JPH03159903A - ペロブスカイト系セラミック粉末の製造方法 - Google Patents
ペロブスカイト系セラミック粉末の製造方法Info
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- JPH03159903A JPH03159903A JP29546989A JP29546989A JPH03159903A JP H03159903 A JPH03159903 A JP H03159903A JP 29546989 A JP29546989 A JP 29546989A JP 29546989 A JP29546989 A JP 29546989A JP H03159903 A JPH03159903 A JP H03159903A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ペロブスカイト系セラミック粉末、とくに均
一な粒度ならびに結晶化を有する高品位のペロブスカイ
ト系のセラミック粉末材料を製造するための方法に関す
る。
一な粒度ならびに結晶化を有する高品位のペロブスカイ
ト系のセラミック粉末材料を製造するための方法に関す
る。
ペロプスカイト系セラミック粉末は、例えばチタン酸バ
リウム(BaTi03) 、チタン酸鉛(PbTiOa
)ジルコン酸カルシウム(CaZrOs) 、チタン酸
ストロンチウム(SrTiOs)など一般にA B O
xの示性式で表される複合酸化物で、これらの粉末は
強誘電体、セラミックヒーター、圧電体等の電気部品の
原料粉末として有用されている。
リウム(BaTi03) 、チタン酸鉛(PbTiOa
)ジルコン酸カルシウム(CaZrOs) 、チタン酸
ストロンチウム(SrTiOs)など一般にA B O
xの示性式で表される複合酸化物で、これらの粉末は
強誘電体、セラミックヒーター、圧電体等の電気部品の
原料粉末として有用されている。
従来、ペロブスカイト系セラミック粉末は、固相反応法
、アルコキシド法、複合または混合金属シュウ酸塩の熱
分解法、水熱合成法などの方法により得られる生或物を
、電気炉またはガス炉を用いて400〜l300゜C程
度の温度域で仮焼したのち粉砕することによって製造さ
れている。
、アルコキシド法、複合または混合金属シュウ酸塩の熱
分解法、水熱合成法などの方法により得られる生或物を
、電気炉またはガス炉を用いて400〜l300゜C程
度の温度域で仮焼したのち粉砕することによって製造さ
れている。
しかしながら、従来技術における生或物の仮焼・粉砕の
プロセスにより形威されたペロブスカイト系セラもツク
粉末には以下のような問題点がある。
プロセスにより形威されたペロブスカイト系セラもツク
粉末には以下のような問題点がある。
ペロブス力イト系セラミック原料粉末を作威するための
固相反応法、アルコキシド法、複合または混合シュウ酸
塩の熱分解法、水熱合威法、その他の従来方法において
は、いずれの方法を適用する場合でもしっかりとしたペ
ロブスカイト結晶構造を作或するために、原料粉末の仮
焼工程が必要となる。しかしながら、この仮焼工程によ
りせっかく微粉末のペロブスカイト系セラミック原料粉
末を作威しても微粒子間の固相拡散作用により、もとの
微粒子が粒威長をおこして目的とする結晶の発達した微
粒子のペロブスカイト系セラミック原料を得ることを困
難としていた。
固相反応法、アルコキシド法、複合または混合シュウ酸
塩の熱分解法、水熱合威法、その他の従来方法において
は、いずれの方法を適用する場合でもしっかりとしたペ
ロブスカイト結晶構造を作或するために、原料粉末の仮
焼工程が必要となる。しかしながら、この仮焼工程によ
りせっかく微粉末のペロブスカイト系セラミック原料粉
