JPH03145444A - ナフタレン環を含む液晶化合物 - Google Patents
ナフタレン環を含む液晶化合物Info
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- JPH03145444A JPH03145444A JP28277489A JP28277489A JPH03145444A JP H03145444 A JPH03145444 A JP H03145444A JP 28277489 A JP28277489 A JP 28277489A JP 28277489 A JP28277489 A JP 28277489A JP H03145444 A JPH03145444 A JP H03145444A
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ナフタレン環を含む液晶化合物に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕近年、
各種表示素子、電子光学デバイスなど、液晶の利用分野
が著しく拡大しつつあり、それに伴って様々な構造の液
晶化合物が提案されてきた。
各種表示素子、電子光学デバイスなど、液晶の利用分野
が著しく拡大しつつあり、それに伴って様々な構造の液
晶化合物が提案されてきた。
例えば、分子内にベンゾイルオキシ基を有する光学活性
な安息香酸エステル類、ビフェニルエステル類などであ
って、側鎖に光学活性なアルキル基を有する化合物が知
られている(例えば、特開昭63−307837号公報
)。しかしながら、不斉炭素上にフルオロアルキル基と
ナフタリン環を含むカルボン酸エステル基とを有する液
晶化合物は、まだ知られていない。
な安息香酸エステル類、ビフェニルエステル類などであ
って、側鎖に光学活性なアルキル基を有する化合物が知
られている(例えば、特開昭63−307837号公報
)。しかしながら、不斉炭素上にフルオロアルキル基と
ナフタリン環を含むカルボン酸エステル基とを有する液
晶化合物は、まだ知られていない。
そこで、本発明者らは、不斉炭素上にフルオロアルキル
基とナフタリン環を含むカルボン酸エステル基とを有す
る新規な液晶化合物を開発することを目的として研究を
重ね、本発明を完成するに至った。
基とナフタリン環を含むカルボン酸エステル基とを有す
る新規な液晶化合物を開発することを目的として研究を
重ね、本発明を完成するに至った。
本発明は、一般式(1)
C式中、Rfは炭素数1又は2のフルオロアルキル基を
示し、R1は炭素数3〜18の直鎖又は分岐鎖アルキル
基を示し、R2は炭素数5〜15の直鎖又は分岐鎖アル
キル基を示し、Aは−COO−−〇GO−,−CH,O
−又は−OCH,−を示し、*は不斉炭素原子を示し、
で表わされるナフタレン環を含む液晶化合物を提供する
ものである。
示し、R1は炭素数3〜18の直鎖又は分岐鎖アルキル
基を示し、R2は炭素数5〜15の直鎖又は分岐鎖アル
キル基を示し、Aは−COO−−〇GO−,−CH,O
−又は−OCH,−を示し、*は不斉炭素原子を示し、
で表わされるナフタレン環を含む液晶化合物を提供する
ものである。
本発明のナフタレン環を含む液晶化合物は、Rfの種類
により様々なものであるが、いずれもフルオロアルキル
基に結合する炭素原子が不斉中心となった光学活性化合
物である。
により様々なものであるが、いずれもフルオロアルキル
基に結合する炭素原子が不斉中心となった光学活性化合
物である。
一般式(1)において、上記のようにRfは炭素数1又
は2のフルオロアルキル基を示し、具体的にはトリフル
オロメチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロ
メチル基、ペンタフルオロエチル基などであり、好まし
くはトリフルオロメチル基である。
は2のフルオロアルキル基を示し、具体的にはトリフル
オロメチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロ
メチル基、ペンタフルオロエチル基などであり、好まし
くはトリフルオロメチル基である。
また、R′は炭素数3〜I8の直鎖又は分岐鎖アルキル
基、例えばn−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、イソブチル)J、 5ec−ブチル基、 ter
t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシルl、n−
ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシ
ル基、n−ウンデシル基。
基、例えばn−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、イソブチル)J、 5ec−ブチル基、 ter
t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシルl、n−
ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシ
ル基、n−ウンデシル基。
n−ドデシル基、n−トリデシル基、n−テトラデシル
基、n−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−一
−ブタデシル基、n−オクタデシル基などである。これ
らのうち、分岐鎖アルキル基であって1.不斉炭素を有
する基は、光学活性基である。
基、n−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−一
−ブタデシル基、n−オクタデシル基などである。これ
らのうち、分岐鎖アルキル基であって1.不斉炭素を有
する基は、光学活性基である。
さらに、R2は炭素数5〜15の直鎖又は分岐鎖アルキ
ル基、例えばn−ペンチル基、イソペンチル基、1−メ
チルブチル基、n−ヘキシル基。
ル基、例えばn−ペンチル基、イソペンチル基、1−メ
チルブチル基、n−ヘキシル基。
n−ヘプチル基、1−メチルヘプチル基、n−オクチル
基、1−エチルヘプチル基、1−メチルオクチル基、n
−ノニル5,1−エチルオクチル基。
基、1−エチルヘプチル基、1−メチルオクチル基、n
−ノニル5,1−エチルオクチル基。
1−メチルノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基
、n−ドデシル基、n−)リゾシル基、n−テトラデシ
ル基、n−ペンタデシル基などである。R2が分岐鎖ア
ルキル基である場合、不斉炭素を有する基は、光学活性
基である。
、n−ドデシル基、n−)リゾシル基、n−テトラデシ
ル基、n−ペンタデシル基などである。R2が分岐鎖ア
ルキル基である場合、不斉炭素を有する基は、光学活性
基である。
また、Aは−COO−、−OCO−−CH!O−又は−
0CR,−を示す。
0CR,−を示す。
一般式(I)において、R’又はR2が光学活性基であ
る場合、4種の光学異性体が存在し、R’とRZが同時
に光学活性基であれば、8種の光学異性体が存在するが
、本発明は特定の光学異性体に限定するものではない。
る場合、4種の光学異性体が存在し、R’とRZが同時
に光学活性基であれば、8種の光学異性体が存在するが
、本発明は特定の光学異性体に限定するものではない。
また、光学純度は望ましくは100%ee、100%d
eであるが、特にこれを規定するものではない。
eであるが、特にこれを規定するものではない。
本発明による一般式(1)の化合物は、様々な方法で製
造することができるが、−船釣には以下の工程により製
造することができる。すなわち、まず、一般式(II) BzO−X”−COCI ・・・ (II
)(式中、Xzは前記と同じであり、Bzはベンジル基
を示す。) で表わされる化合物を一般式(I[[)〔式中、Rf及
びR2は前記と同じである。〕で表わされる化合物と反
応させて、一般式(IV)〔式中、Rf、 Bz、 X
”及びR1は前記と同じである。〕 で表わされる化合物を得る。この反応は、有機塩基、例
えばピリジン、トリエチルアミン等の存在でトルエン、
ベンゼン、塩化メチレン等の溶媒中で一20°C〜80
°Cの温度で行うことができる。
造することができるが、−船釣には以下の工程により製
造することができる。すなわち、まず、一般式(II) BzO−X”−COCI ・・・ (II
)(式中、Xzは前記と同じであり、Bzはベンジル基
を示す。) で表わされる化合物を一般式(I[[)〔式中、Rf及
びR2は前記と同じである。〕で表わされる化合物と反
応させて、一般式(IV)〔式中、Rf、 Bz、 X
”及びR1は前記と同じである。〕 で表わされる化合物を得る。この反応は、有機塩基、例
えばピリジン、トリエチルアミン等の存在でトルエン、
ベンゼン、塩化メチレン等の溶媒中で一20°C〜80
°Cの温度で行うことができる。
次に、得られた一般式(IV)の化合物中のベンジル基
