す
る。

第１実施例 第１図〜第３図には、本発明のＬＣ素子を３端子ノーマ
ルモード型のノイズフィルタとして形成した場合の好適
な一例が示されている。

実施例のＬＣ素子は、複数の絶縁板３２−１．３２−２
・・・３２−３を積層して形成された積層体３０と、前
記絶縁板３２の層間３６−１，３６２．３６−３に設け
られ所定ターン数のコイルを形成する第１の導体４０と
、前記絶縁板３２の層間３６−２．３６−３．３６−４
に、絶縁板３２を介して前記第１の導体４０と相対向す
るよう設けられた第２の導体５０とを有する。

前記各絶縁板３２は、必要に応じて各種絶縁材料を用い
て形成すればよい。この絶縁材料としては、例えばセラ
ミックス、プラスチックおよび各種合成樹脂等が考えら
れるが、実施例ではセラミックスを用いて形成されてい
る。

また、実施例の積層体３０では、前記第１の導体４０お
よび第２の導体５０の短絡、露出等を防止するため、各
絶縁板３２を絶縁シート３４−１゜３４−２．・・・３
４−７を介して積層している。そして、最上層および最
下層の絶縁シート３４−１゜３４−７の表面には、第１
の導体４０の端子４２ａ、４２ｂと、第２の導体５０の
端子５２ａ。

５２ｂが被覆形成されている。

本発明において、前記第１の導体４０は、絶縁板３２の
各層間３６−１．３６−２．３６−３に設けられた第１
のスパイラル導体４４−１．４４−２．４４−３から構
成され、各スパイラル導体４４−１．４４−２．４４−
３は、１つの層間から他の層間にかけて同方向に連続し
て周回するよう直列に接続されている。

同様に、前記第２の導体５０は、絶縁板３２の層間３６
−２．３６−３．３６−４に設けられた第２のスパイラ
ル導体５４−１．５４−２．５４−３から構成されてお
り、これら各スパイラル導体５１−１．５４−２．５４
−３は、１つの層間から他の層間にかけて同方向に連続
して周回するよう直列に接続されている。

これにより、前記第１および第２の導体４０゜５０は、
積層体３０という限られた小さな空間内において、十分
なターン数およびインククタンスをもったコイルとして
機能することになる。

本発明の特徴は、前記第１および第２のスパイラル導体
４４．５４を、絶縁板３２を介して相対向するよう形成
し、第１および第２の導体４０５０を静電容量で容量結
合し、両者の間にキャパシタンスを形成することにある
。

このようにすることにより、第１および第２の導体４０
．５０の間には、十分大きなキャパシタンスＣが分布定
数的にほぼ連続して形成されることになる。

本実施例において、前記第１および第２のスパイラル導
体４４．５４は、例えば印刷、蒸着、メッキ等の手法用
いて各絶縁板３２−１．３２−２゜３２−３の両面に互
いに相対向するよう被覆形成されている。

そして、絶縁シー１−３４−１の表面に形成された端子
４２ａは、スルーホール３５を介して絶縁板３２−１上
に設けられた第１のスパイラル導体５４−１の外側端部
に接続され、同様に絶縁シート３４−７の表面に形成さ
れた端子４２ｂは、絶縁シート３４−７に設けられたス
ルーホール３５層間接続リード４６．絶縁シート３４−
６に設けられたスルーホール３５を介し、絶縁板３２−
３上に設けられた第１のスパイラル導体５４−３の内側
端部に接続されている。また、絶縁シート３４−１上に
設けられた端子５２ａは、絶縁シー）３４−１．絶縁板
３２−１上に設けられたスルーホール３５．３３を介し
、絶縁板３２−１の裏面側に設けられた第２のスパイラ
ル導体５１−１の外側端部に接続されている。

なお、実施例では３端子ノーマルモード型ＬＣノイズフ
イルタを形成するため、残りの端子５２ｂが空端子とし
て用いられる。

そして、各絶縁板３２−１．３２−２．３２−３上に被
覆形成された第１のスパイラル導体４４−１．４４−２
．４４−３は、これら絶縁板３２および絶縁シート３４
上に形成されたスルーホール３３．３５および層間接続
リード４６を介して、１つの層間から他の層間にかけて
連続して周回するよう直列接続されている。

同様に、各絶縁板３２−１．３２−２．３２−３上に被
覆形成された第２のスパイラル導体５４１．５４−２．
５４−３も、スルーホール３３゜３５および層間接続リ
ード５６を介し、１つの層間から他の層間にかけて連続
して周回するよう直列接続されている。

第２図には、本実施例の積層型ＬＣ素子の完成図が示さ
れている。実施例のＬＣ素子は、第１図に示す絶縁板３
２および巷間絶縁シート３４を積層している。そして、
この積層体３０の表面に、入出力端子４２ａ、４２ａ　
（第１図参照）を接続し１つの端子として機能するよう
導電材を被覆形成し、同様に、入出力端子４２ｂ、４２
ｂも、１つの端子として機能するよう導電材を被覆形成
する。さらに同様にして、端子５２ａ、５２ｂも、１つ
のアース端子として機能するよう導電材を被覆形成する
。

これにより、積層体３０の外周面に２個の入出力端子４
２ａ、４２ｂと、１個のアース端子５２とが設けられた
３端子ノーマルモード型ＬＣノイズフイルタとして形成
されることになる。しかもこのノイズフィルタは、ＳＭ
Ｄタイプ（サーフ工ス・マウント・デバイス）の素子と
して形成されるためその取扱いが極めて容易なものとな
る。

第３図には、本実施例のＬＣ素子の等価回路図が示され
ている。

実施例の積層型ＬＣ素子において、第１の導体４０は、
その両端が入出力端子４２ａ、４２ｂに接続され、所定
のインダクタンスＬ、をもったインダクタ導体として機
能することになる。また、前記第２の導体５０は、その
一端がアース端子５２ａに接続されたキャパシタ導体と
して機能することになる。

