JPH03136399A - 電磁遮蔽パネル - Google Patents

電磁遮蔽パネル

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JPH03136399A
JPH03136399A JP2209377A JP20937790A JPH03136399A JP H03136399 A JPH03136399 A JP H03136399A JP 2209377 A JP2209377 A JP 2209377A JP 20937790 A JP20937790 A JP 20937790A JP H03136399 A JPH03136399 A JP H03136399A
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JP
Japan
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electromagnetic shielding
shielding panel
conductive coating
glass
thickness
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JP2209377A
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English (en)
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Leslie T Clarke
レスリー トーマス クラーク
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Pilkington Group Ltd
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Pilkington PLC
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は電磁遮蔽パネル、更に詳しく言えば、電磁放射
を減衰するために導電性被覆を有する、電磁妨害を遮蔽
する半透明パネル(translucentpanel
)に関するものである。
(従来の技術) ガラスおよび透明プラスチックは短波長電磁放射に半透
明で、その結果このような放射は、建物および/または
建物内のコンピュータやワードプロセッサのような電子
装置、および/または装置の保護可視パネルを通り抜け
ることができることは良く知られている。このような放
射は容易に検出可能なので、情報保護の見地から全く望
ましくないものと考えられる。
この問題に対する有効な解決が提案されているが、この
提案によれば、すべてのこのような電子装置は完全に電
磁遮蔽された囲いの中に収容される。このような囲いは
、壁と戸が大地に電気的に接続されたメツシュまたは金
属箔を有するようにした窓のない室の形をとるのが普通
である。ファラデーケージとして知られているこのよう
な装置では、電磁放射は室より出ることも室に入ること
もない。
けれども、経済的および/または美的な理由のために、
例えば情報を処理するすべての電子装置をこのような室
または囲い内に置くことは必ずしも可能ではない。半透
明な遮蔽パネルが窓として役立つことができるようにし
た種々の代わりの提案が公知である。これ等のパネルは
、とりわけ、直接に大地に接続される導電性被覆を用い
ている。
このようなパネルは、電磁放射の伝達を抑止する。
例えば、英国特許公告公報第2064629号には、導
電性被覆を有するガラス板より成る電磁遮蔽板だけでな
く更に細かい導電性の織成されたメツシュを有するガラ
ス板も開示されている。
電磁放射の必要な減衰を得るために、被覆とメツシュが
大地に接続されることが不可欠であり、これは、被覆と
メツシュの両方の直接の物理的電気的接続によって行わ
れる。
このタイプのパネルの欠点は、該パネルを通しての透視
性が導電性メツシュによって損なわれることである。
欧州特許公開公報第222151号に開示された別の遮
