NL8105064A - Beeldopneeminrichting met een ladingsgekoppelde inrichting. - Google Patents
Beeldopneeminrichting met een ladingsgekoppelde inrichting. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8105064A NL8105064A NL8105064A NL8105064A NL8105064A NL 8105064 A NL8105064 A NL 8105064A NL 8105064 A NL8105064 A NL 8105064A NL 8105064 A NL8105064 A NL 8105064A NL 8105064 A NL8105064 A NL 8105064A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- area
- charge
- control gate
- gate
- channel
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 29
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 210000001217 buttock Anatomy 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
C/Ca/lh/1326
Beeldopneeminrichting met een ladingsgekoppelde inrichting.
De uitvinding heeft betrekking op een beeldopneeminrichting van het solid-state type met een ladingsgekoppelde inrichting, waarbij via een isolerende poortlaag eenzelfde poortspanning aan een bij de een halfgeleidersubstraat ge-5 vorm kanaalgebied en overloopregelpoortgebied wordt toegevoerd. Meer in het bijzonder heeft de uitvinding betrekking op een dergelijke beeldopneeminrichting, welke minder beeldfouten veroorzaakt, zoals het optreden van grijze vertikale lijnen in een zichtbaargemaakt beeld, welke worden veroor-10 zaakt door de toepassing van een overloopafvoergebied, dat overtollige lading absorbeert en afvoert ter verhindering van een wel als "blooming" aangeduid verschijnsel ter plaatse van het afbeeldgedeelte van de inrichting.
Bij een beeldopneeminrichting van het type met 15 een ladingsgekoppelde inrichting, welke volgens het principe van "frame transfer" wordt bedreven, kan zich, indien het afbeeldgedeelte van de inrichting van het type met een zogenaamd "begraven” kanaal is een als "blooming" aangeduid verschijnsel voordoen wanneer het desbetreffende gedeelte 20 aan intensieve lichtinval wordt onderworpen. Teneinde dit verschijnsel tegen te gaan kan men dan nabij het kanaalgebied, dat tevens als lichtontvangstgebied dient, langs iedere vertikale lijn van het afbeeldgedeelte een overloopregelpoortgebied en een overloopafvoergebied aanbrengen voor 25 absorptie van overtollige lading, welke resulteert uit de ontvangst van licht van grote intensitèit? deze overtollige lading wordt dan door de potentiaalbarriere van het overloopregelpoortgebied heen naar het overloopafvoergebied afgevoerd. Daarbij wordt de potentiaal 1 van het overloop-30 regelpoortgebied op een waarde gebracht, welke zich bevindt tussen die van de potentiaal 2 ter plaatse van een opslag-poortgebied binnen het kanaalgebied enerzijds en die van de potentiaal 3 ter plaatse van een' overdrachtpoortgebied, zoals in de grafiek volgens figuur 1 van de bijbehorende 8105064 I. , . -
*A
-2- tekening is weergegeven. Daarnaast geldt echter, dat het potentiaalverschil Θ tussen de potentiaalwaarde A (opslag
V
en de potentiaalwaarde B (ladingsoverdracht)) , dat wil zeggen het maximaal hanteerbare ladingsbedrag, konstant is, 5 dat wil zeggen onafhankelijk van de aan een poortelektrode of overdrachtselektrode aangelegde poortspanning V_. Dit wil zeggen/ dat het maximaal hanteerbare ladingsbedrag ter plaatse van het afbeeldgedeelte tijdens de periode van lichtontvangst gelijk wordt aan het maximaal hanteerbare 10 ladingsbedrag tijdens de ladingsoverdrachtsperiode.