ここにおいて、前記第１の導体４０は、絶縁板３２の層
間３６−１．３６−２．３６−３に設けられた各スパイ
ラル導体４４−１．４１−２゜４４−３を、１つの層間
から他の層間にかけて同方向に連続して周回するよう直
列接続として形成されている。これにより、第１の導体
４０は、積層体３０という限られた空間内で、十分なタ
ーン数およびインダクタンスＬ１をもったコイルとして
機能することが理解されよう。

これに加えて、本実施例のノイズフィルタでは、第２の
導体が、第１の導体４０の磁路を妨げることがないよう
形成されている。

すなわち、第１の導体４０に通電した際発生する磁束は
、第１の導体４０の線間を絶縁板３２の表面側から裏面
側へまたその逆方向に通過する。

このとき、この磁路を妨げるよう第２の導体５０が設け
られていると（例えば、第１の導体４０の線間領域と相
対向するよう第２の導体５０が設けられていると）、磁
路は第２の導体５０によって塞がれ、第１の導体４０は
インダクタとして十分機能できなくなってしまう。

これに対し、本実施例のように、第１の導体４０と相対
向するよう第２の導体５０を設けることにより、第１の
導体４０の磁路は第２の導体５０によって何等妨げられ
ることがないため、スパイラル状に形成された第１の導
体４０のインダクタンスを低下させることなく、ＬＣノ
イズフィルタとしての作用効果を十分発揮させることが
できる。

さらに、本発明の積層型ＬＣ素子においては、前述した
ように第１および第２の導体４０．５０の間に、キャパ
シタンスＣがほぼ連続的に、しかも分布定数的に形成さ
れる。

従って、本発明の積層型ＬＣ素子は、従来の集中定数型
ＬＣ素子にはない優れた特性を発揮することができ、こ
の積層型ＬＣ素子を、ＬＣノイズフィルタとして用いる
ことにより、広帯域にわたって優れた減衰特性を発揮す
ることができる。

これに加えて、本発明によれば、第１および第２の導体
４０．５０が、絶縁板３２を介してスパイラル状に相対
向している。従って、従来の積層型ＬＣ素子に比べ、十
分大きなキャパシタンスＣを得ることができ、この面か
らも従来の積層型ＬＣ素子に比べ、良好な減衰特性をも
ったＬＣノイズフィルタとしと使用可能であることが理
解されよう。

また、本実施例のＬＣ素子において、例えば第４図に示
すよう、前記第１の導体４０は、各層間３６に設けられ
た第１のスパイラル導体４４が、第２のスパイラル導体
５４を介して他の層間３６に設けられた第１のスパイラ
ル導体４４と相対向するよう形成されている。従って、
前記各スパイラル状４４．５４は、第２のスパイラル導
体５４−１を例にとると、このスパイラル導体５４−１
は、絶縁板３２−１を介してその上方に位置する第１の
スパイラル導体４４−１と相対向してキャパシタンスを
形成するばかりでなく、その下方に位置する第１のスパ
イラル導体４４−２との間でもキャパシタンスを形成し
ている。このように各スパイラル導体５４は、その上下
に位置する第１のスパイラル導体４４によりサンドイッ
チ状に挾まれ、キャパシタンスを形成することになるた
め、両者の間には限られた空間内にもかかわらず十分大
きなキャパシタンスＣを得ることができ、この面からも
良好な特性をもった積層型ＬＣ素子となることが理解さ
れよう。

また、このＬＣ素子のキャパシタンスＣをより大きくす
るには、第５図に示すよう絶縁板３２の表面にエツジン
グ等により凹凸を設けることが好ましい。このように形
成された絶縁板３２の表面にスパイラル導体４４．５２
を被覆することにより、両スパイラル導体４４．５４は
広い面積で相対向することになる。これにより、同じ大
きさのＬＣ素子でも、さらに大きなキャパシタンスＣを
得ることが可能となる。

以上説明したように、本発明によれば、キャパシタンス
Ｃが分布定数的に形成されたＬＣ素子を得ることができ
、しかも素子自体を大型化することなく、そのインダク
タンスしおよびキャパシタンスＣを必要に応じて大きな
値に設定することができる。従って、本発明をノイズフ
ィルタに適用した場合には、広帯域にわたって優れた減
衰特性を発揮し、従来の集中定数型ＬＣ素子に比べ優れ
たノイズ除去効果を得ることができる。

なお、本発明をノーマルモード型ＬＣノイズフィルタと
して用いる場合には、キャパシタ導体として機能する第
２の導体５０の両端を接地するのではなく、第３図に示
すようにその一端側のみを接地することが、良好な減衰
特性を得る上で好ましい。とりわけ、実施例のように、
アース端子５２ａを、インダクタ導体として用いる第１
の導体４０の入出力端子４２ａ、４２ｂの少なくともい
ずれか一方と近接配置することにより、より良好な減衰
特性を得ることができる。

第２実施例 第６図〜第８図には、本発明を４端子コモンモード型Ｌ
Ｃノイズフイルタに適用した場合の好適な一例が示され
ている。なお前記第１実施例と対応する部材には同一符
号を付してその説明は省略する。

前記第１実施例では、第１の導体４０をインダクタ導体
として用い、第２の導体５０をその一端が接地されたキ
ャパシタ導体として用いた。このため、第１の導体４０
の両端には、入出力端子４２ａ、４２ｂが接続されるが
、第２の導体５０にはその一端側にのみアース用の端子
５２ａが接続された。

これに対し、本実施例では、第１および第２の導体４０
．５０を、共に信号が通電されるインダクタ導体として
用いる。このため、これら第１および第２の導体４０．
５０の両端には、入出力用の端子４２ａ、４２ｂ、５２
ａ、５２ｂがそれぞれ接続されている。

これにおいて、前記第１の実施例では空端子として用い
られた端子５２ｂは、第６図に示すよう、絶縁板３２−
３上に設けられた第２のスパイラル導体５４−３の内側
端部と、絶縁シート３４−７に設けられたスルーホール
３５１層間接続リード５６および絶縁シート３６−６に
設けられたスルーホール３５を介して接続されている。