を常法で脱離させれば、一般式(V)C式中、Xz、R
z及びRfは前記と同じである。〕で表わされる化合物
が生成する。この脱ベンジル化反応は、例えばPd−C
触媒の存在でメタノール、エタノール、プロパツール等
のアルコール性溶媒あるいは酢酸を用いて常圧で水素化
分解することによって行うことができる。
を常法で脱離させれば、一般式(V)C式中、Xz、R
z及びRfは前記と同じである。〕で表わされる化合物
が生成する。この脱ベンジル化反応は、例えばPd−C
触媒の存在でメタノール、エタノール、プロパツール等
のアルコール性溶媒あるいは酢酸を用いて常圧で水素化
分解することによって行うことができる。
また、別法として、上記一般式(l[()の化合物を一
般式(Vl) HO−X”−COOH・・・ (Vl)〔式中、Xzは
前記と同じである。] で表わされるヒドロキシカルボン酸と反応させることに
よって、−工程で一般式(V)の化合物を製造すること
もできる。この反応は、p−キシレン還流条件下にP−
1−ルエンスルホン酸を触媒として用いて行うことがで
きる。
般式(Vl) HO−X”−COOH・・・ (Vl)〔式中、Xzは
前記と同じである。] で表わされるヒドロキシカルボン酸と反応させることに
よって、−工程で一般式(V)の化合物を製造すること
もできる。この反応は、p−キシレン還流条件下にP−
1−ルエンスルホン酸を触媒として用いて行うことがで
きる。
上記のようにして得た一般式(V)の化合物を一般式(
■) R’O−X’−COCf ・・・ (■)〔式
中、R1及びXlは前記と同じである。〕で表わされる
化合物と反応させることにより上記一般式(I)の化合
物を得る。この反応は、有機塩基、例えばピリジン、ト
リエチルアミンなどの存在下にトルエン、ベンゼン、塩
化メチレン等の溶媒中で−20”C〜80℃の温度で行
うことができる。
■) R’O−X’−COCf ・・・ (■)〔式
中、R1及びXlは前記と同じである。〕で表わされる
化合物と反応させることにより上記一般式(I)の化合
物を得る。この反応は、有機塩基、例えばピリジン、ト
リエチルアミンなどの存在下にトルエン、ベンゼン、塩
化メチレン等の溶媒中で−20”C〜80℃の温度で行
うことができる。
本発明による一般式(1)の化合物は、具体的には、例
えば(R)−6−オクチルオキシ−2−ナフトエ酸−1
−(1−)リフルオロメチル−へブチルオキシカルボニ
ル)−4−フェニルエステル; (S)−6−オクチ
ルオキシ−2−ナフトエM−1−(1−)リフルオロメ
チル−ウンデシルオキシカルボニル)−4−フェニルエ
ステル;(R)−4−オクチルオキシ安息香酸−2−(
1−トリフルオロメチル−ヘプチルオキシカルボニル)
−6−ナフチルエステル; (S)−4−オクチルオ
キシ安息香酸−2−(1−)リフルオロメチル−ウンデ
シルオキシカルボニル)−6−ナフチルエステル?
(S)−4−デシルオキシ安息香酸−2−(1−)リフ
ルオロメチル−ウンデシルオキシカルボニル)−6−ナ
フチルエステル;(R)−4−(6−オクチルオキシナ
フチル−2−オキシカルボニル)安息香酸−1−トリフ
ルオロメチル−1−ヘプチルエステル; (S)−6
−(4−デシルオキシフェニル−1−オキシカルボニル
)−2−ナフトエ酸−1−トリフルオロメチル−1−ノ
ニルエステル; (S)−4−(6−デシルオキシナフ
チル−2−メチレンオキシ)安息香酸−1−トリフルオ
ロメチル−1−ヘプチルエステル; (R) −6−
(4−ドデシルオキシフェニル−1−メチレンオキシ)
−2−ナフトエ酸−1−トリフルオロメチル−1−ノニ
ルエステル;(R)−4−(6−ドデシルオキシナフチ
ル−2−オキシメチレン)安息香酸−1−トリフルオロ
メチル−1−ヘプチルエステル; (S)−6−(4−
オクチルオキシフェニル−1−オキシメチレン)−2−
ナフトエ酸−1−トリフルオロメチル−■−ノニルエス
テルなどである。
えば(R)−6−オクチルオキシ−2−ナフトエ酸−1
−(1−)リフルオロメチル−へブチルオキシカルボニ
ル)−4−フェニルエステル; (S)−6−オクチ
ルオキシ−2−ナフトエM−1−(1−)リフルオロメ
チル−ウンデシルオキシカルボニル)−4−フェニルエ
ステル;(R)−4−オクチルオキシ安息香酸−2−(
1−トリフルオロメチル−ヘプチルオキシカルボニル)
−6−ナフチルエステル; (S)−4−オクチルオ
キシ安息香酸−2−(1−)リフルオロメチル−ウンデ
シルオキシカルボニル)−6−ナフチルエステル?
