JPH03170581A - 導電性接着剤 - Google Patents

導電性接着剤

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JPH03170581A
JPH03170581A JP1311013A JP31101389A JPH03170581A JP H03170581 A JPH03170581 A JP H03170581A JP 1311013 A JP1311013 A JP 1311013A JP 31101389 A JP31101389 A JP 31101389A JP H03170581 A JPH03170581 A JP H03170581A
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conductive
silicon
silicone rubber
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Kazumi Nakayoshi
和己 中吉
Katsutoshi Mine
勝利 峰
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Dow Corning Toray Silicone Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本兇明は、半導体ペレットとタブを接合（グイボンディ
ング）するための導電性接着剤（導電性ダイボンディン
グ剤０に関するものである。
［従来の技術コ 半導体装置は、例えば、シリコンからなる半導体ベレッ
トがその支持体であるタブに導電性エボキシ樹脂、導電
性ポリイミド樹脂等の導電性接着剤等により接合され、
さらに半導体ペレットと金属製内部リードフレームを金
属製ワイヤで電気的に接合し、これらの一体化物がエボ
キシ樹脂などの封止樹脂により封止されてなる構造体で
ある。
このように、半導体装置は各種の素材により構成されて
いるので、封止樹脂による封止時の加熱、または半導体
ペレットの温度上昇に伴う素材の熱膨張の差や機械的応
力に起因する内部歪の増大により、半導体ペレットや封
止樹脂にクランクが発生し、半導体装置としての性能に
変動をきたし、その信頼性が低下するという欠点があっ
た。
特に、最近は半導体ベレットの集積度や実装密度の向上
が要求されており、それに伴って半導体ペレットの大型
化により内部歪が助長され、また半導体装置の熱伝導性
、加工性の向上およびコスト低下のため、タブ、金属製
内部リードフレーム材料においても、熱膨張係数の比較
的小さいＮｉ　−Ｆｅ合金から、比較的熱膨張係数の大
きい銅合金に移行する傾向にあるので、上記のような欠
点が益々問題視されるようになってきた。
即ち、シリコンの大型半導体ペレットを導電性エボキシ
樹脂や導電性ポリイミド樹脂接着剤のような従来の導電
性接着剤により銅製タブに固着すると、この銅製タブと
半導体ベレットとの熱膨張率の差により、応力が発生し
、半導体ペレットの反りが犬となり、その特性が変動し
、はなはだしい場合は半導体ペレットにクラックが発生
し、半導体装置としての信頼性が従来にまして低下する
からである。
従来、かかる問題点を解決するため、導電性シリコーン
ゴムからなる導電性接着剤により半導体ベレットとタブ
とを接着した半導体装置が提案されている（特開昭５８
−８６７３２号公報参照）。
これは半導体ペレットとタブとの熱膨張率の差に起因す
る内部歪を導電性シリコーンゴム弾性体により緩和しよ
うとしたものである。
［発明が解決しようとする課題コ しかし、上記特開昭５８−８６７３２号公報で提案され
た発明においては、導電性接着剤で半導体ベレットをタ
ブに接着した後、半導体ペレットと銅製内部リードフレ
ームとを、金製ワイヤからなるボンディングフイヤで接