なお、他の構成は前記第１実施例と同様なのでここでは
その説明は省略する。

第７図には、このように４端子コモンモード型ノイズフ
イルタとして形成された積層型ＬＣ素子の外観斜視図が
示されている。

実施例のＬＣ素子は、積層体３０の四隅に、第１の導体
４０の両端と接続された入出力端子４２ａ、４２ｂと、
第２の導体５０の両端に接続された入出力端子５２ａ、
５２ｂとが設けられたＳＭＤタイプの素子として形成さ
れている。

第８図には、本実施例のＬＣ素子の等価回路図が示され
ている。

同図に示すよう、実施例のＬＣ素子は、インダクタ導体
として機能する第１および第２の導体４０．５０が、十
分大きなインダクタンスＬＩＬ２を有し、しかも両者の
間には、大きなキャパシタンスＣが連続的にしかも分布
定数的に形成されている。

従って、本実施例によれば、素子自体を大型化すること
なく、広帯域にわたって優れた減衰特性を発揮し、従来
の集中定数型ＬＣ素子に比べ優れたノイズ除去効果を発
揮することができる４端子コモンモード型ＬＣノイズフ
イルタを得ることができる。

なお、本実施例の積層型ＬＣ素子は、これ以外にも、例
えば第２の導体５０の両端に接続された端子５２ａ、５
２ｂのどちらかを接地することにより、ノーマルモード
型ＬＣノイズフィルタとしても用いることができる。

また、前記第１および第２の実施例にかかるＬＣ素子で
は、第１のスパイラル導体４４−１４４−２　４４−３
のパターンを同一形状とし、さらに第２のスパイラル導
体５４−１．５４−２５４−３のパターンを同一形状と
している。このため、同じ形状のスパイラル導体４４．
５４が被覆形成された絶縁板３２を多数枚用意しておき
、これら各絶縁板３２を積層することてＬＣ素子を形成
することができるため、部品の共通化を高め、コストダ
ウンを図ることが可能となる。

第３実施例 第９図、第１０図には、本発明を３端子ノーマルモード
型ＬＣノイズフイルタに適用した場合の他の一例が示さ
れ、第９図はその分解斜視図、第１０図はその外観斜視
概略図である。

前記第１図、第２図に示す実施例では、各絶縁板３２−
１．３２−２．３２−３上に設けられた第１のスパイラ
ル導体４４−１．４４−２．４４−３および第２のスパ
イラル導体５４−１．５４−２．５４−３は、いずれも
そのスパイラルバタンが同しなるように形成されている
。このため、各絶縁板３２−１．３２−２．３２−３に
設けられた第１または第２のスパイラル導体４４．５４
をそれぞれ直列に接続するために、層間絶縁シート３４
−’３．３４−５等に層間接続リード４６゜５６を設け
る必要があった。

しかし、これら層間接続リード４６．５６は、各絶縁板
３２上に設けられた第１のスパイラル導体４４　第２の
スパイラル導体５４の磁路の一部を横切るため、その分
、第１、第２の導体４０゜５０のインダクタンスが低下
するおそれがある。

本実施例のＬＣノイズフィルタは、層間接続リード４６
．５６が、各絶縁板３２上に設けられた第１および第２
のスパイラル導体４４．５４の磁路を横切ることがない
ように構成したことを特徴とする。

このため、本実施例のＬＣ素子は、第９図に示すようス
パイラル径がしだいに小さくなるように形成された第１
のスパイラル導体４４−１，４４３と、スパイラル径が
しだいに大きくなるように形成された第１のスパイラル
導体４４−２゜４４−４とを、絶縁体３２の各層間３６
に交互に設けている。これにより、１つの層間３６の第
１のスパイラル導体４４と、他の層間３６の第１のスパ
イラル導体４４とを接続する層間接続リード４４．５６
が、前記第１実施例のように磁路を横切ることがないよ
うに第１の導体４０が形成される。

同様に、第２の導体５０も、スパイラル径がしだいに小
さくなるように形成された第２のスパイラル導体５４−
１．５４−３と、スパイラル径がしだいに大きくなるよ
うに形成された第２のスパイラル導体５４−２．５４−
４とを、各層間３６に交互に設け、１つの層間３６の第
１のスパイラル導体５４と他の層間３６の第２のスパイ
ラル導体５４とを接続する層間接続リード５６．５６が
、磁路を横切ることがないように形成されている。

具体的には、絶縁板３２−１．３２−３の両面には、第
１のスパイラル導体４４−１．４４−３オヨヒ第２のス
パイラル導体５４−１．５４−３が相対向し、しかもそ
のスパイラル径がしだいに小さくなるように形成されて
いる。

また、絶縁板３２−２．３２−４の両面には、第１のス
パイラル導体４４−２．４４−４および第２のスパイラ
ル導体５４−２．５４−４が互いに相対向し、しかもそ
のスパイラル径がしだいに大きくなるように形成されて
いる。

そして、これら各スパイラル導体４４．５４は、絶縁板
３２および絶縁シート３４上に設けられたスルーホール
３３．３５を介して、１つの層間３６から他の層間３６
へ向は連続して周回するよう直列に接続されている。

また、本実施例においては、例えば第１１図に示すよう
第１および第２のスパイラル導体４４５４のパターンを
形成することによっても、層間接続リード４４．５６が
磁路を横切ることがないように形成することもでき、そ
のスパイラルパターンは必要にて任意に設定することが
可能である。

なお、本実施例では、ノーマルモード型ＬＣノイズフィ
ルタを例にとり説明したが、本発明はこれに限らず、必
要に応じて各種タイプのＬＣ素子に適用することができ
、例えば本発明を４端子コモンモード型ＬＣノイズフイ
ルタに適用することにより、層間接続リード４４．５４
が、第１および第２の導体４０．５０の磁路を横切るこ
とがないように形成することができる。

第４実施例 第１２図、第１３図には、本発明の好適な第４実施例が
示されている。

前記各実施例では、各絶縁層の層間３６に第１および第
２の導体４０．５０を１組形成する場合を例にとり説明
したが、本実施例は第１の導体４０および第２の導体５
０を少なくとも２組用意したことを特徴とする。

