JPH03204959A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH03204959A JPH03204959A JP2274096A JP27409690A JPH03204959A JP H03204959 A JPH03204959 A JP H03204959A JP 2274096 A JP2274096 A JP 2274096A JP 27409690 A JP27409690 A JP 27409690A JP H03204959 A JPH03204959 A JP H03204959A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
-
- G—PHYSICS
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目次〕
概要
産業上の利用分野
従来の技術・・第18図
発明が解決しようとする課題
課題を解決するための手段
第1の発明
第2の発明
第3の発明
第4の発明
第5の発明
第6の発明
作用
第1の発明の作用・・第1図
第2の発明の作用・・第2図
第3の発明の作用・
第4の発明の作用・
第5の発明の作用・
第6の発明の作用・
実施例・・第7図〜第
発明の効果
第1の発明の場合
第2の発明の場合
第3の発明の場合
第4の発明の場合
第5の発明の場合
第6の発明の場合
・第3図
・第4図
・第5図
・第6図
16図
〔概要〕
スタンダードセル方式やゲートアレイ方式によって製造
される半導体集積回路装置、即ち、l又は2種以上の論
理セルを列状に配列した種々の論理セル列を配列し、か
つ、前記論理セルに1又は2以上のモニター・ポイント
を設定してなる半導体集積回路装置に関し、 配線効率の向上化を図ることができるようにしたマトリ
ックス・ブロービング法による試験回路を内蔵させるこ
とを目的とし、 前記論理セル列ごとに選択線を設けるとともに、該選択
線に直交する方向に読出し線を設け、前記モニター・ポ
イントと前記読出し線とをスイッチ素子で接続し、前記
選択線を介して前記スイッチ素子のオン、オフを制御し
、前記読出し線を介して前記モニター・ポイントの論理
状態を読出すようにし、かつ、前記選択線の数を前記論
理セル列の数よりも多くするように構成する。
される半導体集積回路装置、即ち、l又は2種以上の論
理セルを列状に配列した種々の論理セル列を配列し、か
つ、前記論理セルに1又は2以上のモニター・ポイント
を設定してなる半導体集積回路装置に関し、 配線効率の向上化を図ることができるようにしたマトリ
ックス・ブロービング法による試験回路を内蔵させるこ
とを目的とし、 前記論理セル列ごとに選択線を設けるとともに、該選択
線に直交する方向に読出し線を設け、前記モニター・ポ
イントと前記読出し線とをスイッチ素子で接続し、前記
選択線を介して前記スイッチ素子のオン、オフを制御し
、前記読出し線を介して前記モニター・ポイントの論理
状態を読出すようにし、かつ、前記選択線の数を前記論
理セル列の数よりも多くするように構成する。
本発明は、スタンダードセル方式やゲートアレイ方式に
よって製造される半導体集積回路装置、即ち、■又は2
種以上の論理セルを列状に配列した種々の論理セル列を
配列し、かっ、各論理セルに1又は2以上のモニター・
ポイントを設定してなる半導体集積回路装置及び基本セ
ルを列状に配列した複数の基本セル列を配列し、かっ、
基本セルの1ないし複数に対してlのモニター・ポイン
トを設定してなる半導体集積回路装置に関する。
よって製造される半導体集積回路装置、即ち、■又は2
種以上の論理セルを列状に配列した種々の論理セル列を
配列し、かっ、各論理セルに1又は2以上のモニター・
ポイントを設定してなる半導体集積回路装置及び基本セ
ルを列状に配列した複数の基本セル列を配列し、かっ、
基本セルの1ないし複数に対してlのモニター・ポイン
トを設定してなる半導体集積回路装置に関する。
近年、半導体集積回路装置は大集積化してきており、試
験の実行が益々困難となっている。このため、かかる半
導体集積回路装置においては、内部回路の良否判定、論
理設計のデパック、障害の解析を容易に行うため、試験
回路を内蔵することが行われる。
験の実行が益々困難となっている。このため、かかる半
導体集積回路装置においては、内部回路の良否判定、論
理設計のデパック、障害の解析を容易に行うため、試験
回路を内蔵することが行われる。
従来、かかる試験回路を内蔵した半導体集積回路装置と
して第18図にその要部を示すようなものか提案されて
いる(特開昭61−42934号公報参照)。
して第18図にその要部を示すようなものか提案されて
いる(特開昭61−42934号公報参照)。
図中、lは半導体集積回路チップ本体、2は論理セルで
あって、この半導体集積回路装置は、行選択線31列読
出し線4.スイッチ素子51行選択リングカウンタ6、
列選択リングカウンタ7゜データセレクタ(SEL)8
.行選択クロック入力端子91列選択クロック入力端子
IO,モニタ出力端子11からなる試験回路を内蔵して
いる。
あって、この半導体集積回路装置は、行選択線31列読
出し線4.スイッチ素子51行選択リングカウンタ6、
列選択リングカウンタ7゜データセレクタ(SEL)8
.行選択クロック入力端子91列選択クロック入力端子
IO,モニタ出力端子11からなる試験回路を内蔵して
いる。
なお、論理セル2の相互間の配線はユーザーからのオー
ダーにより行われるため、この第16図においては示さ
れていない。
ダーにより行われるため、この第16図においては示さ
れていない。
かかる半導体集積回路装置は、論理セル2の出力端をス
イッチ素子5を介して列読出しJ!4に接続し、行選択
リングカウンタ6による行選択線3の選択と、列選択リ
ングカウンタ7による列読出し線4の選択とを通して論
理セル2を1個ずつ選択し、選択した論理セル2の出力
端の論理状態をデータセレクタ8を介してモニタ出力端
子11に出力させ、その結果により、論理検証を行い、
また、故障等を判断しようとするものである。
イッチ素子5を介して列読出しJ!4に接続し、行選択
リングカウンタ6による行選択線3の選択と、列選択リ
ングカウンタ7による列読出し線4の選択とを通して論
理セル2を1個ずつ選択し、選択した論理セル2の出力
端の論理状態をデータセレクタ8を介してモニタ出力端
子11に出力させ、その結果により、論理検証を行い、
また、故障等を判断しようとするものである。
かかる試験手法は、MP法(Matrix Provi
ng)と呼ばれているが、この試験手法によれば、論理
回路の試験を論理セル単位で行うことができるので、い
わゆるスキャン・フリップフロップを利用したスキャン
バス法等に比較して、回路設計が容易であり、かつ、観
測性の高い試験を行うことができるという利点を存して
いる。
ng)と呼ばれているが、この試験手法によれば、論理
回路の試験を論理セル単位で行うことができるので、い
わゆるスキャン・フリップフロップを利用したスキャン
バス法等に比較して、回路設計が容易であり、かつ、観
測性の高い試験を行うことができるという利点を存して
いる。
しかしながら、かかるMP法による試験回路を内蔵する
従来の半導体集積回路装置においては、行選択線3及び
列選択線4をそれぞれ論理セル2の各行及び各列に設け
ている。このため、配線効率か悪く、論理セル相互間を
接続すべき論理回路用の配線の形成に支障を来してしま
う場合があるという問題点があった。
従来の半導体集積回路装置においては、行選択線3及び
列選択線4をそれぞれ論理セル2の各行及び各列に設け
ている。このため、配線効率か悪く、論理セル相互間を
接続すべき論理回路用の配線の形成に支障を来してしま
う場合があるという問題点があった。
また、かかる従来の半導体集積回路装置は、1個のモニ
ター・ポイントを有する論理セルを各行、同数に配して
構成されている。したかって、この手法は、例えばスタ
ンダードセル方式で構成される半導体集積回路装置のよ
うに、1又は2種以上の論理セル、即ち、種々の面積規
模を有し、かつ、モニター・ポイントの数が必ずしも1
個でない複数の論理セルを配列した種々の論理セル列を
設けてなる半導体集積回路装置には、そのまま適用する
ことができない。もし、同様の考え方で適用する場合に
は、モニター・ポイントを最も数多く設けている論理セ
ル列を基準としてそのモニター・ポイントの数の列読出
し線を設けなければならない。したがって、この場合に
は、試験用の配線が多くなり、その分、論理セル相互間
を接続するための論理回路用の配線の形成に支障を来し
てしまうという問題点があった。
ター・ポイントを有する論理セルを各行、同数に配して
構成されている。したかって、この手法は、例えばスタ
ンダードセル方式で構成される半導体集積回路装置のよ
うに、1又は2種以上の論理セル、即ち、種々の面積規
模を有し、かつ、モニター・ポイントの数が必ずしも1
個でない複数の論理セルを配列した種々の論理セル列を
設けてなる半導体集積回路装置には、そのまま適用する
ことができない。もし、同様の考え方で適用する場合に
は、モニター・ポイントを最も数多く設けている論理セ
ル列を基準としてそのモニター・ポイントの数の列読出
し線を設けなければならない。したがって、この場合に
は、試験用の配線が多くなり、その分、論理セル相互間
を接続するための論理回路用の配線の形成に支障を来し
てしまうという問題点があった。
本発明は、かかる点に鑑み、配線効率の向上化を図るこ
とかできるようにしたMP法による試験回路を内蔵した
「l又は2種以上の論理セルを列状に配列した種々の論
理セル列を配列し、かつ、論理セルに1又は2以上のモ
ニター・ポイントを設定してなる半導体集積回路装置」
、同じく配線効率の向上化を図ることができるようにし
たMP法による試験回路を内蔵した「1又は2種以上の
論理セルを列状に配列した種々の論理セル列を配列して
なる第1の論理セル列群を設けるとともに、第1の論理
セル列群の論理セル列に直交する方向に、1又は2種以
上の論理セルを列状に配列してなる種々の論理セル列を