続する際に、半導体ペレットとボンディングワイヤある
いは銅製内部リードフレームとボンデＣ冫グワイヤとの
接合性（ワイヤボンダビリティ）が低下して半導体装置
の信頼性が低下するという欠点があった。また、半導体
ペレット，タブ，銅製内部リードフレームと封止樹脂と
の接着性不良による耐湿性の低下等が発生するという問
題点があった。
本発明者らは上記問題点を解決するために鋭意研究した
結果、特定の導電性シリコーンゴム組成物を導電性接着
剤として使用すれば、上記のような問題点は一挙に解消
されることを見出し本発明に到達した。
即ち、本発明の目的は半導体ベレットとタブを接合後、
ワイヤボンダビリティが阻害されず、かつ、半導体ペレ
ット，タブ，銅製内部リードフレームなど半導体部材と
封止樹脂との接着性不良による耐湿性を低下させないと
いう特徴を有する、半導体ペレットとタブを接合するた
めの導電性接着剤を提供することにある。
［課題を解決するための手段およびその件用コ本発明は
、２００℃で１０間取以上の蒸気圧を有する低分子シロ
キサンの含有量が５００一以下である導電性付加反応硬
化型シリコーンゴム組成物からなることを特徴とする半
導体ペレットとタブを接合するための導電性接着剤に関
する。
これを説明するに、本発明に使用される導電性付加反応
硬化型シリコーンゴム組成物は、ケイ素原子結合アルケ
ニル基を有するオルガノポリシロキサン、ケイ素原子結
合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、ヒドロシ
リル化反応触媒および導電性フィラーを主成分とするも
のであり、常温あるいは加熱下に硬化して導電性シリコ
ーンゴムになり得るものである。本発明においては、こ
の導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物に含まれ
る、２００″Ｃで１０＋ａｍＨｇ以上の蒸気圧を有する
低分子シロキサンの含有量が５００一以下であることが
必要である。この低分子シロキサンの含有量が、５００
一を越えるとワイヤポンダビリティおよび耐湿性が低下
する。かかる低分子シロ牛サンとしては、直鎖状のもの
と環状のものがあり、例えば、式、 （式中、ｎは３〜２５の整数である。）で表される環状
シロキサン、または、式、 （ＣＨ３）３ｓｉＯ［（ＣＨ３）２ｓｉＯ］いＳ　ｉ（
ＣＨａ　）３（式中、ｍは１〜２５の整数である。）で
表される直鎖状シロキサンがある。かかる低分子シロキ
サンの含有量は、オルガノポリシロキサン類および導電
性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物から低分子シロ
キサンを有機溶媒にて抽出し、その抽出量をガスクロマ
トグラフにより分析することにより容易に測定できる。
また、導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物の加
熱時に発生するガス類をガスクロマトグラフにて分析す
ることによっても測定できる。
本発明の導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物は
次のようなものが好ましい。
すなわち、 （Ａ）２００℃で１０ａｍｌｇ以上の蒸気圧を有する低
分子シロキサンの量が５００一以下である、１分子中に
２個以上のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガ
ノポリシロキサン　　１００重量部、（Ｂ）１分子中に
２個以上のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポ
リシロキサン、　（Ａ）成分のケイ素原子結合アルケニ
ル基１個に対し本成分のケイ素原子結合水素原子を０．
５〜３個供給し得るに充分な量、 （Ｃ）式、 −ＳｉＯＲ’　　（式中、Ｒ１は１価炭化水素基である