Vervolgens wordt verondersteld en is in figuur 2 weergegeven/ dat het maximaal hanteerbare ladingsbedrag , voor alle beeldelementen 4 van het afbeeldgedeelte een capaciteitswaarde "10" heeft/ doch dat het maximaal hanteer-15 bare ladingsbedrag voor de bij een trap ƒAj en tot een kanaal-gebied B behorende beeldelementen door een bepaalde oorzaak een capaciteitswaarde van slechts "9" heeft. Tijdens lichtontvangst kunnen de trappen £lJ, ƒ2] en /3/ van het kanaal-gebied B ieder derhalve een ladingshoeveelheid ter waarde 20. "10" in opslag nemen, doch de trap ƒ47 neemt slechts een ladingsbedrag ter waarde "9" in opslag. Aangezien bij de daaropvolgende ladingsoverdracht door de trap /47 van het kanaalgebied B slechts een ladingshoeveelheid ter waarde "9" wordt gehanteerd, en zulks onafhankelijk van de aange-25 legde poortspanning, zoals figuur 1 laat zien, zal bij een ladingsoverdrachtrichting volgens de pijl y in figuur 2 de oorspronkelijke ladingshoeveelheid van de trappen IXJ, /2/ en /37 steeds, wanneer' deze 'door de trap /4j gaan, worden verminderd tot een ladingsbedrag ter waarde "9". Dit heeft 30 tot gevolg, dat de ladingshoëveélheöeh na het passeren van de trap [*J van het kanaalgebied B een kleinere dan hun oorspronkelijke waarde 'krijgen, met als gevolg, dat in het uiteindelijk op een beeldscherm zichtbaargemaakte beeld grijze, vertikale lijnen verschijnen.
35 De onderhavige uitvinding stelt zich nu ten doel, een beeldopneeminrichting met een' ladingsgek'oppelde inrichting te verschaffen, welke vrij is van deze bezwaren.
Voorts stelt de uitvinding zich 'ten doel, een 8105064 -3- beeldopneeminrichting met een ladings gekoppelde inrichting te verschaffen, waarbij volledige overdracht van de normaal aan ieder beeldopneemelement gevormde lading mogelijk is.
Een ander doel van dé uitvinding is het verschaf-5 fen van een beeldopneeminrichting met een ladingsgekoppelde inrichting, waarmede een beeld van hoge kwaliteit kan worden opgenomen.
Daartoe verschaft de uitvinding een beeldopneeminrichting van het "solid state" type met een ladingsgekop-10 pelde inrichting, waarbij via een isolerende poortlaag eenzelfde poortspanning aan beide in een halfgeleidersubstraat gevormd kanaalgebied en overloopregelpoortgebied wordt toegevoerd. Volgens de uitvinding dient een dergelijke beeldopneeminrichting het kenmerk te hebben, dat de verontreini-15 gingsconcentratie van het substraat onmiddellijk onder het overloopregelpoortgebied verschilt van die onmiddellijk onder het kanaalgebied, zodanig, dat de poortspanningsafhankelijkheid van de potentiaal in het overloopregelpoortgebied kleiner wordt gemaakt dan die voor het kanaalgebied, zodat 20 het maximaal hanteerbare ladingsoverdracht groter is dan tijdens lichtontvangst.
De uitvinding zal worden verduidelijkt _in de nuvolgende beschrijving aan de hand van de bijbehorende tekening. Daartoe tonen: 25 Figuur 1 enige karakteristieken van de poort- spanningsafhankelijkheid van de potentiaal in resp. een kanaalgebied en een overloopregelpoortgebied bij een beeldopneeminrichting van bekend type,
Figuur 2 een schematische weergave van het af-30 beeldgedeelte van een beeldopneeminrichting van bekend type, Figuur 3 een schematische weergave van het afbeeldgedeelte van een uitvoeringsvorm van een beeldopneeminrichting volgens de uitvinding,
Figuur 4 enige karakteristieken van de poort-35 spanningsafhankelijkheid van de potentiaal in resp. het kanaalgebied en het overloopregelpoortgebied bij een beeldopneeminrichting volgens de uitvinding,
Figuur 5 een dwarsdoorsnede door het afbeeldge- 8105064 & Χ· * .
-4- deelte van een uitvoeringsvorm volgens de uitvinding en
Figuur 6 enige karakteristieken van de potentiaal als funktie van de voorspanning met de verontreinigings-concentratie van het substraat als parameter.
5 Zoals in het voorgaande reeds is opgemerkt, wordt het verschijnen van grijze vertikale lijnen in een eerst door een bee'ldopneeminrichting opgenomen en vervolgens zichtbaargemaakt beeld veroorzaakt door het feit, dat het maximaal hanteerbare ladingsbedrag tijdens lichtontvangst 10 gelijk is aan het maximaal hanteerbare ladingsbedrag tijdens ladingsoverdracht. Indien nu voor het maximaal hanteerbare ladingsbedrag tijdens ladingsoverdracht een hogere waarde wordt gekozen dan tijdens lichtontvangst, kunnen de genoemde grijze vertikale lijnen worden omgezet in grijze vlekken, 15 hetgeen op een beeldscherm veel minder in het oog valt.