(S)−4−デシルオキシ安息香酸−2−(1−)リフ
ルオロメチル−ウンデシルオキシカルボニル)−6−ナ
フチルエステル;(R)−4−(6−オクチルオキシナ
フチル−2−オキシカルボニル)安息香酸−1−トリフ
ルオロメチル−1−ヘプチルエステル; (S)−6
−(4−デシルオキシフェニル−1−オキシカルボニル
)−2−ナフトエ酸−1−トリフルオロメチル−1−ノ
ニルエステル; (S)−4−(6−デシルオキシナフ
チル−2−メチレンオキシ)安息香酸−1−トリフルオ
ロメチル−1−ヘプチルエステル; (R) −6−
(4−ドデシルオキシフェニル−1−メチレンオキシ)
−2−ナフトエ酸−1−トリフルオロメチル−1−ノニ
ルエステル;(R)−4−(6−ドデシルオキシナフチ
ル−2−オキシメチレン)安息香酸−1−トリフルオロ
メチル−1−ヘプチルエステル; (S)−6−(4−
オクチルオキシフェニル−1−オキシメチレン)−2−
ナフトエ酸−1−トリフルオロメチル−■−ノニルエス
テルなどである。
次に、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。
るが、本発明はこれに限定されるものではない。
実施例1
(R)−6−オクチルオキシ−2−ナフトエ酸−1−(
1−)リフルオロメチル−へブチルオキシカルボニル)
−4−フェニルエステルの合成(R) a)ベンジルオキシ安息香酸クロリド2.16 g(8
,8ミリモル)と(R)−1,1,1−)リフルオロ−
2−オクタツール1.35g(7,3ミIノモル)のト
ルエン溶液511Ii中に無水ピリジン5戚を加え、室
温で 18時間攪拌した。この反応液にIN塩酸を加え
て反応を停止させ、エーテルにより抽出した0次いで、
IN水酸化カリウム溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥した。エーテルを減圧留去
した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精
製した。
1−)リフルオロメチル−へブチルオキシカルボニル)
−4−フェニルエステルの合成(R) a)ベンジルオキシ安息香酸クロリド2.16 g(8
,8ミリモル)と(R)−1,1,1−)リフルオロ−
2−オクタツール1.35g(7,3ミIノモル)のト
ルエン溶液511Ii中に無水ピリジン5戚を加え、室
温で 18時間攪拌した。この反応液にIN塩酸を加え
て反応を停止させ、エーテルにより抽出した0次いで、
IN水酸化カリウム溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥した。エーテルを減圧留去
した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精
製した。
b)a)で得られた化合物の酢酸(15d)溶液に10
%パラジウム−チャーコール(0,50g)を添加し、
常温常圧で超音波照射条件下に水素化分解を30時間行
った。その後、反応液を濾過し、溶媒を減圧留去した後
、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより分離精製
した。得られた化合物の(R)−1,1,1−)リフル
オロ−2−オクタツールからの収率は87%であった。
%パラジウム−チャーコール(0,50g)を添加し、
常温常圧で超音波照射条件下に水素化分解を30時間行
った。その後、反応液を濾過し、溶媒を減圧留去した後
、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより分離精製
した。得られた化合物の(R)−1,1,1−)リフル
オロ−2−オクタツールからの収率は87%であった。
C)上記b)で得られた化合物1.80g(5,9ミリ
モル)と 6−オクチルオキシ−2−ナフトエ酸クロリ
ド2.26g(7,1ミリモル)のトルエン溶液5Id
に無水ピリジン5In1を加え、室温で20時間攪拌し
た。この反応液にIN塩酸を加えて反応を停止させ、エ
ーテルにより抽出した。次いで、IN水酸化カリウム溶
液及び飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。
モル)と 6−オクチルオキシ−2−ナフトエ酸クロリ
ド2.26g(7,1ミリモル)のトルエン溶液5Id
に無水ピリジン5In1を加え、室温で20時間攪拌し
た。この反応液にIN塩酸を加えて反応を停止させ、エ
ーテルにより抽出した。次いで、IN水酸化カリウム溶
液及び飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。
エーテルを減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィー及びエタノール−ヘキサン混合溶媒からの再
結晶により精製し、目的化合物である(R)−6−オク
チルオキシ−2−ナフトエ酸−1−(1−)リフルオロ
メチル−へブチルオキシカルボニル)−4−フェニルエ
ステル3.07gを得た。収率は88%であった。
グラフィー及びエタノール−ヘキサン混合溶媒からの再
結晶により精製し、目的化合物である(R)−6−オク
チルオキシ−2−ナフトエ酸−1−(1−)リフルオロ
メチル−へブチルオキシカルボニル)−4−フェニルエ
ステル3.07gを得た。収率は88%であった。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式: C3,H,、F、0゜
’H−NMR
δ(ppa+) 0.83〜0.92 (m、 6
H) 。
H) 。
1.17〜1.62 (m、18H)、1.80〜1.