。）で表される官能基を有し、かつ、ケイ素原子結合低
級アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子を有す
る有機ケイ素化合物　　０〜１０重量部、（Ｄ）白金系
触媒　　　　　　　　　　　触媒日、（Ｅ）シリカ微粉
末系フィラー　ｏ−ｔｏｏ重量部、および （Ｆ）導電性フィラー　　　５０〜２０００重量部から
なるものである。
ここで、　（Ａ）成分のケイ素原子結合アルケニル基を
有するオルガノポリシロキサンは、平均単位式、 Ｒ２．Ｓｉ０４．Ｌ ２ （式中、Ｒ２は、メチル基，エチル基，プロビル基等の
アルキル基；フェニル基，トリル基等のアリール基；　
ビニル基，アリル基，プロベニル基，ヘキセニル基等の
アルケニル基で例示される１＃Ｊ炭化水素基であり、ａ
は１〜３である。）で表され、１分子中に２個以上のケ
イ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキ
サンである。
かかるオルガノポリシロキサンは、当業界において公知
の方法で製造されるが、通常は、オクタメチルテトラシ
クロシロキサン，デカメチルベンタシクロシロキサン，
ドデカメチルへキサシクロシロキサン等の２００℃で１
０ｍ−＋Ｈｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンを
副生成物として約２〜７重量％含有している。
本発明に使用される（Ａ）成分のオルガノポリシロキサ
ンは、かかる低分子シロキサンを前記のようなオルガノ
ポリシロキサンから除去することによって製造される。
低分子シロキサンの除去方法としては数多くの方法があ
るが、その１例を挙げれば、オルガノポリシロキサンを
薄膜化して、例えば０．５ｍｍＨｇ以下の減圧下Ｉこお
いて１８０〜３００℃の加熱条件下でストリッピングす
るか、またはオルガノポリシロキサンにメタノール、エ
タノール、プロパノール、ブタノールもしくはアセトン
などの溶剤を加えて低分子シロキサンを抽出除去する方
法等が採用できる。
なお、　（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンは、通常
、その粘度が２５℃において６０〜５００，０００セン
チストークスの範囲内にあるものが使用されるが、特に
、４００〜１００．０００センチストークスの範囲内に
あるものが好適に使用される。
（Ｂ）成分のオルガノポリシロキサンは、（Ａ）成分の
架橋剤として作用するものであり、これは１分子中に２
個以上のケイ素原子結合水素原子を含有するものであっ
て、その分子構造は直鎖状、分枝状、環状のいずれの構
造であってもよい。
かかるオルガノポリシロキサンの配合量は（Ａ）成分の
アルケニル基１個に対して本成分のケイ素原子結合水素
原子を０．５〜３個供給し得るに十分な量であり、好ま
しくは１〜２個供給するに十分な量である。この量は、
通常、　（Ａ）成分の２重量％以下である。かかる（Ｂ
）成分も（Ａ）成分と同様に低分子シロキサンを含存し
ているため、例えば、０．５ｍｍＮ１以下の減圧下にお
いて１８０〜３００℃の加熱条件下にストリッピングし
て、反応副生成物である低分子シロキサンを除去したも
のを用いた方が好ましい。
かかるオルガノポリシロキサンとしては、例えば、次の
ようなものが例示される。
Ｃ｝１３　　　ＣＨ３｝Ｉ　　　　ＣｓＨｓ　　Ｃ｝Ｉ
ｓＣＨ３Ｈ　　　　　Ｃｏ｝Ｉｓ （式中、ｂ＋　　Ｃ＋　　ｄ．　　ｅ，　　ｇはＯまた
は正の整数を表し、ｆは２以上の整数を表す。） （Ｃ）成分は本発明の導電性接着剤に接着性を付与する
ための成分であり、式、 −ＳｉＯＲ’　（式中、ＲＩはメチル基，エチル基，プ
ロビル基，ブロペニル基等の１価炭化水素基である。）
で表される官能基を有し、かつ、低級アルケニル基もし
くはケイ素原子結合水素原子を有する有機ケイ素化合物