蔽パネル装置では、改良された透視性が得られる。この
遮蔽パネルは、間隔をおいた一対のガラス板を有し、こ
れ等のガラス板は、該ガラス板の間のスペース内に張ら
れた状態で取付けられた一対の間隔をおいた平行な導電
性透明フィルムの反対側にある。このパネルもやはり両
導電性フィルムを直接な物理的電気的接続によって大地
に電気的に接続する必要がある。
英国特許公開公報第2205527号に開示された別の
遮蔽パネル装置では、パネルは、被覆が互いに内向きに
対面して、間隔をおいて対向した平行関係に配された2
つの導電性被覆ガラスが開示されている。この遮蔽パネ
ルは、電磁放射の良好な減衰を与え、同時に付加的に良
好な光質(opticalquality)を与えると
いう利点を有する。それでもやはり、大地との接続のた
めに被覆への接続を物理的電気的接続によってつくると
いう要求が依然として残るこの装置では、被覆自体との
直接の電気接続をつくる導電性ワイヤメツシュによって
これを達成している。
電磁遮蔽パネルは幾つかの一般的な種類に分けられる、
すなわち、このパネルは、間隔をおいた平行な2つのガ
ラス板の間に空気またはガスを有するダブルグレーズド
タイプ(double glazed type)とす
ることができ、または2つの平行なガラスの間に挟まれ
たプラスチック中間層を有する積層タイプのものとする
ことができる。パネルはこれ等の両タイプの組合せとす
ることもできる。
−船釣に言って、導電性の被覆または透明フィルムが用
いられ、このような被覆または透明フィルムのデリケー
トな性質のために、これ等を損傷から守る必要がある。
したがってこのような被覆またはフィルムはパネル内で
内向きに面するのが普通で、例えばガラス外板によって
保護することができる。
このタイプの構造の結果、内部の被覆または透明フィル
ムへの良好な直接の物理的電気的接続をつくるという問
題が常に存するが、このことは、状況によっては極めて
困難で且つ製造が高くつくことがある0例えば、ダブル
グレーズド構造では接続手段が周辺シールを逆に損なう
ことがある。
(発明が解決しようとする課題) 本発明の目的は、前述した欠点を克服し、電磁放射に有
効な減衰を与え、更に良好な光質を有する電磁遮蔽パネ
ルを得ることにある。
(課題を解決するための手段) 上記の目的を達成するために、本発明は、夫々独立した
ガラスまたはプラスチックの第1および第2の板を有し
、これ等の第1および第2の板は夫々その内部主表面と
外部表面とを有し、間隔をおいて対向して平行関係に位
置され、第1および第2導電性被覆を有する、電磁遮蔽
パネルにおいて、第1導電性被覆はガラスまたはプラス
チックの第1の板の外部主表面上に位置し、第2導電性
被覆はガラスまたはプラスチックの第1の板と第2の板
の間に位置し、第2導電性被覆は、パネルの使用時間、
第1導電性被覆を大地に接続させるための該第1導電性
被覆への直接の電気接続が第2導電性被覆の大地への接
続も与えて遮蔽パネルの通路内で有効な電磁放射の減衰
を与えると同時に良好な光質を与えるように、第1導電
性被覆に電気的に結合されたことを特徴とするものであ
る。
第2導電性被覆は、ガラスまたはプラスチックの第1の
板または第2の板の主表面上に位置することができ、ガ
ラスまたはプラスチックの第1の板の第1導電性被覆と
反対の内部主表面に位置する場合は、ガラスまたはプラ
スチックの第2の板は、透明なガラスまたはプラスチッ
クか或いは第1導電性被覆に相当する被覆を有する被覆
ガラスを有して、a)6mmから20mmの範囲内とす
ることができる板間の空気またはガススペースを有する
ダブルグレーズドパネルを形成するか、またはb)ガラ
スまたはプラスチックの板の間にO,,38mmと1閣
の間の厚さを有することのできるプラスチック中間層を
有する積層を形成することができる。
第2導電性被覆がガラスまたはプラスチックの第2の板
の内部主表面上に位置する場合には、ガラスまたはプラ
スチックの第2の板はガラスまたはプラスチックの第1
の板より離されて、a) 6 mmから20mmの範囲
