JPH05283232A - 積層形ｅｍｉフィルタ - Google Patents
積層形ｅｍｉフィルタInfo
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- JPH05283232A JPH05283232A JP8208992A JP8208992A JPH05283232A JP H05283232 A JPH05283232 A JP H05283232A JP 8208992 A JP8208992 A JP 8208992A JP 8208992 A JP8208992 A JP 8208992A JP H05283232 A JPH05283232 A JP H05283232A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 経済的かつ高性能な小型の積層形ＥＭＩフィ
ルタを提供すること。 【構成】 積層形ＥＭＩフィルタは，互いに対向し，か
つその経路が積層方向に重畳する複数の導体２，４を絶
縁磁性体層中に埋設した積層体である。この積層体は，
導体４の両端部７，７をこの積層体の側端面までそれぞ
れ延長したものと，導体２の一部をこの積層体の側端面
まで延長したものとを各々交互に畳重して複数層を形成
して１構成単位としとしている。この構成単位を多数
個，積層方向に重畳するとともに，各構成単位間には，
磁気回路上のクロストークを妨ぐべく，非磁性体層６を
埋設した。更に，前記側端面まで延長した複数の導体を
それぞれ前記積層体の側端面に設けた複数の膜状の電極
端子Ａ，Ｂ，Ｃと接続した。
ルタを提供すること。 【構成】 積層形ＥＭＩフィルタは，互いに対向し，か
つその経路が積層方向に重畳する複数の導体２，４を絶
縁磁性体層中に埋設した積層体である。この積層体は，
導体４の両端部７，７をこの積層体の側端面までそれぞ
れ延長したものと，導体２の一部をこの積層体の側端面
まで延長したものとを各々交互に畳重して複数層を形成
して１構成単位としとしている。この構成単位を多数
個，積層方向に重畳するとともに，各構成単位間には，
磁気回路上のクロストークを妨ぐべく，非磁性体層６を
埋設した。更に，前記側端面まで延長した複数の導体を
それぞれ前記積層体の側端面に設けた複数の膜状の電極
端子Ａ，Ｂ，Ｃと接続した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，電子回路に供するフィ
ルタに関するものであり，特に低周波から高周波の雑音
除去等の用途に適した簡素，かつ高性能なＬＣフィルタ
の構成に関するものである。
ルタに関するものであり，特に低周波から高周波の雑音
除去等の用途に適した簡素，かつ高性能なＬＣフィルタ
の構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】周知の通り，電子回路の雑音除去を行う
場合には，雑音の同相成分，逆相成分のいずれか，或は
双方の対策が必要である。この対策手段としては回路中
にインダクタ，コンデンサのいずれか実装するか，或は
双方を組み合わせてローパスフィルタを形成して雑音レ
ベルを低減する方法が知られている。
場合には，雑音の同相成分，逆相成分のいずれか，或は
双方の対策が必要である。この対策手段としては回路中
にインダクタ，コンデンサのいずれか実装するか，或は
双方を組み合わせてローパスフィルタを形成して雑音レ
ベルを低減する方法が知られている。
【０００３】図３（ａ）乃至（ｌ）は従来の積層形ＥＭ
Ｉフィルタ素子の一例の製造工程を示す図で，図３
（ｍ）はこのフィルタ素子の等価回路を示す図である。
ここに示す従来のフィルタ素子は図示の通り積層手段を
用いた部品である。この部品を製造するには，まず図３
（ａ）で示すように絶縁体基板上１０１に図３（ｂ）で
示すように，絶縁体基板１０１の一端１０３まで延出し
た容量形成用の導体１０２を印刷した後，図３（ｃ）で
示すように，誘電体層１０４を介して，図３（ｄ）で示
すように，側端部まで延出した部分１０６を有する第２
の容量形成用の導体１０５を印刷して図３（ｅ）で示す