94(m、4H)、4.11 (t、J=6.5セ、2
H)、5.56(tq、J=6.8,6.8Hz、IH
)、7.17〜8.69 (m、IOH)19F−NM
R δ(ppm) −1,58(d、 J=6.8Hz)
I R(cm−’) 1730.1625.1470,1200゜ 060 質量分析 m/e(M”) 計算値 586.2906 実測値 586.2954 〔α)o”=+33.3°(c = 1 、00 、
CHCj! s)実施例2 (S)−6−オクチルオキシ−2−ナフトエ酸−1−(
1−)リフルオロメチル−ウンデシルオキシカルボニル
)−4−フェニルエステルの合成(S) a)ベンジルオキシ安息香酸クロリド2.16 g(8
,8ミリモル)と(R)−1,1,1−)リフルオロ−
2−ドデカノール1.75g(7,3ミリモル)を用い
て、実施例1a)と同様の操作を行った。
94(m、4H)、4.11 (t、J=6.5セ、2
H)、5.56(tq、J=6.8,6.8Hz、IH
)、7.17〜8.69 (m、IOH)19F−NM
R δ(ppm) −1,58(d、 J=6.8Hz)
I R(cm−’) 1730.1625.1470,1200゜ 060 質量分析 m/e(M”) 計算値 586.2906 実測値 586.2954 〔α)o”=+33.3°(c = 1 、00 、
CHCj! s)実施例2 (S)−6−オクチルオキシ−2−ナフトエ酸−1−(
1−)リフルオロメチル−ウンデシルオキシカルボニル
)−4−フェニルエステルの合成(S) a)ベンジルオキシ安息香酸クロリド2.16 g(8
,8ミリモル)と(R)−1,1,1−)リフルオロ−
2−ドデカノール1.75g(7,3ミリモル)を用い
て、実施例1a)と同様の操作を行った。
b)a)で得られた化合物を用いて、実施例1b)と同
様の操作を行った。得られた化合物の収量は2.39
gであり、(R)−1,1,1−)リフルオロ−2−ド
デカノールからの収率は91%であった。
様の操作を行った。得られた化合物の収量は2.39
gであり、(R)−1,1,1−)リフルオロ−2−ド
デカノールからの収率は91%であった。
c)b)で得られた化合物2.39g(6,6ミリモル
)を用いて、実施例1c)と同様の操作を行い、目的化
合物である(S)−6−オクチルオキシ−2−ナフトエ
酸−1−(1−1−リフルオロメチル−ウンデシルオキ
シカルボニル)−4−フェニルエステル3.58g(収
率84%)を得た。この化合物の物理的性質を以下に示
す。
)を用いて、実施例1c)と同様の操作を行い、目的化
合物である(S)−6−オクチルオキシ−2−ナフトエ
酸−1−(1−1−リフルオロメチル−ウンデシルオキ
シカルボニル)−4−フェニルエステル3.58g(収
率84%)を得た。この化合物の物理的性質を以下に示
す。
分子式: Cff5HaqFsOs
’H−NMR
δ(ppm) 0.76〜0.85 (m、 6
H) 。
H) 。
1.06〜1.52 (m、26H)、1.67〜1.