内にあることのできる空気またはガススペースを有する
ダブルグレーズドパネルを形成するか、或いはb)ガラ
スまたはプラスチックの板の間に0.38IIIflI
と1mmの間の厚さを有することのできるプラスチック
中間層を有する積層を形成するのが好ましい。
ガスまたは空気スペースは12mmで、プラスチック中
間層は0.5mmの厚さを有するのが好ましい。
第1導電性被覆は、透明な耐摩耗性被覆であるのが好ま
しく、この被覆は、半導体金属酸化物例えば錫ドープイ
ンジウム酸化物またはドープされた錫酸化物が便利であ
る。熱分解技術によりつくられた弗素ドープ錫酸化物被
覆はこの目的に立派に適している。
150nmから100On+a、好ましくは300nm
から400nmの厚さの半導体金属酸化物を通常有する
透明な耐摩耗性被覆は、例えば英国特許公告公報第20
31756号または同第2015983号に記載された
ような1つまたはそれ以上の色抑制下層(colour
 supressingunder−1ayer)を有
することもできる。
第2導電性被覆は10nn+と50nmの間の厚さを有
する銀層が好ましいが、金または銅層でもよい。少なく
とも15nmの厚さを有する銀層を用いると、導電性被
覆を5オーム毎スケヤ(Ω/口)のシート抵抗にするこ
とができる。5オーム毎スケヤよりも低いシート抵抗を
与えるために、導電性被覆は少なくとも22.5nmの
厚さの銀層を有するのが好ましい。
より厚い銀層はより高くつき、またこのような厚い被覆
は光の透過を悪くするので、銀層は40nmよりも薄い
厚さを有するのが好ましい。好ましい被覆は、10 n
、+aから30nmの範囲内の厚さを有する銀層である
。被覆ガラスの光透過を強めるために、銀層を金属酸化
物の反射防止層の間に挟むことができる。この金属酸化
物は、チタン酸化物、錫酸化物、インジウム錫酸化物、
亜鉛酸化物およびビスマス酸化物より選ぶことができる
0反射防止層の厚さは20nn+から70nmの範囲内
にあるのが好ましい0反射防止層に対して錫酸化物を用
いるのが好ましく、この錫酸化物は、最適の光透過のた
めに、錫層の厚さに応じて30nmから50nmの範囲
内の厚さを夫々有するのが好ましい。
遮蔽パネルは、大地に電気的に接続された導電性支持手
段内に支持されるのが好ましい。直接の物理的電気的接
続は、第1導電性被覆と前記の支持手段の間に挟まれた
周辺の導電性の圧縮可能な手段によって第1導電性被覆
から支持手段に形成されるのが好ましい。この導電性の
圧縮可能な手段は、金属添加ゴムタイプのガスケットが
好ましく、或いは亜鉛金属メツシュタイプのガスケット
でもよい。
第2導電性被覆は、容量性手段によって第1導電性被覆
と電気的に結合されるのが好ましい。
以上述べた遮蔽パネルは、30MHzから20GQzの
範囲内の周波数を有する電磁放射に対する光半透明遮蔽
として特に適している。
(実施例) 以下に本発明を添付の図面を参照して実施例で更に詳し
く説明する。
図に関しては、簡単のために図中の同様の構成要素(第
1図から第5図を構成する)に−は同し符号を用いであ
ることを了解され度い。
考慮した実施例において、2つの遮蔽パネル1および2
 (第1図および第2図)は市販の低放射率タイプの被
覆ガラスを用いている。一方のタイプは、例えば金属酸
化物の反射防止層7と8の間に挟まれた銀層6を有する
半透明の導電性被覆で被覆された3閣から5mmの透明
フロートガラス板5を有する(英国特許公告公報第21
29831号参照)。
このタイプの被覆ガラスは、KAPPAFLO^Tの商
品名で英国のセントへレンズ(ST、HELENS)の
PILKING−TON GLASS LIM、ITE
Dより市販されている。ガラスの導電率は銀層の厚さに
依存し、2.5または10オーム毎スケヤのオーダーに
することができる。
少な(とも15nmの厚さを有する銀層を用いると5オ
ーム毎スケヤ以下のシート抵抗を有する被覆を得ること
ができる。好ましい被覆は、更に低いシート抵抗を与え
るため少なくとも22.5nmO層厚の被覆を有する。
あいにくなことに、銀層があつければそれだけ被覆のコ