ように，磁性体層１０７を重ねてコンデンサ部を形成す
る。次いで，図３（ｆ）で示すように約半ターンのコイ
ル形成用の導体パターン１０８を形成し，図３（ｇ）で
示すように前記導体パターン１０８の巻終わり部１０
８′を残した磁性体層１１０を印刷し，以下，図３
（ｈ）乃至（ｋ）に示すように前記導体パターン１１
１，１１３と前記磁性体層１１０との交互印刷により，
インダクタを形成する。そして，図３（ｌ）で示すよう
に前記２つの容量形成用電極１０２，１０５の側端部１
０３，１０６及びコイル形成用パターンの両端部１０
８，１１６はそれぞれ前記積層印刷体の側端部に引き出
されるとともに，前記側端部に設けた膜状端子１２１，
１２２，１２３と接続されて図３（ｍ）の等価回路で示
すようなＬＣ複合素子構成を得ていた。尚，磁性体材料
として，Ｍｎ−Ｚｎフェライト粉末，導体材料として，
Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ粉末等，誘電体材料とし
て，チタン酸バリウムが用いられる。
Ｉフィルタ素子の一例の製造工程を示す図で，図３
（ｍ）はこのフィルタ素子の等価回路を示す図である。
ここに示す従来のフィルタ素子は図示の通り積層手段を
用いた部品である。この部品を製造するには，まず図３
（ａ）で示すように絶縁体基板上１０１に図３（ｂ）で
示すように，絶縁体基板１０１の一端１０３まで延出し
た容量形成用の導体１０２を印刷した後，図３（ｃ）で
示すように，誘電体層１０４を介して，図３（ｄ）で示
すように，側端部まで延出した部分１０６を有する第２
の容量形成用の導体１０５を印刷して図３（ｅ）で示す
ように，磁性体層１０７を重ねてコンデンサ部を形成す
る。次いで，図３（ｆ）で示すように約半ターンのコイ
ル形成用の導体パターン１０８を形成し，図３（ｇ）で
示すように前記導体パターン１０８の巻終わり部１０
８′を残した磁性体層１１０を印刷し，以下，図３
（ｈ）乃至（ｋ）に示すように前記導体パターン１１
１，１１３と前記磁性体層１１０との交互印刷により，
インダクタを形成する。そして，図３（ｌ）で示すよう
に前記２つの容量形成用電極１０２，１０５の側端部１
０３，１０６及びコイル形成用パターンの両端部１０
８，１１６はそれぞれ前記積層印刷体の側端部に引き出
されるとともに，前記側端部に設けた膜状端子１２１，
１２２，１２３と接続されて図３（ｍ）の等価回路で示
すようなＬＣ複合素子構成を得ていた。尚，磁性体材料
として，Ｍｎ−Ｚｎフェライト粉末，導体材料として，
Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ粉末等，誘電体材料とし
て，チタン酸バリウムが用いられる。
【０００４】また，従来の積層形ＥＭＩフィルタの他の
例を図４（ａ），（ｂ），（ｃ）及び（ｄ）に示す。こ
こで，図４（ａ）は従来の積層形ＥＭＩフィルタの積層
体の他の例を示す分解組立斜視図，図４（ｂ）は積層体
の斜視図，図４（ｃ）は積層形ＥＭＩフィルタの斜視
図，図４（ｄ）は図４（ｃ）の積層形ＥＭＩフィルタの
等価回路を示す図である。これらの図に示す従来の他の
例は，積層によって形成された部品である。この部品を
製造するには，まず互いに対向し，かつその経路が積層
方向に重畳する複数の直線状，或は蛇行状に印刷形成さ
れた導体１３３，１３４を絶縁磁性体層１３０，１３
１，１３２中に埋設することにより構成されている。こ
の際に，導体１３４の両端部１３４ａ，１３４ｂを前記
積層印刷体の側端面までそれぞれ延長するものと，前記
導体１３３の一端１３３ａを前記積層体の側端面まで延
長するものとで各々交互に複数層にて図４（ｂ）で示す
積層体を構成するとともに，前記側端面まで延長した複
数の導体の端部１３３ａ，１３４ａ，ｂをそれぞれ前記
積層体の側端面に設け，かつ導体の長さを調整し，複数
の膜状の電極端子１２１，１２２，１２３と接続して図
４（ｄ）に示すようなＬＣ複合素子構成を得ていた。
尚，導体材料および誘電体材料は，前述の従来例と同じ
である。また，絶縁磁性体材料として，Ｍｎ−Ｚｎフェ