そして、各組の第１の導体４０は、信号を通電するイン
ダクタ導体として用い、また各組の第２の導体５０は、
一端がアースされたキャパシタ導体として用いる。

具体的には、第Ｘ２図＜Ａ）に示すよう各絶縁板３２の
表面に、４０ａ、４０ｂの２組の第１の導体を設け、同
図（Ｂ）に示すよう、各絶縁板３２の裏面に、５０ａ、
５０ｂの２組のキヤ／（’／夕導体を設ける。なお、同
図では各インダクタ導体４０ａ、４０ｂを構成する２組
のスパイラル導体４４ａ、４４ｂが相隣接して被覆形成
されており、同様に各キャパシタ導体５０ａ、５０ｂを
構成する２組のスパイラル導体５４ａ、５４ｂが相隣接
して被覆形成されている。

そして、このように形成された各絶縁板３２を、例えば
第１実施例と同様にして積層し積層体３０を形成する。

これにより、第１３図に示す等価回路をもったＬＣ素子
を得ることができる。

従って、前記第１および第２のキャパシタ導体５０ａ、
５０ｂの一端側を接地し、前記第１および第２のインダ
クタ導体４０ａ、４０ｂの両端に入出力端子４２ａ、４
２ｂ、４３ａ、４３ｂを設けることにより、これら各イ
ンダクタ導体４０ａ。

４０ｂは、それぞれ所定のインダクタンスを有し、しか
も対応するキャパシタ導体５０ａ、５０ｂとの間にキャ
パシタンスを分布定数的に形成することになる。

従って、本実施例によれば、分布定数型のコモンモード
４端子ノイスフイルタを得ることができ、各種ノイズを
良好に除去することができる。

また、実施例によれば、第１および第２のインダクタ導
体４０ａ、４０ｂを直列に接続することにより、より大
きなインダクタンスをもった３端子ノーマルモード型Ｌ
Ｃノイズフイルタとしても用いることができる。

第５実施例 第１２図、第１３図には、本発明の好適な第４実施例が
示されている。

前記各実施例では、インダクタとして機能する第１の導
体４０または第２の導体５０に信号を通電し、この信号
中に含まれるノイズを除去するものである。しかし、通
電する信号の周波数が高くなると、例えばうず巻き状に
巻かれた第１の導体４０に線間短絡が生じ、インダクタ
として機能しなくなってしまうという問題が発生する。

特に、このような線間短絡現象は、通電する信号の周波
数が高くなればなるほど頻繁発生すると考えられ、この
ままでは、スパイラル間隔を狭く形成しかつ高周波用の
ノイズフィルタとして用いる場合に問題が発生すること
が考えられる。

本実施例の特徴は、インダクタとして用いる第１または
第２の導体４０．５０の線間に第１４図に示すようシー
ルド導体６０を設けその線間短絡を防止することにある
。

例えば、第１図に示すタイプのノーマルモード型ＬＣノ
イズフィルタでは、第１４図（Ａ）に示すよう、絶縁板
３２の片面に設けられた第１のスパイラル導体４４の線
間にのみシールド導体５０をうす巻き状に被覆形成すれ
ばよく、同図（Ｂ）に示すよう、絶縁板３２の裏面側に
設けられた第２のスパイラル導体４４の線間にはシール
ド導体６０を設ける必要はない。

また、例えば第６図に示すようなコモンモード型のＬＣ
ノイズフィルタでは、第１のスパイラル導体４４のみな
らず、第２のスパイラル導体５４の線間にもシールド導
体６０をうず巻き状に形成すればよい。

なお、前記シールド導体６０を設ける場合には、このシ
ールド導体はアースすることが好ましい。

このため、例えば第１４図に示す実施例では、絶縁板に
設けたスルーホール３３′を介し、シールド導体６０は
キャパシタ導体４０に接続されている。

以上の構成とすることににより、本実施例のノイズフィ
ルタは、低周波帯域から高周波帯域にわたり、線間短絡
現象の発生することなく優れた減衰特性を発揮すること
ができる。

さらに、本実施例のノイズフィルタは、シールド導体６
０を設けることにより、前記第１．第２の導体４０．５
０の線間短絡を防止するばかりではなく、これら第１の
導体４０のインダクタンスと、第１および第２の導体４
０．５０間で形成されるキャパシタンスを改善し、前記
第１．第２実施例に比べより優れた減衰特性を発揮する
こともできる。

また、本実施例以外に、例えば前記第１２図に示すタイ
プのＬＣ素子について考えると、このようなシールド導
体６０は、例えば前第１５図に示すよう、各インダクタ
導体４０ａ、４０ｂを構成するスパイラル導体４４ａ、
４４ｂの線間に第１および第２のシールド導体６０ａ、
６０ｂとしてうず巻き状に形成すればよい。

第６実施例 また、前記実施例のＬＣ素子においては、絶縁層として
絶縁板を用いたが、本発明はこれに限らず、膜成形技術
を用いて絶縁層を形成することも可能であり、以下その
実施例を前記各実施例と対応して詳細に説明する。

第１６図（ａ）〜（１）には、第１図〜第３図に示す３
端子ノーマルモード型ＬＣノイズフイルタを、薄膜成形
技術を用いて形成する場合の製造工程の一例が示されて
いる。

本実施例の特徴は、絶縁層として絶縁板３２の代りに絶
縁薄膜２００を用い、絶縁層ＩＩ！！２００および第１
．第２の導体４０．５０を薄膜成形技術を用いて形成し
たことにある。

すなわち、実施例のＬＣ素子は、まず第１６図（ａ）に
示すよう、絶縁性基板１００の裏面側から側面にかけて
補助端子部４２ａ′を被覆形成すると共に、基板１００
の表面には、前記補助端子部４２ａ′から連続する第１
のスパイラル導体４４−１を被覆形成する。

次に、第１６図（ｂ）に示すよう、絶縁性基板１００の
表面に、第１のスパイラル導体４４の端部が露出するよ
う絶縁薄膜２００−１を被覆形成する。

次に、第１６図（ｃ）に示すよう、絶縁性基板１００の
裏面側から側面にかけて補助端子部５２８′を被覆形成
すると共に、前記絶縁薄膜２００−１上に、前記補助端
子部５２ａ′から連続し、しかも絶縁薄膜２００−１を
介し第１のスパイラル導体４４−１と相対向する第２の
スパイラル導体５４−１を被覆形成する。

