JPH03160720A - 絶縁膜形成方法 - Google Patents

絶縁膜形成方法

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JPH03160720A
JPH03160720A JP1299546A JP29954689A JPH03160720A JP H03160720 A JPH03160720 A JP H03160720A JP 1299546 A JP1299546 A JP 1299546A JP 29954689 A JP29954689 A JP 29954689A JP H03160720 A JPH03160720 A JP H03160720A
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insulating film
film
reactor
atmosphere
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Tomiyuki Arakawa
富行 荒川
Hisashi Fukuda
永 福田
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、膜厚の制御性が良く、絶縁破壊耐性に優れ、
かつ膜質の良い薄い絶！！膜を形成する方法に関するも
のである。
（従来の技術） Ｍ　Ｏ　Ｓ　（Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ）デバイスの発展は電気的に安定で、か
つ薄い酸化膜の形成技術に支えられている。最近のＭＯ
Ｓ　　ＬＳＩでは５０ｎｌＩ＋以下の薄い酸化膜が使用
されるようになり、短チャネルＭＯＳ　　ＦＥＴ　　の
信頼度に関係してその重要性がますます認識されている
。
酸化膜の形成方法は、例えば文献：　ｒＭＯｓ　ＬＳＩ
製造技術，徳山轟，橋本哲一編著，日経マグロヒル社，
Ｐ．６５　（１９８５）Ｊに記載されている．以下、従
来の酸化膜の形成方法について説明する。
先ず、電気炉によって８００〜１，２００゜Ｃに加熱し
た石英管内に、清浄化したＳｉ基板を配置する。
その後、酸化膜形成のための酸化ガスを石英管内に導入
する．酸化ガスとしては、乾燥した酸素ガス、あるいは
酸素及び水素の混合ガス、あるいは塩酸を霧状にして酸
素ガスと混合したガスを用いる． このように昇温された反応炉内では熱酸化によ？て基板
表面に酸化膜が形成される。
熱酸化は、加熱状態で通常３０〜６０分の長時間にわた
って威される． （発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述した従来の酸化膜形成方法では高温
で熱酸化するために、膜戒長速度が速い。
例えば、ｌＯＯ人以下の薄い膜厚の制御が困難であった
。そのため、膜厚制御を行うためには、８００゜Ｃ以下
に熱酸化温度を下げて、酸化速度を下げるか、あるいは
窒素で酸素を希釈して熱酸化を行う方法をとっていた。
しかしながら、低温熱酸化法では、ｓｉ，／ｓｉｏ■界
面が粗れる。一方、希釈熱酸化法の場合では、窒素がＳ
ｉ／ＳｉＯｚ界面に偏析し、そのため、界面準位密度を
増加させる等の問題があった。
それ故、上述のいずれの方法を行っても、薄い酸化膜の
絶縁破壊耐性等の膜質自体の向上は望めなかった。
また、これらの低温熱酸化．希釈熱酸化による酸化膜と
Ｓｉとの界面で、例えば、シリコン原子の不対結合や、
あるいは歪んだＳｉ一〇−Ｓｉ結合が多く存在する、そ
のためもともと界面準位が高くなる傾向があった。この
ように形成された酸化膜をＭＯＳ　　ＦＥＴのゲート酸
化膜として使用する場合、上述の現象に起因して種々の