末を作威しても微粒子間の固相拡散作用により、もとの
微粒子が粒威長をおこして目的とする結晶の発達した微
粒子のペロブスカイト系セラミック原料を得ることを困
難としていた。
このため、これら原料粉末を用いてセラミックシ一トを
作威する際にシート厚が厚い場合は問題がないが、最近
のようにセラくツクシートの薄層化が要求されてくると
、微粉末でしかも結晶構造がしっかりした原料粉末の必
要性が一層高利現在までの公知の技術では充分に満足い
く原料粉末は得られてないのが実情である。
作威する際にシート厚が厚い場合は問題がないが、最近
のようにセラくツクシートの薄層化が要求されてくると
、微粉末でしかも結晶構造がしっかりした原料粉末の必
要性が一層高利現在までの公知の技術では充分に満足い
く原料粉末は得られてないのが実情である。
本発明の目的は、上述した従来技術の問題点を解消し、
微細な粉体粒度ならびに極めて均質な結晶構造を備える
ペロブスカイト系セラミック粉末の製造方法を提供する
ところにある。
微細な粉体粒度ならびに極めて均質な結晶構造を備える
ペロブスカイト系セラミック粉末の製造方法を提供する
ところにある。
上記の目的を達威するための本発明によるペロブスカイ
ト系セラミック粉末の製造方法は、ペロブスカイト(A
BO.)系セラミック原料粉末を水媒体に分散させたの
ち、炭酸化剤又はシュウ酸化剤を添加して溶解したAイ
オンと反応せしめて炭酸塩又はシュウ酸塩を沈澱させ、
次いで濾過、乾燥及び仮焼することを構威上の特徴とす
る。
ト系セラミック粉末の製造方法は、ペロブスカイト(A
BO.)系セラミック原料粉末を水媒体に分散させたの
ち、炭酸化剤又はシュウ酸化剤を添加して溶解したAイ
オンと反応せしめて炭酸塩又はシュウ酸塩を沈澱させ、
次いで濾過、乾燥及び仮焼することを構威上の特徴とす
る。
本発明の処理対象となるペロブスカイト(ABOs)系
セラミック原料粉末は、その製造履歴は特に限定されな
い。即ち、各種の金属炭酸塩および酸化物の固相反応、
アルコオキシド法、シュウ酸塩法又は水熱合威法など、
常用の方法により得られるペロブスカイトの結晶構造を
有する粉末であって、その結晶化度は問わない。
セラミック原料粉末は、その製造履歴は特に限定されな
い。即ち、各種の金属炭酸塩および酸化物の固相反応、
アルコオキシド法、シュウ酸塩法又は水熱合威法など、
常用の方法により得られるペロブスカイトの結晶構造を
有する粉末であって、その結晶化度は問わない。
このようなものとしては、例えば、BaT+03XSr
Ti03、PbTiOi、CaZrOsなどが挙げられ
るが、工業的には特にBaTi03が好ましい。
Ti03、PbTiOi、CaZrOsなどが挙げられ
るが、工業的には特にBaTi03が好ましい。
本発明は、まず、かかる原料粉末を水媒体に所望の手段
により分散させる。
により分散させる。
なお、原料粉末は微粉末の方がよいことから、粗粒粉末
であるときは、分散処理に先立って粉砕操作を施して微
粉末にすることが望ましい。
であるときは、分散処理に先立って粉砕操作を施して微
粉末にすることが望ましい。
分散操作は、通常攪拌、高速攪拌、あるいは強力剪断力
が作用するようなホモジナイザー、コロイドミル等の分
散機により、可及的に均一に分散させてスラリーを調製
する。スラリー濃度は特に限定はないが、5〜20wt
%の範囲、多くの場合lQwt%前後が実際的である。
が作用するようなホモジナイザー、コロイドミル等の分
散機により、可及的に均一に分散させてスラリーを調製
する。スラリー濃度は特に限定はないが、5〜20wt
%の範囲、多くの場合lQwt%前後が実際的である。
温度は一般的には常温でよいが、必要に応し加温した状
態であってもよい。
態であってもよい。