ライト粉末，Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉末等が用いられる
が，Ｍｎ−Ｚｎフェライト粉末の場合，形成された磁性
板に，絶縁膜を設けて使用する。この積層型ＥＭＩフィ
ルタ素子を前述したローパスフィルタとして電子回路中
に適用して雑音の除去用途に供してきた。
例を図４（ａ），（ｂ），（ｃ）及び（ｄ）に示す。こ
こで，図４（ａ）は従来の積層形ＥＭＩフィルタの積層
体の他の例を示す分解組立斜視図，図４（ｂ）は積層体
の斜視図，図４（ｃ）は積層形ＥＭＩフィルタの斜視
図，図４（ｄ）は図４（ｃ）の積層形ＥＭＩフィルタの
等価回路を示す図である。これらの図に示す従来の他の
例は，積層によって形成された部品である。この部品を
製造するには，まず互いに対向し，かつその経路が積層
方向に重畳する複数の直線状，或は蛇行状に印刷形成さ
れた導体１３３，１３４を絶縁磁性体層１３０，１３
１，１３２中に埋設することにより構成されている。こ
の際に，導体１３４の両端部１３４ａ，１３４ｂを前記
積層印刷体の側端面までそれぞれ延長するものと，前記
導体１３３の一端１３３ａを前記積層体の側端面まで延
長するものとで各々交互に複数層にて図４（ｂ）で示す
積層体を構成するとともに，前記側端面まで延長した複
数の導体の端部１３３ａ，１３４ａ，ｂをそれぞれ前記
積層体の側端面に設け，かつ導体の長さを調整し，複数
の膜状の電極端子１２１，１２２，１２３と接続して図
４（ｄ）に示すようなＬＣ複合素子構成を得ていた。
尚，導体材料および誘電体材料は，前述の従来例と同じ
である。また，絶縁磁性体材料として，Ｍｎ−Ｚｎフェ
ライト粉末，Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉末等が用いられる
が，Ｍｎ−Ｚｎフェライト粉末の場合，形成された磁性
板に，絶縁膜を設けて使用する。この積層型ＥＭＩフィ
ルタ素子を前述したローパスフィルタとして電子回路中
に適用して雑音の除去用途に供してきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，近年の
電子機器，装置における小形化，低ピッチ化，高密度
化，並びに低価格化要求はめざましく，前述の従来の技
術で述べられたようなフィルタ素子の構成では，積層，
及び印刷の手段によってある程度の小形化は図れるもの
の，回路基板上での低ピッチ化，高密度化への対応が，
困難になるという欠点があった。特に磁性体中に埋設し
た印刷導体のパターン構成，（即ち，印刷された導体の
長さのみでは必ずしも充分な対策効果が得られず，要求
されるニーズ，例えば，電気的特性）や小形化，いずれ
に対しても大きな阻害因子になるという欠点があった。
電子機器，装置における小形化，低ピッチ化，高密度
化，並びに低価格化要求はめざましく，前述の従来の技
術で述べられたようなフィルタ素子の構成では，積層，
及び印刷の手段によってある程度の小形化は図れるもの
の，回路基板上での低ピッチ化，高密度化への対応が，
困難になるという欠点があった。特に磁性体中に埋設し
た印刷導体のパターン構成，（即ち，印刷された導体の
長さのみでは必ずしも充分な対策効果が得られず，要求
されるニーズ，例えば，電気的特性）や小形化，いずれ
に対しても大きな阻害因子になるという欠点があった。
【０００６】そこで，本発明の技術的課題は，かかる従
来の技術における欠点を除去して経済的，かつ高性能で
小型の積層形ＥＭＩフィルタを提供することにある。
来の技術における欠点を除去して経済的，かつ高性能で
小型の積層形ＥＭＩフィルタを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，互いに
対向し，かつその経路が積層方向に重畳する複数の導体
を磁性体中に埋設した積層体を有する積層形ＥＭＩフィ
ルタにおいて，前記複数の導体うちで両端部を前記積層
体の両端面までそれぞれ延長した第１の導体と，前記複
数の導体のうちで導体の一部を前記積層体の一端面まで
延長した第２の導体と，前記第１及び第２の導体層間に
埋設された強誘電体とを備えたことを特徴とする積層形