81(m、4H)、4.02 (t、J=6.51に、
2H)、 5.49(むq、 J=6.6.
6.6Hz、 I H) 、 7.08〜8.61
(m、 10 H)凰’F−NMR δ(ppa+) −1,68(d、 J 〜6.4H
z)IR(CI+−’) 1735.1630.1470,1200゜075 質量分析 m/e(M”) 計算値 642.3532 実測値 642.3558 〔α)o”= 31.9°(cm1.01.cHcj
!s)実施例3 (R)−4−オクチルオキシ安息香酸−2−(1−トリ
フルオロメチル−へブチルオキシカルボニル)−6−ナ
フチルエステルの合成 a)(R)−1,1,1−)リフルオロ−2−オクタツ
ール0.99g(5,3ミリモル)と 6−ヒドロキシ
−2−ナフトエ酸1.00g(5,3ミリモル)をp−
キシレン 50dに加え、p−1ルエンスルホン酸0.
16 gを触媒として添加し、還流条件下に 15時間
攪拌した。この反応液を室温に戻し、水を加えて反応を
停止させ、エーテルにより抽出した0次いで、飽和炭酸
水素ナトリウム溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。エーテルを減圧留去した
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより分離精
製し、生成物0.46g(収率24%)を得た。
81(m、4H)、4.02 (t、J=6.51に、
2H)、 5.49(むq、 J=6.6.
6.6Hz、 I H) 、 7.08〜8.61
(m、 10 H)凰’F−NMR δ(ppa+) −1,68(d、 J 〜6.4H
z)IR(CI+−’) 1735.1630.1470,1200゜075 質量分析 m/e(M”) 計算値 642.3532 実測値 642.3558 〔α)o”= 31.9°(cm1.01.cHcj
!s)実施例3 (R)−4−オクチルオキシ安息香酸−2−(1−トリ
フルオロメチル−へブチルオキシカルボニル)−6−ナ
フチルエステルの合成 a)(R)−1,1,1−)リフルオロ−2−オクタツ
ール0.99g(5,3ミリモル)と 6−ヒドロキシ
−2−ナフトエ酸1.00g(5,3ミリモル)をp−
キシレン 50dに加え、p−1ルエンスルホン酸0.
16 gを触媒として添加し、還流条件下に 15時間
攪拌した。この反応液を室温に戻し、水を加えて反応を
停止させ、エーテルにより抽出した0次いで、飽和炭酸
水素ナトリウム溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。エーテルを減圧留去した
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより分離精
製し、生成物0.46g(収率24%)を得た。
b)生成した化合物0.88g(2,5ミリモル)と
4−オクチルオキシ−2−安息香酸クロリド0.81
g(32Oミリモル)のトルエン溶液3−に無水ピリジ
ン5dを加え、室温で20時間攪拌した。この反応液に
IN塩酸を加えて反応を停止させ、エーテルにより抽出
した。次いで、IN水酸化カリウム溶液及び飽和食塩水
で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。エー
テルを減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィー及びエタノール−ヘキサン混合溶媒からの再結晶
により精製し、目的化合物である(R) −4−オクチ
ルオキシ安息香酸−2−(1−)リフルオロメチル−へ
ブチルオキシカルボニル)−6−ナフチルエステル1.
06g(収率72%)を得た。
4−オクチルオキシ−2−安息香酸クロリド0.81
g(32Oミリモル)のトルエン溶液3−に無水ピリジ
ン5dを加え、室温で20時間攪拌した。この反応液に
IN塩酸を加えて反応を停止させ、エーテルにより抽出
した。次いで、IN水酸化カリウム溶液及び飽和食塩水
で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。エー
テルを減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィー及びエタノール−ヘキサン混合溶媒からの再結晶
により精製し、目的化合物である(R) −4−オクチ
ルオキシ安息香酸−2−(1−)リフルオロメチル−へ
ブチルオキシカルボニル)−6−ナフチルエステル1.
06g(収率72%)を得た。
この化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式’ Cs4Hat F sos
’H−NMR
δ(ppm) 0.81〜0.91 (m、 6
H) 。
H) 。
1.15〜1.56 (m、18H)、1.71〜2.