次に、調製したスラリーに炭酸化剤又はシュウ酸化剤を
添加して溶存するAイオンと反応せしめることにより不
溶性の炭酸塩又はシュウ酸塩の微細沈澱を析出させる。
添加して溶存するAイオンと反応せしめることにより不
溶性の炭酸塩又はシュウ酸塩の微細沈澱を析出させる。
即ち、ABO2の示性式で表わされるベロブスカイト原
料粉末は水に対する溶解度は小さいが、前記の分散処理
に伴って、調製スラリーには水媒体の状態に応じたAイ
オンが溶存する。なお、前記溶解度量のAイオンに限ら
ず、必要に応しAイオンを添加調整することもできる。
料粉末は水に対する溶解度は小さいが、前記の分散処理
に伴って、調製スラリーには水媒体の状態に応じたAイ
オンが溶存する。なお、前記溶解度量のAイオンに限ら
ず、必要に応しAイオンを添加調整することもできる。
本発明はこのAイオン(Ca″1、Ba”、Sr”Pb
”など)を炭酸化剤又はシュウ酸化剤により不溶性塩の
微粒子に転換させ、該微粒子によってペロブスカイト原
料粉末の粒子表面へ沈積又は被覆させることが重要であ
る。
”など)を炭酸化剤又はシュウ酸化剤により不溶性塩の
微粒子に転換させ、該微粒子によってペロブスカイト原
料粉末の粒子表面へ沈積又は被覆させることが重要であ
る。
ここに炭酸化剤としては、炭酸ガス、炭酸水、炭酸アン
モニウム溶液、重炭酸アンモニウムとアンモニアの水溶
液であり、シュウ酸化剤としては、シュウ酸溶液、シュ
ウ酸アンモニウム溶液などが挙げられる。
モニウム溶液、重炭酸アンモニウムとアンモニアの水溶
液であり、シュウ酸化剤としては、シュウ酸溶液、シュ
ウ酸アンモニウム溶液などが挙げられる。
かかる炭酸化剤又はシュウ酸化剤を原料スラリーと作用
させることにより、溶存するAイオンは速やかに反応し
て不溶性炭酸塩又はシュウ酸塩の微細粒子が生威してペ
ロブスカイト原料粉末に沈積する。
させることにより、溶存するAイオンは速やかに反応し
て不溶性炭酸塩又はシュウ酸塩の微細粒子が生威してペ
ロブスカイト原料粉末に沈積する。
反応後、濾過、水洗および乾燥して原料粉末を回収し、
次いで仮焼する。
次いで仮焼する。
仮焼は、原料粉末を匣鉢の如き耐熱容器に充填しシャト
ルキルンの如き加熱炉中で400〜l3oo’cの温度
域で熱処理することによっておこない、ついで適宜な粉
砕機を用いて解砕して、製品として仕上げる。
ルキルンの如き加熱炉中で400〜l3oo’cの温度
域で熱処理することによっておこない、ついで適宜な粉
砕機を用いて解砕して、製品として仕上げる。
なお、この焼或操作は、必要に応じ再度行うこともでき
る。
る。
本発明によれば、ペロブスカイト系原料粉末が溶解した
Aラインを不溶性の炭酸塩、シュウ酸塩の微細粒子に転
換させ、該原料粉末と共沈澱させることにより原料粒子
の表面に沈積又は被覆する。
Aラインを不溶性の炭酸塩、シュウ酸塩の微細粒子に転
換させ、該原料粉末と共沈澱させることにより原料粒子
の表面に沈積又は被覆する。
このような、原料粉末を仮焼すると原料粉末の粒子間に
これと異なる組或の微粒子が介在し、かつ熱分解による
ガス発生が生ずるためペロブスカイト系の原料粉末の粒
子間の固体拡散作用が阻止されて仮焼に伴う粒威長が抑
制される。
これと異なる組或の微粒子が介在し、かつ熱分解による
ガス発生が生ずるためペロブスカイト系の原料粉末の粒
子間の固体拡散作用が阻止されて仮焼に伴う粒威長が抑
制される。
即ち、Aイオンの炭酸塩又はシュウ酸塩がベロブス力イ
ト系原料粉末の仮焼の際粒威長に対する障壁剤として作
用し、仮焼後は分解してもとの組成になって微細なペロ
ブスカイト系セラミック粉末となる。
ト系原料粉末の仮焼の際粒威長に対する障壁剤として作
用し、仮焼後は分解してもとの組成になって微細なペロ
ブスカイト系セラミック粉末となる。
実施例1.