In dit verband wordt verwezen naar figuur 3, welke een schematische weergave vormt van de situatie, waarin het maximaal hanteerbare ladingsbedrag van alle beeldelementen 4 tijdens normale lichtontvangst een waarde van bijvoorbeeld 20 "10" heeft, doch tijdens ladingsoverdracht een waarde van bijvoorbeeld "12". Wanneer nu in trap van het kanaal-gebied B door de één of andere oorzaak een fout optreedt, zodat een maximaal hanteerbaar ladingsbedrag met een waarde "9" tijdens lichtontvangst en een waarde "11" tijdens 25 ladingsoverdracht resulteert, zal toch ongestoorde overdracht van oorspronkelijke ladingshoeveelheden ter waarde van "10" uit de andere trappen ƒ!ƒ, [2] en/3'J worden verkregen. Dit wil zeggen, dat de 'genoemde 'grijze vertikale lijnen slechts in een beeld zullen optreden' wannéér het 30 maximaal hanteerbare ladingsbedrag onder de waarde "10" daalt.
Ter verkrijging van dit effekt wordt nu volgens de uitvinding op de volgende wijze te werk gegaan bij een beeldopneeminrichting van het "solid state" type met een 35 halfgeleidersubstraat, waarin een aantal tevens als licht-ontvangstgebied dienende kanaalgebieden, een voor absorptie en voor verwijdering naar een kanaalgebied van overtollige . - lading dienend overloopafvoergebied en, tussen het' kanaal- •*S. - - - - - - . - 8105064 -5- A -¾ e gebied en het overloopafvoergebied, een overloopregelpoort-gebied zijn gevormd, welk laatstgenoemde gebied dient voor beperking van het overloopniveau van de overtollige lading (dat wil zeggen voor beperking van het maximaal hanteer-5 bare ladingsbedrag) en waarbij via een isolerende laag eenzelfde poortspanning, dat wil zeggen de poortspanning tijdens lichtontvangst en de klokspanning tijdens ladings-overdracht, aan het kanaalgebied en het overloopregelpoort-gebied wordt toegevoerd. Volgens de uitvinding wordt nu 10 voor de poortspanningsafhankelijkheid van de potentiaal in het overloopregelpoortgebied een lagere waarde gekozen dan in het kanaalgebied. Zoals de karakteristieken volgens figuur 4 laten zien, snijdt de poortspanningskarakteristiek 1 (de potentiaal als funktie van de poortspanning in het 15 overloopregelpoortgebied) tenminste de karakteristiek 3 in het overdrachtpoortgebied, zodat een lagere poortspanningsafhankelijkheid wordt verkregen. Indien de poortspanning tijdens lichtontvangst gelijk is, zal het potentiaalverschil tussen het opslagpoortgebied en het overloop-20 regelpoortgebied gelijk zijn aan het potentiaalverschil A-B. Indien de klokspanning tijdens ladingsoverdracht gelijk is, zal het spanningsverschil 0^ tijdens ladingsoverdracht gelijk aan het potentiaalverschil a-b zijn, hetgeen wil zeggen, dat Het' maximaal hanteerbare ladingsbedrag 25 ligt derhalve tijdens ladingsoverdracht hoger dan tijdens lichtontvangst. Zoals uit figuur 4 naar voren komt, is voor de klokspanning tijdens ladingsoverdracht een zodanige waarde gekozen, dat het snijpunt van de karakteristiek 1 van het overloopregelpoortgebied en de karakteristiek 3 30 van het overdrachtspoortgebied wordt omvat, evenals de poort-spanningswaarde $SH·
Teneinde de poortspanningsafhankelijkheid van de potentiaal in het overloopregelpoortgebied kleiner te maken dan in het kanaalgebied, dient volgens de uitvinding de 35 verontreinigingsconcentratie van het substraat onmiddellijk onder het overloopregelpoortgebied te verschillen van die onmiddellijk onder het kanaalgebied. Wanneer het kanaalgebied van het "begraven" kanaaltype is, wordt bijvoorbeeld 8105064
•F
V .
f -6- voor de verontreinigingsconcentratie van het substraat onmiddellijk onder het overloopfegelpoortgebied een hogere waarde gekozen.