ストが高くなり、被覆ガラスの光の透過が悪くなる。し
たがって、銀層は40nmより薄い厚さを有するのが好
ましい。特に好ましい被覆は10nmから30np+の
範囲内の厚さの銀層を有する被覆である。
前述したように、銀層を酸化金属の反射防止層で挟むこ
とができ、この場合この外層は銀を保護するのに役立つ
。使用することのできる金属酸化物の例は、チタン酸化
物、錫酸化物、インジウム錫酸化物、亜鉛酸化物および
ビスマス酸化物を含む。反射防止層は一般に夫々20n
mから70nmの範囲内の厚さを有する。反射防止層に
対しては錫酸化物を用いるのが好ましく、最適な光透過
のために、この錫酸化物は、銀層の厚さに応じて30n
mから50nmの範囲内の・厚さを有する。
他方のタイプの低放射率被覆ガラスは、半導体金属酸化
物層10、例えば錫ドープインジウム酸化物またはドー
プされた錫酸化物を有する。熱分解技術によってつくら
れた弗素ドープ錫酸化物被覆を有するガラスが市販され
ており、この用途に使用するのに適している。このタイ
プの被覆ガラスは、PILKINGTON K−GLA
SSの商品名で英国セントへレンズのPILKINGT
ON GLASS LIMITEI)より市販されてい
る。この被覆の導電性は、存するドーパントの性質およ
び割合と被覆の厚さに依存する。現在市販されている1
つのPILKINGTON K−GLASSは17オー
ム毎スケヤのオーダーの導電性を有する。
2つの遮蔽パネル3および4 (第3図および第4図)
は耐摩耗導電性被覆をそなえた板を有し、この板は、そ
の耐摩耗性被覆10と反対の主表面に、ニュートラル(
neutral) KAPPAPLO^T低放射率被覆
ガラスに組込まれたのと同様の被覆6.7および8を付
加的に有する。この被覆は、板の間に611II11か
ら20−の範囲内のスペースを有するダブルグレーズド
遮蔽パネル3においては、透明フロートガラスかまたは
耐摩耗性被覆を有するガラス板で保護され、また積層遮
蔽パネル4においては、透明フロートガラス11かまた
は耐摩耗性被覆を有するガラス板と0.38amと1m
mの範囲内の厚さを有するプラスチック中間層とによっ
て保護される。
考慮された実施例においては、遮蔽パネル1゜2.3お
よび4の構造に用いられるガラス板(被覆されまたはそ
うでない)は1m平方の寸法で、大地已に直接接続され
た導電性支持フレーム14内に取付けられる。
第1図から第5図より、すべての遮蔽パネル1゜2.3
.4およびP5は、耐摩耗性被覆を有する少なくとも1
つの基本的な被覆ガラス板を該被覆を外向きにして有す
るものであることを理解され度い。外側被覆10との周
辺まわりの直接の物理的電気的接続は、被覆ガラス板9
,10の周辺と導電性支持フレーム14間に挟まれた周
辺の導電性の圧縮性ガスケット15によって行うのが便
利である。
このガスケット15は、金属添加ゴムタイプまたは細か
い金属メツシュタイプが便利であろう。
内部被覆6.7および8の電気的接続は、便宜上パネル
2とパネル4に略図的に示した2つの被覆間に存する分
布内部キャパシタンスCによって行われる。実際に、内
部被覆は、ガスケット15を経て支持フレーム14に次
いで大地已に直接電気的に接続された外側被覆と有効に
容量結合される。
電磁放射の主な減衰は、パネルの第1導電性被覆におけ
る電磁波の反射による。これは到来波のインピーダンス
(″遠距離界(Far Field)’における377
オームは放射源ESよりのλ/2π よりも大きい)と
被覆の組合せインピーダンスの不整合の結果行われる。
別の減衰は、ガラスの導電性被覆内の多重反射の結果帯
られる。減衰はまた、ガラスを実際よりも逼かに厚く見
せる多重反射のため電磁波の通路長が著しく増加される
ガラス自体内の吸収損失にもよる。このような多重反射
を便宜上第1図に2つの被覆間を延在する破線RPで略
図的に示しである(このような多重反射は他の図示のパ
ネルにも第1図と同様に生じる)。
考慮された実施例においてパネルの光反射と光透過が測
定され、パネルの表面に垂直な伝達路TPに沿って通る
電磁放射ERの透過に対する減衰すなわち遮蔽効果が5