シュウ酸バリウムチタニル(BaTiO (CzL)
2・4H20)を熱分解して得られたチタン酸バリウム
の微粉末1部を水10部に充分に分散させた。次いで、
攪拌しながら炭酸ガスを吹き込むことにより水に一部溶
解したBaイオンと炭酸ガスを反応させ未溶解のチタン
酸バリウム(BaTi0 3)の粒子表面に生威した炭
酸バリウムの微粒子を沈積させる。
2・4H20)を熱分解して得られたチタン酸バリウム
の微粉末1部を水10部に充分に分散させた。次いで、
攪拌しながら炭酸ガスを吹き込むことにより水に一部溶
解したBaイオンと炭酸ガスを反応させ未溶解のチタン
酸バリウム(BaTi0 3)の粒子表面に生威した炭
酸バリウムの微粒子を沈積させる。
炭酸ガスの吹き込みの終点はスラリ一のpHで管理し、
6.8に至って吹き込みを停止した。得られたスラリー
を濾過、乾燥し解砕後、匣鉢に入れl100゜Cで4時
間、焼威してチタン酸バリウムの微細なセラミック粉末
(本発明品)を得た。
6.8に至って吹き込みを停止した。得られたスラリー
を濾過、乾燥し解砕後、匣鉢に入れl100゜Cで4時
間、焼威してチタン酸バリウムの微細なセラミック粉末
(本発明品)を得た。
比較のために、炭酸ガス処理をしないで1100゜C、
4時間、同様に焼成したチタン酸バリウム粉末のセラミ
ック粉末(比較例品)を得た。
4時間、同様に焼成したチタン酸バリウム粉末のセラミ
ック粉末(比較例品)を得た。
これら試料粉末につき電子顕微鏡観察により仮焼による
粒度の比較を行った。
粒度の比較を行った。
第1図は本発明品、第2図は比較例品の電子顕微鏡写真
である。この写真から明らかなように炭酸ガス処理をし
たチタン酸バリウム(本発明品)は仮焼による粒子の威
長が防止されており、他方仮焼により結晶化が進み且つ
微粉末のチタン酸バリウムが出来ていることが判った。
である。この写真から明らかなように炭酸ガス処理をし
たチタン酸バリウム(本発明品)は仮焼による粒子の威
長が防止されており、他方仮焼により結晶化が進み且つ
微粉末のチタン酸バリウムが出来ていることが判った。
このチタン酸バリウムを用いて積層コンデンサーを作威
したところ、誘電体損失が小さく、誘電率の大きい層厚
の薄いセラミックコンデンサーを得ることが出来た。
したところ、誘電体損失が小さく、誘電率の大きい層厚
の薄いセラミックコンデンサーを得ることが出来た。
実施例2
炭酸バリウム712部、酸化チタン288部と水250
0部をボールくルに入れて4時間混合粉砕を行い、得ら
れたスラリーを攪拌機にてさらに充分に混合し濾過、乾
燥後、匣鉢に入れシャトルキルンにて1100℃、2時
間焼威しチタン酸バリウムを作威した。次いでこれを粉
砕機にて充分に粉砕し、平均粒度が0.1n以下の粉末
を得た。
0部をボールくルに入れて4時間混合粉砕を行い、得ら
れたスラリーを攪拌機にてさらに充分に混合し濾過、乾
燥後、匣鉢に入れシャトルキルンにて1100℃、2時
間焼威しチタン酸バリウムを作威した。次いでこれを粉
砕機にて充分に粉砕し、平均粒度が0.1n以下の粉末
を得た。
この粉末を10倍量の水に投入し、充分に攪拌しながら
、この粉末に対し3wt%の炭酸アンモニウム水溶液(
重炭酸アンモニウムとアンモニア水で調製)を添加した
。30分混合し充分に反応させた後、濾過、乾燥し解砕
後、匣鉢に入れ1100゜C、4時間、焼威してチタン
酸バリウムの微細なセラミック粉末を得た。
、この粉末に対し3wt%の炭酸アンモニウム水溶液(
重炭酸アンモニウムとアンモニア水で調製)を添加した
。30分混合し充分に反応させた後、濾過、乾燥し解砕
後、匣鉢に入れ1100゜C、4時間、焼威してチタン
酸バリウムの微細なセラミック粉末を得た。
一方、前記において炭酸アンモニウムによる炭酸化処理
をしないものを同様に1100゜C,4時間焼威して比
較試料を得た。
をしないものを同様に1100゜C,4時間焼威して比
較試料を得た。
この二つの試料を電子顕微鏡観察したところ、本発明に
係る炭酸化処理品の方が微細で整粒された粉末であるこ
とが確認された。
係る炭酸化処理品の方が微細で整粒された粉末であるこ
とが確認された。
実施例3.