Figuur 6 toont enige karakteristieken, welke 5 de spanningsafhankeiijkheid van de potentiaal in een half- geleiderlaag van het N-type laten zien voor het geval, waarin de desbetreffende halfgeleiderlaag van het N-type met een 12 -2 verontreinigingsconcentratie van 5 x 10 cm is gevormd op hèt oppervlak van een siliciumsubstraat van het P-type, : 10 waarbij op de halfgeleiderlaag een poortelèktrode is gevormd door het aanbrengen van een oxidatielaag met een dikte van ongeveer 1000 &; in figuur 6 zijn verschillende parameter-waarden voor de verontreinigingsconcentratie van het substraat getekend; daarbij de absolute waarde genormali-15 seerd.
In figuur 6 tonen de karakteristieken (I), (II) , (III) en (IV) gevallen, waarin de verontreinigingsconcentra- .
15 -2 tie N van het substraat resp. waarden' van 1 x 10 cm , A12 -2 13-2 13 —2 6 x 10 cm , 1 X 10 cm en 3 x 10 cm heeft. Zoals uit 20 de karakteristieken volgens figuur 6 naar voren komt, kan de spanningsafhankeiijkheid van de potentiaal in de halfgeleider laag van het N-type door geschikte pauze van de verontreinigingsconcentratie van het substraat worden bepaald, resp. worden gevarieerd.
• 25 Figuur 5 toont een voorbeeld van een beéldopneem- inrichting volgens de uitvinding met een ladingsgekoppelde inrichting, welke volgens het' principe van "frame transfer" • wordt aangedreven en waarvan het' afbeeldgedeelte van het type met een begraven kanaal is; in figuur 5 wordt slechts 30 het afbeeldgedeelte weergegeven. Bij deze uitvoeringsvorm is op êên van de hoofdoppervlakkeri van een substraat 10 van bijvoorbeeld silicium van het P-type een halfgeleidergebied, dat wil zeggen een kanaalgebied 11 zodanig gevormd, dat een begraven kanaal van het N-type wordt verkregen; voor schei-35 ding van het kanaalgebied 11 in een aantal vertikale lijnen zijn resp. overloopregelpoortgebieden 12 van het N-type gevormd. Nabij deze gebieden 12 is steeds een overloopaf-. voergebied 13 van hét N+-type gevormd voor absorptie van 8105064 -7- 5* *ί overtollige lading uit het kanaalgebied 11. Op het substraat 10 is een isolerende poortlaag 14 van bijvoorbeeld Si02 van noodzakelijke dikte gevormd, terwijl op deze isolerende poortlaag 14 een overdrachtpoortelektrode 15 van bijvoor-5 beeld polykristallijn silicium is 'gevormd; deze overdrachtpoortelektrode 15 dient voor het transport van de overdracht-klokspanning tijdens ladingsoverdracht. Bij de uitvoeringsvorm volgens figuur 5 zijn slechts onder de overloopregel-poortgebieden gebieden 16 van het P-type met een hoge 10 verontreinigingsconcentratie gevormd, zodanig, dat de ver-ontreinigingsconcentratie van het substraat onder de over-loopregelpoortgebieden 12 een hoge waarde heeft.
Bij een dergelijke beeldopneeminrichting volgens de uitvinding wordt voor de verontreinigingsconcentratie 15 van het concentraat onder de overloopregelpoortgebieden 12 een hogere waarde gekozen dan onder het kanaalgebied 11, zodat, en zoals in figuur 4 uit de karakteristiek 1 naar voren komt, de poortspanningsafhankelijkheid van de potentiaal in een overloopregelpoortgebied 12 kleiner is dan in 20 het kanaalgebied 11. Indien de poortspanning tijdens licht-ontvangst de waarde heeft, .terwijl de tijdens ladings- bil overdracht toegepaste klokspanning de waarde heeft, zal het maximaal hanteerbare ladingsbedrag tijdens ladingsoverdracht hoger liggen dan tijdens lichtontvangst, zodat 25 volledige overdracht van de 'normale lading van het ieder beeldelement wordt zekergesteld. Zoals reeds is opgemerkt, wordt daardoor verhinderd, dat in een met een dergelijke beeldopneeminrichting opgenomen en vervolgens zichtbaar gemaakt beeld grijze ver'tikale lijnen optreden.
30 Bij de in het voorgaande beschreven uitvoerings vorm is sprake van een ladingsgek'oppelde 'inrichting van het type met een begraven kanaal, doch het zal duidelijk zijn, dat de uitvinding eveneens kan worden toegepast bij een ladingsgekoppelde inrichting van het type met een zich 35 aan het oppervlak uitstrekkend kanaal.