0MHzから10GHzの範囲内の周波数にわたって測
定された。
以下に例を挙げるが、本発明はこれに限定さるものでは
ない。
パネルはダブルグレーズドタイプで、周辺シール13で
分離されて間隔をおいて平行関係に配設された2つの被
覆ガラスを有する。第1の板は、例えば外側に面する被
覆を有するPILKINGTON K−GLASSで、
第2の板は、パネルの内側に面する被覆を存するニュー
トラルKAPPAPLOATガラスである。
このニュートラルKAPPAFLOATガラス板の銀層
の厚さは15nmのオーダーで、15オーム毎スケヤの
導電性(シート抵抗)を与える。外部被覆の導電性は1
7オーム毎スケヤのオーダーである。パネル間のスペー
スの寸法は12mmのオーダーである。
得られた結果は次の通りであった: 光反射  14% 光透過  70% 遮蔽効果   32db U パネル2は積層タイプで、パネル1に対して述べたタイ
プの2つの被覆ガラス板を有する。これ等の2つの被覆
ガラス板は、0.5na厚のポリビニルブチラール中間
層12を用いて一緒に積層されている。ニュートラルK
APPAFLOAT板の銀層の厚さは、2オーム毎スケ
ヤの導電性(シート抵抗)を与える22.5naのオー
ダーのものである。外側被覆の導電性は17オーム毎ス
ケヤのオーダーである。
得られた結果は次の通りであった: 光反射  42% 光透過  40% 遮蔽効果   37db 五−主 パネル3はダブルグレーズドタイプのパネルであるが、
この構造は、前に説明したように、PIL−KINGT
ON K−GLASS被覆ガラスは、その耐摩耗性被覆
10と反対の主表面にニュートラルにAPPAFLOA
T低放射率被覆ガラスと同じ被覆6.7および8を有す
る。耐摩耗性被覆の導電性は17オーム毎スケヤのオー
ダーで、一方眼層の厚さは15nmで、5オーム毎スケ
ヤの導電性を与える。内部被覆は、周辺シール13によ
り該内部被覆から12mm間隔をおいて透明ガラス板1
1によって保護されている。
得られた結果は次の通りであった: 光反射  15% 光透過  67% 遮蔽効果   37db この例において2オーム毎スケヤの導電性を与える22
.5nmの厚さの銀層を用いた場合には次の結果が得ら
れた: 光反射  35% 光透過  47% 遮蔽効果   50db 例−」ユ パネル4はパネル3の積層構造で、0.5mm厚のポリ
ビニルチラール中間層12によって相違するだけである
。2つの異なる導電性被覆ガラスが試験され、その結果
は次の通りであった:a)  2オーム毎スケヤ 光反射  40% 光透過  43% 遮蔽効果   40db b) 5オーム毎スケヤ 光反射  20% 光透過  60% 遮蔽効果   35db 炎−工 この例は第5図に関するものである。この例のパネルの
構造は、透明ガラスの板がP ILK INGTONK
−GLASSの板に代えられた以外はパネル3 (第3
図)と同じである。したがって、この例のパネルは2つ
のPILKINGTON K−GLASSの板を有する
。−方のPILKINCTON K−GLASSの板は
、その耐摩耗性被覆10と反対の主表面にKAPPAF
LOAT低放射率被覆ガラスと同じ被覆6.7および8
を有する。耐摩耗性被覆の導電性は17オーム毎スケヤ
のオーダーで、一方銀屡の厚さは22.5nmで、2オ
ーム毎スケヤの導電性を与える。内部被覆は、周辺シー
ル13により該内部被覆より12薗間隔をおいてPIL
KI−NGTON K−GLASS 9の板によって保
護されている。
得られた結果は次の通りであった: 光反射  35% 光透過  44% 遮蔽効果   55db パネルの横層構造(第4図)において、透明ガラスの代
わりにPILKINGTON K−GLASSを用いる
ことにより、改良された効果を生じる更に別の構造が得
られることは当業者にとって明らかであろう。
内部導電性被覆は、ガラスの表面に位置させる代わりに
別個のプラスチック材料に組込まれた導電性被覆の形を
とることができることも当業者にとって明らかであろう
。例えば、ポリビニルブチラール中間層12に金属化ポ
リエステルフィルムを組込むことも可能であろう。
