JPH0319711B2 - - Google Patents
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- JPH0319711B2 JPH0319711B2 JP55157831A JP15783180A JPH0319711B2 JP H0319711 B2 JPH0319711 B2 JP H0319711B2 JP 55157831 A JP55157831 A JP 55157831A JP 15783180 A JP15783180 A JP 15783180A JP H0319711 B2 JPH0319711 B2 JP H0319711B2
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- Japan
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- control gate
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電荷結合素子（CCD）を用いてなる
固体撮像素子に関し、特にそのイメージ部におい
てブルーミング現象を抑制すべく過剰電荷を吸収
排除するオーバーフロードレイン領域を設けた場
合の画像欠陥（灰色棒状の欠陥）の発生を軽減せ
んとするものである。
固体撮像素子に関し、特にそのイメージ部におい
てブルーミング現象を抑制すべく過剰電荷を吸収
排除するオーバーフロードレイン領域を設けた場
合の画像欠陥（灰色棒状の欠陥）の発生を軽減せ
んとするものである。
フレームトランスフア方式のCCD固体撮像素
子において、例えばイメージ部を埋込みチヤンネ
ル型に構成した場合、強い光に対してブルーミン
グ現象が表われる。このために、イメージ部にお
ける各垂直ラインに沿う受光領域を兼ねるチヤン
ネル領域に隣接して夫々オーバーフローコントロ
ールゲート領域及びオーバーフロードレイン領域
を設け、強い光を受けて過剰電荷が発生したとき
に、その過剰電荷をオーバーフローコントロール
ゲート領域の電位障壁を越えてオーバーフロード
レイン領域に吸収する方法がとられている。この
時のオーバーフローコントロールゲート領域のポ
テンシヤル即ち電位(1)は第１図で示す如くチヤン
ネル領域おけるスレトージゲート領域の電位(2)と
トランスフアゲート領域の電位(3)の間に設定する
が、その電位差φC（電位Ａと電位Ｂの差即ち最大
取り扱に電荷量）はゲート電極（所謂転送電極）
に印加するゲート電圧VGに依存することなく一
定である。換言すれば、イメージ部として受光期
間の最大取り扱い電荷量と電荷転送期間の最大取
り扱い電荷量とが等しくなることを意味してい
る。
子において、例えばイメージ部を埋込みチヤンネ
ル型に構成した場合、強い光に対してブルーミン
グ現象が表われる。このために、イメージ部にお
ける各垂直ラインに沿う受光領域を兼ねるチヤン
ネル領域に隣接して夫々オーバーフローコントロ
ールゲート領域及びオーバーフロードレイン領域
を設け、強い光を受けて過剰電荷が発生したとき
に、その過剰電荷をオーバーフローコントロール
ゲート領域の電位障壁を越えてオーバーフロード
レイン領域に吸収する方法がとられている。この
時のオーバーフローコントロールゲート領域のポ
テンシヤル即ち電位(1)は第１図で示す如くチヤン
ネル領域おけるスレトージゲート領域の電位(2)と
トランスフアゲート領域の電位(3)の間に設定する
が、その電位差φC（電位Ａと電位Ｂの差即ち最大
取り扱に電荷量）はゲート電極（所謂転送電極）
に印加するゲート電圧VGに依存することなく一
定である。換言すれば、イメージ部として受光期
間の最大取り扱い電荷量と電荷転送期間の最大取
り扱い電荷量とが等しくなることを意味してい
る。
今、第２図に示すようにイメージ部の各絵素(4)
における最大取り扱い電荷量が全て“10”の容量
があり、その中でチヤンネル領域Ｂのステージ
〔４〕に対応した絵素の最大取り扱い電荷量が何
かの原因で“９”の容量しかなかつたとすると、
受光時においてはチヤンネル領域Ｂのステージ
〔１〕、〔２〕、〔３〕は“10”の電荷量を蓄積でき、
ステージ〔４〕だけが“９”の電荷量を蓄積す
る。しかし、電荷転送時には第１図で示した如く
ゲート電圧に依存なくチヤンネル領域Ｂのステー
ジ〔４〕では“９”の電荷量しか扱えないため、
電荷転送方向を矢印ｙとするとステージ〔１〕、
〔２〕、〔３〕の電荷量はステージ〔４〕を通過す