ＥＭＩフィルタが得られる。
対向し，かつその経路が積層方向に重畳する複数の導体
を磁性体中に埋設した積層体を有する積層形ＥＭＩフィ
ルタにおいて，前記複数の導体うちで両端部を前記積層
体の両端面までそれぞれ延長した第１の導体と，前記複
数の導体のうちで導体の一部を前記積層体の一端面まで
延長した第２の導体と，前記第１及び第２の導体層間に
埋設された強誘電体とを備えたことを特徴とする積層形
ＥＭＩフィルタが得られる。
【０００８】本発明によれば，前記第１の導体及び第２
の導体は，積層方向に交互に重畳されていることを特徴
とする積層形ＥＭＩフィルタが得られる。
の導体は，積層方向に交互に重畳されていることを特徴
とする積層形ＥＭＩフィルタが得られる。
【０００９】本発明によれば，前記したいずれかの積層
形ＥＭＩフィルタにおいて，前記一端面まで延長した導
体を，前記積層体の一端面に設けた膜状の電極端子によ
って接続したことを特徴とする積層形ＥＭＩフィルタが
得られる。
形ＥＭＩフィルタにおいて，前記一端面まで延長した導
体を，前記積層体の一端面に設けた膜状の電極端子によ
って接続したことを特徴とする積層形ＥＭＩフィルタが
得られる。
【００１０】この構成によって，本発明においては，前
記導体の一部を前記側端面まで延長蛇行，或は直線状等
の形態を有する導体は，他の導体との間で強誘電体を埋
設し，または強誘電体層の前記導体と積層方向に対向し
た同様な軌道をとることで容量形成用導体として機能す
るとともに，前記両端を端面まで延長した導体について
は，磁性体中で閉磁路を形成してインダクタ形成用導体
としての機能を少なくとも具備している。
記導体の一部を前記側端面まで延長蛇行，或は直線状等
の形態を有する導体は，他の導体との間で強誘電体を埋
設し，または強誘電体層の前記導体と積層方向に対向し
た同様な軌道をとることで容量形成用導体として機能す
るとともに，前記両端を端面まで延長した導体について
は，磁性体中で閉磁路を形成してインダクタ形成用導体
としての機能を少なくとも具備している。
【００１１】従って，前記容量形成用導体とインダクタ
形成用導体とが強誘電体を介して対向する構成として考
えれば，前記閉磁路を阻害することなく良好なインダク
タ成分を形成するとともに，前記容量成分は前述したイ
ンダクタ成分を形成する導体との間で容量形成用導体に
接続される端子を基準とする有極の分布常数形ＬＣ複合
素子として機能し，広帯域の雑音除去フィルタ等の用途
に有効となる構成が得られる。
形成用導体とが強誘電体を介して対向する構成として考
えれば，前記閉磁路を阻害することなく良好なインダク
タ成分を形成するとともに，前記容量成分は前述したイ
ンダクタ成分を形成する導体との間で容量形成用導体に
接続される端子を基準とする有極の分布常数形ＬＣ複合
素子として機能し，広帯域の雑音除去フィルタ等の用途
に有効となる構成が得られる。
【００１２】また，前記容量形成用導体として，前記導
体の両端を側端面まで延長ものとして適用すれば，前述
した有極性を回避する構成も可能となる。
体の両端を側端面まで延長ものとして適用すれば，前述
した有極性を回避する構成も可能となる。
【００１３】さらに，前記容量形成用導体とインダクタ
形成用導体とをそれぞれ微薄な強誘電体を介して交互に
設置すれば，前記インダクタ形成用導体相互間には磁気
的結合が高まりトランス構造を呈し，前述した容量形成
用導体との間で形成される容量成分を併せ持ち，しか
も，電子機器，装置における電子回路の小形化，高密度
化に優れたものとなる。
形成用導体とをそれぞれ微薄な強誘電体を介して交互に
設置すれば，前記インダクタ形成用導体相互間には磁気
的結合が高まりトランス構造を呈し，前述した容量形成
用導体との間で形成される容量成分を併せ持ち，しか
も，電子機器，装置における電子回路の小形化，高密度
化に優れたものとなる。
【００１４】また，この構成において，磁性体の固有抵
抗の低い材質の場合には，絶縁コーティングされた導体
パターンを内部に介在させることで，より高信頼性を得
ることができる。
抗の低い材質の場合には，絶縁コーティングされた導体