配列した第2の論理セル列群を設け、かつ、第1の論理
セル列群の論理セル及び第2の論理セル列群の論理セル
に1又は2以上のモニター・ポイントを設定してなる半
導体集積回路装置」、同じく配線効率の向上化を図るこ
とができるようにしたMP法による試験回路を内蔵した
「基本セルを列状に配列した複数の基本セル列を配列し
、かつ、基本セルの1ないし複数に対してlのモニター
・ポイントを設定してなる半導体集積回路装置」を提供
することを目的とする。
とかできるようにしたMP法による試験回路を内蔵した
「l又は2種以上の論理セルを列状に配列した種々の論
理セル列を配列し、かつ、論理セルに1又は2以上のモ
ニター・ポイントを設定してなる半導体集積回路装置」
、同じく配線効率の向上化を図ることができるようにし
たMP法による試験回路を内蔵した「1又は2種以上の
論理セルを列状に配列した種々の論理セル列を配列して
なる第1の論理セル列群を設けるとともに、第1の論理
セル列群の論理セル列に直交する方向に、1又は2種以
上の論理セルを列状に配列してなる種々の論理セル列を
配列した第2の論理セル列群を設け、かつ、第1の論理
セル列群の論理セル及び第2の論理セル列群の論理セル
に1又は2以上のモニター・ポイントを設定してなる半
導体集積回路装置」、同じく配線効率の向上化を図るこ
とができるようにしたMP法による試験回路を内蔵した
「基本セルを列状に配列した複数の基本セル列を配列し
、かつ、基本セルの1ないし複数に対してlのモニター
・ポイントを設定してなる半導体集積回路装置」を提供
することを目的とする。
本発明は以下に述べる第1ないし第6の発明を含み、上
記目的はそれぞれ第1ないし第6の発明によって達成さ
れる。
記目的はそれぞれ第1ないし第6の発明によって達成さ
れる。
なお、本発明において、論理セルとは、NOT回路、A
ND回路、OR回路、複合ゲート回路、アダー回路、デ
コード回路、ラッチ回路、フリップフロップ、シフトレ
ジスタ、カウンタ等、それ自体一定の機能を有し、およ
そ論理LSIを構成するに必要とされる種々の単位回路
を含む概念である。また、基本セルとは、いわゆるベー
シック・セルを意味する。
ND回路、OR回路、複合ゲート回路、アダー回路、デ
コード回路、ラッチ回路、フリップフロップ、シフトレ
ジスタ、カウンタ等、それ自体一定の機能を有し、およ
そ論理LSIを構成するに必要とされる種々の単位回路
を含む概念である。また、基本セルとは、いわゆるベー
シック・セルを意味する。
第1の発明
第1の発明は、1又は2種以上の論理セルを列状に配列
した種々の論理セル列を配列し、かっ、前記論理セルに
1又は2以上のモニター・ポイントを設定してなる半導
体集積回路装置であって、前記論理セル列ごとに選択線
を設けるとともに、該選択線に直交する方向に読出し線
を設け、前記モニター・ポイントと前記読出し線とをス
イッチ素子で接続し、前記選択線を介して前記スイッチ
素子のオン、オフを制御し、前記読出し線を介して前記
モニター・ポイントの論理状態を読出すようにし、かつ
、前記選択線の数を前記論理セル列の数よりも多くした
ものである。
した種々の論理セル列を配列し、かっ、前記論理セルに
1又は2以上のモニター・ポイントを設定してなる半導
体集積回路装置であって、前記論理セル列ごとに選択線
を設けるとともに、該選択線に直交する方向に読出し線
を設け、前記モニター・ポイントと前記読出し線とをス
イッチ素子で接続し、前記選択線を介して前記スイッチ
素子のオン、オフを制御し、前記読出し線を介して前記
モニター・ポイントの論理状態を読出すようにし、かつ
、前記選択線の数を前記論理セル列の数よりも多くした
ものである。
第2の発明
第2の発明は、1又は2種以上の論理セルを列状に配列
した種々の論理セル列を配列し、かつ、前記論理セルに
1又は2以上のモニター・ボイントを設定してなる半導
体集積回路装置であって、前記論理セル列ごとに読出し
線を設けるとともに、該読出し線に直交する方向に選択
線を設け、前記モニター・ポイントと前記読出し線とを
スイッチ素子で接続し、前記選択線を介して前記スイッ
チ素子のオン、オフを制御し、前記読出し線を介して前
記モニター・ポイントの論理状態を読出すようにし、か
つ、前記読出し線の数を前記論理セル列の数よりも多く
したものである。
した種々の論理セル列を配列し、かつ、前記論理セルに
1又は2以上のモニター・ボイントを設定してなる半導
体集積回路装置であって、前記論理セル列ごとに読出し
線を設けるとともに、該読出し線に直交する方向に選択
線を設け、前記モニター・ポイントと前記読出し線とを
スイッチ素子で接続し、前記選択線を介して前記スイッ
チ素子のオン、オフを制御し、前記読出し線を介して前
記モニター・ポイントの論理状態を読出すようにし、か
つ、前記読出し線の数を前記論理セル列の数よりも多く
したものである。
第3の発明
第3の発明は、1又は2種以上の論理セルを列状に配列
した種々の論理セル列を配列してなる第1の論理セル列
群を設けるとともに、該第1の論理セル列群の論理セル
列に直交する方向に、l又は2種以上の論理セルを列状
に配列してなる種々の論理セル列を配列した第2の論理
セル列群を設け、かつ、前記第1の論理セル列群の論理
セル及び前記第2の論理セル列群の論理セルに1又は2
以上のモニター・ポイントを設定してなる半導体集積回
路装置であって、前記第1の論理セル列群においては、
前記論理セル列ごとに選択線を設けるとともに、該選択
線に直交する方向に読出し線を設け、前記モニター・ポ
イントと前記読出し線とをスイッチ素子で接続し、前記
選択線を介して前記スイッチ素子のオン、オフを制御し
、前記読出し線を介して前記モニター・ポイントの論理
状態を読出すようにし、前記第2の論理セル列群におい
ては、前記論理セル列ごとに読出し線を設けるとともに
、該読出し線に直交する方向に選択線を設け、前記モニ
ター・ポイントと前記読出し線とをスイッチ素子で接続
し、前記選択線を介して前記スイッチ素子のオン、オフ
を制御し、前記読出し線を介して前記モニター・ポイン
トの論理状態を読出すようにし、かつ、前記第1の論理
セル列群においては、前記選択線の数を前記論理セル列
の数よりも多くし、前記第2の論理セル列群においては
、前記読出し線の数を前記論理セル列の数よりも多くし
たものである。
した種々の論理セル列を配列してなる第1の論理セル列
群を設けるとともに、該第1の論理セル列群の論理セル
列に直交する方向に、l又は2種以上の論理セルを列状
に配列してなる種々の論理セル列を配列した第2の論理
セル列群を設け、かつ、前記第1の論理セル列群の論理
セル及び前記第2の論理セル列群の論理セルに1又は2
以上のモニター・ポイントを設定してなる半導体集積回
路装置であって、前記第1の論理セル列群においては、
前記論理セル列ごとに選択線を設けるとともに、該選択
線に直交する方向に読出し線を設け、前記モニター・ポ
イントと前記読出し線とをスイッチ素子で接続し、前記
選択線を介して前記スイッチ素子のオン、オフを制御し
、前記読出し線を介して前記モニター・ポイントの論理
状態を読出すようにし、前記第2の論理セル列群におい
ては、前記論理セル列ごとに読出し線を設けるとともに
、該読出し線に直交する方向に選択線を設け、前記モニ
ター・ポイントと前記読出し線とをスイッチ素子で接続
し、前記選択線を介して前記スイッチ素子のオン、オフ
を制御し、前記読出し線を介して前記モニター・ポイン
トの論理状態を読出すようにし、かつ、前記第1の論理
セル列群においては、前記選択線の数を前記論理セル列
の数よりも多くし、前記第2の論理セル列群においては
、前記読出し線の数を前記論理セル列の数よりも多くし
たものである。
第4の発明
第4の発明は、基本セルを列状に配列した複数の基本セ
ル列を配列し、かつ、前記基本セルの1ないし複数に1
のモニター・ポイントを設定してなる半導体集積回路装
置であって、前記基本セル列ごとに選択線を設けるとと
もに、該選択線に直交する方向に読出し線を設け、前記
モニター・ポイントと前記読出し線とをスイッチ素子で
接続し、前記選択線を介して前記スイッチ素子のオン、
オフを制御し、前記読出し線を介して前記モニター・ポ
イントの論理状態を読出すようにし、かつ、前記基本セ
ル列ごとに複数の選択線を設けるようにしたものである
。
ル列を配列し、かつ、前記基本セルの1ないし複数に1
のモニター・ポイントを設定してなる半導体集積回路装
置であって、前記基本セル列ごとに選択線を設けるとと
もに、該選択線に直交する方向に読出し線を設け、前記
モニター・ポイントと前記読出し線とをスイッチ素子で
接続し、前記選択線を介して前記スイッチ素子のオン、
オフを制御し、前記読出し線を介して前記モニター・ポ
イントの論理状態を読出すようにし、かつ、前記基本セ
ル列ごとに複数の選択線を設けるようにしたものである
。
第5の発明
第5の発明は、基本セルを列状に配列した複数の基本セ
ル列を配列し、かつ、前記基本セルの1ないし複数に1
のモニター・ポイントを設定してなる半導体集積回路装
置であって、前記基本セル列ごとに読出し線を設けると
ともに、該読出し線に直交する方向に選択線を設け、前
記モニター・ポイントと前記読出し線とをスイッチ素子
で接続し、前記選択線を介して前記スイッチ素子のオン
、オフを制画し、前記読出し線を介して前記モニター・
ポイントの論理状態を読出すようにし、かつ、前記基本
セル列ごとに複数の読出し線を設けるようにしたもので
ある。
ル列を配列し、かつ、前記基本セルの1ないし複数に1
のモニター・ポイントを設定してなる半導体集積回路装
置であって、前記基本セル列ごとに読出し線を設けると
ともに、該読出し線に直交する方向に選択線を設け、前
記モニター・ポイントと前記読出し線とをスイッチ素子
で接続し、前記選択線を介して前記スイッチ素子のオン
、オフを制画し、前記読出し線を介して前記モニター・
ポイントの論理状態を読出すようにし、かつ、前記基本
セル列ごとに複数の読出し線を設けるようにしたもので
ある。
第6の発明
第6の発明は、l又は2種以上の論理セルを列状に配列
した種々の論理セル列を配列してなる論理セル列群を複