水酸化バリウムHa(OH)2 ・88zO) 2
8 9. 9部とメタチタン酸(TiO(OR)2
)のスラリー・(Ti02換算で6部)と水600部を
オートクレープに入れ攪拌しながら温度を95゜Cに保
持し、2時間反応を行った。次いで、濾過装置により固
液分離を行い、得られたウエットケーキを洗浄装置に入
れ、温水600部にて充分に洗浄して結晶に付着した過
剰の水酸化バリウムを洗い流した。
8 9. 9部とメタチタン酸(TiO(OR)2
)のスラリー・(Ti02換算で6部)と水600部を
オートクレープに入れ攪拌しながら温度を95゜Cに保
持し、2時間反応を行った。次いで、濾過装置により固
液分離を行い、得られたウエットケーキを洗浄装置に入
れ、温水600部にて充分に洗浄して結晶に付着した過
剰の水酸化バリウムを洗い流した。
次いで、再び濾過を行い、得られた結晶を105゜Cに
て乾燥後、解砕しチタン酸バリウムの微粉末を得た。こ
の微粉末のチタン酸バリウム1部に対して10部の水に
分散させ、チタ、ン酸バリウム■ 1 の投入量の3wt%のシュウ酸アンモニウムをこの分散
系に少しづつ添加し、30分間よく攪拌して反応させた
。次いで、スラリーを濾過、乾燥し解砕後、匣鉢に入れ
950゜C、4時間焼威してチタン酸バリウムの微細な
セラミック粉末を得た。
て乾燥後、解砕しチタン酸バリウムの微粉末を得た。こ
の微粉末のチタン酸バリウム1部に対して10部の水に
分散させ、チタ、ン酸バリウム■ 1 の投入量の3wt%のシュウ酸アンモニウムをこの分散
系に少しづつ添加し、30分間よく攪拌して反応させた
。次いで、スラリーを濾過、乾燥し解砕後、匣鉢に入れ
950゜C、4時間焼威してチタン酸バリウムの微細な
セラミック粉末を得た。
一方、前記において、シュウ酸化反応させない未処理品
を950゜C、4時間同様に焼威して比較試料を得た。
を950゜C、4時間同様に焼威して比較試料を得た。
この二つの試料を電子顕微鏡観察したところ、本発明に
係るものは焼成による粒度の増大は防止されており、積
層コンデンサーの層厚の薄膜化に対応可能であり、コン
デンサーの小型化に適したセラミック粉末であることが
判った。
係るものは焼成による粒度の増大は防止されており、積
層コンデンサーの層厚の薄膜化に対応可能であり、コン
デンサーの小型化に適したセラミック粉末であることが
判った。
実施例4.
炭酸ストロンチウム148部と酸化チタン80部をボー
ルミルにて粉砕混合し、得られた粉末を950゜C、2
時間、仮焼し一度チタン酸ストロンチウム(SrTi(
h)のペロブスカイト構造になるまで、固相反応を行い
、さらに粉砕機により粉砕し平均粒度が0.8prn以
下の原料粉末を得た。
ルミルにて粉砕混合し、得られた粉末を950゜C、2
時間、仮焼し一度チタン酸ストロンチウム(SrTi(
h)のペロブスカイト構造になるまで、固相反応を行い
、さらに粉砕機により粉砕し平均粒度が0.8prn以
下の原料粉末を得た。
l2
この原料粉末1部に対して10部の水にこの原料粉末を
充分に攪拌機により分散させ、この分散系に原料粉末に
対し15wt%の炭酸アンモニウムをゆっくりと添加し
た。充分に攪拌後、濾過、乾燥し解砕後、匣鉢に入れて
シャトルキルンにて1100゜C、2時間の焼威した。
充分に攪拌機により分散させ、この分散系に原料粉末に
対し15wt%の炭酸アンモニウムをゆっくりと添加し
た。充分に攪拌後、濾過、乾燥し解砕後、匣鉢に入れて
シャトルキルンにて1100゜C、2時間の焼威した。
得られた粉末を軽く解砕後実施例1と同様に電子顕微鏡
観察をしたところ、未処理品に比較して焼威による粒度
の増大は防止されており、ペロプスカイト構造の強固な
微結晶チタン酸ストロンチウムの粉末であることが判っ
た。
観察をしたところ、未処理品に比較して焼威による粒度
の増大は防止されており、ペロプスカイト構造の強固な
微結晶チタン酸ストロンチウムの粉末であることが判っ
た。
実施例5.