次に、第１６図（ｄ）に示すよう、各スパイラル導体４
４−１．５４−１の端部が露出するよう絶縁薄膜２００
−２を被覆形成する。

次に、第１６図（ｅ）に示すよう、この絶縁薄膜２００
−２上に、層間接続リード４６．５６を、導体４４−１
．５４−１の露出端部から絶縁性基板１００の外周部に
かけて被覆形成する。そして、第１６図（ｆ）に示すよ
うに、この層間接続リード４６．５６の端部が露出する
よう絶縁薄膜２００−３を被覆形成する。

次に、第１６図（ｇ）に示すよう、前記絶縁薄膜２００
−３．２００−２を介して前記第２のスパイラル導体５
４−１と相対向するよう、第１のスパイラル導体４４−
２を被覆形成する。このとき、第１のスパイラル導体４
４−２はその外周端部が、層間接続リード４６の露出端
部に接続される。

次に、第１６図（ｈ）に示すよう、前記第１のスパイラ
ル導体４４−２の内周端部と、層間接続リード５６の端
部とが露出するよう、絶縁薄膜２００−４を被覆形成す
る。そして、第１６図（ｉ）に示すよう、前記第１のス
パイラル導体４４−２と、絶縁薄８２００−４を介して
相対向するよう、第２のスパイラル導体５４−２を被覆
形成する。このとき、この第２のスパイラル導体５４−
２の外周端部は、層間接続リード５６の露出端部と接続
されるよう形成される。

このような絶縁薄膜の形成工程と、スパイラル導体およ
び層間接続リードの形成工程とを、以下第１６図（ｊ）
〜（ｒ）に示すように繰返して行い積層体３０を形成す
る。このとき、第１６図（ｑ）の工程において、基板１
００の側面および裏面にかけて、層間接続リード４６と
連続する補助端子部４２ｂ′を被覆形成する。

そして、第１６図（ｓ）に示す工程において、この積層
体３０の片側端部に、前記補助端子部４２ａ’　、４２
ｂ’　、５２ｂ’　と電気的に接続される導電キャップ
４３ａ、４３ｂ、５３ａを嵌込み固定する。

これにより、本実施例によれば、第１６図（１）に示す
よう、第１の導体４０の両端に接続された入出力用の端
子４２ａ、４２ｂと、第２の導体５０の片側端部に接続
された接地用の端子５２ａとが形成されることになる。

このようにして、本実施例によれば、第１６図（ａ）〜
（Ｓ）の製造工程を経て、第１６図（１）に示すような
３端子ノーマルモード型ＬＣノイズフイルタを形成する
ことができる。

以上の構成とすることにより、本実施例によれば、前記
第３図に示すようなしおよびＣからなる分布定数型の等
価回路をもった３端子型ＬＣ素子を得ることができ、本
実施例のＬＣ素子を、例えばノイズフィルタとして用い
ることにより、広帯域にわたり良好な減衰特性を発揮す
るノーマルモード型ＬＣノイズフィルタを得ることがで
きる。

なお、本実施例の積層型ＬＣ素子は、各種薄膜成形技術
、例えば蒸着法、スパッタ法、イオンブレーティング法
、気相成長法等を用いて容易に形成することができる。

例えば、本実施例の積層型ＬＣ素子をスパッタ法を用い
て形成する場合には、ゲートで仕切られた複数の真空チ
ャンバーを用意し、各真空チャンバー内にアルゴンガス
を封入しておく。そして、各真空チャンバー内に絶縁薄
膜２００や、スパイラル導体４４．５４の材料に対応し
た母材を用いて形成されたターゲットを設ける。そして
、前記各チャンバー内において各ターゲットは、基板１
００と対向するように位置させる。ターゲットと基板１
００の間には、パターンを特定するマスクが設けられて
いる。

前記ターゲットには、マイナス電極を介して負の直流電
圧が印加され、また基板１００には、接地電極が接続さ
れている。そして、高周波電圧を、前記マイナス電極と
接地電極との間に印加することにより、ターゲットは正
イオン化されたガスの衝撃を受けてその原子または分子
を放出し、これが基板１００へ向けてスパッタされ薄膜
状に付着する。このときのスパッタパターンは、マスク
パターンにより定められる。

従って、基板１００上に絶縁薄膜２００を被覆形成する
薄膜成形工程に対応した真空チャンバーと、スパイラル
導体４４，５４、層間接続リード４６．５６被覆形成工
程用のチャンバーとを設けておき、薄膜形成工程と、被
覆形成工程とを交互に繰返して行うことにより、実施例
の積層型ＬＣ素子を簡単に形成することができる。

なお、このような薄膜成形技術により形成された本発明
の積層型ＬＣ素子は、前記第１実施例のものに比べて、
より小型でかつ軽量なものとなる。

第７実施例 第１７図には、薄膜成形技術を用い、前記第２実施例と
同じ４端子コモンモード型ＬＣノイズフイルタを形成す
る場合の好適な一例が示されている。なお前記各実施例
と対応する部材には同一符号を付しその詳細な説明は省
略する。

前記第６実施例では、第２の導体５０の一端側にのみ端
子５２ａを設け、これをアース端子として用いる場合を
例にとり説明した。これに対し、本実施例では、第２の
導体５０の両端に端子５２ａ、５２ｂを設け４端子型の
ＬＣ素子として形成したことを特徴とする。

すなわち、実施例において、第１７図（ａ）〜（ｒ）の
各製造工程は、第１６図に示す（ａ）〜（ｒ）の各製造
工程とほぼ同様である。

このとき、第１７図（ｐ）の工程においては、スパイラ
ル導体４４−３．５４−３の内端部を露出するよう絶縁
薄膜２００−８が被覆形成され、さらに、同図（ｑ）の
工程では、この絶縁薄膜２００−８上に、前記露出部か
ら基板１００の外周部へ向けて層間接続リード４６．５
６の双方が被覆形成される。そして、この工程において
は、さらに基板１００の側面および裏面にかけて、前記
層間接続リード４６．５６の端部から連続する補助端子
部４２ｂ’　、５２ｂ’が被覆形成される。