Zoals in hét voorgaande is beschreven, wordt volgens de uitvinding de verontreinigingsconcentratie van het substraat onder het overloopregelpoortgebied zodanig gewij- 8105064 -8- * tt zigd, dat de poortspanningsafhankelijkheid van de potentiaal in het desbetreffende gebied geringer wordt en het maximaal hanteerbare ladingsbedrag tijdens ladingsoverdracht een hogere waarde dan tijdens lichtontvangst heeft. Zelfs indien 5 de beeldopneeminrichting een element bevat, waarvan het maximaal hanteerbaar ladingsbedrag kleiner dan dat van de . óverige beeldelementen is, kunnen de normale ladingen van die overige elementen volledig worden overgedragen, zodat een beeldopneeminrichting zonder beeldvervorming door grijze 10 vertikale lijnen wordt verkregen.
De uitvinding beperkt zich niet tot de in het voorgaande beschreven uitvoeringsvorm? verschillende wijzigingen kunnen in de beschreven onderdelen en in hun onderlinge samenhang worden aangebracht, zonder dat daarbij het 15 kader van de uitvinding.wordt overschreden.
» 8 1 0 5 0 64
Claims (1)
- -9- Beeldopneeminrichting van het "solid state" type met een ladings gekoppelde inrichting, waarbij via een isolerende poortlaag eenzelfde poortspanning aan een bij de' in een halfgeleidersubstraat gevormd kanaalgebied en overloop-5 regelpoortgebied wordt toegevoerd, met het kenmerk, dat de verontreinigingsconcentratie van het substraat onmiddellijk onder het overloopregelpoortgebied verschilt van die onmiddellijk onder het kanaalgebied, zodanig, dat de poortspan-ningsafhankelijkheid van een potentiaal in het overloop-10 regelpoortgebied kleiner is dan in het kanaalgebied en het maximaal hanteerbare ladingsbedrag tijdens ladingsoverdracht hoger ligt dan tijdens lichtontvangst. i ~ 8105064
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55157831A JPS5780764A (en) | 1980-11-10 | 1980-11-10 | Solid state image pickup element |
| JP15783180 | 1980-11-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8105064A true NL8105064A (nl) | 1982-06-01 |
Family
ID=15658275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8105064A NL8105064A (nl) | 1980-11-10 | 1981-11-09 | Beeldopneeminrichting met een ladingsgekoppelde inrichting. |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4504848A (nl) |
| JP (1) | JPS5780764A (nl) |
| CA (1) | CA1171947A (nl) |
| DE (1) | DE3144163A1 (nl) |
| FR (1) | FR2494043A1 (nl) |
| GB (1) | GB2087152B (nl) |
| NL (1) | NL8105064A (nl) |
| SE (1) | SE451655B (nl) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5831670A (ja) * | 1981-08-20 | 1983-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS5847378A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-19 | Canon Inc | 撮像素子 |
| JPS58210663A (ja) * | 1982-06-01 | 1983-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
| JPS5931056A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
| US4658497A (en) * | 1983-01-03 | 1987-04-21 | Rca Corporation | Method of making an imaging array having a higher sensitivity |
| US4603342A (en) * | 1983-01-03 | 1986-07-29 | Rca Corporation | Imaging array having higher sensitivity and a method of making the same |
| GB2132818B (en) * | 1983-01-03 | 1987-08-19 | Rca Corp | Imaging array |
| JPS60119182A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
| JPS61144874A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Toshiba Corp | 電荷転送装置 |
| US4870495A (en) * | 1985-02-22 | 1989-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing element and image sensing apparatus for recording a still image |
| JP2727584B2 (ja) * | 1988-09-20 | 1998-03-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| US5702971A (en) * | 1995-03-31 | 1997-12-30 | Eastman Kodak Company | Self-aligned LOD antiblooming structure for solid-state imagers |
| KR100332949B1 (ko) * | 2000-05-23 | 2002-04-20 | 윤종용 | 전자 줌 기능에 적합한 고체 촬상 소자 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3789267A (en) * | 1971-06-28 | 1974-01-29 | Bell Telephone Labor Inc | Charge coupled devices employing nonuniform concentrations of immobile charge along the information channel |