である。かかる有機ケイ素化合物の具体例としては、 ＣＨ２　−ＣＨ−Ｓ　ｉ（ＤＣ｝Ｉ３）３Ｃ｝１２＝Ｃ
｝Ｉ−Ｃｌｈ−Ｓｉ（ＯＣＪｓ）ａＣＨｓＯ　　ＣＨ　
　ＱＣ｝Ｉａ １１ ＣＨ２ 咬 ＣＨ２　ＣＨ２　Ｓ　ｉ　ＣＯＣＨ３　）３が例示され
る。
また、その配合量は（Ａ）成分１００重量部に対し、６
〜１０重量部の範囲であり、好ましくは０．５〜３．０
重凱部の範囲である。
（Ｄ）成分の白金系触媒は、本発明の導電性接着剤を硬
化させるための触媒であり、一般にヒドロシリル化反応
に用いられる付加反応用触媒として公知のものが使用で
き、かかるものとしては白金黒，アルミナ，シリカなと
の担体に固体白金を担持させたもの，塩化白金酸，アル
コール変性塩化白金酸，塩化白金酸とオレフィンの錯体
あるいは白金とビニルシロキサンとの錯体等が例示され
る。これらの触媒の使用に当たっては、それが固体触媒
であるときは分散性をよくするために細かく砕いたり、
その担体を粒径が小さく、比表面積の大きいものとする
ことが好ましく、塩化白金酸または、そのオレフィンと
の錯体については、これをアルコール，ケトン，エーテ
ルあるいは炭化水素系等の溶剤に溶解して使用すること
が望ましい。なお、この触媒の添加量は所望の硬化速度
が得られるように適宣調節すればよいが、良好な硬化物
を得るために、塩化白金酸等のようにシロキサンと相溶
するものについては、前述した（Ａ）成分と（Ｂ）成分
の合計量に対し白金量で１〜１００一の範囲とすること
が望ましい。
（Ｅ）成分のシリカ微粉末系フィラーは本発明の導電性
接着剤に適当な硬度と強度と作業性を付与するために配
合されるもので、通常の付加反応硬化型シリコーンゴム
組成物に使用されているものが使用可能である。かかる
シリカ微粉末系フィラーとしては、例えば、ヒュームド
シリカ，沈降性シリカ，疎水化処理したシリカ等が挙げ
られる。
また、その配合量は、　（Ａ）成分の１００重量部に対
し１００重量部以下とされる。
（Ｆ）成分の導電性フィラーは、本発明の導電性接着剤
に導電性を付与するための必須の成分である。本発明の
導電性接着剤において使用できる導電性フィラーとして
は、金，銀，ニッケル，銅等の金属微粉末；セラミック
，ガラス，石英，有機樹脂等の微粉末表面に金，銀，ニ
ッケル，銅等の金属を蒸着またはメッキした微粉末が挙
げられる。本発明において、導電性シリコーンゴムの体
積抵抗率が０．１０・Ｃ一以下である導電性を得るため
に、使用できる導電性フィラーとしては、金または銀微
粉末であるが、実用的には銀微粉末である。銀粉末とし
て球状，フレーク状，フレーク樹枝状等の銀粉末が挙げ
られる。導電性シリコーンゴムがｔｘｔｏ−３Ω・Ｃ一
以下の導電性を得るためには、フレーク状またはフレー
ク樹枝状の銀粉末が好ましく、特にフレーク状の銀粉末
とフレーク樹枝状の粉末を混合して用いる場合、フレー
ク状の銀粉末の混合比は、フレーク樹枝状の銀粉末に対
して８０／２０〜２０／８０が好ましい。また、銀粉末
の粒径は１−ｎｏμｍであり、好ましくは１〜５μｍで
ある。本発明において（Ｆ）成分の添加量は、　（Ａ）
成分１００重日部に対して５０〜２０００重量部であり
、好ましくは３００〜６００重量部である。これは５０
重量部未満であると、本発明の目的である導電性が付与
されず、また２０００重量部を越えると、導電性接着剤
の作業性が悪化するためである。
［実施例コ 次に本発明を実施例にて説明する。実施例中、粘度は２
５℃における値である。
尚、実施例において、低分子シロキサンの量の測定およ
び導電性接着剤の特性は次に記載する方法により従って
行なった。
Ｏ低分子シロキサンの含有目の測定 原料のオルガノポリシロキサンについては低分子シロキ
サンをアセトンにより抽出し、その抽出量をガスクロマ
トグラフのＦＩＤ法により測定した。
Ｏ半導体ペレットクラＩ・クの評価 ３Ａ　ｆａ性接着剤８を半導体ペレット２とタブ１の間