02(m、 4H)、 4.03 (t、 J=6.5
Hz、 2H)、 5.6 1(tq、
J=6.6. 6.6Hz、LH)、6.96〜8.
65 (m、IOH)19F−NMR δ(ppm)−1,60(d、J=6.8七)IR(c
m−’) 1730.1720.1610. 1470゜1260
、 1065 M量分析 m/e(M”) 計算値 586.2906 実測値 586.2886 (α) oz4=+ 44 、1°(cm1.03.c
Hcft)実施例4 (S)−4−オクチルオキシ安息香酸−2−(1−トリ
フルオロメチル−ウンデシルオキシカルボニル)−6−
ナフチルエステルの合成 a)(R)−1,1,1−)リフルオロ−2−ドデカノ
ール2.55g(10,6ミリモル)と 6−ヒドロキ
シ−2−ナフトエ酸2.00 g(10,6ミリモル)
を用いて実施例3のa)に記載したのと同様の操作を行
った。生成物の収量は2.78g(収率63%)であっ
た。
02(m、 4H)、 4.03 (t、 J=6.5
Hz、 2H)、 5.6 1(tq、
J=6.6. 6.6Hz、LH)、6.96〜8.
65 (m、IOH)19F−NMR δ(ppm)−1,60(d、J=6.8七)IR(c
m−’) 1730.1720.1610. 1470゜1260
、 1065 M量分析 m/e(M”) 計算値 586.2906 実測値 586.2886 (α) oz4=+ 44 、1°(cm1.03.c
Hcft)実施例4 (S)−4−オクチルオキシ安息香酸−2−(1−トリ
フルオロメチル−ウンデシルオキシカルボニル)−6−
ナフチルエステルの合成 a)(R)−1,1,1−)リフルオロ−2−ドデカノ
ール2.55g(10,6ミリモル)と 6−ヒドロキ
シ−2−ナフトエ酸2.00 g(10,6ミリモル)
を用いて実施例3のa)に記載したのと同様の操作を行
った。生成物の収量は2.78g(収率63%)であっ
た。
b)得られた化合物2.OOg(4,9ミリモル)を用
いて、実施例3のb)と同様の操作を行い、目的化合物
である(S)−4−オクチルオキシ安息香酸−2−(1
−トリフルオロメチル−ウンデシルオキシカルボニル)
−6−ナフチルエステル3.16g(収率70%)を得
た。
いて、実施例3のb)と同様の操作を行い、目的化合物
である(S)−4−オクチルオキシ安息香酸−2−(1
−トリフルオロメチル−ウンデシルオキシカルボニル)
−6−ナフチルエステル3.16g(収率70%)を得
た。
この化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式: C!aH4*FsOs
’H−NMR
δ (pps+) 0.8 1 〜0.9 1 (
m、 6H) 。
m、 6H) 。
1.14〜1.66 (m、26H)、1.69〜2.
00(m、4H)、4.04 (t、J=6.6七、2
H)、5.61(tq、J=6.8,6.8Hz、IH
)、6.96〜8.65 (m、l0H)”F−NMR δ(ppm) −1,62(d、 J=6.61社
)IR(cm−’) 1735、 1720. 1610. 1475゜12
65、 1065 質量分析 m/e(M”) 計算値 642.3532 実測値 642.3573 〔α〕 D27− 44.8” (cm1.05.C
HCffi:+)実施例5 (S)−4−デシルオキシ安息香酸−2−(1−トリフ
ルオロメチル−ウンデシルオキシカルボニル)−6−ナ
フチルエステルの合成 実施例4のa)で得られた化合物0.78 g (1,
9ミリモル)と4−デシルオキシ安息香酸クロリド0.