数群設けるとともにブロック状のメガセルを必要に応じ
て、かつ、前記論理セルおよびメガセルに1又は2以上
のモニター・ポイントを設定してなる半導体集積回路装
置であって、該論理セル列および該メガセル周辺に沿っ
た方向に選択線および読出し線の両方をそれぞれ少なく
とも1本づつ設け、前記モニター・ポイントと前記読出
し線とをスイッチ素子で接続し、かつ、該選択線および
読出し線を該論理セル列の端部で適宜折りまげて配線し
、前記メガセル部を迂回するように設けたものである。
した種々の論理セル列を配列してなる論理セル列群を複
数群設けるとともにブロック状のメガセルを必要に応じ
て、かつ、前記論理セルおよびメガセルに1又は2以上
のモニター・ポイントを設定してなる半導体集積回路装
置であって、該論理セル列および該メガセル周辺に沿っ
た方向に選択線および読出し線の両方をそれぞれ少なく
とも1本づつ設け、前記モニター・ポイントと前記読出
し線とをスイッチ素子で接続し、かつ、該選択線および
読出し線を該論理セル列の端部で適宜折りまげて配線し
、前記メガセル部を迂回するように設けたものである。
第1ないし第6の発明の作用は、以下の通りである。
第1の発明の作用
例えば、第1図Aに示すように、2本の論理セル列12
.13が設けられる場合において、論理セル列12.1
3と同一方向に選択線、これと直交する方向に読出し線
を設ける場合について考える。なお、14は論理セル、
15はモニター・ポイントである。
.13が設けられる場合において、論理セル列12.1
3と同一方向に選択線、これと直交する方向に読出し線
を設ける場合について考える。なお、14は論理セル、
15はモニター・ポイントである。
かかる場合、従来の手法を適用すれば、第1図Bに示す
ように、選択線16及び読出し線17か設けられる。即
ち、選択線16は論理セル列12゜13ごとに設けられ
、読出し線17は、モニター・ポイント15の数が多い
論理セル列13のモニター・ポイント15に合わせた4
本の読出し線か設けられる。なお、18はスイッチ素子
である。
ように、選択線16及び読出し線17か設けられる。即
ち、選択線16は論理セル列12゜13ごとに設けられ
、読出し線17は、モニター・ポイント15の数が多い
論理セル列13のモニター・ポイント15に合わせた4
本の読出し線か設けられる。なお、18はスイッチ素子
である。
ここに、本例では、スイッチ素子としてn M OSト
ランジスタを使用した場合を記載しているが、その他、
pMOSトランジスタやバイポーラトランジスタ等を使
用することができる。
ランジスタを使用した場合を記載しているが、その他、
pMOSトランジスタやバイポーラトランジスタ等を使
用することができる。
このように、従来の手法によれば、論理セル列と同数の
選択線及び最大数のモニター・ポイントを設定している
論理セル列のモニター・ポイントの数と同数の読出し線
を必要とする。
選択線及び最大数のモニター・ポイントを設定している
論理セル列のモニター・ポイントの数と同数の読出し線
を必要とする。
ところが、第1の発明においては、選択線の数を論理セ
ル列の数よりも多くする。そこで、これを本例に適用す
る場合には、第1図Cに示すように、選択線16及び読
出し線17を設けることができる。
ル列の数よりも多くする。そこで、これを本例に適用す
る場合には、第1図Cに示すように、選択線16及び読
出し線17を設けることができる。
即ち、この例では、論理セル列12に対応して1本の選
択線16.論理セル列13に対応して2本の選択線16
が設けられている。この結果、読出し線17については
、2本の読出し線17を設ければ足り、選択線16と読
出し線17の合計数は、従来の手法(第1図B)による
場合よりも1本、少なくなっている。
択線16.論理セル列13に対応して2本の選択線16
が設けられている。この結果、読出し線17については
、2本の読出し線17を設ければ足り、選択線16と読
出し線17の合計数は、従来の手法(第1図B)による
場合よりも1本、少なくなっている。
なお一般に、この第1の発明によれば、1又は2種以上
の論理セルを列状に配列した種々の論理セル列を配列し
、かつ、論理セルに1又は2以上のモニター・ポイント
を設定してなる半導体集積回路装置において、選択線と
読出し線の合計数を、(論理セル列と同数の選択線の数
)+(最大数のモニター・ポイントを設定している論理
セル列のモニター・ポイントの数と同数の読出し線の数
)よりも少なくすることができる。
の論理セルを列状に配列した種々の論理セル列を配列し
、かつ、論理セルに1又は2以上のモニター・ポイント
を設定してなる半導体集積回路装置において、選択線と
読出し線の合計数を、(論理セル列と同数の選択線の数
)+(最大数のモニター・ポイントを設定している論理
セル列のモニター・ポイントの数と同数の読出し線の数
)よりも少なくすることができる。
第2の発明の作用
例えば、第2図Aに示すように、2個の論理セル列12
.13かある場合において、第1の発明の場合とは逆に
、論理セル列12.13と同一方向に読出し線、これと
直交する方向に選択線を設ける場合について考える。
.13かある場合において、第1の発明の場合とは逆に
、論理セル列12.13と同一方向に読出し線、これと
直交する方向に選択線を設ける場合について考える。
かかる場合、従来の手法を適用すれば、第2図Bに示す
ように、選択線16及び読出し線17が設けられる。即
ち、選択線16については、モニター・ポイント15の
数が多い論理セル列13のモニター・ポイントに合わせ
た4本の選択線が設けられ、また、読出し線17につい
ては、論理セル列12.13ごとに1本の読出し線が設
けられる。
ように、選択線16及び読出し線17が設けられる。即
ち、選択線16については、モニター・ポイント15の
数が多い論理セル列13のモニター・ポイントに合わせ
た4本の選択線が設けられ、また、読出し線17につい
ては、論理セル列12.13ごとに1本の読出し線が設
けられる。
このように、従来の手法によれば、最大数のモニター・
ポイントを設定している論理セル列のモニター・ポイン
ト数と同数の選択線及び論理セル列と同数の読出し線を
必要とする。
ポイントを設定している論理セル列のモニター・ポイン
ト数と同数の選択線及び論理セル列と同数の読出し線を
必要とする。
ところが、第1の発明においては、読出し線の数を論理
セル列の数よりも多くする。そこで、これを本例に適用
する場合には、第2図Cに示すように、選択線16及び
読出し線17を設けることができる。
セル列の数よりも多くする。そこで、これを本例に適用
する場合には、第2図Cに示すように、選択線16及び
読出し線17を設けることができる。
即ち、この例では、論理セル列12に対応して1本の読
出し線17.論理セル列13に対応して2本の読出し線
17が設けられている。この結果、選択線16について
は、2本の選択線を設ければ足り、選択線16と読出し
線17の合計数は、従来の手法(第2図B)による場合
よりも1本、少なくなっている。
出し線17.論理セル列13に対応して2本の読出し線
17が設けられている。この結果、選択線16について
は、2本の選択線を設ければ足り、選択線16と読出し
線17の合計数は、従来の手法(第2図B)による場合
よりも1本、少なくなっている。
なお一般に、この第2の発明によれば、l又は2種以上
の論理セルを列状に配列した種々の論理セル列を配列し
、かつ、論理セルに1又は2以上のモニター・ポイント
を設定してなる半導体集積回路装置において、選択線と
読出し線の合計数を、(最大数のモニター・ポイントを
設定している論理セル列のモニター・ポイントの数と同
数の選択線の数)+(論理セル列と同数の読出し線の数
)よりも少なくすることができる。
の論理セルを列状に配列した種々の論理セル列を配列し
、かつ、論理セルに1又は2以上のモニター・ポイント
を設定してなる半導体集積回路装置において、選択線と
読出し線の合計数を、(最大数のモニター・ポイントを
設定している論理セル列のモニター・ポイントの数と同
数の選択線の数)+(論理セル列と同数の読出し線の数
)よりも少なくすることができる。
第3の発明の作用
例えば、第3図Aに示すように、2個の論理セル列19
.20からなる第1の論理セル列群21と、第1の論理
セル列群21の論理セル列19゜20に直交する2個の
論理セル列22.23からなる第2の論理セル列群24
かある場合において、第1及び第2の論理セル列群21
.24を通して論理セル列19.20に平行する方向に
選択線、これと直交する方向に読出し線を設ける場合を
考える。
.20からなる第1の論理セル列群21と、第1の論理
セル列群21の論理セル列19゜20に直交する2個の
論理セル列22.23からなる第2の論理セル列群24
かある場合において、第1及び第2の論理セル列群21
.24を通して論理セル列19.20に平行する方向に
選択線、これと直交する方向に読出し線を設ける場合を
考える。
かかる場合、従来の手法を適用すれば、第3図已に示す
ように、選択線16及び読出し線17が設けられる。即
ち、選択線16については、第1の論理セル列群21の
論理セル列の数よりも第2の論理セル列群24の論理セ
ル列23のモニター・ポイント15の数の方が多いので
、かかる論理セル列23のモニター・ポイント15に合
わせた4本の選択線が設けられる。また、読出し線17
については、第1の論理セル列群21においては、モニ
ター・ポイント15の数が多い論理セル列20のモニタ
ー・ポイント15に合わせた4本の読出し線か設けられ
、また、第2の論理セル列群24においては、論理セル
列の数と同数の読出し線が設けられる。
ように、選択線16及び読出し線17が設けられる。即
ち、選択線16については、第1の論理セル列群21の
論理セル列の数よりも第2の論理セル列群24の論理セ
ル列23のモニター・ポイント15の数の方が多いので
、かかる論理セル列23のモニター・ポイント15に合
わせた4本の選択線が設けられる。また、読出し線17
については、第1の論理セル列群21においては、モニ
ター・ポイント15の数が多い論理セル列20のモニタ