問題が生じている。例えば、ゲート長１．０μｍ以下の
微細ＭＯＳＦＥＴにおいては、チャネル領域で発生した
ホットエレクトロンが酸化膜中に侵入した場合、電子は
このようなＳｉ原子の対結合や、歪んだＳｉ−０結合に
トラップされ、新らたな界面準位を発生させる、そのた
め、ＭＯＳ　　ＦＥＴにおける闇値電圧の変動や、伝達
コンダクタンスの低下を引き起すという問題が生しる． 従って、本発明の目的は、膜厚の制御性が良く、絶縁破
壊耐性に優れ、かつ膜質の良い薄い絶縁膜を形成する方
法を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明の絶縁膜形成方法は、先ず、シリコン基板の清浄
化として、還元性ガス雰囲気中、反応性ガス雰囲気中と
順次熱処理を行う。その後、窒素を含まない酸化性ガス
雰囲気中で熱処理することによって、シリコン基板上に
第１の絶縁膜となる酸化膜を形成する、次に一酸化二窒
素雰囲気中で熱処理するここしよって第１の絶縁膜上に
第２の絶縁膜となる酸化窒化膜を形成する。
（作　　用） 本発明の絶縁膜形成方法によれば、シリコン基板の清浄
化どして還元性ガス雰囲気中で熱処理するようにしたの
で還元性ガスが自然酸化膜を還元する。次に、反応性ガ
ス雰囲気中で熱処理するようにしたので、熱的に活性化
した反応性ガスが基板についた不純物と化学的に反応し
て揮発する。
そして、本発明では、シリコン基板上に第１及び第２の
絶縁膜を形成するようにしたので、第１の絶縁膜である
酸化膜中に存在する未結合手に対して、第２の絶縁膜で
ある酸化窒化膜中に存在する窒素原子が酸化膜中に侵入
し、新らたにＳｉ−Ｎ結合，Ｏ−Ｎ結合を発生され、未
結合手を低減する。
（実施例） 以下、図面を参照して、本発明の実施例につき説明する
。尚、以下の実施例で参照する図面は、本発明の理解が
容易となる程度に概略的に示してあるに過ぎず、本発明
は、これら図示例にのみ限定されるものではないことを
理解されたい。
先ず、本発明の絶縁膜形成方法の説明に入る前に、本発
明の実施に供する絶縁膜形成装置につき説明する。
第２図は、本発明の実施に供する絶縁膜形成装置の主要
部（主として反応炉及び加熱部の構戒）を概略的に示す
断面図である。尚、第２図では反応炉内に基板を設置し
た状態を示す。
本体１０ａ及び昇降部材１０ｃの形成材料は、ステンレ
スを用い、また蓋部材１０ｂ及び後述の支持体２０の形
成材料は、石英を用いる。
本体１０ａ及び昇降部材１０ｃは、分離可能に一体とな
って凹部ａを形成してある。反応炉１０内側の昇降部材
１０ｃの上に基板１８を載せるための支持体２０を設け
てある。
反応炉１０内への基板１８の出し入れは、昇降部材１０
ｃの昇降によって行われる。図示例では昇降部材１０ｃ
を機械的に昇降させるための昇降装置２２と連結させて
いる。
また、蓋部材１０ｂは着脱自在に本体１０ａに取付ける
。本体１０ａと蓋部材１０ｂ及び昇降部材１０ｃとの間
には気密保持部材２４、例えばハイトンパンキンを設け
ている、従って、反応炉１０内の真空引きを行った際に
、気密保持部材２４を介し、気密状態を保持できるよう
になる。
また、温度測定手段２６、例えばオプティ力ルパイロメ
ータは、凹部ａの基板近傍位置に取付けられ、基板ｌ８
の表面温度を測定するために用いられる。
さらに、加熱部ｌ６は、赤外線照射手段として赤外線ラ
ンブ１６ａを用い、この赤外線ランブ１６ａは、支持部
材１６ｂに支持されている。赤外線ランプ１６ａはタン
グステンハロゲンランプを用いる。また配置の仕方は、
反応炉ＩＯ内の加熱が均一に行えるようにする。
通常、赤外線ランブ１６ａは、反応炉１０外に配置する
。この際、反応炉１０の一部材である蓋部材１０ｂは、