る時に、“９”の電荷量に抑えられ、チヤンネル
領域Ｂのステージ〔４〕より後段では斜線図示の
如く電荷量の少ない所謂灰色棒の欠陥として画面
上に表われる。
における最大取り扱い電荷量が全て“10”の容量
があり、その中でチヤンネル領域Ｂのステージ
〔４〕に対応した絵素の最大取り扱い電荷量が何
かの原因で“９”の容量しかなかつたとすると、
受光時においてはチヤンネル領域Ｂのステージ
〔１〕、〔２〕、〔３〕は“10”の電荷量を蓄積でき、
ステージ〔４〕だけが“９”の電荷量を蓄積す
る。しかし、電荷転送時には第１図で示した如く
ゲート電圧に依存なくチヤンネル領域Ｂのステー
ジ〔４〕では“９”の電荷量しか扱えないため、
電荷転送方向を矢印ｙとするとステージ〔１〕、
〔２〕、〔３〕の電荷量はステージ〔４〕を通過す
る時に、“９”の電荷量に抑えられ、チヤンネル
領域Ｂのステージ〔４〕より後段では斜線図示の
如く電荷量の少ない所謂灰色棒の欠陥として画面
上に表われる。
本発明は、上述の点に鑑み各絵素における正常
電荷量を完全転送できるようにし、上記の画像欠
陥を解消せしめた固体撮像素子を提供するもので
ある。
電荷量を完全転送できるようにし、上記の画像欠
陥を解消せしめた固体撮像素子を提供するもので
ある。
以下、本発明による固体撮像素子を説明する。
図面上での灰色棒の欠陥は、受光時の最大取り
扱い電荷量と電荷転送時の最大取り扱い電荷量が
同じであることから誘発される。それ故に、受光
時の最大取り扱い電荷量より電荷転送時の最大取
り扱い電荷量を多くすれば、灰色棒は灰色点にす
ることが出来、画像欠陥は目立たなくなる。即
ち、第３図に示すように正常絵素(4)の受光時にお
ける最大取り扱い電荷量を例えば“10”としたと
き、電荷転送時における最大取り扱い電荷量を受
光時より多い例えば“12”となるように構成す
る。このようにすれば、仮りに何かの原因でチヤ
ンネル領域Ｂのステジ〔４〕に欠陥が生じ最大取
り扱い電荷量が受光時に“９”、電荷転送時に
“11”となつたとしても、他のステージ〔１〕、
〔２〕、〔３〕の正常電荷量“10”は完全に転送す
ることが出来、電荷転送時の最大取り扱い電荷量
が“10”以下になるまでは棒状の欠陥にはならな
い。
扱い電荷量と電荷転送時の最大取り扱い電荷量が
同じであることから誘発される。それ故に、受光
時の最大取り扱い電荷量より電荷転送時の最大取
り扱い電荷量を多くすれば、灰色棒は灰色点にす
ることが出来、画像欠陥は目立たなくなる。即
ち、第３図に示すように正常絵素(4)の受光時にお
ける最大取り扱い電荷量を例えば“10”としたと
き、電荷転送時における最大取り扱い電荷量を受
光時より多い例えば“12”となるように構成す
る。このようにすれば、仮りに何かの原因でチヤ
ンネル領域Ｂのステジ〔４〕に欠陥が生じ最大取
り扱い電荷量が受光時に“９”、電荷転送時に
“11”となつたとしても、他のステージ〔１〕、
〔２〕、〔３〕の正常電荷量“10”は完全に転送す
ることが出来、電荷転送時の最大取り扱い電荷量
が“10”以下になるまでは棒状の欠陥にはならな
い。
本発明は、このような特性を具現するために、
半導体基体内に受光領域を兼ねる複数のチヤンネ
ル領域と、チヤンネル領域での過剰電荷を吸収排
除するオーバーフロードレイン領域と、チヤンネ
ル領域とオーバーフロードレイン領域間にあつて
過剰電荷の流出レベルを規制する（即ち最大取り
扱い電荷量を規征する）オーバーフローコントロ
ールゲート領域とを有し、そのチヤンネル領域及
びオーバーフローコントロールゲート領域にゲー
ト絶縁層を介して同一のゲート電圧（受光時のゲ
ート電圧及び転送時のクロツク電圧を含む）が印
加されるようにして成る固体撮像素子に於て、そ
のオーバーフローコントロールゲート領域におけ
るポテンシヤルのゲート電圧依存性を、チヤンネ
ル領域におけるポテンシヤルのゲート電圧依存性
よりも少くなるように構成する。即ち、第４図に
示すように、チヤンネル領域のストレージゲート
領域及びトランスフアゲート領域における夫々の
ポテンシヤルのゲート電圧特性(2)及及び(3)に対し
て、オーバーフローコントロールゲート領域にお
けるポテンシヤルのゲート電圧特性(1)を少くとも
そのトランスフアゲート領域の特性(3)と交つてゲ
ート電圧依存性が少なくなるように成す。これに
よれば受光時のゲート電圧をφSHとすると、その
時のストレージゲート領域とオーバーフローコン
トロールゲート領域の電位差φC1は電位Ａ−電位
Ｂであり、電荷転送時のクロツク電圧をφVHとす
ると電位差φC2は電位ａ−電位ｂ、即ちφC1＜φC2