パターンを内部に介在させることで，より高信頼性を得
ることができる。
【００１５】以上の通り，本発明においては前記導体の
任意の組合せによって，所望の特性のフィルタを構成で
きる。
任意の組合せによって，所望の特性のフィルタを構成で
きる。
【００１６】また，本発明によれば前記導体間又は，磁
性体間に介在する強誘電体の少なくとも一部を，磁性体
のいずれか，或は双方にそれぞれ置換することによっ
て，前記導体間の磁路成分を低減して，前記導体相互間
の磁気的結合をより高めたり，前記導体間の容量成分を
高め，或は，適切な値に設定して，所望のフィルタ特性
に設計可能とすることができる。
性体間に介在する強誘電体の少なくとも一部を，磁性体
のいずれか，或は双方にそれぞれ置換することによっ
て，前記導体間の磁路成分を低減して，前記導体相互間
の磁気的結合をより高めたり，前記導体間の容量成分を
高め，或は，適切な値に設定して，所望のフィルタ特性
に設計可能とすることができる。
【００１７】
【実施例】以下，本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
【００１８】図１（ａ），（ｂ）及び（ｃ）は本発明の
第１実施例に係る積層形ＥＭＩフィルタを示す図であ
り，図１（ａ）は積層体の分解組立斜視図，図１（ｂ）
は全体の構成を示す斜視図，図１（ｃ）は（ｂ）の等価
回路，及び図１（ｄ）は（ｂ）の断面６の概略図であ
る。本発明の第１実施例に係る積層形ＥＭＩフィルタは
次のように製造されている。
第１実施例に係る積層形ＥＭＩフィルタを示す図であ
り，図１（ａ）は積層体の分解組立斜視図，図１（ｂ）
は全体の構成を示す斜視図，図１（ｃ）は（ｂ）の等価
回路，及び図１（ｄ）は（ｂ）の断面６の概略図であ
る。本発明の第１実施例に係る積層形ＥＭＩフィルタは
次のように製造されている。
【００１９】図１（ａ）において，未焼成のＮｉ−Ｚｎ
フェライト粉末，Ｍｎ−Ｚｎフェライト粉末等の磁性粉
末と結合樹脂とを練り合わせて形成した磁性体板を磁性
体層１とし，この上にＡｇ−Ｐｄ等による導体ペースト
を用いて蛇行した第１の導体２を印刷する。次いで誘電
体によるペーストを全面に印刷して誘電体層３とした後
に，この上に蛇行した第２の導体４を印刷形成する。次
に前記磁性体ペーストを全面に印刷して磁性体層５とし
て積層体を形成する。尚，前記磁性体ペースト，前記導
体ペースト，及び前記誘電体ペーストは，一体焼成のた
め，共に焼結の際には，同収縮率が得られるものからな
り，製造工程においては，複数のチップを水平方向に縦
横に並設するように１枚の磁性体シート上に形成され，
個々のチップに切断した後，一体焼成する。
フェライト粉末，Ｍｎ−Ｚｎフェライト粉末等の磁性粉
末と結合樹脂とを練り合わせて形成した磁性体板を磁性
体層１とし，この上にＡｇ−Ｐｄ等による導体ペースト
を用いて蛇行した第１の導体２を印刷する。次いで誘電
体によるペーストを全面に印刷して誘電体層３とした後
に，この上に蛇行した第２の導体４を印刷形成する。次
に前記磁性体ペーストを全面に印刷して磁性体層５とし
て積層体を形成する。尚，前記磁性体ペースト，前記導
体ペースト，及び前記誘電体ペーストは，一体焼成のた
め，共に焼結の際には，同収縮率が得られるものからな
り，製造工程においては，複数のチップを水平方向に縦
横に並設するように１枚の磁性体シート上に形成され，
個々のチップに切断した後，一体焼成する。
【００２０】ここにおいて，第２の導体４は磁性体中に
埋設され蛇行するインダクタ形成用導体として両端４
ａ，４ｂが積層体端面まで延長し，焼成後に図１（ｂ）
のように前記積層体の側端面に設けた膜状端子Ａ，Ｂと
接続されている。また，第１の導体２は，第２の導体４
と誘電体層３を介して互いに対向かつ経路が積層方向に
重畳するようになした容量形成用導体として一方の端を
第２の導体４と同様に膜状端子Ｃと接続する構成である
ため，第１の導体２の周辺に形成される閉磁路を阻害す
ることも少なく良好なインダクタ成分を形成するととも
に，前記容量成分は前述したインダクタ成分を形成する
前記第２の導体４に対して分布定数形となるためこれを