ー・ポイント15に合わせた4本の読出し線か設けられ
、また、第2の論理セル列群24においては、論理セル
列の数と同数の読出し線が設けられる。
このように、従来の手法によれば、選択線については、
第1の論理セル列群における論理セル列の数又は第2の
論理セル列群における最大数のモニター・ポイントを設
定している論理セル列のモニター・ポイント数のうち、
多い方の数と同数の選択線が必要となり、また、読出し
線については、(第1の論理セル列群における最大数の
モニター・ポイントを設定している論理セル列のモニタ
ー・ポイント数)+(第2の論理セル列群における論理
セル列の数)と同数の読出し線が必要となる。
第1の論理セル列群における論理セル列の数又は第2の
論理セル列群における最大数のモニター・ポイントを設
定している論理セル列のモニター・ポイント数のうち、
多い方の数と同数の選択線が必要となり、また、読出し
線については、(第1の論理セル列群における最大数の
モニター・ポイントを設定している論理セル列のモニタ
ー・ポイント数)+(第2の論理セル列群における論理
セル列の数)と同数の読出し線が必要となる。
ところが、第3の発明においては、第1の論理セル列群
においては、選択線は論理セル列の数よりも多く設けら
れ、第2の論理セル列群においては、読出し線は論理セ
ル列の数よりも多く設けられる。これを本例に適用した
場合、第3図Cに示すように、選択線16及び読出し線
17を設けることができる。即ち、3本の選択線16と
、5本の読出し線17とを設ければ足り、選択線16と
読出し線17の合計数は、従来の手法(第3図B)によ
る場合よりも2本、少なくなっている。
においては、選択線は論理セル列の数よりも多く設けら
れ、第2の論理セル列群においては、読出し線は論理セ
ル列の数よりも多く設けられる。これを本例に適用した
場合、第3図Cに示すように、選択線16及び読出し線
17を設けることができる。即ち、3本の選択線16と
、5本の読出し線17とを設ければ足り、選択線16と
読出し線17の合計数は、従来の手法(第3図B)によ
る場合よりも2本、少なくなっている。
なお一般に、この第3の発明によれば、1又は2種以上
の論理セルを列状に配列した種々の論理セル列を配列し
てなる第1の論理セル列群を設けるとともに、この第1
の論理セル列群の論理セル列に直交する方向に、l又は
2種以上の論理セルを列状に配列してなる種々の論理セ
ル列を配列した第2の論理セル列群を設け、かつ、第1
の論理セル列群の論理セル及び第2の論理セル列群の論
理セルに1又は2以上のモニター・ポイントを設定して
なる半導体集積回路装置において、第1及び第2の論理
セル列群の関係が第3図Aに示すような関係にあれば、
選択線と読出し線の合計数を、(第1の論理セル列群に
おける論理セル列の数又は第2の論理セル列群における
最大数のモニター・ポイントを設定している論理セル列
のモニター・ポイント数のうち、多い方の数)+(第1
の論理セル列群における最大数のモニター・ポイントを
設定している論理セル列のモニター・ポイント数十第2
の論理セル列群における論理セル列の数)よりも少なく
することができる。
の論理セルを列状に配列した種々の論理セル列を配列し
てなる第1の論理セル列群を設けるとともに、この第1
の論理セル列群の論理セル列に直交する方向に、l又は
2種以上の論理セルを列状に配列してなる種々の論理セ
ル列を配列した第2の論理セル列群を設け、かつ、第1
の論理セル列群の論理セル及び第2の論理セル列群の論
理セルに1又は2以上のモニター・ポイントを設定して
なる半導体集積回路装置において、第1及び第2の論理
セル列群の関係が第3図Aに示すような関係にあれば、
選択線と読出し線の合計数を、(第1の論理セル列群に
おける論理セル列の数又は第2の論理セル列群における
最大数のモニター・ポイントを設定している論理セル列
のモニター・ポイント数のうち、多い方の数)+(第1
の論理セル列群における最大数のモニター・ポイントを
設定している論理セル列のモニター・ポイント数十第2
の論理セル列群における論理セル列の数)よりも少なく
することができる。
また、第1の論理セル列群21と第2の論理セル列群2
4とが第3図りに示すような関係にある場合もある。
4とが第3図りに示すような関係にある場合もある。
かかる場合、従来の手法を適用すれば、第3図Eに示す
ように、選択線16及び読出し線17が設けられる。即
ち、選択線16については、第1の論理セル列群21に
おいては、論理セル列と同数の選択線が設けられ、また
、第2の論理セル列群24においては、モニター・ポイ
ント15の数が多い論理セル列23のモニター・ポイン
ト15に合わせた4本の選択線が設けられる。また、読
出し線17については、第2の論理セル列群24の論理
セル列の数よりも第1の論理セル列群21の論理セル列
20のモニター・ポイント15の数の方が多いので、か
かる論理セル列23のモニター・ポイント15に合わせ
た4本の読出し線が設けられる。
ように、選択線16及び読出し線17が設けられる。即
ち、選択線16については、第1の論理セル列群21に
おいては、論理セル列と同数の選択線が設けられ、また
、第2の論理セル列群24においては、モニター・ポイ
ント15の数が多い論理セル列23のモニター・ポイン
ト15に合わせた4本の選択線が設けられる。また、読
出し線17については、第2の論理セル列群24の論理
セル列の数よりも第1の論理セル列群21の論理セル列
20のモニター・ポイント15の数の方が多いので、か
かる論理セル列23のモニター・ポイント15に合わせ
た4本の読出し線が設けられる。
このように、従来の手法によれば、選択線については、
(第1の論理セル列群における論理セル列の数十環2の
論理セル列群における最大数のモニター・ポイントを設
定している論理セル列のモニター・ポイント数)と同数
の選択線が必要となり、また、読出し線については、(
第1の論理セル列群における最大数のモニター・ポイン
トを設定している論理セル列のモニター・ポイント数又
は第2の論理セル列群における論理セル列の数のうち、
多い方の数)と同数の読出し線が必要となる。
(第1の論理セル列群における論理セル列の数十環2の
論理セル列群における最大数のモニター・ポイントを設
定している論理セル列のモニター・ポイント数)と同数
の選択線が必要となり、また、読出し線については、(
第1の論理セル列群における最大数のモニター・ポイン
トを設定している論理セル列のモニター・ポイント数又
は第2の論理セル列群における論理セル列の数のうち、
多い方の数)と同数の読出し線が必要となる。
ところが、第3の発明を本例に適用した場合、第3図F
に示すように、選択線16及び読出し線17を設けるこ
とができる。即ち、5本の選択線16と、3本の読出し
線17とを設ければ足り、選択線16と読出し線17の
合計数は、従来の手法(第3図E)による場合よりも2
本、少なくなっている。
に示すように、選択線16及び読出し線17を設けるこ
とができる。即ち、5本の選択線16と、3本の読出し
線17とを設ければ足り、選択線16と読出し線17の
合計数は、従来の手法(第3図E)による場合よりも2
本、少なくなっている。
なお一般に、この第3の発明によれば、第1及び第2の
論理セル列群21.24の関係が第3図りに示すような
関係にあれば、選択線と読出し線の合計数を、(第1の
論理セル列群における論理セル列の数十環2の論理セル
列群における最大数のモニター・ポイントを設定してい
る論理セル列のモニター・ポイント数)+(第1の論理
セル列群における最大数のモニター・ポイントを設定し
ている論理セル列のモニター・ポイント数又は第2の論
理セル列群における論理セル列の数のうち、多い方の数
)よりも少なくすることができる。
論理セル列群21.24の関係が第3図りに示すような
関係にあれば、選択線と読出し線の合計数を、(第1の
論理セル列群における論理セル列の数十環2の論理セル
列群における最大数のモニター・ポイントを設定してい
る論理セル列のモニター・ポイント数)+(第1の論理
セル列群における最大数のモニター・ポイントを設定し
ている論理セル列のモニター・ポイント数又は第2の論
理セル列群における論理セル列の数のうち、多い方の数
)よりも少なくすることができる。
第4の発明の作用
例えば、第4図Aに示すように、1個のモニター・ポイ
ント15を有する1種類の基本セル25を配列してなる
2本の基本セル列26を設けるとともに、予め、かかる
基本セル26と同一方向に選択線、これと直交する方向
に読出し線を設ける場合について考える。
ント15を有する1種類の基本セル25を配列してなる
2本の基本セル列26を設けるとともに、予め、かかる
基本セル26と同一方向に選択線、これと直交する方向
に読出し線を設ける場合について考える。
かかる場合、従来の手法を適用すれば、第4図Bに示す
ように、選択線16及び読出し線17が設けられる。即
ち、選択線16については、基本セル列26ごとに1本
の選択線が設けられ、また、読出し線17については、
基本セル25の各行ごとに1本の読出し線が設けられる
。したがって、この場合には、基本セル25.25間に
読出し線17を配列するための配線領域61が各行ごと
に設けられる。なお、60は基本セル25によって構成
されるゲート回路を示している。
ように、選択線16及び読出し線17が設けられる。即
ち、選択線16については、基本セル列26ごとに1本
の選択線が設けられ、また、読出し線17については、
基本セル25の各行ごとに1本の読出し線が設けられる
。したがって、この場合には、基本セル25.25間に
読出し線17を配列するための配線領域61が各行ごと
に設けられる。なお、60は基本セル25によって構成
されるゲート回路を示している。
ところが、第4の発明においては、基本セル列ごとに複
数の選択線を設けるようにしている。これを本例に適用
した場合、第4図Cに示すように、選択線16及び読出
し線17を設けることができる。即ち、基本セル列26
ごとに2本の選択線16を配列し、読出し線17の数を
半分にすることができる。この結果、基本セル25.2
