JPH03136202A - サーミスタ素子の製造法 - Google Patents
サーミスタ素子の製造法Info
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- JPH03136202A JPH03136202A JP27414189A JP27414189A JPH03136202A JP H03136202 A JPH03136202 A JP H03136202A JP 27414189 A JP27414189 A JP 27414189A JP 27414189 A JP27414189 A JP 27414189A JP H03136202 A JPH03136202 A JP H03136202A
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- solder
- thermistor
- solder layer
- wafer
- lead wire
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は家電機器、住設機器、医療機器、自動車機器な
どの１品度センサとして用いられ、とくに小さなスペー
スに装着することが可能な小型のサーミスタ素子の製造
法に関するものである。
どの１品度センサとして用いられ、とくに小さなスペー
スに装着することが可能な小型のサーミスタ素子の製造
法に関するものである。
従来の技術
従来、この種のサーミスタ素子は、第２図ａ。
ｂに示すような構造、工程で製造されており、第２図Ｃ
に示すようなサーミスタチップを用いていた。すなわち
、円柱状に焼成されたサーミスタをスライシングソーに
より厚さ２００〜５００μｍのウェハ状に切りだし、Ａ
ｇまたはＡｇ−Ｐｄ系のペーストを前記ウェハの両面に
印刷し焼き付け、前記ウェハを半田層の半田液面に対し
垂直に浸漬させ引き上げることで、前記ウェハ電極面に
半田層を形成した後、グイシングツ−により３００〜７
００μｍ角のチップ形状に切断する。さらに、一端を半
田アゲした二本のポリウレタンで被覆した銅線からなる
リード線２を前記サーミスタチップ１の両面電極５上に
形成した半田層４に接触させ、ヒータで前記リード線を
加圧しつつ加熱することで接続させた後、エポキシ樹脂
３で前記リード線の一部を除く全体をコーティングする
ようにしていた。
に示すようなサーミスタチップを用いていた。すなわち
、円柱状に焼成されたサーミスタをスライシングソーに
より厚さ２００〜５００μｍのウェハ状に切りだし、Ａ
ｇまたはＡｇ−Ｐｄ系のペーストを前記ウェハの両面に
印刷し焼き付け、前記ウェハを半田層の半田液面に対し
垂直に浸漬させ引き上げることで、前記ウェハ電極面に
半田層を形成した後、グイシングツ−により３００〜７
００μｍ角のチップ形状に切断する。さらに、一端を半
田アゲした二本のポリウレタンで被覆した銅線からなる
リード線２を前記サーミスタチップ１の両面電極５上に
形成した半田層４に接触させ、ヒータで前記リード線を
加圧しつつ加熱することで接続させた後、エポキシ樹脂
３で前記リード線の一部を除く全体をコーティングする
ようにしていた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、このような従来の製造法では、以下に記
す問題点があった。
す問題点があった。
゛す′−ミスタウＬハを半田層の半田液面に対し垂直に
浸漬させ引き」−げることでウェハ電極面に半ＩＩＩ層
を形成している為、ウェハ内の半田厚さｔ２のバラツキ
が５〜６０μｍと大きい。つまり、ウェハ引き上げ時に
半田がウェハ下部に溜まるために起きる現免であり、半
田厚さとリード線の接続強度は比例関係にあるため、半
田厚さのバラツキが大きいとリード線の接続強度バラツ
」；も大きくなり、安定した品質を保証できない。
浸漬させ引き」−げることでウェハ電極面に半ＩＩＩ層
を形成している為、ウェハ内の半田厚さｔ２のバラツキ
が５〜６０μｍと大きい。つまり、ウェハ引き上げ時に
半田がウェハ下部に溜まるために起きる現免であり、半
田厚さとリード線の接続強度は比例関係にあるため、半
田厚さのバラツキが大きいとリード線の接続強度バラツ
」；も大きくなり、安定した品質を保証できない。
本発明はこのような問題点を解決するもので、ｊ−ド純
の接続強度バラツギを小さくすることで安定した品質を
保証し、かつ、高信頼性のサーミスタ素子を提供するこ
とを目的とするものである。
の接続強度バラツギを小さくすることで安定した品質を
保証し、かつ、高信頼性のサーミスタ素子を提供するこ
とを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明のサーミスタの製造