| NL165886C (nl) * | 1972-04-03 | 1981-05-15 | Hitachi Ltd | Halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en in volgorgde overdragen van pakketten meerderheidsladingdragers. |
| US3863065A (en) * | 1972-10-02 | 1975-01-28 | Rca Corp | Dynamic control of blooming in charge coupled, image-sensing arrays |
| NL7311600A (nl) * | 1973-08-23 | 1975-02-25 | Philips Nv | Ladingsgekoppelde inrichting. |
| US3896474A (en) * | 1973-09-10 | 1975-07-22 | Fairchild Camera Instr Co | Charge coupled area imaging device with column anti-blooming control |
| US4365261A (en) * | 1977-08-26 | 1982-12-21 | Texas Instruments Incorporated | Co-planar barrier-type charge coupled device with enhanced storage capacity and decreased leakage current |
| US4151539A (en) * | 1977-12-23 | 1979-04-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Junction-storage JFET bucket-brigade structure |
| US4229752A (en) * | 1978-05-16 | 1980-10-21 | Texas Instruments Incorporated | Virtual phase charge transfer device |
| US4362575A (en) * | 1981-08-27 | 1982-12-07 | Rca Corporation | Method of making buried channel charge coupled device with means for controlling excess charge |
-
1980
- 1980-11-10 JP JP55157831A patent/JPS5780764A/ja active Granted
-
1981
- 1981-10-13 FR FR8119270A patent/FR2494043A1/fr active Granted
- 1981-11-06 DE DE19813144163 patent/DE3144163A1/de active Granted
- 1981-11-09 SE SE8106620A patent/SE451655B/sv not_active IP Right Cessation
- 1981-11-09 CA CA000389696A patent/CA1171947A/en not_active Expired
- 1981-11-09 GB GB8133745A patent/GB2087152B/en not_active Expired
- 1981-11-09 NL NL8105064A patent/NL8105064A/nl not_active Application Discontinuation
-
1984
- 1984-06-05 US US06/616,800 patent/US4504848A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2087152A (en) | 1982-05-19 |
| CA1171947A (en) | 1984-07-31 |
| FR2494043A1 (fr) | 1982-05-14 |
| US4504848A (en) | 1985-03-12 |
| GB2087152B (en) | 1984-07-04 |
| SE8106620L (sv) | 1982-05-11 |
| JPS5780764A (en) | 1982-05-20 |
| DE3144163C2 (nl) | 1991-03-07 |
| DE3144163A1 (de) | 1982-06-16 |
| JPH0319711B2 (nl) | 1991-03-15 |
| FR2494043B1 (nl) | 1985-05-10 |
| SE451655B (sv) | 1987-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL8105064A (nl) | Beeldopneeminrichting met een ladingsgekoppelde inrichting. | |
| US6555842B1 (en) | Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer | |
| EP0957630B1 (en) | Column amplifier architecture in an active pixel sensor | |
| DE4417159C2 (de) | CCD-Festkörperbildaufnehmer mit Überlaufdrainstruktur | |
| DE102017125227A1 (de) | Fotoelektrisches umwandlungsgerät und bildaufnahmesystem | |
| EP0145543B1 (fr) | Barrette multi-linéaire à transfert de charge | |
| DE112018001494T5 (de) | Bildgebungselement und elektronische vorrichtung | |
| US4040076A (en) | Charge transfer skimming and reset circuit | |
| NL8000961A (nl) | Halfgeleider beeldopname-eenheid. | |
| JPS60254770A (ja) | イメージセンサ | |
| JPS614376A (ja) | 固体撮像装置 | |
| CA2526793C (fr) | Capteur d'image matriciel en technologie cmos | |
| US4758741A (en) | Photosensitive device ensuring an anti-blooming effect | |
| JPH0831988B2 (ja) | 固体撮像デバイス | |
| EP1213765B1 (en) | Solid state imaging device | |
| JPH02309877A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US4685117A (en) | Base clipping process for a solid state photosensitive device | |
| EP0276594A1 (fr) | Dispositif anti-éblouissement pour capteur d'images à transfert de charges, et capteur d'images comportant un tel dispositif | |
| US6873359B1 (en) | Self-adjusting, adaptive, minimal noise input amplifier circuit | |
| EP0149948A2 (fr) | Perfectionnement aux dispositifs photosensibles à l'état solide | |
| JPH05226630A (ja) | 固体撮像装置 | |
| EP0295977B1 (fr) | Photosenseur à structure de transfert de trame et son utilisation dans un capteur d'images à effet de traînage réduit | |
| JPH01500471A (ja) | ホトダイオードを用いたイメージセンサのための電子シャッタ | |
| JP2636898B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6170874A (ja) | 固体撮像素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
| BV | The patent application has lapsed |