赤外線が透過する材料で構威される。これによって赤外
線は、反応炉１０外から反応炉１０内に透過する。
ガス供給管２８は反応炉１０とガス供給部ｌ４（第３図
参照）の間に設けられる。
排気管３０は、反応炉１０と排気手段１２（第３図参照
）の間に設けられる。
次に第３図を参照してこの実施例の真空排気系及びガス
供給系につき説明する． 第３図は本発明の実施に供する絶縁膜形成装置の全体構
戒を概略的に示す図である。
まず、真空排気系につき説明する。この実施例において
、排気千段１２は、ターボ分子ポンプ１２ａと、このボ
ンプ１２ａに接続されたロータリーポンプ１２ｂとで構
戒する。排気千段１２はまた、配設した排気管３０及び
バルブ３４．３６ａ〜３６ｆ，３８．４０を介して反応
炉１０と連通させて接続する。
真空計３２ａ〜３２ｄは、排気管３０に連通させて設け
られている。真空計３２ａと３２ｄは、例えばｌ　＝　
ｌ　Ｏ−’Ｔｏｒｒの範囲の圧力測定に用いるバラトロ
ン真空計とする。また真空計３２ｂと３２ｃは、例えば
１　０−３〜１　０　−’Ｔｏｒｒの範囲の圧力測定に
用いるイオンゲージとする。真空計３２ｂと排気管３０
との間には、真空計３２ｂを保護するための自動開閉バ
ルブ３４を設ける。自動開閉バルブ３４は、真空計３２
ｂの動作時に、真空計３２ｂに対して１　０−３Ｔｏｒ
ｒ以上の圧力を負荷しないよつに、バルブの開閉を自動
制御する。
排気千段１２及び反応炉１０の間に設けられる自動開閉
バルブ３６ａ〜３６ｆは、バルブを任意好適に開閉する
ことによって、反応炉１０内の圧力を任意好適な圧力に
制御する。
さらに３８は圧力調整用の二一ドルバルブ及び４０は、
レリーフバルブである。バルブ４０は、反応炉１０内の
圧力が大気圧例えば７　６　０　Ｔｏｒｒを越えた場合
に自動的に開放し、ハルブ４０の開放によって、ガス供
給部１４から反応炉１０内へ供給されたガスを排気する
。
次にガス供給系につき説明する。
この実施例において、ガス供給部ｌ４は、還元性ガス源
１４ａ，反応性ガス源１　４　ｂ．酸化ガス源１４ｃ，
１４ｄおよび不活性ガス源１４ｅによって構威する。ガ
ス供給部１４は例えば図示のように配設した供給管２８
及びバルブ４４を介して反応炉１０と連通させて接続す
る。第３図において、４２はガス供給系，４４はバルブ
，４６ａ〜４６ｅ及び４８ａ〜４８ｅは自動開閉バルプ
，５０ａ〜５０ｂはガス供給部ｌ４から反応炉ガスへ導
入されるガスに関する自動ガス流量コントローラである
。
バルブ４４．４８ａ，４８ｂ，４６ａ〜４６ｅは、それ
ぞれ任意好適に開閉することによって、所望のガスをガ
ス供給部１４から反応炉ガスへ導入されるガスに関する
自動ガス流量コントローラである。
バルプ４４．４８ａ，４８ｂ，４６ａ　〜４６ｅは、そ
れぞれ開閉することによって、所望のガスをガス供給部
ｌ４から反応炉１０へ供給できる。
次に、本発明の絶縁膜の形成方法につき説明するが、こ
の実施例では絶縁膜をシリコン酸化膜とする。
第１図は、本発明の説明に供する加熱サイクルを説明す
るための図である。図中の横軸は時間、縦軸は温度をプ
ロソトして示している。
以下、第２図，第３図を併用して説明する。
本発明では、反応炉ｌＯ内に基板ｌ８を設置した後、基
板１日の清浄化を行ってから、絶縁膜の威膜処理を行う
。
以下、絶縁膜の形成方法について順次説明する。
〈予備処理〉 本発明における実施例では、予備処理として基板１８に
対し、化学薬品．純水等を用いて洗浄を行う。
次に、反応炉１０内で基板ｌ８に自然酸化膜が形成され
るのを防止するため、反応炉１０内にパージ用の不活性
ガス、例えば窒素ガスを予め導入しておく。還元性ガス
，反応性ガス及び酸化ガスは、まだ導入しない。このと