5間に設けなければならない配線領域61の数を低減す
ることができる。即ち、基本セル列26に直交する方向
の配線を低減することができる。
数の選択線を設けるようにしている。これを本例に適用
した場合、第4図Cに示すように、選択線16及び読出
し線17を設けることができる。即ち、基本セル列26
ごとに2本の選択線16を配列し、読出し線17の数を
半分にすることができる。この結果、基本セル25.2
5間に設けなければならない配線領域61の数を低減す
ることができる。即ち、基本セル列26に直交する方向
の配線を低減することができる。
また、基本セル25とともに、予め、選択線16及び読
出し線17を設けておかず、ゲート回路60を形成した
後、ゲート回路60に1又は複数のモニター・ポイント
15を設定し、基本セル25上に読出し線17を配する
場合にも、同様に基本セル列26に直交する方向の配線
を低減することができる。
出し線17を設けておかず、ゲート回路60を形成した
後、ゲート回路60に1又は複数のモニター・ポイント
15を設定し、基本セル25上に読出し線17を配する
場合にも、同様に基本セル列26に直交する方向の配線
を低減することができる。
なお一般に、この第4の発明によれば、基本セルを列状
に配列した複数の基本セル列を配列し、かつ、基本セル
の1ないし複数に1個のモニター・ポイントを設定して
なる半導体集積回路装置において、まず、基本セル間に
読出し線用の配線領域を設け、この配線領域に、予め、
読出し線を設けておく場合には、読出し線の数を減らす
ことにより、読出し線用の配線領域の数を減らすことが
できる。また、ゲート回路を形成した後、基本セル上に
読出し線を設けるようにする場合には、基本セル列に直
交する方向の配線である読出し線を低減し、配線効率の
向上化を図ることができる。
に配列した複数の基本セル列を配列し、かつ、基本セル
の1ないし複数に1個のモニター・ポイントを設定して
なる半導体集積回路装置において、まず、基本セル間に
読出し線用の配線領域を設け、この配線領域に、予め、
読出し線を設けておく場合には、読出し線の数を減らす
ことにより、読出し線用の配線領域の数を減らすことが
できる。また、ゲート回路を形成した後、基本セル上に
読出し線を設けるようにする場合には、基本セル列に直
交する方向の配線である読出し線を低減し、配線効率の
向上化を図ることができる。
第5の発明の作用
例えば、第5図Aに示すように、1個のモニター・ポイ
ント15を有する1種類の基本セル25を配列してなる
2本の基本セル26を設けるとともに、予め、かかる基
本セル列26と同一方向に読出し線、これと直交する方
向に選択線を設ける場合について考える。
ント15を有する1種類の基本セル25を配列してなる
2本の基本セル26を設けるとともに、予め、かかる基
本セル列26と同一方向に読出し線、これと直交する方
向に選択線を設ける場合について考える。
かかる場合、従来の手法を適用すれば、第5図Bに示す
ように、選択線16及び読出し線17が設けられる。即
ち、読出し線17については、基本セル列26ごとに1
本の読出し線が設けられ、また、選択線16については
、基本セル25の各行ごとに1本の選択線が設けられる
。したがって、この場合には、基本セル25.25間に
、選択線16を配列するための配線領域61が各行ごと
に設けられる。
ように、選択線16及び読出し線17が設けられる。即
ち、読出し線17については、基本セル列26ごとに1
本の読出し線が設けられ、また、選択線16については
、基本セル25の各行ごとに1本の選択線が設けられる
。したがって、この場合には、基本セル25.25間に
、選択線16を配列するための配線領域61が各行ごと
に設けられる。
ところか、第5の発明においては、基本セル列ごとに複
数の読出し線を設けるようにしている。
数の読出し線を設けるようにしている。
これを本例に適用した場合には、第5[JCに示すよう
に、選択線16及び読出し線17を設けることができる
。即ち、基本セル列26ごとに2本の読出し線17を配
列し、選択線16の数を半分にすることができる。この
結果、基本セル25゜25間に設けなければならない配
線領域61の数を低減することができる。即ち、基本セ
ル列26に直交する方向の配線領域を低減することがで
きる。
に、選択線16及び読出し線17を設けることができる
。即ち、基本セル列26ごとに2本の読出し線17を配
列し、選択線16の数を半分にすることができる。この
結果、基本セル25゜25間に設けなければならない配
線領域61の数を低減することができる。即ち、基本セ
ル列26に直交する方向の配線領域を低減することがで
きる。
また、基本セル25とともに、予め、選択線16及び読
出し線17を設けておかず、ゲート回路60を形成した
後、ゲート回路60に1又は複数のモニター・ポイント
15を設定し、基本セル25上に選択線16を配する場
合にも、基本セル列26に直交する方向の配線を低減す
ることができる。
出し線17を設けておかず、ゲート回路60を形成した
後、ゲート回路60に1又は複数のモニター・ポイント
15を設定し、基本セル25上に選択線16を配する場
合にも、基本セル列26に直交する方向の配線を低減す
ることができる。
なお一般に、この第5の発明によれば、基本セルを列状
に配列した複数の基本セル列を配列し、かつ、前記基本
セルの1ないし複数に1のモニター・ポイントを設定し
てなる半導体集積回路装置において、基本セル間に読出
し線用の配線領域を設け、この配線領域に、予め、選択
線を設けておく場合には、選択線の数を減らすことによ
り、選択線用の配線領域の数を減らすことができる。
に配列した複数の基本セル列を配列し、かつ、前記基本
セルの1ないし複数に1のモニター・ポイントを設定し
てなる半導体集積回路装置において、基本セル間に読出
し線用の配線領域を設け、この配線領域に、予め、選択
線を設けておく場合には、選択線の数を減らすことによ
り、選択線用の配線領域の数を減らすことができる。
また、ゲート回路を形成した後、基本セル上に選択線を
設けるようにする場合には、基本セル列に直交する方向
の配線である選択線を低減し、配線効率の向上を図るこ
とができる。
設けるようにする場合には、基本セル列に直交する方向
の配線である選択線を低減し、配線効率の向上を図るこ
とができる。
第6の発明の作用
例えば第6図に示すように、論理セル列62゜63と対
応する読出し線64と選択線65とは同一方向に配列さ
れている。また、読出し線64と選択線65とはメガセ
ル66を迂回するようにしてセンス回路68や選択回路
68に接続されている。この結果、少ない読出し線及び
選択線を効率良く設けることができる。
応する読出し線64と選択線65とは同一方向に配列さ
れている。また、読出し線64と選択線65とはメガセ
ル66を迂回するようにしてセンス回路68や選択回路
68に接続されている。この結果、少ない読出し線及び
選択線を効率良く設けることができる。
以下、第7図ないし第16図を参照して、本発明の一実
施例につき説明する。
施例につき説明する。
まず、第7図は本発明の一実施例の要部を示すブロック
図である。図中、27は半導体集積回路チップ本体、2
8は論理セル、29は論理セル列、30はモニター・ポ
イントであって、本実施例においては、タイミング制御
回路31.列選択回路32、列選択線33.nMO3)
ランジスタ34゜行読出し線35.センス回路36.モ
ニター出力端子37を設けて試験回路を構成している。
図である。図中、27は半導体集積回路チップ本体、2
8は論理セル、29は論理セル列、30はモニター・ポ
イントであって、本実施例においては、タイミング制御
回路31.列選択回路32、列選択線33.nMO3)
ランジスタ34゜行読出し線35.センス回路36.モ
ニター出力端子37を設けて試験回路を構成している。
なお、第6図においては、紙面の都合上、nMOsトラ
ンジスタ34につき略記号を使用しているが、この略記
号と本来の図記号との関係は第8図A及びBに示す通り
である。
ンジスタ34につき略記号を使用しているが、この略記
号と本来の図記号との関係は第8図A及びBに示す通り
である。
ここに、タイミング制御回路31 (図示すると)は、
列選択回路32及びセンス回路36の動作タイミングを
制御するためのものである。
列選択回路32及びセンス回路36の動作タイミングを
制御するためのものである。
また、列選択回路32は、第9図に示すように、アドレ
スカウンタ38と、アドレスデコーダ39とを設けて構
成されている。ここに、アドレスカウンタ38は、クリ
ア信号CLRによってクリアした後、クロック信号CK
をカウントし、順次、アドレスAo 、At 、Atを
出力するように構成されている。また、ロード信号LD
を入力し、初期値設定可能状態にした後、ロードデータ
D0゜DI、D2を入力することにより、特定のアドレ
スを選択できるように構成されている。また、アドレス
デコーダ39は従来周知のようにナンド回路列40及び
インバータ列41から構成されている。
スカウンタ38と、アドレスデコーダ39とを設けて構
成されている。ここに、アドレスカウンタ38は、クリ
ア信号CLRによってクリアした後、クロック信号CK
をカウントし、順次、アドレスAo 、At 、Atを
出力するように構成されている。また、ロード信号LD
を入力し、初期値設定可能状態にした後、ロードデータ
D0゜DI、D2を入力することにより、特定のアドレ
スを選択できるように構成されている。また、アドレス
デコーダ39は従来周知のようにナンド回路列40及び
インバータ列41から構成されている。
なお、列選択回路32は、第9図例のほか、第10図、
第11図に示すようなリングカウンタ42.43で構成
することもできる。ここに、リングカウンタ42は、D
フリップフロップ44゜45.46.47を縦列接続す
るとともに、最終段のDフリップフロップ47のQ出力
をオア回路48を介して初段のDフリップフロップ44
のD入力に帰還し、また、全段のDフリップフロップ4
4.45,46.47の回出力のアンドをアンド回路4