図１（ｃ）の等価回路で示すようなローパスフィルタと
して電子回路中に挿入すれば簡素な構成で広帯域の雑音
除去フィルタが得られる。
埋設され蛇行するインダクタ形成用導体として両端４
ａ，４ｂが積層体端面まで延長し，焼成後に図１（ｂ）
のように前記積層体の側端面に設けた膜状端子Ａ，Ｂと
接続されている。また，第１の導体２は，第２の導体４
と誘電体層３を介して互いに対向かつ経路が積層方向に
重畳するようになした容量形成用導体として一方の端を
第２の導体４と同様に膜状端子Ｃと接続する構成である
ため，第１の導体２の周辺に形成される閉磁路を阻害す
ることも少なく良好なインダクタ成分を形成するととも
に，前記容量成分は前述したインダクタ成分を形成する
前記第２の導体４に対して分布定数形となるためこれを
図１（ｃ）の等価回路で示すようなローパスフィルタと
して電子回路中に挿入すれば簡素な構成で広帯域の雑音
除去フィルタが得られる。
【００２１】尚，磁性粉末としてＭｎ−Ｚｎフェライト
を使用する場合には，形成された磁性体層に絶縁膜を設
けても良い。
を使用する場合には，形成された磁性体層に絶縁膜を設
けても良い。
【００２２】第１実施例に係る積層形ＥＭＩフィルタで
は，図１（ｄ）に示すように，第１及び第２の導体２及
び４間は，実線で示される磁束８が形成によって，雑音
の逆相成分が除去され，一方，第１及び第２の導体２及
び４全体では，破線で示される磁束７によって，雑音の
同相成分が除去される。
は，図１（ｄ）に示すように，第１及び第２の導体２及
び４間は，実線で示される磁束８が形成によって，雑音
の逆相成分が除去され，一方，第１及び第２の導体２及
び４全体では，破線で示される磁束７によって，雑音の
同相成分が除去される。
【００２３】また，本発明の第１実施例における容量形
成用導体として，前記インダクタ形成用導体と同様に，
導体の両端を側端面まで延長したものを適用すれば前述
した有極性を回避する構成も可能となり，図１（ｂ）で
示すような電極端子から構成することができる。
成用導体として，前記インダクタ形成用導体と同様に，
導体の両端を側端面まで延長したものを適用すれば前述
した有極性を回避する構成も可能となり，図１（ｂ）で
示すような電極端子から構成することができる。
【００２４】従って，電子回路中に挿入して容量分の端
子を地路すれば，広帯域の同相雑音の除去用のローパス
フィルタが簡素な構成で得られる。
子を地路すれば，広帯域の同相雑音の除去用のローパス
フィルタが簡素な構成で得られる。
【００２５】次に，図２は本発明の第２実施例に係る積
層形ＥＭＩフィルタの構成を示したものであり，図１
（ａ）乃至（ｄ）に示した第１実施例の構成とそれぞれ
対応させて説明する。
層形ＥＭＩフィルタの構成を示したものであり，図１
（ａ）乃至（ｄ）に示した第１実施例の構成とそれぞれ
対応させて説明する。
【００２６】第２実施例においても，第１実施例のもの
と同様な材料を用い第１の実施例と同様な手順で，，磁
性体板からなる磁性体層１１上に形成した蛇行した容量
形成用の第１の導体１２のパターンは，蛇行した第２の
導体１５のパターンとそれぞれ対向する様に設けてあ
る。但し，これらの実施例において，第２の導体１５
と，蛇行した第１の導体１２との間に介在する層状の磁
性体１４の少なくとも一部を，第１の導体１２に対応し
て蛇行した形状に切り抜くとともに，この切抜き部分に
対応して蛇行した誘電体１３を一体とし，磁性体１４の
少なくとも一部を，誘電体１３で置換した積層型ＥＭＩ
フィルタの構成としている。つまり，前記導体１２，１
５間の磁性体の少なくとも一部を誘電体１３に置換する
ことによって，前記第１，第２の導体１２，１５間の容
量成分を高め，或は，適切な値に設定して，所望のフィ
ルタ特性を結合係数に設定可能な構成とすることができ
る。また，第２実施例においても，第１実施例につい
て，図１（ｄ）で説明したものと同様に雑音の逆相成分
及び同相成分が除去される。
と同様な材料を用い第１の実施例と同様な手順で，，磁
性体板からなる磁性体層１１上に形成した蛇行した容量
形成用の第１の導体１２のパターンは，蛇行した第２の