炭酸カルシウムlOO部と酸化チタン80部をボールミ
ルにて混合粉砕し、次に1000゜C, 4時間焼戒を
行い、チタン酸カルシウム(CaTiOs )Φペロブ
ス力イト構造をもつ仮焼品を得た。この仮焼品を粉砕機
により粉砕して平均粒度が0. 8一以下の粒子を作
威した。この粉末1部をIO部の水に均一に分散させた
後、炭酸ガスを吹き込みスラリーのpt+が6.8にな
ったら、反応を停止し30分間熟威した後、濾過、乾燥
して粉末を得た。
ルにて混合粉砕し、次に1000゜C, 4時間焼戒を
行い、チタン酸カルシウム(CaTiOs )Φペロブ
ス力イト構造をもつ仮焼品を得た。この仮焼品を粉砕機
により粉砕して平均粒度が0. 8一以下の粒子を作
威した。この粉末1部をIO部の水に均一に分散させた
後、炭酸ガスを吹き込みスラリーのpt+が6.8にな
ったら、反応を停止し30分間熟威した後、濾過、乾燥
して粉末を得た。
次いで、この粉末を匣鉢に入れて電気炉にて11oo’
c、4時間焼威してチタン酸カルシウムのセラミック粉
末を得た。
c、4時間焼威してチタン酸カルシウムのセラミック粉
末を得た。
この粉末を電子顕微鏡観察したところ、炭酸ガスの未処
理品に比較して焼威による粒度の増大は防止されており
、微粉末でしかもベロブスカイト構造の結晶の発達した
セラミック粉末であることが判った。
理品に比較して焼威による粒度の増大は防止されており
、微粉末でしかもベロブスカイト構造の結晶の発達した
セラミック粉末であることが判った。
実施例6.
酸化鉛(PbO) 2 2 1部と酸化チタン80部を
ボールくルにて湿式混合粉砕を行い、これを乾燥したの
ち900゜C、2時間、仮焼し一度チタン酸鉛(PbT
iOi )のべロプス力イト構造になるまで固相反応を
行い、さらに粉砕機により粉砕し平均粒度0.8μm以
下の粉末にした。次いで、この原料粉末をこの粉末1部
に対してlO部の水に攪拌機にて均一に分散させた。こ
の原料粉末に対して5wt%のシュウ酸アンモニウムを
徐々に添加し、添加終了後30分間熟威し濾過、乾燥し
、凝集粒子を軽く解砕して籾末を得た。この粉末を匣鉢
に入れたのち950゜C、2時間、焼威してチタン酸鉛
のセラミック粉末を得た。
ボールくルにて湿式混合粉砕を行い、これを乾燥したの
ち900゜C、2時間、仮焼し一度チタン酸鉛(PbT
iOi )のべロプス力イト構造になるまで固相反応を
行い、さらに粉砕機により粉砕し平均粒度0.8μm以
下の粉末にした。次いで、この原料粉末をこの粉末1部
に対してlO部の水に攪拌機にて均一に分散させた。こ
の原料粉末に対して5wt%のシュウ酸アンモニウムを
徐々に添加し、添加終了後30分間熟威し濾過、乾燥し
、凝集粒子を軽く解砕して籾末を得た。この粉末を匣鉢
に入れたのち950゜C、2時間、焼威してチタン酸鉛
のセラミック粉末を得た。
この粉末を電子顕微鏡により観察し、シュウ酸アンモニ
ウム未処理品と比較したところ実施例lと同様に粒子威
長は抑制されており、微粒子でしかも粒度分布の良い結
晶構造のしっかりしたセラミック粉末であることが判っ
た。
ウム未処理品と比較したところ実施例lと同様に粒子威
長は抑制されており、微粒子でしかも粒度分布の良い結
晶構造のしっかりしたセラミック粉末であることが判っ
た。
本発明によれば、従来のペロブスカイト系セラごツタ粉
末の製造法に比べて微細かつ整粒した粉末を得ることが
できる。
末の製造法に比べて微細かつ整粒した粉末を得ることが
できる。
従って、本発明に係る方法で得られるペロブスカイト系
セラミック粉末は、最近の薄層化が要求されるセラミソ
クシートに追従できるエレクトロセラごツタ粉末として
効果的に適用できるものである。
セラミック粉末は、最近の薄層化が要求されるセラミソ
クシートに追従できるエレクトロセラごツタ粉末として
効果的に適用できるものである。
図は実施例lにより得られたチタン酸ハリウム15
粉末セラミック粉末の粒子構造を示した電子顕微鏡写真
(倍率5000倍)で第1図は本発明品、第2図は比較
例品である。
(倍率5000倍)で第1図は本発明品、第2図は比較
例品である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ペロブスカイト(ABO_3)系セラミック原料粉
末を水媒体に分散させたのち、炭酸化剤又はシュウ酸化
剤を添加して溶解したAイオンと反応せしめて炭酸塩又
はシュウ酸塩を沈澱させ、次いでろ過、乾燥及び仮焼す
ることを特徴とするペロブスカイト系セラミック粉末の
製造方法。 2、ペロブスカイト系セラミック原料粉末が、平均粒径
が0.1〜5μmの範囲である請求項1記載のペロブス
カイト系セラミック粉末の製造方法。 3、炭酸化剤が、炭酸ガス又は炭酸水である請求項1記
載のペロブスカイト系セラミック粉末の製造方法。 4、炭酸化剤が、炭酸アンモニウム溶液である請求項1
記載のペロブスカイト系セラミック粉末の製造方法。 5、シュウ酸化剤が、シュウ酸又はシュウ酸アンモニウ
ムである請求項1記載のペロブスカイト系セラミック粉
末の製造方法。 6、ペロブスカイト系セラミック粉末が、チタン酸バリ
ウムである請求項1、2、3、4又は5いずれか記載の
ペロブスカイト系セラミック粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29546989A JP2764111B2 (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | ペロブスカイト系セラミック粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29546989A JP2764111B2 (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | ペロブスカイト系セラミック粉末の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03159903A true JPH03159903A (ja) | 1991-07-09 |