9でとり、このアンド回路49の出力をオア回路48を
介して初段のDフリップフロップ44のD入力に帰還し
、Dフリップフロップ44゜45.46.47のQ出力
で列の選択を行うことができるように構成されている。
第11図に示すようなリングカウンタ42.43で構成
することもできる。ここに、リングカウンタ42は、D
フリップフロップ44゜45.46.47を縦列接続す
るとともに、最終段のDフリップフロップ47のQ出力
をオア回路48を介して初段のDフリップフロップ44
のD入力に帰還し、また、全段のDフリップフロップ4
4.45,46.47の回出力のアンドをアンド回路4
9でとり、このアンド回路49の出力をオア回路48を
介して初段のDフリップフロップ44のD入力に帰還し
、Dフリップフロップ44゜45.46.47のQ出力
で列の選択を行うことができるように構成されている。
また、第11図のリングカウンタ43は、アンド回路4
9の代わりに、Dフリップフロップ50を設けた例であ
る。
9の代わりに、Dフリップフロップ50を設けた例であ
る。
また、センス回路36は、第12図に示すように、セン
スアンプ列51.シフトレジスタ52を設けて構成され
ている。ここに、センスアンプ列51は行読出し線35
の数と同数のセンスアンプ53を設けて構成されている
。また、シフトレジスタ52は、並列入力・直列出力形
のシフトレジスタであって、センスアンプ53と同数の
入力端子を設けている。なお、センス回路36は、第1
3図に示すように構成することもできる。即ち、データ
圧縮用の加算器54を設け、センスアンプ53の出力を
このデータ圧縮用の加算器54を介して加工し、この加
工したデータをシフトレジスタ52に供給するように構
成することができる。
スアンプ列51.シフトレジスタ52を設けて構成され
ている。ここに、センスアンプ列51は行読出し線35
の数と同数のセンスアンプ53を設けて構成されている
。また、シフトレジスタ52は、並列入力・直列出力形
のシフトレジスタであって、センスアンプ53と同数の
入力端子を設けている。なお、センス回路36は、第1
3図に示すように構成することもできる。即ち、データ
圧縮用の加算器54を設け、センスアンプ53の出力を
このデータ圧縮用の加算器54を介して加工し、この加
工したデータをシフトレジスタ52に供給するように構
成することができる。
この場合には、試験の高速化を図ることができる。
また、第14図A及びBはそれぞれ論理セル28の一例
である2人カナンド回路を示す回路図及び概略的平面図
であって、モニター・ポイント30の設定の一例を示し
ている。なお、第14図A及びBにおいて、トランジス
タの関係は、符号55.58,57.58に示す通りで
ある。
である2人カナンド回路を示す回路図及び概略的平面図
であって、モニター・ポイント30の設定の一例を示し
ている。なお、第14図A及びBにおいて、トランジス
タの関係は、符号55.58,57.58に示す通りで
ある。
また、第15図A及びBはそれぞれ論理セル28の他の
例であるDフリップフロップを示す回路図及び概略的平
面図であって、同じくモニター・ポイント30の引き出
し方を示している。この例のように、1個の論理セル2
8に複数の、例えば、2個のモニター・ポイント30か
設定される場合がある。
例であるDフリップフロップを示す回路図及び概略的平
面図であって、同じくモニター・ポイント30の引き出
し方を示している。この例のように、1個の論理セル2
8に複数の、例えば、2個のモニター・ポイント30か
設定される場合がある。
また、第16図A及びBはそれぞれスイッチ素子をなす
nMO3)ランジスタ34を設ける手段を示す概略的平
面図である。即ち、第16図Aは論理セル28の一部と
して設けた場合を示しており、第16図Bは、論理セル
28とは別に設けた例である。なお、第16図B例の場
合、論理セル間を接続する配線59を使用してモニター
・ポイント30をnMO3)ランジスタ34に接続し、
配線の節約を行うことができるとともに、nM。
nMO3)ランジスタ34を設ける手段を示す概略的平
面図である。即ち、第16図Aは論理セル28の一部と
して設けた場合を示しており、第16図Bは、論理セル
28とは別に設けた例である。なお、第16図B例の場
合、論理セル間を接続する配線59を使用してモニター
・ポイント30をnMO3)ランジスタ34に接続し、
配線の節約を行うことができるとともに、nM。
Sトランジスタ34の位置を自由に設定することにより
、行読出し線35を折り曲げず、−直線に設け、論理セ
ル28間の接続のための配線の設計自由度を大きくする
ことができるという利点かある。
、行読出し線35を折り曲げず、−直線に設け、論理セ
ル28間の接続のための配線の設計自由度を大きくする
ことができるという利点かある。
なお、列選択線33の数を何本にするかは、各論理セル
列29に設定されるモニター・ポイント30の数に関係
するので、製品ごとに決定される。
列29に設定されるモニター・ポイント30の数に関係
するので、製品ごとに決定される。
次に、本発明の他の実施例を第6図を参照して説明する
。第6図の実施例は、読出し線を選択線が同一方向に配
列される点で上記実施例とは異なる。
。第6図の実施例は、読出し線を選択線が同一方向に配
列される点で上記実施例とは異なる。
第6図に示す半導体集積回路装置は論理セル列62と6
3.読出し線649選択線65.メガセル66、選択回
路67、センス回路68及びコントロール回路69を有
する。論理セル列62は横方向に配列され、論理セル列
63は縦方向と直交する方向に配列されている。読出し
線64と選択線65は論理セル列62と63に沿って配
列されている。読出し線64はセンス回路68に接続さ
れ、選択線65は選択回路67に接続されている。
3.読出し線649選択線65.メガセル66、選択回
路67、センス回路68及びコントロール回路69を有
する。論理セル列62は横方向に配列され、論理セル列
63は縦方向と直交する方向に配列されている。読出し
線64と選択線65は論理セル列62と63に沿って配
列されている。読出し線64はセンス回路68に接続さ
れ、選択線65は選択回路67に接続されている。
前述したMOS)ランジスタ18のようなスイッチ素子
が読出し線64とモニター・ポイント15との間に設け
られているか、図面を簡単にするために図示していない
。読出し線と選択線65は、これらがメガセルを迂回す
るように、論理セル列の端部て適宜折り曲げて配線され
ている。図の左側の論理セル列62に関する読出し線6
4と論理セル列63とは相互に接続されている。
が読出し線64とモニター・ポイント15との間に設け
られているか、図面を簡単にするために図示していない
。読出し線と選択線65は、これらがメガセルを迂回す
るように、論理セル列の端部て適宜折り曲げて配線され
ている。図の左側の論理セル列62に関する読出し線6
4と論理セル列63とは相互に接続されている。
メガセル66はメモリや乗算器などのアナログ回路を有
するブロック状の回路である。メガセル66は少なくと
も1つのモニター・ポイント15を有する。このモニタ
ー・ポイント15は読出し線64を介してセンス回路6
8に接続されている。
するブロック状の回路である。メガセル66は少なくと
も1つのモニター・ポイント15を有する。このモニタ
ー・ポイント15は読出し線64を介してセンス回路6
8に接続されている。
また、メガセル66は選択線65を介して選択回路67
に接続されている。コントロール回路69は外部回路か
らモニタコントロール入力を受け、選択回路67及びセ
ンス回路68を制御する。モニタ出力信号はセンス回路
68から出力される。
に接続されている。コントロール回路69は外部回路か
らモニタコントロール入力を受け、選択回路67及びセ
ンス回路68を制御する。モニタ出力信号はセンス回路
68から出力される。
第17図は、例えば第1図Aに示す場合の最適な読出し
線の本数と最適な選択線の本数をソフトウェアて求める
手順を示す。ステップ101で、第1図Bに示す従来の
手法により必要となる読出し線の本数Nsと選択線Np
の本数を計算する。ステップ102で、 f N s X N p を計算する。これは最適化の1つの目安となる。
線の本数と最適な選択線の本数をソフトウェアて求める
手順を示す。ステップ101で、第1図Bに示す従来の
手法により必要となる読出し線の本数Nsと選択線Np
の本数を計算する。ステップ102で、 f N s X N p を計算する。これは最適化の1つの目安となる。
ステップ103で、各論理セル列でモニタが必要なるモ
ニター・ポイントの分布を調べ、最大のモニター・ポイ
ント数max N及び最小のモニター・ポイント数mi
n Nを計算する。ステップ104で読出し線及び選択
線のレイアウト集積度上の重み関数Er及びEsを求め
る。換言すれば、重み関数Er及びEsは読出し線及び
選択線のレイアウト面積への効き方を表わす。ステップ
105で、ステップ101 、102 、103及び1
04で得られた結果から読出し線の最適本数と選択線の
最適本数を求める。
ニター・ポイントの分布を調べ、最大のモニター・ポイ
ント数max N及び最小のモニター・ポイント数mi
n Nを計算する。ステップ104で読出し線及び選択
線のレイアウト集積度上の重み関数Er及びEsを求め
る。換言すれば、重み関数Er及びEsは読出し線及び
選択線のレイアウト面積への効き方を表わす。ステップ
105で、ステップ101 、102 、103及び1
04で得られた結果から読出し線の最適本数と選択線の
最適本数を求める。
以上のように構成することによって、MP法による試験
回路を有する半導体集積回路装置の試験回路部分を構成
することができる。
回路を有する半導体集積回路装置の試験回路部分を構成
することができる。
なお、上述の実施例においては、本発明をいわゆるMO
S−ICに適用した場合につき述べたか、本発明は、そ
の他、バイポーラLSIにも適用することかできる。
S−ICに適用した場合につき述べたか、本発明は、そ
の他、バイポーラLSIにも適用することかできる。