その後、第１７図（ｒ）に示すよう、基板１００上に絶
縁薄膜２００−９が被覆形成される。

そして、第１７図（Ｓ）に示す工程において、積層体３
０の側面端部に、補助端子部４２ａ′４２ｂ’　、５２
ａ’　、５２ｂ’　と電気的に接続されるキャップ４３
ａ、４３ｂ、５３ａ、５３ｂを取付は固定し、同図（１
）に示すような４端子型ＬＣ素子を形成する。

これにより、本実施例によれば、第８図に示すようなし
およびＣからなる分布定数型の等価回路をもった４端子
ＬＣ素子を得ることができ、本実施例のＬＣ素子を、ノ
イズフィルタとして用いることにより、広帯域にわたり
良好な減衰特性を有する４　ｒｉｉｉ子コモンモード型
ＬＣノイズフィルタを形成することができる。

第８実施例 第１８図には、薄膜成形技術を用い前記第１１図に示す
タイプのＬＣ素子を形成する場合の好適な一例が示され
ている。なお前記各実施例と対応する部材には同一符号
を付しその詳細な説明は省略する。

本実施例の特徴は、薄膜成形技術を用い基板１００上に
第１８図（ａ）〜（ｒ）の各工程順に、第１のスパイラ
ル導体４４．絶縁薄膜２００および第２のスパイラル導
体５４を被覆形成していく。

これにより、前記第１１図に示すＬＣ素子と同様に、磁
路を横切る層間接続リード４６．５６のないＬＣ素子を
得ることができる。

なお、スパイラル導体４４．５４の形成工程と、絶縁薄
膜２００の形成工程等は、第１６図、第１７図に示す各
実施例とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略
する。

また、本実施例では、薄膜成形技術を用いて３端子型の
ＬＣ素子を形成する場合を例にとり説明したが、同様に
して、層間接続リードが磁路を横切ることがないように
形成された各種タイプのＬＣ素子、例えは４端子コモン
モード型ＬＣ素子も形成することもできる。

また、このような薄膜成形技術を用いることにより、前
記各実施例のＬＣ素子ばかりでなく、これ以外のＬＣ素
子、例えば前記第１０図、第１２図〜第１５図に示す積
層型ＬＣ素子も同様にして形成できることはいうまでも
ない。

その他の実施例 なお本発明は、前記各実施例に限定されるものではなく
、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である
。

例えば、前記各実施例では、前記第１および第２の導体
４０．５０の対向幅（面積）が一定である場合を例にと
り説明したが、本発明はこれに限らず、必要に応じ第１
および第２のスパイラル導体４４．５４の対向幅（面積
）を変化させることによって、ＬＣ回路の共振点をずら
し、この減衰パターンが若干界なるＬＣ素子を得ること
もできる。

また、前記各実施例、特に第１〜第３実施例では、回路
各部の接続にスルーホール３３．３５を用いたが、本発
明はこれに限らず、スルーホール３３．３５の代りに、
例えば第１６図（ｓ）で示す導電キャップ４３を用いて
もよく、また導電性のメッキ等を用いてもよい。またス
ルーホール３３．３５、導電キャップ４３．メッキ等を
任意に組合せて用いてもよい。

なお、前記導電キャップ４３を用いる場合には、絶縁板
３２および層間絶縁シート３４のこれら導電キャップ４
３が嵌込まれる場所に、層間接続リードを被覆形成して
おき、その接触抵抗を小さくすることが好ましい。

また、前記各実施例では、例えば第２図に示すよう積層
体３０の外周面に端子４２ａ、４２ｂ。

５２を被覆形成した場合を例にとり説明したが、この端
子パターンは必要に応じて任意に形成することができる
。例えば、第１９図に示すように積層体３０の片側端部
に入出力用端子４２ａ、４２ｂを被覆形成し、他端側に
アース用の端子５２を形成してもよい。

また、前記各実施例では、本発明の積層型ＬＣ素−ｒを
ＳＭＤタイプの素子として形成した場合を例にとり説明
したが、本発明はこれに限らず、例えば第２０図に示す
よう、各端子４２ａ　　４２ｂ５２をビン構造としたデ
イスクリードタイプの素子として形成することもできる
。なお、同図（ａ）〜（ｄ）には、ビン構造をした端子
４２ａ、４２ｂ、５２の取付は手順の一例が示されてい
る。

また、前記第１〜第３実施例では、絶縁板３２の両面に
第１および第２のスパイラル導体４４゜５４を被覆形成
した場合を例にとり説明したが、本発明はこれに限らず
、各絶縁板３２の片面にのみこれら第１および第２のス
パイラル導体４４゜５４を設け、これら各絶縁板３２を
積層することにより積層体３０を形成することもできる
。

また、前記各実施例では第１．第２の導体４０゜５０の
インダクタンスを大きくする場合には、例えばスパイラ
ル導体４４．５４のターン数を増やしたり、絶縁層（絶
縁板３０や絶縁薄膜２００）の積層数を大きくとり各導
体４０．５０のターン数を大きく設定した。しかし、本
発明はこれに限らず、これ以外にも、例えば各スパイラ
ル導体４４．５４を、例えばＦｅ等の通電磁性体を用い
て形成したり、またこれら各スパイラル導体４４゜５４
上に磁性体を接着または粉体塗装してもよい。

また、絶縁板３２．絶縁薄膜２００内に磁性体を混合さ
せる等の手法を用いることにより、そのインクダンスＬ
を増加させることもできる。

また、これ以外にも、例えば第１９図に点線で示すよう
、積層体３０の中央に磁芯挿通孔７０を設け、この積層
体３０の表面を磁性材料で粉体塗装しあるいは磁性容器
内に収納することにより、挿通孔７０を介し積層体３０
の周囲を通る開磁路または閉磁路を形成してもよい。

また、必要に応じ、前記第１．第２の導体４０゜５０の
長さを異なる値に設定し、例えば第１の導体４０を第２
の導体５０より長く形成し、そのインダクタンスＬを大
きく設定することも可能である。