67 g(2,3ミリモル)を用い、実施例3のb)と
同様の操作を行い、目的化合物である(S)−4−デシ
ルオキシ安息香酸−2−(1−トリフルオロメチル−ウ
ンデシルオキシカルボニル)−6−ナフチルエステル0
.84g(収率66%)を得た。
00(m、4H)、4.04 (t、J=6.6七、2
H)、5.61(tq、J=6.8,6.8Hz、IH
)、6.96〜8.65 (m、l0H)”F−NMR δ(ppm) −1,62(d、 J=6.61社
)IR(cm−’) 1735、 1720. 1610. 1475゜12
65、 1065 質量分析 m/e(M”) 計算値 642.3532 実測値 642.3573 〔α〕 D27− 44.8” (cm1.05.C
HCffi:+)実施例5 (S)−4−デシルオキシ安息香酸−2−(1−トリフ
ルオロメチル−ウンデシルオキシカルボニル)−6−ナ
フチルエステルの合成 実施例4のa)で得られた化合物0.78 g (1,
9ミリモル)と4−デシルオキシ安息香酸クロリド0.
67 g(2,3ミリモル)を用い、実施例3のb)と
同様の操作を行い、目的化合物である(S)−4−デシ
ルオキシ安息香酸−2−(1−トリフルオロメチル−ウ
ンデシルオキシカルボニル)−6−ナフチルエステル0
.84g(収率66%)を得た。
分子式:C4゜Hs3FsOs
’H−NMR
δ(pps) 0.81〜0.9−0 (m、 6
)() 。
)() 。
1.13〜1.54 (m、30H)、1.70〜2.
00(m、4H)、4.04 (t、J=6.6セ、2
H)、5.61(tq、J=6.6,6.6Hz、IH
)、6.96〜8.65 (m、IOH)19F−NM
R δ(ppm)−1,57(d、J=6.4七)IR(c
m−’) 1735.1?15,1605,1470゜1260.
1060 質量分析 m/e(M”) 計算値 670.3845 実測値 670.3851 〔α)o”= 42.0°(cm1.03.CHCA
s)〔発明の効果〕 本発明のナフタレン環を含む液晶化合物は、側鎖に光学
活性基を有する新規化合物であり、液晶として有用であ
る。この新規化合物は、本発明の方法により効率よく製
造することができる。
00(m、4H)、4.04 (t、J=6.6セ、2
H)、5.61(tq、J=6.6,6.6Hz、IH
)、6.96〜8.65 (m、IOH)19F−NM
R δ(ppm)−1,57(d、J=6.4七)IR(c
m−’) 1735.1?15,1605,1470゜1260.
1060 質量分析 m/e(M”) 計算値 670.3845 実測値 670.3851 〔α)o”= 42.0°(cm1.03.CHCA
s)〔発明の効果〕 本発明のナフタレン環を含む液晶化合物は、側鎖に光学
活性基を有する新規化合物であり、液晶として有用であ
る。この新規化合物は、本発明の方法により効率よく製
造することができる。
したがって、本発明は、各種の表示素子、電子光学デバ
イスなどに有効な液晶を提供するものである。
イスなどに有効な液晶を提供するものである。
Claims (1)
- (1)一般式 〔式中、Rfは炭素数1又は2のフルオロアルキル基を
示し、R^1は炭素数3〜18の直鎖又は分岐鎖アルキ
ル基を示し、R^2は炭素数5〜15の直鎖又は分岐鎖
アルキル基を示し、Aは−COO−、−OCO−、−C
H_2O−又は−OCH_2−を示し、*は不斉炭素原
子を示し、X^1及びX^2▲数式、化学式、表等があ
ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼を示し、X^1
及びX^2の うち一方は▲数式、化学式、表等があります▼である。 〕 で表わされるナフタレン環を含む液晶化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28277489A JPH03145444A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | ナフタレン環を含む液晶化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28277489A JPH03145444A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | ナフタレン環を含む液晶化合物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03145444A true JPH03145444A (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=17656903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28277489A Pending JPH03145444A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | ナフタレン環を含む液晶化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03145444A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01139551A (ja) * | 1987-08-26 | 1989-06-01 | Sanyo Chem Ind Ltd | 液晶化合物および組成物 |
JPH029840A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-12 | Showa Shell Sekiyu Kk | 多環芳香族誘導体 |
JPH0228128A (ja) * | 1988-04-28 | 1990-01-30 | Showa Shell Sekiyu Kk | ナフタレン骨格を含む液晶化合物 |
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-
1989
- 1989-10-30 JP JP28277489A patent/JPH03145444A/ja active Pending
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