に介在させ、２００℃で１分間加熱した。得られた半導
体ベレット２とタブ１が導電性接着剤８により接合され
てなる一体化物を冷却した後、その半導体ベレット２０
表面を顕微鏡にて観察した。
○ワイヤボンダビリティの評価 上記半導体ベレットクラックの評価で得られた一体化物
上のアル主ニウム製ボンディングパッド３と銅製内部リ
ードフレーム４とを金製ワイヤ５で接合（ワイヤボンデ
ィング）して一体化物を作成した。なお、金製ワイヤ５
の接合は超音波熱圧着法により接合した。次いで、この
一体化物について、金製ワイヤ５とアルミニウム製ボン
ディングパッド３または金製ワイヤ５と銅製内部リード
フレーム４との接合点を観察し、併せてこの金製ワイヤ
５を引張り、金製ワイヤ５の浮き上がったものを接合不
良品とし、接合試験の全数に対する接点不良品の数を数
えた。
Ｏ耐湿性の評価 上記ワイヤボンダビリティの評価で得られた一体化物を
エポキシ樹脂６により封止して半導体装置を作成した。
次いで、この半導体装置を１２１℃、２気圧の飽和水蒸
気中で所定時間加熱した。
加熱後の半導体装置に電流を流し銅製内部リードフレー
ム４間のリーク電流を測定した。そしてリーク電流の増
加および導通不良のあった半導体装置を不良品とし、こ
の半導体装置の全数に対する不良品の数を数えた。
○導電率の測定 厚さ１０以上のシート状の導電性シリコーンゴム硬化物
を作成し、抵抗率測定装置［（有）共和理研製、Ｋ−７
０５ＲＩ、］にて測定を行なった。
参考例ｌ ＣＨ＊　　　ＣＨａ １１ ＣＨ３　　　０ｌｈ で示されるジシロキサンと、 で示される環状シロキサンとをカリウムシラノレート触
媒を用いて重合した後、中和することにより、ビニル基
を有するジメチルボリシロキサン（１）を得た。
このビニル基を有するジメチルボリシロキサン（１）を
圧力１　０　ａｙ＋　Ｈｇ、温度１８０℃の加熱条件下
で５時間ストリップ処理を行い、低分子シロキサンを除
去して、粘度２．０００センチストークスのビニル基を
有するジメチルポリシロキサン（ｎ）を得た。
このジメチルボリシロキサン（１）および（ｆｆ）中に
含まれる低分子シロキサンの量をガスクロマトグラフ［
（株）島津製作所製、ＧＣ−９Ａ，ＦＩＤ仕様コを用い
て定量したところ、２００℃で１０１ｌｔｌＦＩｇ以上
の蒸気圧を有する低分子シロキサンの主成分は環状のジ
メチルボリシロキサンの１０量体（Ｄ＋ｓ）であり、そ
の含有量はジメチルボリシロキサン（１）では２０．５
重日％、ジメチルポリシロキサン（ＩＩ）では、１．３
　重日％であった。
更に、ジメチルボリシロキサン（ｎ）を圧力０．０１ｍ
ｍＨ１、温度２６０℃の加熱条件下で８時間分子蒸留処
理を行い、低分子シロキサンを除去し、１０凱体（　Ｄ
　＋　ａ　）までの低分子シロキサンの含有凱が０．０
　１重量％のビニル基を有するジメチルポリシロキサン
（ＩＩＩ）を得た。
また、ジメチルポリシロキサン（ＩＩＩ）１００重量部
とエタノール３００重量部とを３時間撹拌混合し、静直
後エタノールを分離した。更に、同様のエタノール抽出
操作を４回繰り返し、低分子シロキサンを除去した後、
このジメチルボリシロキサン中のエタノール分を圧力１
　０　ｍ＋ｎ　｝ｌｇ，　　温度１８０℃の加熱条件下
で５時間ストリップ処理を行い除去して、１０１体（Ｄ
ＩＩＩ）までの低分子シロキサンの含有量が１０−のビ
ニル基を有するジメチルポリシロキサン（ＩＶ）を得た
。
参考例２ 参考例１で得られたビニル基を有するジメチルボリシロ
キサン（ＩＩＩ）６５重日部と、Ｓｉ０２単位と（ＣＨ
３）ａｓｉｏ１，２単位とＣＣＨ３　）２　（ＣＨ２＝
Ｃ｝Ｉ）Ｓｉ０１　／２単位からなる共重合体（ビニル
基含有量２５モル％）３５重量部とを混合した。この混
合物１００部とエタノール３００部とを３時間撹拌混合
し、静は後エタノールを分離した。更に、同様のエタノ
ール抽出操作を４回繰り返し、低分子シロキサンを除去