本発明によれば、第1ないし第6の発明につき以下に述
べるような効果を得ることができる。
べるような効果を得ることができる。
第1の発明(請求項1記載の発明)の場合第1の発明に
よれば、l又は2種以上の論理セルを列状に配列した種
々の論理セル列を配列し、かつ、論理セルに1又は2以
上のモニター・ポイントを設定してなる半導体集積回路
装置において、MP法による試験回路を内蔵させる場合
に、選択線と読出し線の合計数を、(論理セル列と同数
の選択線の数)+(最大数のモニター・ポイントを設定
している論理セル列のモニター・ポイント数と同数の読
出し線の数)よりも少なくし、配線効率の向上化を図る
ことができる。
よれば、l又は2種以上の論理セルを列状に配列した種
々の論理セル列を配列し、かつ、論理セルに1又は2以
上のモニター・ポイントを設定してなる半導体集積回路
装置において、MP法による試験回路を内蔵させる場合
に、選択線と読出し線の合計数を、(論理セル列と同数
の選択線の数)+(最大数のモニター・ポイントを設定
している論理セル列のモニター・ポイント数と同数の読
出し線の数)よりも少なくし、配線効率の向上化を図る
ことができる。
第2の発明(請求項2記載の発明)の場合第2の発明に
よれば、1又は2種以上の論理セルを列状に配列した種
々の論理セル列を配列し、かつ、論理セルに1又は2以
上のモニター・ポイントを設定してなる半導体集積回路
装置において、MP法による試験回路を内蔵させた場合
に、選択線と読出し線の合計数を、(論理セル列と同数
の読出し線の数)+(最大数のモニター・ポイントを設
定している論理セル列のモニター・ポイント数と同数の
選択線の数)よりも少なくし、配線効率の向上化を図る
ことができる。
よれば、1又は2種以上の論理セルを列状に配列した種
々の論理セル列を配列し、かつ、論理セルに1又は2以
上のモニター・ポイントを設定してなる半導体集積回路
装置において、MP法による試験回路を内蔵させた場合
に、選択線と読出し線の合計数を、(論理セル列と同数
の読出し線の数)+(最大数のモニター・ポイントを設
定している論理セル列のモニター・ポイント数と同数の
選択線の数)よりも少なくし、配線効率の向上化を図る
ことができる。
第3の発明(M求項3記載の発明)の場合環3の発明に
よれば、■又は2種以上の論理セルを列状に配列した種
々の論理セル列を配列してなる第1の論理セル列群を設
けるとともに、第1の論理セル列群の論理セル列に直交
する方向に、1又は2種以上の論理セルを列状に配列し
てなる種々の論理セル列を配列した第2の論理セル列群
を設け、かつ、第1の論理セル列群の論理セル及び第2
の論理セル列群の論理セルに1又は2以上のモニター・
ポイントを設定してなる半導体集積回路装置において、
MP法による試験回路を内蔵させる場合に、選択線と読
出し線の合計本数を、(第1の論理セル列群における論
理セル列の数又は第2の論理セル列群における最大数の
モニター・ポイントを設定している論理セル列のモニタ
ー・ポイント数のうち、多い方の数)+(第1の論理セ
ル列群における最大数のモニター・ポイントを設定して
いる論理セル列のモニター・ポイント数十環2の論理セ
ル列群における論理セル列の数)あるいは(第1の論理
セル列群における論理セル列十第2の論理セル列群にお
ける最大数のモニター・ポイントを設定している論理セ
ル列のモニター・ポイント数)+(第1の論理セル列群
における最大数のモニター・ポイントを設定している論
理セル列のモニター・ポイント数又は第2の論理セル列
群における論理セル列の数のうち、多い方の数)よりも
少なくし、配線効率の向上化を図ることができる。
よれば、■又は2種以上の論理セルを列状に配列した種
々の論理セル列を配列してなる第1の論理セル列群を設
けるとともに、第1の論理セル列群の論理セル列に直交
する方向に、1又は2種以上の論理セルを列状に配列し
てなる種々の論理セル列を配列した第2の論理セル列群
を設け、かつ、第1の論理セル列群の論理セル及び第2
の論理セル列群の論理セルに1又は2以上のモニター・
ポイントを設定してなる半導体集積回路装置において、
MP法による試験回路を内蔵させる場合に、選択線と読
出し線の合計本数を、(第1の論理セル列群における論
理セル列の数又は第2の論理セル列群における最大数の
モニター・ポイントを設定している論理セル列のモニタ
ー・ポイント数のうち、多い方の数)+(第1の論理セ
ル列群における最大数のモニター・ポイントを設定して
いる論理セル列のモニター・ポイント数十環2の論理セ
ル列群における論理セル列の数)あるいは(第1の論理
セル列群における論理セル列十第2の論理セル列群にお
ける最大数のモニター・ポイントを設定している論理セ
ル列のモニター・ポイント数)+(第1の論理セル列群
における最大数のモニター・ポイントを設定している論
理セル列のモニター・ポイント数又は第2の論理セル列
群における論理セル列の数のうち、多い方の数)よりも
少なくし、配線効率の向上化を図ることができる。
第4の発明(請求項4記載の発明)の場合環4の発明に
よれば、基本セルを列状に配列した複数の基本セル列を
配列し、かつ、基本セルの1ないし複数に1個のモニタ
ー・ポイントを設定してなる半導体集積回路装置におい
て、MP法による試験回路を内蔵させる場合に、基本セ
ル間に読出し線用の配線領域を設け、この配線領域に、
予め、読出し線を設けておく場合には、読出し線の数を
減らすことにより、読出し線用の配線領域の数を減らし
、チップ面の有効利用を図ることができるとともに、ま
た、ゲート回路を形成した後、基本セル上に読出し線を
設けるようにする場合には、基本セル列に直交する方向
の配線である読出し線を低減し、配線効率の向上化を図
ることかできる。
よれば、基本セルを列状に配列した複数の基本セル列を
配列し、かつ、基本セルの1ないし複数に1個のモニタ
ー・ポイントを設定してなる半導体集積回路装置におい
て、MP法による試験回路を内蔵させる場合に、基本セ
ル間に読出し線用の配線領域を設け、この配線領域に、
予め、読出し線を設けておく場合には、読出し線の数を
減らすことにより、読出し線用の配線領域の数を減らし
、チップ面の有効利用を図ることができるとともに、ま
た、ゲート回路を形成した後、基本セル上に読出し線を
設けるようにする場合には、基本セル列に直交する方向
の配線である読出し線を低減し、配線効率の向上化を図
ることかできる。
第5の発明(請求項5記載の発明)の場合環5の発明に
おいても、基本セルを列状に配列した複数の基本セル列
を配列し、かつ、基本セルの1ないし複数に1のモニタ
ー・ポイントを設定してなる半導体集積回路装置におい
て、MP法による試験回路を内蔵させる場合に、基本セ
ル間に選択線用の配線領域を設け、この配線領域に、予
め、選択線を設けておく場合には、選択線の数を減らす
ことにより、選択線用の配線領域の数を減らし、チップ
面の有効利用を図ることかできるとともに、また、ゲー
ト回路を形成した後、基本セル上に選択線を設けるよう
にする場合には、基本セル列に直交する方向の配線であ
る選択線を低減し、配線効率の向上化を図ることかでき
る。
おいても、基本セルを列状に配列した複数の基本セル列
を配列し、かつ、基本セルの1ないし複数に1のモニタ
ー・ポイントを設定してなる半導体集積回路装置におい
て、MP法による試験回路を内蔵させる場合に、基本セ
ル間に選択線用の配線領域を設け、この配線領域に、予
め、選択線を設けておく場合には、選択線の数を減らす
ことにより、選択線用の配線領域の数を減らし、チップ
面の有効利用を図ることかできるとともに、また、ゲー
ト回路を形成した後、基本セル上に選択線を設けるよう
にする場合には、基本セル列に直交する方向の配線であ
る選択線を低減し、配線効率の向上化を図ることかでき
る。
第6の発明(請求項6記載の発明)の場合環6の発明で
は論理セル列と対応する選択線と読出し線とを同一方向
に配列し、更に選択線と読出し線とをメガセルを迂回す
るように設けたので、少ない読出し線及び選択線を効率
良く設けることができる。
は論理セル列と対応する選択線と読出し線とを同一方向
に配列し、更に選択線と読出し線とをメガセルを迂回す
るように設けたので、少ない読出し線及び選択線を効率
良く設けることができる。
第1図は本発明中、第1の発明の原理説明図、第2図は
本発明中、第2の発明の原理説明図、第3図は本発明中
、第3の発明の原理説明図、第4図は本発明中、第4の
発明の原理説明図、第5図は本発明中、第5の発明の原
理説明図、第6図は本発明中、第6の発明の原理説明図
、第7図は本発明の一実施例の要部を示すブロック図、 第8図は本発明の一実施例を構成するスイッチ素子を示
す回路図、 第9図は本発明の一実施例を構成する列選択回路の一例
を示す回路図、 第10図は本発明の一実施例を構成する列選択回路の他
の例を示す回路図、 第11図は本発明の一実施例を構成する列選択回路の更
に他の例を示す回路図、 第12図は本発明の一実施例を構成するセンス回路の一
例を示す回路図、 第13図は本発明の一実施例を構成するセンス回路の他
の例を示す回路図、 第14図A及びBはそれぞれ本発明の一実施例を構成す
る論理セルの一例を示す回路図及び概略的平面図、 第15図A及びBはそれぞれ本発明の一実施例を構成す
る論理セルの他の例を示す回路図及び概略的平面図、 第16図A及びBはそれぞれスイッチ素子を構成するn
MO3)ランジスタを設ける手段を示す概略的平面図、 第17図は読出し線及び選択線の最適本数を求める手順
を示すフローチャート及び 第18図は従来の半導体集積回路装置の要部を示すブロ
ック図である。 図において、 14は論理セル、 15はモニター・ポイント、 16は選択線、 17は読出し線、 25は基本セル を示す。 g先出線 策lめ シ 選択線@ 2α楚明f1肇埋脆明図 第2図 21Y:Jl/l誦理亡・レクリ君ヂ 24箒2n論理[ルダ’I群 介 郡名出しイ2 ぢ3−斉 第3図C’fqSン C 市5のeE月0雫理腕明図 第5 図 1 1 1 −突1乞炉1とI鼻A“Tろ[シス回路36のプρ1ど
示1回踏m第12図 〜寅4乞牙膜1鼻成Iるtシス回路36のイ亡のIりと