また、前記各実施例において、第１．第２の導体４０．
５０間に分布定数的に形成されるキャパシタンスの値を
大きくとる場合には、各スパイラル導体４４，５４．６
４の幅を大きく形成し、その対向面積を拡げればよい。

また、これ以外にも、絶縁層として用いられる絶縁板３
２．絶縁薄膜２００として、誘電率の高いものを用いる
ことによっても、またこれら絶縁層の積層数を多くする
ことによっても、キャパシタンスを増加させることがで
きる。

また、これ以外に、例えば前記各絶縁層の厚さを薄くす
ることによっても、また電解コンデンサ方式を採用し導
電体をポーラス構造にすることによっても、キャパシタ
ンスを増加させることができる。

また、本発明のＬＣ素子では、例えば第２の導体５０を
接地し、ノーマルモード型のフィルタとして用いる場合
には、第１の導体４０の各スパイラル導体４４の幅より
第２の導体５０のスパイラル導体５４の幅を大きく形成
することにより、この第２のスパイラル４体５４が前記
第１のスパイラル導体４４のシールドとして機能し、各
層間の磁束の洩れと、短絡現象の発生を効果的に防止す
ることができる。

また、前記各実施例においては、絶縁層として用いられ
る絶縁板３２や絶縁薄膜２００を、例えばセラミックス
やプラスチック等の絶縁材料を用いて形成する場合を例
にとり説明したが、必要に応じて絶縁材料として電磁波
吸収発熱体を用いることにより、ノイズフィルタとして
の高周波帯域における性能を高めることができる。

また、前記各実施例においては、本発明の積層型ＬＣ素
子をフィルタ、特にノイズフィルタとして用いた場合を
例にとり説明したが、本発明はこれに限らず、これ以外
の用途、例えば各種フィルタとしても、またバリスタ等
としても用いることができる。

また、前記各実施例においては、薄膜形成技術を用いた
場合を例にとり説明したが、必要に応じて厚膜形成技術
を用い、本発明のＬＣ素子を形成してもよい。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、複数の絶縁層を
積層することにより積層体を形成すると共に、所定ター
ン数の第１のスパイラル導体を各絶縁層の層間に１つの
層間から他の層間にかけて同方向に周回させることによ
り、所定ターン数のコイルとして機能する第１の導体を
形成し、さらに前記第１の導体と絶縁層を介して相対向
するよう、所定ターン数の第２のスパイラル導体を各絶
縁層の層間に１つの層間から他の層間にかけて同方向に
周回させ第２の導体を形成するという新規な構成を採用
している。これにより、積層体という限られた空間内で
も、前記第１の導体が十分大きなインダクタンスを有す
るよう形成でき、しかも絶縁層を介して相対向する第１
および第２の導体間に十分大きなキャパシタンスを形成
することができ、小型で良好な性能を有し、しかも安価
な積層型ＬＣ素子を得ることができる。

特に、本発明によれば、第１および第２の導体間に、絶
縁層を介しキャパシタンスが分布定数的に形成されるも
のと推定され、これにより従来の集中定数型ノイズフィ
ルタに比べ、侵入する各種ノイズを確実に減衰除去でき
る優れた減衰特性をもったＬＣノイズフィルタとして用
いることができる。

さらに本発明によれば、前記第１および第２の導体の双
方を通電導体として用いることにより、コモンモード型
ノイズフィルタとして用いることができ、また第２の導
体を接地することにより、ノーマルモード型のノイズフ
ィルタとして用いることができるという効果もある。

また、前記（１０）　、　　（１１）に記載の発明によ
れば、基板上に絶縁層および導体を膜成形技術により被
覆形成することができる。従って、例えば本発明を半導
体製造技術と組合せることにより、ウェハ上にＩＣを形
成する際、同時に積層型ＬＣ素子を形成することもでき
、これにより、本発明の積層型ＬＣ素子を各種ＩＣ内に
、例えばＬＣフィルタ等として組込み、ＬＣフィルタ内
蔵型のＩＣを形成することもできるという効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の積層型ＬＣ素子の好適な第１実施例
の分解斜視図、 第２図は、第１図に示す積層型ＬＣ素子を組立てた状態
の斜視説明図、 第３図は、実施例のＬＣ素子の等価回路図、第４図は、
各スパイラル導体の立体配置の説明図、 第５図は、基板表面に凹凸を設けその上にスパイラル導
体を被覆形成することにより、その実効被覆面積を大き
くとる場合の説明図、 第６図、第７図は、本発明の積層型ＬＣ素子の好適な第
２実施例の説明図、 第８図は、前記第２実施例の等価回路図、第９図および
第１０図は、本発明の積層型ＬＣ素子の好適な第３実施
例の説明図、 第１１図は、前記第３実施例の変形例の説明図、第１２
図は、本発明の積層型ＬＣ素子の好適な第４実施例の説
明図であり、同図（Ａ）は絶縁板の表面に被覆形成され
た２組のインダクタ導体の説明図、同図（Ｂ）は基板の
裏面側に被覆形成された２組のキャパシタ導体の説明図
、 第１３図は、前記第４実施例に示すＬＣ素子の等価回路
図、 第１４図は、本発明の積層型ＬＣ素子の好適な第５実施
例の説明図であり、同図（Ａ）は、第１の導体を形成す
る第１のスパイラル導体間に、その線間短絡を防止する
シールド導体を設けた場合の説明図、同図（Ｂ）は、同
図（Ａ）に示す第１のスパイラル導体と相対向するよう
絶縁板の裏面側に設けられた第２のスパイラル導体の説
明図、第１５図は、前記第５実施例の変形例の説明図で
あり、同図（Ａ）は絶縁板の表面側に設けられた２組の
第１のスパイラル導体およびその線間に設けられたシー
ルド導体の説明図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）に示す２組
のスパイラル導体と相対向するよう絶縁板の裏面側に設
けられた２組のキャパシタ導体の説明図、 第１６図（ａ）〜（１）は、基板上に薄膜成形技術を用
いてスパイラル導体および絶縁薄膜を被覆形成して３端
子型ＬＣ素子を製造する工程の説明図、 第１７図（ａ）〜（１）は、薄膜成形技術を用いて４端
子積層型ＬＣ素子を製造する工程を示す説明図、 第１８図は、薄膜成形技術を用いて前記第１１図と同じ
タイプの積層型ＬＣ素子を製造する工程の説明図、 第１９図は、ＳＭＤタイプの積層型ＬＣ素子に設けられ
た端子位置の変形例の説明図、第２０図（ａ）〜（ｄ）
は、デイスクリードタイプに形成された積層型ＬＣ素子
の一例を示す説明図、 第２１図は、従来の一般的なＬＣノイズフィルタの一例
を示す説明図、 第２２図（ａ）　〜（ｆ）は、従来の積層型ＬＣ素子の
製造工程の一例を示す説明図、 第２３図は、第２２図に示すＬＣ素子の等価回路図であ
る。 ３０・・・積層体、３２・・・絶縁板、３４・・・層間
絶縁シート、３６・・・層間、４０・・・第１の導体、
４２・・・入出力端子、４４・・・第１のスパイラル導
体、 ５０・・・第２の導体、５２・・・アース端子、５４・
・・第２のスパイラル導体、 ６０・・・シールド導体、７０・・・磁芯挿通孔、１０
０・・・基板、２００・・・絶縁薄膜。