した後、このジメチルポリシロキサン中のエタノールを
圧力１０■ｍｕｇｓ　　温度１８０℃の加熱条件下で５
時間ストリップ処理を行い除去して、粘度９，０００セ
ンチストークスのビニル基を有するジメチルポリシロキ
サンレジン（Ｖ）を得た。このジメチルポリシロキサン
レジン（Ｖ）中に含まれる１０凱体（Ｄ＋ａ）までの低
分子シロキサンの含脊量は、１０開であった。
参考例３ Ｈ−Ｓｉ−０−Ｓｉ−Ｈ ＋１ Ｃｌｌ３Ｃ｝１３ で示されるジシロキサンと、 で示される環状シロキサンと、 で示される環状シロキサンを硫酸触媒の存在下に重合し
た後、中和することにより、平均組成式、ＣＨ３Ｃｌｈ
　　Ｈ　　　　ＣＨｓ で示されるケイ素原子結合水素原子を有するボリシロキ
サン（Ｖｌ）を得た。このポリシロキサン（ＶＩ）をＱ
．５ｍｓａｌｌｇの減圧下、温度１８０℃の加熱条件下
、３時間ストリップ処理を行い、低分子シロキサン含有
量の減少したケイ素原子結合水素原子を有するポリシロ
キサン（■）を得た。これらポリシロキサン（Ｖｌ）、
（■）中に含まれる１０量体（Ｄｏｓ）までの低分子シ
ロキサンの含有量は、（Ｖｌ）　Ｌｔ　１　７．Ｏｍｆ
ｆｉ％、　（ｉ）は１００ｇｔ＝あった。
実施例１ 参考例１で製造したビニル基を有するポリシロキサン（
ＩＶ）１００重量部、フレーク状の銀粉末［（株）徳力
化学研究所製、商品名ＴＣ２０Ｅ］２００重量部、フレ
ーク状の銀粉末［（株）徳力化学研究所製、商品名ＴＣ
Ｇ７１　２００重量部、参考例３で製造したケイ素原子
結合水素原子を有するポリシロキサン（■）１．５重量
部、塩化白金酸とオレフィンの錯体を白金として５−を
均一に混合して導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組
成物を得た。この組成物中に含まれる低分子シロキサン
の含有量は１０ｆ！ｌｌであった。また、この組成物の
硬化時（２００℃７１０分間）に発生する揮発成分をガ
スクロマトグラフを用いて測定したところ６０一であっ
た。このものの硬化後の導電性シリコーンゴムの抵抗率
は４Ｘ１０−’Ω・Ｃ■であった。次いで、この組成物
を導電性接着剤として用いて、半導体装置を製造し、半
導体ベレットクラック、ワイヤボンダビリティ及び耐湿
性を測定した。これらの結果を第１表に示した。
比較例 実施例１において、ビニル基を有するジメチルボリシロ
キサン（ＩＶ）の代わりに、ビニル基を有するジメチル
ボリシロキサン（ＩＩ）を用い、また参考例３で製造し
たケイ素原子結合水素原子を有するポリシロキサン（■
）の代わりに、ケイ素原子結合水素原子を有するポリシ
ロキサン（ＶＩ）を用いた以外は実施例１と同様にして
導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物を得た。こ
の組成物中に含まれる低分子シロキサンの含有量は２８
００ｗであった。また、この組成物の硬化時（２００℃
／１０分間）に発生する揮発成分をガスクロマトグラフ
を用いて測定したところ３５６０−であった。このもの
の硬化後の導電性シリコーンゴムの抵抗率は４Ｘ１０−
’Ω・ＣＩであった。
次いで、この組成物を導電性接着剤として用いて、半導
体装置を製造し、半導体ペレットクラック、ワイヤボン
ダビリティおよび耐湿性を実施例１と同様にして測定し
た。これらの結果を第１表に併記した。
第１表 実施例２ 参考例２で製造したビニル基を有したジメチルポリシロ
キサン（Ｖ）１００重量部、結晶性シリカ１０重量部、
実施例ｌ同様のフレーク状の銀粉末３００重量部、参考
例３で製造したケイ素原子結合水素原子を有するポリシ
ロキサン（■）を２．５重量部、接着付与剤として次式
で表される有Ｃ２ＨｓＯ　　ＣＨａ　　ＣＨ　　ＯＣ２
｝１ｓ１１ Ｇ｝１２ 塩化白金酸とメチルビニルシロキサンダイマーとの錯体
を白金として５一均一に混合して導電性付加反応硬化型