きバルブ４４，４８ｂ及び４６ｅを開き、バルプ４　８
　ａ．　　４　６　ａ　〜４６ｄを閉しておく。
次に反応炉ＩＯ内に基板１８を設置する、基板ｌ８は、
昇降部材１０ｃの支持体２０上に固定する。
上述した予備処理後、基板表面の清浄化処理を行う。
〈自然酸化膜の除去〉 基板１８の清浄化に当り、まずバルブ４８ｂ４６ｅを閉
して、基Ｆｉ１Ｂを設置した反応炉１０内への不活性ガ
ス１４ｅの供給を停止する。
次に排気千段ｌ２によって反応炉１０内を例えば、Ｉ　
Ｘ　１　０−６Ｔｏｒｒの高真空に真空排気し、反応炉
１０内を清浄化する。この真空排気を行うため、バルブ
３８．３６ａ．３６ｆ，３４を閉しておいてバルブ３６
ｂ，３６ｃ，３６ｄを開き、ロータリーボンプ１２ｂを
作動させ、反応炉１０内の圧力を真空計３２ａでモニタ
ー（監視）しながら真空排気を行う。そして反応炉１０
内が例えば、ｌＸ　１　０−”Ｔｏｒｒの圧力となった
後、バルプ３６Ｃ，３６ｄを閉じて、バルプ３６ｅ，３
４を開き、真空計３２ｂで反応炉１０内の圧力をモニタ
ーしながら、Ｉ　Ｘ　１　０−”Ｔｏｒｒまで反応炉１
０内を真空排気する。
高真空に反応炉１０内を排気したら、次に反応炉１０内
に還元性ガス１４ａ例えば、水素ガスを導入する（第１
図参照）。還元性ガス１４ａの導入に当っては、反応炉
ＩＯ内の減圧状態を維持するために、バルブ３６ｂ，３
６ｅ，３４を閉じてバルプ３８．３６ａを開いた状態で
、還元性ガス１４ａ例えば水素ガスを反応炉１０内に導
入する。
反応炉１０内の減圧状態の維持は、還元性ガス１４ａを
導入しながらバルブ３８を操作するとともに、還元性ガ
ス１４ａの流量を自動コントローラ５０ａＴ：ｌｌ整す
ることによって行える。反応炉１０内を例えば、ｌｘｌ
υ一　”　Ｉ　Ｘ　１　０　−”Ｔｏｒｒの低真空の減
圧状態に維持する。
次に加熱部ｌ６によって自然酸化膜の除去のための加熱
処理を行う（第ｌ図参照）．この加熱処理によって、還
元性ガス雰囲気中で基板１８を加熱して基板１日の自然
酸化膜を還元し、自然酸化膜を基板１８から除去する。
基板ｌ８の加熱は、例えば基板ｌ８への赤外線照射によ
って行う。反応炉１０内を減圧状態に維持しながら加熱
処理を行うことによって、自然酸化膜の還元による反応
生戒物によって基板１日及び反応炉１０内が汚染される
度合を低減できる。
この加熱処理では、基板ｌ８の表面温度を、温度測定手
段２６で測定しながら、例えば基板１８の表面温度を５
０〜２００″Ｃ／秒の間の適当な割合で、好ましくは、
約１００℃／秒で上昇させて約１０００゜Ｃとなったら
約１０〜３０秒間、１０００゜Ｃの状態を保持するよう
に基板１８の加熱を制御する。
次に加熱部ｌ６による基板１８の加熱を停止するととも
にバルブ４６ａを閉じて還元性ガスの供給を停止し、そ
して基ＦｉＩ８の表面温度が室温、例えば、約２５゜Ｃ
となるまで基板１８が冷却するのを待つ．この冷却は基
板１８が自然に冷却するようにしても良い。強制冷却は
例えば、バルブ４８ａを閉してバルブ４８ｂ，４６ｅを
開けて、不活性ガス１４ｅを大量に反応炉１０内に導入
することによって行える。
次にバルブ３８．３６ａを閉してバルブ３６ｂ，３６ｅ
を開けて反応炉ＩＯ内を例えば、Ｉ　ＸＩＯ−６Ｔｏｒ
ｒの高真空に排気し、反応炉１０内を清浄化する。
〈基板表面の清浄〉 次に、バルプ３６ｂ，３６ｅを閉してバルブ３８．３６
ａを開き、反応性ガスｌ　４　ｂ，例えば重量比で１％
一塩酸−９９％水素ガスを導入する（第ｌ図を参照）。
反応性ガス１４ｂの導入に当たり、反応炉ＩＯ内は、減
圧状態に維持される。そのために還元性ガス１４ａ雰囲
気中での加熱処理の時と同様に、反応炉１０内を例えば
、ＩＸＩＯ”　〜ＩＸＩＯ−２Ｔｏｒｒの低真空の減圧