という状態になり、電荷転送時の最大取り扱い電
荷量を受光時のそれより多くすることが出来る。
但し、この場合、第４図から明らかなように電荷
転送時のクロツク電圧はオーバーフローコントロ
ールゲート領域の特性(1)とトランスフアゲート領
域の特性(3)とが交わる点を含んでそれより図にお
いてφVHがφSHより高い電圧に選定する。
半導体基体内に受光領域を兼ねる複数のチヤンネ
ル領域と、チヤンネル領域での過剰電荷を吸収排
除するオーバーフロードレイン領域と、チヤンネ
ル領域とオーバーフロードレイン領域間にあつて
過剰電荷の流出レベルを規制する（即ち最大取り
扱い電荷量を規征する）オーバーフローコントロ
ールゲート領域とを有し、そのチヤンネル領域及
びオーバーフローコントロールゲート領域にゲー
ト絶縁層を介して同一のゲート電圧（受光時のゲ
ート電圧及び転送時のクロツク電圧を含む）が印
加されるようにして成る固体撮像素子に於て、そ
のオーバーフローコントロールゲート領域におけ
るポテンシヤルのゲート電圧依存性を、チヤンネ
ル領域におけるポテンシヤルのゲート電圧依存性
よりも少くなるように構成する。即ち、第４図に
示すように、チヤンネル領域のストレージゲート
領域及びトランスフアゲート領域における夫々の
ポテンシヤルのゲート電圧特性(2)及及び(3)に対し
て、オーバーフローコントロールゲート領域にお
けるポテンシヤルのゲート電圧特性(1)を少くとも
そのトランスフアゲート領域の特性(3)と交つてゲ
ート電圧依存性が少なくなるように成す。これに
よれば受光時のゲート電圧をφSHとすると、その
時のストレージゲート領域とオーバーフローコン
トロールゲート領域の電位差φC1は電位Ａ−電位
Ｂであり、電荷転送時のクロツク電圧をφVHとす
ると電位差φC2は電位ａ−電位ｂ、即ちφC1＜φC2
という状態になり、電荷転送時の最大取り扱い電
荷量を受光時のそれより多くすることが出来る。
但し、この場合、第４図から明らかなように電荷
転送時のクロツク電圧はオーバーフローコントロ
ールゲート領域の特性(1)とトランスフアゲート領
域の特性(3)とが交わる点を含んでそれより図にお
いてφVHがφSHより高い電圧に選定する。
しかして、オーバーフローコントロールゲート
領域のポテンシヤルを他のチヤンネル領域のポテ
ンシヤルよりゲート電圧依存性を少くするには、
オーバーフローコントロールゲート領域下に隣接
する基体濃度をチヤンネル領域下に隣接する基体
濃度と異ならしめることにより実現できる。例え
ばチヤンネル領域を埋込チヤンネル型にて構成し
たときにはオーバーフローコントロールゲート領
域下の基体濃度を高くする。第６図はＰ形シリコ
ン基体の表面に５×1012cm-2N（ドーズ量）のＮ
形半導体層を形成し、この上に1000Å程度のゲー
ト酸化膜を介してゲート電極を形成した構成に於
て、そのＰ形シリコン基体の不純物濃度を変化さ
せたときのＮ形半導体層におけるポテンシヤルの
ゲート電圧依存性を示す特性図である。特性
（）、（）、（）は夫々基体濃度NAがドーズ
量で１×1015cm-2、６×1212cm-2、３×1013cm-2、
３×1013cm-2とした場合である。この特性図から
明らかなように基体濃度を適宜選択することによ
りＮ形半導体層のポテンシヤルのゲート電圧依存
性を変えることが出来る。
領域のポテンシヤルを他のチヤンネル領域のポテ
ンシヤルよりゲート電圧依存性を少くするには、
オーバーフローコントロールゲート領域下に隣接
する基体濃度をチヤンネル領域下に隣接する基体
濃度と異ならしめることにより実現できる。例え
ばチヤンネル領域を埋込チヤンネル型にて構成し
たときにはオーバーフローコントロールゲート領
域下の基体濃度を高くする。第６図はＰ形シリコ
ン基体の表面に５×1012cm-2N（ドーズ量）のＮ
形半導体層を形成し、この上に1000Å程度のゲー
ト酸化膜を介してゲート電極を形成した構成に於
て、そのＰ形シリコン基体の不純物濃度を変化さ
せたときのＮ形半導体層におけるポテンシヤルの
ゲート電圧依存性を示す特性図である。特性
（）、（）、（）は夫々基体濃度NAがドーズ
量で１×1015cm-2、６×1212cm-2、３×1013cm-2、
３×1013cm-2とした場合である。この特性図から
明らかなように基体濃度を適宜選択することによ
りＮ形半導体層のポテンシヤルのゲート電圧依存
性を変えることが出来る。
第５図は、本発明の一実施例で、イメージ部を
埋込みチヤンネル型としたフレームトランスフア
方式のCCD固体撮像素子に適用した場合である。