JP2764111B2 JP2764111B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=17821000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29546989A Expired - Lifetime JP2764111B2 (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | ペロブスカイト系セラミック粉末の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2764111B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996006811A3 (en) * | 1994-09-01 | 1996-04-11 | Cabot Corp | Ceramic slip composition and method for making the same |
WO2001010781A1 (en) * | 1999-08-05 | 2001-02-15 | Korea Institute Of Science And Technology | METHOD FOR MANUFACTURING BaTiO3 BASED POWDERS |
JP2002234771A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-23 | Murata Mfg Co Ltd | 正方晶ペロブスカイト構造を有する酸化物粉末およびその製造方法、誘電体セラミックならびに積層セラミックコンデンサ |
JP2003026423A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-29 | Rikogaku Shinkokai | チタン酸バリウムの製造方法 |
KR100395218B1 (ko) * | 2001-03-24 | 2003-08-21 | 한국과학기술연구원 | BaTiO3계 분말 제조 방법 |
JP2007001840A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Kyocera Corp | 誘電体セラミックスおよびその製造方法 |
JP2015166302A (ja) * | 2014-02-17 | 2015-09-24 | 株式会社村田製作所 | アルカリ土類金属および第4族元素を含むペロブスカイト構造を有する酸化物粉末の製造方法 |
-
1989
- 1989-11-13 JP JP29546989A patent/JP2764111B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996006811A3 (en) * | 1994-09-01 | 1996-04-11 | Cabot Corp | Ceramic slip composition and method for making the same |
US6214756B1 (en) | 1994-09-01 | 2001-04-10 | Cabot Corporation | Ceramic slip composition and method for making the same |
US6514894B1 (en) | 1994-09-01 | 2003-02-04 | Cabot Corporation | Ceramic slip composition and method for making the same |
WO2001010781A1 (en) * | 1999-08-05 | 2001-02-15 | Korea Institute Of Science And Technology | METHOD FOR MANUFACTURING BaTiO3 BASED POWDERS |
JP2002234771A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-23 | Murata Mfg Co Ltd | 正方晶ペロブスカイト構造を有する酸化物粉末およびその製造方法、誘電体セラミックならびに積層セラミックコンデンサ |
JP4660935B2 (ja) * | 2001-02-05 | 2011-03-30 | 株式会社村田製作所 | 正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の製造方法 |
KR100395218B1 (ko) * | 2001-03-24 | 2003-08-21 | 한국과학기술연구원 | BaTiO3계 분말 제조 방법 |
JP2003026423A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-29 | Rikogaku Shinkokai | チタン酸バリウムの製造方法 |
JP4697836B2 (ja) * | 2001-07-10 | 2011-06-08 | 国立大学法人山梨大学 | チタン酸バリウムの製造方法 |
JP2007001840A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Kyocera Corp | 誘電体セラミックスおよびその製造方法 |
JP2015166302A (ja) * | 2014-02-17 | 2015-09-24 | 株式会社村田製作所 | アルカリ土類金属および第4族元素を含むペロブスカイト構造を有する酸化物粉末の製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2764111B2 (ja) | 1998-06-11 |
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