状態に維持する。
次に加熱部ｌ６によって加熱処理を行う。この加熱処理
によって、熱的に活性化された反応性ガス１４ｂが、基
板ｌ８自体及び不純物と化学的に反応して揮発するので
基板ｌ８に付着している無機物等の不純物を除去できる
。反応性ガス１４ｂの熱的活性化は、例えば反応性ガス
１４ｂに赤外線を照射することによって行う。反応炉ｌ
ｏ内を減圧状態に維持しながら加熱処理を行うので、基
Ｆｉｌ８のエッチングによる揮発性の反応生戒物が反応
炉１０外へ排気され、その結果、反応生戒物によって基
板ｌ８及び反応炉１０内が汚染される度合を低減できる
。例えば、基板ｌ８の表面温度を約１０００゜Ｃに保持
するように基板１８を加熱しながら約２０秒間、反応性
ガス１４ｂによる基板ｌ８のエッチングを行えば良い。
次に、加熱部１６による加熱処理を停止すると共にバル
ブ４６ｂを閉して反応性ガス１４ｂの供給を停止し、基
Ｆｉ１日が室温まで冷却するのを待つ。この冷却の仕方
は基板１８の自然冷却としても良いし、強制冷却として
も良い。
次に、バルプ３８．３６ａを閉し、バルブ３６ｂ，３６
ｅを開き、反応炉１０内を例えば、ＩＸＩＯ−’Ｔｏｒ
ｒＯ高真空に排気する。
〈第１の絶縁膜の或膜〉 次に酸化ガス１４ｃ雰囲気中で加熱処理を行って基板ｌ
８に第１の絶縁膜として酸化膜を形成するためにバルブ
３６ｂ，３６ｅを閉じ、バルプ３８．３６ａ，４８ｂ，
４６ｃを開き、酸化性ガス１４ｃ例えば、酸素ガスを反
応炉内に供給する．（第１図参照）このとき、酸化膜形
成時の反応生成物を反応炉ＩＯ外に排気するため、反応
炉１０内を例えば、Ｉ　Ｘ　１　０２〜Ｉ　Ｘ　１　０
−”Ｔｏｒｒの低真空の減圧状態に維持する。
次に加熱部ｌ６による加熱処理によって基板１８を加熱
して基板表面に酸化膜を形成する。
基板１日の加熱は、基板表面温度を温度測定手段２６で
測定しながら、例えば５０〜２００’Ｃ／秒の間の適当
な割合で行う。好ましくは、昇温速度約１００゜Ｃ／秒
、加熱時間、約２０秒間、加熱温度１　０　０　０　”
Ｃで加熱を行う。また、この場合、上昇温度を一定の割
合で行うのが好適であるが、それは酸化膜の戒長度台で
−疋にして、膜質の良いものを形成するためである。こ
れらの条件のもと、基板を加熱処理することによって、
膜厚約５０人の酸化膜を形成できる。酸化膜の膜厚制御
は、酸化時間（加熱時間）、酸化温度（加熱温度）及び
酸化ガス１４ｃの流量を調整することによって行える． 所望の膜厚の酸化膜を形成したら、次に基板ｌ８の加熱
を停止する。その後、バルブ４６ｃを閉じて酸化ガス１
４ｃの供給を停止する。
以上の工程を経て第１の絶縁膜を形成する。
次に、バルブ３８．３６ａを閉じ、バルプ３６ｂ，３６
ｅを開き、反応炉１０内を例えば、ＩＸＩＯ−”Ｔｏｒ
ｒＯ高真空に排気する。
く第２の絶縁膜の或膜〉 第２の絶縁膜は、第１の絶縁膜の電気的絶縁破壊耐性の
向上化のため形成される。
この実施例では、第２の絶縁膜として酸化窒化膜（　Ｓ
　ｔ　Ｏ　ｚ　Ｎ　ｙ　　；　Ｘ　，　Ｙ≧Ｏ）を形成
した。
酸化窒化膜は、以下に示す方法で形成する。反応炉１０
内をＩ　Ｘ　１０−　”ＴｏｒｒＯ高真空に排気後、バ
ルブ３６ｂ，３６ｅを閉し、バルブ３８．３６ａ４８ｂ
．４６ｄを開き、一酸化二窒素（ｓｚｏ）ガス１４ｄを
反応炉１０内に供給する（第１図を参照）この時、第１
の絶縁膜である酸化膜形成時と同様に、反応生成物を反
応炉ＩＯ外に排気するため；反応炉１０内を例えばＩＸ
ＩＯ”〜ＩＸＩＯ−”Ｔｏｒｒの低真空の減圧状態に維
持する。
次に加熱部ｌ６を用いた加熱処理によって、酸化膜上に
酸化窒化膜を形成する。
加熱処理は、第１の絶縁膜形成時と同様の処理工程及び
条件で行う。この結果、酸化膜上に約５０入の酸化窒化