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. （１）複数の絶縁層が積層された積層体と、前記絶縁層
   の層間に第１のスパイラル導体を設け、各層間に設けら
   れた第１のスパイラル導体が、１の層間から他の層間に
   かけて同方向に周回し所定ターン数のコイルを形成する
   第１の導体と、前記絶縁層の層間に、前記第１のスパイ
   ラル導体と絶縁層を介して相対向する第２のスパイラル
   導体を設け前記第１の導体との間にキャパシタンスを形
   成すると共に、各層間に設けられた第２のスパイラル導
   体が、１の層間から他の層間にかけて同方向に周回し所
   定ターン数のコイルを形成する第２の導体と、 を含むことを特徴とする積層型ＬＣ素子。
2. （２）請求項（１）において、 前記第２の導体は、アース端子が設けられたキャパシタ
   導体として形成され、 前記第１の導体は、その両端に入出力端子が設けられた
   インダクタ導体として形成され、 ノーマルモード型のＬＣノイズフィルタとして形成され
   たことを特徴とする積層型ＬＣ素子。
3. （３）請求項（１）において、 前記第１の導体は、互いに相隣接する少なくとも２組の
   インダクタ導体として形成され、 前記第２の導体は、絶縁層を介し前記各インダクタ導体
   と相対向し、各インダクタ導体との間でキャパシタを形
   成する少なくとも２組のキャパシタ導体として形成され
   、 前記各インダクタ導体は、その両端がそれぞれ入出力端
   子に接続され、前記各キャパシタ導体は接地されること
   を特徴とする積層型ＬＣ素子。
4. （４）請求項（１）〜（３）のいずれかにおいて、前記
   絶縁層の層間に、第１の導体の線間に位置して設けられ
   、第１の導体の線間短絡を防止するシールド導体を設け
   たことを特徴とする積層型ＬＣ素子。
5. （５）請求項（１）において、 前記第１および第２の導体は、その両端に入出力端子が
   設けられたインダクタ導体として形成されたことを特徴
   とする積層型ＬＣ素子。
6. （６）請求項（１）〜（５）のいずれかにおいて、前記
   積層体は、複数の絶縁板を絶縁層として積層したことを
   特徴とする積層型ＬＣ素子。
7. （７）請求項（６）において、 前記絶縁板は、その両面に第１のスパイラル導体および
   第２のスパイラル導体が相対向するよう設けられ、 各絶縁板は、層間絶縁層を介して積層されることを特徴
   とする積層型ＬＣ素子。
8. （８）請求項（１）〜（６）のいずれかにおいて、前記
   積層体は、 表面に第１のスパイラル導体が設けらた第１の絶縁板と
   、 表面に第２のスパイラル導体が設けられた第２の絶縁板
   と、 を含み、前記第１のスパイラル導体と第２のスパイラル
   導体とが相対向するよう前記第１および第２の絶縁体を
   交互に積層したことを特徴とする積層型ＬＣ素子。
9. （９）請求項（１）〜（８）のいずれかにおいて、前記
   絶縁層の層間に設けられた第１および第２のスパイラル
   導体は、他の層間に設けられた第１および第２のスパイ
   ラル導体と、導電性キャップ、導電性メッキ層、または
   絶縁層に形成されたスルーホールを介して電気的に接続
   されることを特徴とする積層型ＬＣ素子。
10. （１０）請求項（１）〜（５）のいずれかにおいて、 前記積層体は、スパイラル導体の接続用の端部露出部が
    設けられた絶縁薄膜を絶縁層として積層することにより
    形成され、 前記第１および第２のスパイラル導体は、前記露出部を
    介して次の層間の第１および第２のスパイラル導体へ接
    続されることを特徴とする積層型ＬＣ素子。
11. （１１）請求項（１）〜（１０）のいずれかにおいて、 前記第１の導体は、絶縁層の各層間に設けられた第１の
    スパイラル導体が、他の層間に設けられた第１のスパイ
    ラル導体と、第２のスパイラル導体を介して相対向する
    よう形成されたことを特徴とする積層型ＬＣ素子。
12. （１２）請求項（１）〜（１０）のいずれかにおいて、 前記第１および第２の導体は、１の層間のスパイラル導
    体と他の層間のスパイラル導体との接続導体が磁路を横
    切ることが無いよう形成されたことを特徴とする積層型
    ＬＣ素子。
13. （１３）基板上に複数の絶縁薄膜層を順次積層していく
    膜積層工程と、 前記各絶縁膜層が積層される毎に、層間接続される第１
    のスパイラル導体，第２のスパイラル導体または各スパ
    イラル導体を層間接続する層間接続リードの少なくとも
    いずれかを被覆し、所定ターン数の第１の導体および所
    定ターン数の第２の導体を形成するスパイラル形成工程
    と、 とを交互に繰返し、前記スパイラル形成工程では、絶縁
    膜層を介し、第１のスパイラル導体と第２のスパイラル
    導体とが相対向するよう被覆することを特徴とする積層
    型ＬＣ素子の製造方法。