図はイメージ部を示すもので、例えばＰ形シリコ
ン基体１０の一面に臨んでＮ形の埋込みチヤンネ
ル部を構成する半導体領域ちチヤンネル領域１１
が形成され、このチヤンネル領域１１を複数の垂
直ラインに区分するＮ形のオーバーフローコント
ロールゲート領域１２が形成されると共に、この
オーバーフローコントロールゲート領域１２に隣
接してチヤンネル領域１１での過剰電荷を吸収排
除するN+形のオーバーフロードレイン領域１３
が形成される。基体１０上には例えばSiO2より
なる所要の厚さのゲート絶縁層１４が被着され、
この上に電荷転送時に所要の転送クロツク電圧を
印加する例えば多結晶シリコンから成る転送用の
ゲート電極１５が形成される。しかして本例にお
いてはオーバーフローコントロールゲート領域１
２下のみにＰ形の高濃度領域１６を形成してオー
バーフローコントロールゲート領域下の基体濃度
を高くなす。
埋込みチヤンネル型としたフレームトランスフア
方式のCCD固体撮像素子に適用した場合である。
図はイメージ部を示すもので、例えばＰ形シリコ
ン基体１０の一面に臨んでＮ形の埋込みチヤンネ
ル部を構成する半導体領域ちチヤンネル領域１１
が形成され、このチヤンネル領域１１を複数の垂
直ラインに区分するＮ形のオーバーフローコント
ロールゲート領域１２が形成されると共に、この
オーバーフローコントロールゲート領域１２に隣
接してチヤンネル領域１１での過剰電荷を吸収排
除するN+形のオーバーフロードレイン領域１３
が形成される。基体１０上には例えばSiO2より
なる所要の厚さのゲート絶縁層１４が被着され、
この上に電荷転送時に所要の転送クロツク電圧を
印加する例えば多結晶シリコンから成る転送用の
ゲート電極１５が形成される。しかして本例にお
いてはオーバーフローコントロールゲート領域１
２下のみにＰ形の高濃度領域１６を形成してオー
バーフローコントロールゲート領域下の基体濃度
を高くなす。
かかる構成によれば、オーバーフローコントロ
ールゲート領域１２下に隣接する基体の濃度をチ
ヤンネル領域下より高くすることにより、第４図
の特性(1)で示すようにオーバーフローコントロー
ルゲート領域１２のポテンシヤルのゲート電圧依
存性がチヤンネル領域のそれよりも少くななる。
従つて例えば受光時のゲート電圧をφSHとし、電
荷転送時のクロツク電圧をφVHとすれば、受光時
の最大取り扱い電荷量より電荷転送時の最大取り
扱い電荷量が多くなり、各絵素の正常電荷を完全
転送することが出来、上述の如き灰色棒の画像欠
陥が回避される。
ールゲート領域１２下に隣接する基体の濃度をチ
ヤンネル領域下より高くすることにより、第４図
の特性(1)で示すようにオーバーフローコントロー
ルゲート領域１２のポテンシヤルのゲート電圧依
存性がチヤンネル領域のそれよりも少くななる。
従つて例えば受光時のゲート電圧をφSHとし、電
荷転送時のクロツク電圧をφVHとすれば、受光時
の最大取り扱い電荷量より電荷転送時の最大取り
扱い電荷量が多くなり、各絵素の正常電荷を完全
転送することが出来、上述の如き灰色棒の画像欠
陥が回避される。
尚、上例では埋込みチヤンネル型の固体撮像素
子に適用したが、その他表面チヤンネル型の固体
撮像素子にも適用できる。
子に適用したが、その他表面チヤンネル型の固体
撮像素子にも適用できる。
上述せる如く、本発明によれば、オーバーフロ
ーコントロールゲート領域下の基体濃度を制御
し、オーバーフローコントロールゲート領域のポ
テンシヤルのゲート電圧依存性を少くすることに
より、最大取り扱い電荷量が受光時より電荷転送
時に多くなり、よつて例え絵素中に一部最大取り
扱い電荷量の少ない絵素が存在しても、他の絵素
の正常電荷は完全転送され、灰色棒状の画像欠陥
のない高画質の固体撮像素子が得られる。
ーコントロールゲート領域下の基体濃度を制御
し、オーバーフローコントロールゲート領域のポ
テンシヤルのゲート電圧依存性を少くすることに
より、最大取り扱い電荷量が受光時より電荷転送
時に多くなり、よつて例え絵素中に一部最大取り
扱い電荷量の少ない絵素が存在しても、他の絵素
の正常電荷は完全転送され、灰色棒状の画像欠陥
のない高画質の固体撮像素子が得られる。
第１図は従来の固体撮像素子におけるチヤンネ
ル領域及びオーバーフローコントロールゲート領
域におけるポテンシヤルのゲート電圧依存性を示
す特性図、第２図は従来の固体撮像素子における
画像欠陥の発生を説明するイメージ部の模式図、
第３図は本発明による固体撮像素子のイメージ部
の模式図、第４図は本発明の固体撮像素子におけ