膜が戒長する。
所望の膜厚の酸化窒化膜が形成したら、次に加熱を停止
する。この加熱停止と共に、ハルプ４６ｄを閉して、Ｎ
２０ガス１４ｄの供給を停止し、バルブ４６ｅを開いて
、反応炉１０内のＮ，Ｏガス１４ｄを不活性ガス１４ｅ
，窒素（Ｎ２）ガスに置換する。
不活性ガス１４ｅに置換することによって必要以上に成
長するのを阻止する。
最後に基板１８を室温まで冷却することで戒膜工程を終
了する。
通常の酸化膜形成を行うと、シリコン／酸化膜界面、酸
化膜中に、未結合手あるいは弱い結合を含むＳｉ−Ｓｉ
結合，Ｓｉ−０結合，ｏ−ｏ結合が数多く存在する非結
晶構造となっている。
ここで、Ｔ　Ｄ　Ｄ　Ｂ　（Ｔｉｍｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅ
ｎｔ　ＤｉｅｌｅｃｔｒｉｃＢｒｅａｋｄｏｗｎ）試験
により、絶縁破壊耐性を調べてみる。ＴＤＤＢとは経時
破壊、つまり、一定電界を長時間印加していると、絶縁
破壊に至るという電界ストレスによる疲労現象である。
ここで、通常のシリコン／酸化膜に対して、ＴＤＤＢ試
験を行うと、上記未結合手あるいは、弱い結合を含むＳ
ｉ−Ｓｉ結合，Ｓｉ−０結合，ｏ−ｏ結合の結合が切れ
、正孔トラップの発生に寄与してしまい最終的には、絶
縁破壊を起こす。
本発明の実施例では、酸化膜中に存在する未結合手を低
減させるため、酸化股上に第２の絶縁膜として、酸化窒
化膜を戒長させた．このことにより、酸化窒化膜中に存
在する．窒素原子が酸化膜中に侵入し、それにより新ら
たにＳｉ−Ｎ結合，ｏ−Ｎ結合が発生する。従って、未
結合手ないしは弱い結合が低減され、絶縁破壊耐性が向
上する。
第４図はＴＤＤＢ試験によって得られた破壊時間−ワイ
ブル分布グラフを示したものである。本発明の第２の絶
縁膜／第１の絶縁膜／シリコン基板の絶縁破壊耐性が向
上したことが分かる。
（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、本発明の絶縁膜形
成方法は、還元性ガス雰囲気中で熱処理し、その後反応
性ガス雰囲気中で熱処理するようにしたので、低温によ
る熱酸化を行っても界面が粗れることかなくなり膜質の
向上が図れる。なお高温で熱酸化をする必要がなくなっ
たので膜厚の制御性も向上する。また、本発明では、第
２の絶縁膜を絶縁膜／シリコン基板上に形成するように
したので絶縁破壊耐性が向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の絶縁膜形成方法の説明をするための
図である。 第２図は本発明の実施に供する絶縁膜形成装置の主要部
を概略的に示す断面図である。 第３図は、本発明の実施＆．：供する絶縁膜形成装置の
全体構成を概略的に示す図である。 第４図は、ＴＤＤＢ試験によって得られた破壊時間−ワ
イブル分布グラフである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、還元性ガス雰囲気中で、シリコン基板を熱処理し、
    その後反応性ガス雰囲気中で、前記シリコン基板を熱処
    理することによって、前記シリコン基板を清浄する工程
    と、 窒素を含まない酸化性ガス雰囲気中で熱処理することに
    よって前記シリコン基板上に第１の絶縁膜となる酸化膜
    を形成する工程と、 一酸化二窒素雰囲気中で、熱処理することによって、前
    記第１の絶縁膜上に、第２の絶縁膜となる酸化窒化膜を
    形成する工程と、 から成ることを特徴とする絶縁膜形成方法。
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