本発明の重要な利点は、第1導電性被覆として第1のガ
ラス板の外側主表面上に透明耐摩耗導電性被覆を用いる
ことにより、またこの被覆と第2導電性被覆間の強めら
れた容量結合Cによることによって、ガラス板の間で被
覆に回答特別な接続部をつくることなしに、板の間に保
護された第2の摩耗し易い導電性被覆(例えば銀層より
成る被覆)を有効にアースすることが可能であるという
ことである。
このことより生じる主な利点は、ダブルグレーズド構造
においてパネルの周辺まわりすべてにはぎ返し、周辺部
のシールを著しく改良することができるということであ
る。パネルは更に電磁放射の減衰に著しい改良を与える
。したがって、銀被覆を適当に選ぶことにより、本発明
の電磁遮蔽パネルにより改良された減衰係数と共に良好
な光質を得ることが可能である。
以上本発明をガラス板を用いて説明し且つ図解してきた
が、透明なプラスチック板を用いて同様な結果を得るこ
とも可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるダブルグレーズドタイプの電磁遮
蔽パネルの実施例の断面図、 第2図は本発明による積層タイプの電磁遮蔽パネルの実
施例の断面図、 第3図はダブルグレーズドタイプの別の実施例の断面図
、 第4図は積層タイプの別の実施例の断面図、第5図はダ
ブルグレーズドタイプの更に別の実施例の断面図である
。 5.11・・・第2のガラスまたはプラスチックの板6
.7.8・・・第2導電性被覆 9・・・第1のガラスまたはプラスチックの板10・・
・第1導電性被覆 12・・・プラスチック中間層 13・・・周辺シール 14・・・導電性支持手段 15・・・ガスケット

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.夫々独立したガラスまたはプラスチックの第1およ
    び第2の板を有し、これ等の第1および第2の板は夫々
    その内部主表面と外部表面とを有し、間隔をおいて対向
    して平行関係に位置され、第1および第2導電性被覆を
    有する、電磁遮蔽パネルにおいて、第1導電性被覆(1
    0)はガラスまたはプラスチックの第1の板(9)の外
    部主表面上に位置し、第2導電性被覆(6,7,8)は
    ガラスまたはプラスチックの第1の板(9)と第2の板
    (5,11)の間に位置し、第2導電性被覆(6,7,
    8)は、パネルの使用時間、第1導電性被覆(10)を
    大地(E)に接続させるための該第1導電性被覆への直
    接の電気接続が第2導電性被覆(6,7,8)の大地(
    E)への接続も与えて遮蔽パネルの通路内で有効な電磁
    放射の減衰を与えると同時に良好な光質を与えるように
    、第1導電性被覆(10)に電気的に結合されたことを
    特徴とする電磁遮蔽パネル。
  2. 2.第2導電性被覆(6,7,8)は、ガラスまたはプ
    ラスチックの第1の板(9)の第1導電性被覆と反対の
    内部主表面上に位置し、ガラスまたはプラスチックの第
    2の板は透明なガラスまたはプラスチックより成る請求
    項1記載の電磁遮蔽パネル。
  3. 3.第2導電性被覆(6,7,8)は、ガラスまたはプ
    ラスチックの第1の板(9)の第1導電性被覆(10)
    と反対の内部主表面上に位置し、第2のガラスまたはプ
    ラスチックの板(9)は、第1導電性被覆(10)に相
    当する被覆を有する被覆ガラスより成る請求項1記載の
    電磁遮蔽パネル。
  4. 4.第2導電性被覆(6,7,8)は、ガラスまたはプ
    ラスチックの第2の板(5)の内部主表面上に位置する
    請求項1記載の電磁遮蔽パネル。
  5. 5.遮蔽パネルは、ガラスまたはプラスチックの板の間
    に空気或いはガススペースを有するダブルグレーズドパ
    ネル(1,3)である請求項1乃至4の何れか1項記載
    の電磁遮蔽パネル。
  6. 6.空気またはガススペースは6mmから20mmの範
    囲内にある請求項5記載の電磁遮蔽パネル。