示T回踏国第13図 第14図
本発明中、第2の発明の原理説明図、第3図は本発明中
、第3の発明の原理説明図、第4図は本発明中、第4の
発明の原理説明図、第5図は本発明中、第5の発明の原
理説明図、第6図は本発明中、第6の発明の原理説明図
、第7図は本発明の一実施例の要部を示すブロック図、 第8図は本発明の一実施例を構成するスイッチ素子を示
す回路図、 第9図は本発明の一実施例を構成する列選択回路の一例
を示す回路図、 第10図は本発明の一実施例を構成する列選択回路の他
の例を示す回路図、 第11図は本発明の一実施例を構成する列選択回路の更
に他の例を示す回路図、 第12図は本発明の一実施例を構成するセンス回路の一
例を示す回路図、 第13図は本発明の一実施例を構成するセンス回路の他
の例を示す回路図、 第14図A及びBはそれぞれ本発明の一実施例を構成す
る論理セルの一例を示す回路図及び概略的平面図、 第15図A及びBはそれぞれ本発明の一実施例を構成す
る論理セルの他の例を示す回路図及び概略的平面図、 第16図A及びBはそれぞれスイッチ素子を構成するn
MO3)ランジスタを設ける手段を示す概略的平面図、 第17図は読出し線及び選択線の最適本数を求める手順
を示すフローチャート及び 第18図は従来の半導体集積回路装置の要部を示すブロ
ック図である。 図において、 14は論理セル、 15はモニター・ポイント、 16は選択線、 17は読出し線、 25は基本セル を示す。 g先出線 策lめ シ 選択線@ 2α楚明f1肇埋脆明図 第2図 21Y:Jl/l誦理亡・レクリ君ヂ 24箒2n論理[ルダ’I群 介 郡名出しイ2 ぢ3−斉 第3図C’fqSン C 市5のeE月0雫理腕明図 第5 図 1 1 1 −突1乞炉1とI鼻A“Tろ[シス回路36のプρ1ど
示1回踏m第12図 〜寅4乞牙膜1鼻成Iるtシス回路36のイ亡のIりと
示T回踏国第13図 第14図
Claims (6)
- (1)1又は2種以上の論理セルを列状に配列した種々
の論理セル列を配列し、かつ、前記論理セルに1又は2
以上のモニター・ポイントを設定してなる半導体集積回
路装置であって、 前記論理セル列ごとに選択線を設けるとともに、該選択
線に直交する方向に読出し線を設け、前記モニター・ポ
イントと前記読出し線とをスイッチ素子で接続し、前記
選択線を介して前記スイッチ素子のオン、オフを制御し
、前記読出し線を介して前記モニター・ポイントの論理
状態を読出すようにされ、 前記選択線の数を前記論理セル列の数よりも多くされた
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - (2)1又は2種以上の論理セルを列状に配列した種々
の論理セル列を配列し、かつ、前記論理セルに1又は2
以上のモニター・ポイントを設定してなる半導体集積回
路装置であって、 前記論理セル列ごとに読出し線を設けるとともに、該読
出し線に直交する方向に選択線を設け、前記モニター・
ポイントと前記読出し線とをスイッチ素子で接続し、前
記選択線を介して前記スイッチ素子のオン、オフを制御
し、前記読出し線を介して前記モニター・ポイントの論
理状態を読出すようにされ、 前記読出し線の数を前記論理セル列の数よりも多くされ
たことを特徴とする半導体集積回路装置。 - (3)1又は2種以上の論理セルを列状に配列した種々
の論理セル列を配列してなる第1の論理セル列群を設け
るとともに、該第1の論理セル列群の論理セル列に直交
する方向に、1又は2種以上の論理セルを列状に配列し
てなる種々の論理セル列を配列した第2の論理セル列群
を設け、かつ、前記第1の論理セル列群の論理セル及び
前記第2の論理セル列群の論理セルに1又は2以上のモ
ニター・ポイントを設定してなる半導体集積回路装置で
あって、 前記第1の論理セル列群においては、前記論理セル列ご
とに選択線を設けるとともに、該選択線に直交する方向
に読出し線を設け、前記モニター・ポイントと前記読出
し線とをスイッチ素子で接続し、前記選択線を介して前
記スイッチ素子のオン、オフを制御し、前記読出し線を
介して前記モニター・ポイントの論理状態を読出すよう
にされ、前記第2の論理セル列群においては、前記論理
セル列ごとに読出し線を設けるとともに、該読出し線に
直交する方向に選択線を設け、前記モニター・ポイント
と前記読出し線とをスイッチ素子で接続し、前記選択線
を介して前記スイッチ素子のオン、オフを制御し、前記
読出し線を介して前記モニター・ポイントの論理状態を
読出すようにされ、 前記第1の論理セル列群においては、前記選択線の数を
前記論理セル列の数よりも多くされ、前記第2の論理セ
ル列群においては、前記読出し線の数を前記論理セル列
の数よりも多くされたことを特徴とする半導体集積回路
装置。 - (4)基本セルを列状に配列した複数の基本セル列を配
列し、かつ、前記基本セルの1ないし複数に対して1の
モニター・ポイントを設定してなる半導体集積回路装置
であって、 前記基本セル列ごとに選択線を設けるとともに、該選択
線に直交する方向に読出し線を設け、前記モニター・ポ
イントと前記読出し線とをスイッチ素子で接続し、前記
選択線を介して前記スイッチ素子のオン、オフを制御し
、前記読出し線を介して前記モニター・ポイントの論理
状態を読出すようにされ、 前記基本セル列ごとに複数の選択線を設けるようにされ
たことを特徴とする半導体集積回路装置。 - (5)基本セルを列状に配列した複数の基本セル列を配
列し、かつ、前記基本セルの1ないし複数に対して1の
モニター・ポイントを設定してなる半導体集積回路装置
であって、 前記基本セル列ごとに読出し線を設けるとともに、該読
出し線に直交する方向に選択線を設け、前記モニター・
ポイントと前記読出し線とをスイッチ素子で接続し、前
記選択線を介して前記スイッチ素子のオン、オフを制御
し、前記読出し線を介して前記モニター・ポイントの論
理状態を読出すようにされ、 前記基本セルごとに複数の読出し線を設けるようにされ
たことを特徴とする半導体集積回路装置。 - (6)1又は2種以上の論理セルを列状に配列した種々
の論理セル列を配列してなる論理セル列群を複数群設け
るとともに、ブロック状のメガセルを必要に応じて、か
つ、前記論理セルおよびメガセルに1又は2以上のモニ
ター・ポイントを設定してなる半導体集積回路装置であ
って、 該論理セル列および該メガセル周辺に沿った方向に選択
線および読出し線の両方をそれぞれ少なくとも1本づつ
設け、前記モニター・ポイントと前記読出し線とをスイ
ッチ素子で接続し、かつ、該選択線および読出し線を該
論理セル列の端部で適宜折り曲げて配線し前記メガセル
部を迂回するようにして設けられていることを特徴とす
る半導体集積回路装置。
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---|---|---|---|
JP1-266661 | 1989-10-13 | ||
JP26666189 | 1989-10-13 |
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
WO2007004289A1 (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-11 | National University Corporation Tohoku University | テスト用回路、ウェハ、測定装置、デバイス製造方法、及び表示装置 |
Families Citing this family (2)
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---|---|---|---|---|
US5530439A (en) * | 1992-01-24 | 1996-06-25 | Intel Corporation | Deterministic method and an apparatus for minimal switch circuits |
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US4739250A (en) * | 1985-11-20 | 1988-04-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor integrated circuit device with test circuit |
JPH01109921A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-26 | Ricoh Co Ltd | プログラマブルロジックアレイ |
JP2541248B2 (ja) * | 1987-11-20 | 1996-10-09 | 三菱電機株式会社 | プログラマブル・ロジック・アレイ |
-
1990
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- 1990-10-13 KR KR1019900016233A patent/KR930007488B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007004289A1 (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-11 | National University Corporation Tohoku University | テスト用回路、ウェハ、測定装置、デバイス製造方法、及び表示装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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DE69027828T2 (de) | 1996-11-21 |
DE69027828D1 (de) | 1996-08-22 |
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