導体１５のパターンとそれぞれ対向する様に設けてあ
る。但し，これらの実施例において，第２の導体１５
と，蛇行した第１の導体１２との間に介在する層状の磁
性体１４の少なくとも一部を，第１の導体１２に対応し
て蛇行した形状に切り抜くとともに，この切抜き部分に
対応して蛇行した誘電体１３を一体とし，磁性体１４の
少なくとも一部を，誘電体１３で置換した積層型ＥＭＩ
フィルタの構成としている。つまり，前記導体１２，１
５間の磁性体の少なくとも一部を誘電体１３に置換する
ことによって，前記第１，第２の導体１２，１５間の容
量成分を高め，或は，適切な値に設定して，所望のフィ
ルタ特性を結合係数に設定可能な構成とすることができ
る。また，第２実施例においても，第１実施例につい
て，図１（ｄ）で説明したものと同様に雑音の逆相成分
及び同相成分が除去される。
【００２７】尚，本発明の第１及び第２実施例における
積層手段に関する記述においては，スクリーン印刷を主
体とした積層構成としたが，主として導体部をスパッタ
リング法等の真空技術手段によって本発明の構成をより
微細に形成することも本発明の範囲に含まれていること
は明かであるが，念のため付け加えておく。
積層手段に関する記述においては，スクリーン印刷を主
体とした積層構成としたが，主として導体部をスパッタ
リング法等の真空技術手段によって本発明の構成をより
微細に形成することも本発明の範囲に含まれていること
は明かであるが，念のため付け加えておく。
【００２８】
【発明の効果】以上説明した通り，本発明による積層形
ＥＭＩフィルタによれば，１個の部品でありながら雑音
除去に充分な同相成分除去機能と逆相成分除去機能とを
併せもつ広帯域な雑音除去用フィルタ等が，簡素な構成
のまま小形化，かつ高密度化でありながら同時に，高性
能が得られ，しかも，それらの成分比率や，或はインダ
クタ成分，或は容量成分を任意に設定して所望のフィル
タ設計を可能とする構成が提供できる点で電子機器，装
置に対する工業的価値がきわめて大なるものといえる。
ＥＭＩフィルタによれば，１個の部品でありながら雑音
除去に充分な同相成分除去機能と逆相成分除去機能とを
併せもつ広帯域な雑音除去用フィルタ等が，簡素な構成
のまま小形化，かつ高密度化でありながら同時に，高性
能が得られ，しかも，それらの成分比率や，或はインダ
クタ成分，或は容量成分を任意に設定して所望のフィル
タ設計を可能とする構成が提供できる点で電子機器，装
置に対する工業的価値がきわめて大なるものといえる。
【図１】（ａ）本発明の第１実施例に係る積層形ＥＭＩ
フィルタの積層体を示す分解組立図である。 （ｂ）は（ａ）の積層形ＥＭＩフィルタの全体構成を示
す斜視図である。 （ｃ）は（ｂ）の積層形ＥＭＩフィルタの等価回路を示
す図である。 （ｄ）は（ｂ）の積層形ＥＭＩフィルタの断面を概略的
に示す図である。
フィルタの積層体を示す分解組立図である。 （ｂ）は（ａ）の積層形ＥＭＩフィルタの全体構成を示
す斜視図である。 （ｃ）は（ｂ）の積層形ＥＭＩフィルタの等価回路を示
す図である。 （ｄ）は（ｂ）の積層形ＥＭＩフィルタの断面を概略的
に示す図である。
【図２】本発明の第２実施例に係る積層形ＥＭＩフィル
タの積層体を示す分解組立図である。
タの積層体を示す分解組立図である。
【図３】（ａ）乃至（ｌ）は従来の積層形ＥＭＩフィル
タの一例の製造する工程を示す図である。 （ｍ）は製造されたフィルタ素子の等価回路を示す図で
ある。
タの一例の製造する工程を示す図である。 （ｍ）は製造されたフィルタ素子の等価回路を示す図で
ある。
【図４】（ａ）従来の積層形ＥＭＩフィルタの積層体の
他の例を示す分解組立て斜視図である。 （ｂ）は（ａ）の積層体を示す斜視図である。 （ｃ）は積層形ＥＭＩフィルタを示す斜視図である。 （ｄ）は（ｃ）の積層形ＥＭＩフィルタの等価回路を示
す図である。
他の例を示す分解組立て斜視図である。 （ｂ）は（ａ）の積層体を示す斜視図である。 （ｃ）は積層形ＥＭＩフィルタを示す斜視図である。 （ｄ）は（ｃ）の積層形ＥＭＩフィルタの等価回路を示
す図である。