るチヤンネル領域及びオーバーフローコントロー
ルゲート領域におけるポテンシヤルのゲート電圧
依存性を示す特性図、第５図は本発明の一実施例
を示すイメージ部の断面図、第６図は本発明の説
明に供する基体濃度をパラメータとしたポテンシ
ヤル−ゲート電圧特性図である。 １０は半導体基体、１１はチヤンネル領域、１
２はオーバーフローコントロールゲート領域、１
３はオーバーフロードレイン領域、１４は高濃度
領域である。
ル領域及びオーバーフローコントロールゲート領
域におけるポテンシヤルのゲート電圧依存性を示
す特性図、第２図は従来の固体撮像素子における
画像欠陥の発生を説明するイメージ部の模式図、
第３図は本発明による固体撮像素子のイメージ部
の模式図、第４図は本発明の固体撮像素子におけ
るチヤンネル領域及びオーバーフローコントロー
ルゲート領域におけるポテンシヤルのゲート電圧
依存性を示す特性図、第５図は本発明の一実施例
を示すイメージ部の断面図、第６図は本発明の説
明に供する基体濃度をパラメータとしたポテンシ
ヤル−ゲート電圧特性図である。 １０は半導体基体、１１はチヤンネル領域、１
２はオーバーフローコントロールゲート領域、１
３はオーバーフロードレイン領域、１４は高濃度
領域である。
Claims (1)
- １ 半導体基体内に設けられたチヤンネル領域及
びオーバーフローコントロールゲート領域にゲー
ト絶縁層を介して同一のゲート電圧が印加される
ようにして成る固体撮像素子において、前記オー
バーフローコントロールゲート領域下に隣接する
基体濃度を前記チヤンネル領域下に隣接する基体
濃度と異ならしめて前記オーバーフローコントロ
ールゲート領域におけるポテンシヤルのゲート電
圧依存性を前記チヤンネル領域におけるそれより
少くし、受光時のゲート電圧と転送時のクロツク
電圧を異ならしめ、電荷転送時の最大取り扱い電
荷量を受光時の最大取り扱い電荷量より多くした
ことを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55157831A JPS5780764A (en) | 1980-11-10 | 1980-11-10 | Solid state image pickup element |
| FR8119270A FR2494043A1 (fr) | 1980-11-10 | 1981-10-13 | Capteur d'image realise en technique etat solide |
| DE19813144163 DE3144163A1 (de) | 1980-11-10 | 1981-11-06 | "festkoerperbildabtaster mit ladungsgekoppelten bildspeicherelementen" |
| GB8133745A GB2087152B (en) | 1980-11-10 | 1981-11-09 | Solid state image sensor |
| NL8105064A NL8105064A (nl) | 1980-11-10 | 1981-11-09 | Beeldopneeminrichting met een ladingsgekoppelde inrichting. |
| CA000389696A CA1171947A (en) | 1980-11-10 | 1981-11-09 | Solid state image sensor |
| SE8106620A SE451655B (sv) | 1980-11-10 | 1981-11-09 | Bildavkennare |
| US06/616,800 US4504848A (en) | 1980-11-10 | 1984-06-05 | Solid state image sensor with over-flow control |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55157831A JPS5780764A (en) | 1980-11-10 | 1980-11-10 | Solid state image pickup element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5780764A JPS5780764A (en) | 1982-05-20 |
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