シリコーンゴム組成物を得た。この組成物中に含まれる
低分子シロキサンの含有量を実施例１同様に測定したと
ころ低分子シロキサンの含有量は１０開であった。また
、この組成物の硬化時（２００″Ｃ／１０分間）に発生
する揮発成分をガスクロマトグラフを用いて測定したと
ころ４３，であった。このものの硬化後の導電性シリコ
ーンゴムの抵抗率はＩＸＩＯＩΩ・ｃＩＩ１であった。
更に、この組成物を導電性接着剤として、半導体装置を
製造し、半導体ペレットクラック、ワイヤボンダビリテ
ィおよび耐湿性を測定したところ、不良品は発生しなか
った。これらの結果を第２表に示した。
第２表 ［発明の効果］ 本究明の導電性接着剤は、２００℃でｌＱ＋ｗｍｌｇ以
上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００
一以下である導電性付加反応型シリコーンゴム組成物か
らなるので、これを半導体ベレットとタブとを接合する
ための導電性接着剤（導電性グイボンド剤）として使用
した場合には、通常の導電性付加反応硬化型シリコーン
ゴム組成物に比べてワイヤボンダビリティが低下せず、
更に、半導体ペレット表面およびリードフレームと封止
樹脂との密着性が低下しないと共に、半導体装置の耐湿
性が低下しない。また、熱膨張係数が異なる半導体ペレ
ットと、タブを接合しても、両者の間に発生する応力を
吸収、低減することが可能なため、半導体ベレットの屈
助、半導体ペレットクラッ２を防止し、半導体装置とし
ての特性の変動を低減し得るという特徴を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施例において、導電性接着剤の特
性を評価するために使用した評価用半導体装置の概略断
面図である。 １・・・タブ、２・・・半導体ペレット、３・・・アル
ミニウム製ボンディングパッド、４・・・銅製内部リー
ドフレーム、５・・・金製ワイヤ、６・・・エボキシ樹
脂、７・・・銅製外部リードフレーム、８・・・導電性
接着剤

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低
    分子シロキサン含有量が５００ｐｐｍ以下である導電性
    付加反応硬化型シリコーンゴム組成物からなることを特
    徴とする、半導体ペレットとタブとを接合するための導
    電性接着剤
  2. （２）導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物が、 （Ａ）２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低
    分子シロキサンの量が５００ｐｐｍ以下である、１分子
    中に２個以上のケイ素原子結合アルケニル基を有するオ
    ルガノポリシロキサン１００重量部、 （Ｂ）１分子中に２個以上のケイ素原子結合水素原子を
    有するオルガノポリシロキサン、（Ａ）成分のアルケニ
    ル基１個に対し本成分のケイ素原子結合水素原子を０．
    ５〜３個供給し得るに充分な量、 （Ｃ）式、 −ＳｉＯＲ＾１（式中、Ｒ＾１は１価炭化水素基である
    。）で表される官能基を有し、かつ、ケイ素原子結合低
    級アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子を有す
    る有機ケイ素化合物　０〜１０重量部、 （Ｄ）白金系触媒　触媒量、 （Ｅ）シリカ微粉末系フィラー　０〜１００重量部、お
    よび （Ｆ）導電性フィラー　５０〜２０００重量部からなる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の導電性接
    着剤。
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