１，５ 磁性体層 ２ 第１の導体 ３ 誘電体層 ４ 第２の導体 １１，１６ 磁性体層 １２ 第１の導体 １３ 誘電体 １４ 磁性体 １５ 第２の導体 １０１ 絶縁体基板 １０２，１０５ 容量形成用導体 １０３，１０６ 側端部 １０４ 誘電体層 １０７，１１０ 磁性体層 １０８ コイル形成用導体パターン １０８′ 巻終わり部 １１１，１１３ 導体パターン １２１，１２２，１２３ 膜状端子 １３０，１３１，１３２ 絶縁磁性体層 １３３，１３４ 導体 １３３ａ 側端面 １３４ａ，ｂ 端部 Ａ，Ｂ， 膜状端子 Ｃ 膜状端子（容量形成用）
Claims (3)
- 【請求項１】 互いに対向し，かつその経路が積層方向
に重畳する複数の導体を磁性体中に埋設した積層体を有
する積層形ＥＭＩフィルタにおいて，前記複数の導体う
ちで両端部を前記積層体の両端面までそれぞれ延長した
第１の導体と，前記複数の導体のうちで導体の一部を前
記積層体の一端面まで延長した第２の導体と，前記第１
及び第２の導体層間に埋設された強誘電体とを備えたこ
とを特徴とする積層形ＥＭＩフィルタ。 - 【請求項２】 請求項１記載の積層形ＥＭＩフィルタに
おいて，前記第１の導体及び第２の導体は，積層方向に
交互に重畳されていることを特徴とする積層形ＥＭＩフ
ィルタ。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の積層形ＥＭＩフィ
ルタにおいて，前記一端面まで延長した導体を，前記積
層体の一端面に設けた膜状の電極端子によって接続した
ことを特徴とする積層形ＥＭＩフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8208992A JPH05283232A (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 積層形ｅｍｉフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8208992A JPH05283232A (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 積層形ｅｍｉフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283232A true JPH05283232A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13764719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8208992A Pending JPH05283232A (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 積層形ｅｍｉフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283232A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6384705B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-05-07 | Industrial Technology Research Institute | Multilayer-type chip common mode filter |
-
1992
- 1992-04-03 JP JP8208992A patent/JPH05283232A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6384705B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-05-07 | Industrial Technology Research Institute | Multilayer-type chip common mode filter |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001018 |