  7. 7.空気またはガススペースは12mmである請求項5
    記載の電磁遮蔽パネル。
  8. 8.遮蔽パネルは、ガラスまたはプラスチック中間層(
    12)を有する積層である請求項1ないし4の何れか1
    項記載の電磁遮蔽パネル。
  9. 9.プラスチック中間層(12)は0.38mmと1m
    mの間の厚さを有する請求項8記載の電磁遮蔽パネル。
  10. 10.プラスチック中間層(12)は0.5mmの厚さ
    を有する請求項8記載の電磁遮蔽パネル。
  11. 11.第1導電性被覆(10)は透明な耐摩耗性被覆を
    有する請求項1乃至10の何れか1項記載の電磁遮蔽パ
    ネル。
  12. 12.透明な耐摩耗性被覆(10)は半導体金属酸化物
    より成る請求項11記載の電磁遮蔽パネル。
  13. 13.半導体金属酸化物は錫ドープインジウム酸化物よ
    り成る請求項12記載の電磁遮蔽パネル。
  14. 14.半導体金属酸化物はドープされた錫酸化物より成
    る請求項12記載の電磁遮蔽パネル。
  15. 15.半導体金属酸化物は、熱分解技術でつくられた弗
    素ドープ錫酸化物より成る請求項12記載の電磁遮蔽パ
    ネル。
  16. 16.透明な耐摩耗性被覆(10)の厚さは150nm
    と1000nmの間にある請求項11記載の電磁遮蔽パ
    ネル。
  17. 17.第2導電性被覆(6,7,8)は、10nmと5
    0nmの間の厚さを有する銀層(6)である請求項1乃
    至16の何れか1項記載の電磁遮蔽パネル。
  18. 18.第2導電性被覆(6,7,8)は、少なくとも1
    0nmの厚さを有する銀層(6)である請求項1乃至1
    6の何れか1項記載の電磁遮蔽パネル。
  19. 19.第2導電性被覆(6,7,8)は、少なくとも1
    5nmの厚さを有する銀層(6)である請求項1乃至1
    6の何れか1項記載の電磁遮蔽パネル。
  20. 20.第2導電性被覆(6,7,8)は、少なくとも2
    2.5nmの厚さを有する銀層(6)である請求項1乃
    至16の何れか1項記載の電磁遮蔽パネル。
  21. 21.銀層(6)は金層酸化物の反射防止層(7,8)
    の間に挟まれた請求項17乃至20の何れか1項記載の
    電磁遮蔽パネル。
  22. 22.反射防止層は錫酸化物(7,8)より成る請求項
    21記載の電磁遮蔽パネル。
  23. 23.各錫酸化物反射層(7,8)は30nmから50
    nmの範囲内の厚さを有する請求項22記載の電磁遮蔽
    パネル。
  24. 24.遮蔽パネルは、大地(E)に接続可能な導電性支
    持体(14)内に支持された請求項1乃至23の何れか
    1項記載の電磁遮蔽パネル。
  25. 25.直接な物理的電気的接続は、第1導電性被覆(1
    0)と支持体(14)の間に挟まれた周辺の導電性の圧
    縮可能な手段(15)によって、第1導電性被覆から支
    持体につくられる請求項24記載の電磁遮蔽パネル。
  26. 26.導電性の圧縮可能な手段(15)は、金属添加ゴ
    ムガスケットより成る請求項25記載の電磁遮蔽パネル
  27. 27.導電性の圧縮可能な手段(15)は、金属メッシ
    ュガスケットより成る請求項25記載の電磁遮蔽パネル
  28. 28.第2導電性被覆(6,7,8)は容量性手段(c
    )によって第1導電性被覆と電気的に結合され、前記の
    容量性手段(C)は、第1導電性被覆(10)と第2導
    電性被覆(6,7,8)の間に存する分布内部キャパシ
    タンスより成る請求項1乃至27の何れか1項記載の電
    磁遮蔽パネル。
  29. 29.パネルは、30MHzから20GHzの範囲内の
    周波数を有する電磁放射に対する光半透明遮蔽として役
    立つ請求項1乃至28の何れか1項記載の電磁遮蔽パネ
    ル。
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