法は、対向する両面に電極を形成したサーミスタウェハ
を半田層に浸漬させた後、半田の融点以上の温度の乾燥
器中にサーミスタウェハを水平に保持することにより電
極上に半田層を形成する工程を備えたことを特徴とする
ものである。
法は、対向する両面に電極を形成したサーミスタウェハ
を半田層に浸漬させた後、半田の融点以上の温度の乾燥
器中にサーミスタウェハを水平に保持することにより電
極上に半田層を形成する工程を備えたことを特徴とする
ものである。
作用
本発明によれば、サーミスタウェハを半田層に浸漬させ
た後、半田の融点以上の温度の乾燥器中にサーミスタウ
ェハを水平に保持するために電極上に均一な厚さの半田
層を形成することができ、リード線の接続強度のバラツ
キを小さくすることが可能となる。従って、安定した品
質を保証し、かつ、高信頼性を有するサーミスタ素子を
提供することができる。
た後、半田の融点以上の温度の乾燥器中にサーミスタウ
ェハを水平に保持するために電極上に均一な厚さの半田
層を形成することができ、リード線の接続強度のバラツ
キを小さくすることが可能となる。従って、安定した品
質を保証し、かつ、高信頼性を有するサーミスタ素子を
提供することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、第１図ａ。
ｂおよびＣを説明する。
第１図ａ、ｂおよびＣは本発明の一実施例によるサーミ
スタ素子の断面図、工程図、およびサーミスタチップの
断面図であり、円柱状に焼成されたサーミスタをスライ
シングソーにより厚さ２００〜５００μｍのウェハ状に
切りだし、ＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ系のペーストを前記ウ
ェハの両面に印刷し焼き付けて電極５を形成した。前記
ウェハを２２０〜２６０℃に設定した半田層の半田液面
に対し垂直に浸漬させ、約４０ｍｍ／ｓｅｃのスピード
で引き上げ、かつ、２２０〜２６０℃に設定した乾燥器
中にサーミスタウェハを水平に保持することてウェハ電
極面に均一な厚さを有する半田層を形成した。その後、
グイシングツ−により３００〜７００μｍ角のチップ形
状に切断した。さらこ、一端を半田アゲしたφ０，２（
財）程度の二本のポリウレタンで被覆した銅線からなる
リード線２をサーミスタデツプ１の両面の電極５上に形
成した半田層４に接触させ、モリブデンからなる抵抗加
熱式ヒータで前記リード線を加圧しつつ２２０〜２６０
℃で１１０熱することでリード線の半田とサーミスタデ
ツプの半田を互いに溶融することで接続した。しかる後
、エポキシ樹脂３で前記リード線の一部を除く全体をコ
ーティングした。ここで、第１表に従来例および本実施
例における半田層形成後のウェハ内の半田厚さおよびリ
ード線剥離強度を示す。
スタ素子の断面図、工程図、およびサーミスタチップの
断面図であり、円柱状に焼成されたサーミスタをスライ
シングソーにより厚さ２００〜５００μｍのウェハ状に
切りだし、ＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ系のペーストを前記ウ
ェハの両面に印刷し焼き付けて電極５を形成した。前記
ウェハを２２０〜２６０℃に設定した半田層の半田液面
に対し垂直に浸漬させ、約４０ｍｍ／ｓｅｃのスピード
で引き上げ、かつ、２２０〜２６０℃に設定した乾燥器
中にサーミスタウェハを水平に保持することてウェハ電
極面に均一な厚さを有する半田層を形成した。その後、
グイシングツ−により３００〜７００μｍ角のチップ形
状に切断した。さらこ、一端を半田アゲしたφ０，２（
財）程度の二本のポリウレタンで被覆した銅線からなる
リード線２をサーミスタデツプ１の両面の電極５上に形
成した半田層４に接触させ、モリブデンからなる抵抗加
熱式ヒータで前記リード線を加圧しつつ２２０〜２６０
℃で１１０熱することでリード線の半田とサーミスタデ
ツプの半田を互いに溶融することで接続した。しかる後
、エポキシ樹脂３で前記リード線の一部を除く全体をコ
ーティングした。ここで、第１表に従来例および本実施
例における半田層形成後のウェハ内の半田厚さおよびリ
ード線剥離強度を示す。
〈第１表〉
サーミスタチップ電極面積二ロ４００μｍリード線接続
温度：２４０℃ 第１表かられかるように、従来例に対し本実施例は半田
厚さｔｌ、リード線剥離強度ともバラツキが小さくなっ
ていることがわかる。
温度：２４０℃ 第１表かられかるように、従来例に対し本実施例は半田
厚さｔｌ、リード線剥離強度ともバラツキが小さくなっ
ていることがわかる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、サーミスタウェハを半田
層に浸漬させた後、半田の融点以上の温度の乾燥器中に
サーミスタウェハを水平に保持するために電極上に均一
な厚さの半田層を形成することができ、リード線の接続
強度バラツキを小さくすることが可能となる。従って、
安定した品質を保証し、かつ、高信頼性を有するサーミ
スタ素子を提供することができる。
層に浸漬させた後、半田の融点以上の温度の乾燥器中に
サーミスタウェハを水平に保持するために電極上に均一
な厚さの半田層を形成することができ、リード線の接続
強度バラツキを小さくすることが可能となる。従って、
安定した品質を保証し、かつ、高信頼性を有するサーミ
スタ素子を提供することができる。
第１図ａ、ｂおよびＣは本発明の一実施例によるサーミ
スタ素子の断面図、工程図およびサーミスタチップ断面
図、第２図ａ、ｂおよびＣは従来のサーミスタ素子を示
す断面図、工程図、およびサーミスタチップ断面図であ
る。 ■・・・・・・サーミスタチップ、２・・・・・・ポリ
ウレタンで被覆した銅線よりなるリード線、３・・・・
・・エポキシ樹脂、４・・・・・・半田層、５・・・・
・・電極。
スタ素子の断面図、工程図およびサーミスタチップ断面
図、第２図ａ、ｂおよびＣは従来のサーミスタ素子を示
す断面図、工程図、およびサーミスタチップ断面図であ
る。 ■・・・・・・サーミスタチップ、２・・・・・・ポリ
ウレタンで被覆した銅線よりなるリード線、３・・・・
・・エポキシ樹脂、４・・・・・・半田層、５・・・・
・・電極。
Claims (1)
- 対向する両面に電極を形成したサーミスタウェハを半田
槽に浸漬させた後に半田の融点以上の温度の乾燥器中に
前記サーミスタウェハを水平に保持することにより前記
電極上に半田層を形成し、ダイシングソーにより前記サ
ーミスタウェハをチップ形状に切断し、さらに前記サー
ミスタチップの両面の半田層にそれぞれ接触させた一端
を半田で被覆した前記リード線を加圧しつつ加熱するこ
とにより接続し、しかる後、前記リード線の一部を除く
全体を樹脂材料でコーティングすることを特徴とするサ
ーミスタ素子の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27414189A JPH03136202A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | サーミスタ素子の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27414189A JPH03136202A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | サーミスタ素子の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03136202A true JPH03136202A (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=17537597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27414189A Pending JPH03136202A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | サーミスタ素子の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03136202A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100496450B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2005-06-20 | 엘에스전선 주식회사 | 인쇄회로기판의 표면실장형 전기장치 및 이를 제조하는 방법 |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP27414189A patent/JPH03136202A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100496450B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2005-06-20 | 엘에스전선 주식회사 | 인쇄회로기판의 표면실장형 전기장치 및 이를 제조하는 방법 |
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