JPS6326545B2 - - Google Patents
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- JPS6326545B2 JPS6326545B2 JP10894779A JP10894779A JPS6326545B2 JP S6326545 B2 JPS6326545 B2 JP S6326545B2 JP 10894779 A JP10894779 A JP 10894779A JP 10894779 A JP10894779 A JP 10894779A JP S6326545 B2 JPS6326545 B2 JP S6326545B2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
- H01L23/057—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H05K3/3431—Leadless components
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法、特に蓋部材に
半田が付着しにくい耐熱性樹脂を塗布する工程に
関するものである。
半田が付着しにくい耐熱性樹脂を塗布する工程に
関するものである。
実装基板にリード細線を使用することなく接続
固着される半導体装置の１つであるLID
（Leadless Inverted Device）の製造方法におい
ては、半導体素子を収容容器と蓋部材を用いて気
密封止した後、LIDとこのLIDを実装する基板と
を電気的に接続させる物質である半田（例えば
Pb−Sn合金等）の突起部を前記収容容器の一部
例えば壁部材に形成するために、LIDを半田浴槽
に浸漬する工程を有する。ところが通常蓋部材
は、半田が付着しやすい金属で構成されるか、絶
縁部材の表面が金属で被覆処理されて構成されて
いる。そのためLIDを半田浴槽につけた際、前記
突起部が形成されると共に蓋部材の表面にも半田
が付着してしまう。そのためこのLIDを実装する
基板にLIDを前記突起部を介して電気的に接続す
る場合、前記突起部とそれに対応する前記実装基
板上の電極とを位置合せして、加熱（約250〔℃〕）
により前記半田の突起部を溶かして接続するが、
その時蓋部材に付着した半田も溶けて流れ出し、
その半田を通じて電極間を短絡させるという欠点
がある。
固着される半導体装置の１つであるLID
（Leadless Inverted Device）の製造方法におい
ては、半導体素子を収容容器と蓋部材を用いて気
密封止した後、LIDとこのLIDを実装する基板と
を電気的に接続させる物質である半田（例えば
Pb−Sn合金等）の突起部を前記収容容器の一部
例えば壁部材に形成するために、LIDを半田浴槽
に浸漬する工程を有する。ところが通常蓋部材
は、半田が付着しやすい金属で構成されるか、絶
縁部材の表面が金属で被覆処理されて構成されて
いる。そのためLIDを半田浴槽につけた際、前記
突起部が形成されると共に蓋部材の表面にも半田
が付着してしまう。そのためこのLIDを実装する
基板にLIDを前記突起部を介して電気的に接続す
る場合、前記突起部とそれに対応する前記実装基
板上の電極とを位置合せして、加熱（約250〔℃〕）
により前記半田の突起部を溶かして接続するが、
その時蓋部材に付着した半田も溶けて流れ出し、
その半田を通じて電極間を短絡させるという欠点
がある。
本発明は上記従来の欠点を除去し、蓋部材の表
面に半田が付着しないようにすることを目的とす
るものである。
面に半田が付着しないようにすることを目的とす
るものである。
そしてこの目的は本発明によれば、半導体素子
を収容容器内に金属からなる蓋部材を用いて気密
封入し、前記収容容器の壁部材であつて前記蓋部
材の設けられた側の端面に半田パツドを形成し、
該半田パツドを実装基板の電極に電気的に接続す
る半導体装置において、前記蓋部材上に半田が付
着しにくい耐熱性樹脂を塗布した後、前記収容容
器の壁部材であつて前記蓋部材の設けられた側の
端面に半田パツドを形成する工程を含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法を提供することに
よつて達成される。
を収容容器内に金属からなる蓋部材を用いて気密
封入し、前記収容容器の壁部材であつて前記蓋部
材の設けられた側の端面に半田パツドを形成し、
該半田パツドを実装基板の電極に電気的に接続す
る半導体装置において、前記蓋部材上に半田が付
着しにくい耐熱性樹脂を塗布した後、前記収容容
器の壁部材であつて前記蓋部材の設けられた側の
端面に半田パツドを形成する工程を含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法を提供することに
よつて達成される。
以下本発明の一実施例を図面に従つて詳細に説
明する。第１図より第４図は本発明の一実施例の
説明図であり、本実施例はLID（Leadless
Inverted Device）を半田を介して実装基板に接
続する工程を示している。第１図は半導体素子２
をその収容容器１に塔載し、半導体素子２の電極
（図示せず）をボンデイングワイヤー３で収容容
器１内の導電層パターン４に接続し、該半導体素
子２を蓋部材５と収容容器１の壁部材６とにより
封止材７を介して封止したLIDの断面図を表わ
す。収容容器１は例えばセラミツク材から構成さ
れ、蓋部材５は金メツキされたコバール板から構
成される。なお８はビアホールでその内側の表面
には半田が被着しやすいように金属メツキ９が施
こしてありそれは導電層パターン４と導通してい
る。ただしこのビアホール８は一実施例であり、
ビアホール以外でも導電層パターンと導通するも
のが壁部材に設けられていればよい。本発明によ
れば第１図の状態のLIDに対して第２図のように
蓋部材５の表面に半田が付着しにくい耐熱性樹脂
（例えばポリイミド）１０を塗布する。次に壁部
材６に半田の突起部を設けるためにLIDを半田浴
槽（その温度は約250〔℃〕）につける。すると第
３図の様に壁部材６の上端部のビアホール端部に
半田の突起部１１が形成されると共に、ビアホー
ル８内にも半田が被着される。その際蓋部材５の
表面には、前記耐熱性樹脂１０が塗布されている
ため、従来の様に半田が被着することはない。こ
の時前記耐熱性樹脂は耐熱性により半田浴槽の温
度に対して耐えることができる。そして第４図の
様にLID１３の蓋部材５のある面を下にして、前
記突起部１１とそれに対応する基板１２の電極１
５とを位置合せして加熱（約250℃）し、前記半
田の突起部を溶かして電気的に接続することによ
りLID１３の実装基板１２上への実装を終える。
この時蓋部材５の表面に半田が被着していたなら
ば、その半田も溶けて流れて前記半田の突起部１
１と接続して電極１５間を短絡させるということ
が起こる。しかし本実施例では蓋部材５の表面に
半田は被着されないので上記のような短絡が起こ
ることはない。
明する。第１図より第４図は本発明の一実施例の
説明図であり、本実施例はLID（Leadless
Inverted Device）を半田を介して実装基板に接
続する工程を示している。第１図は半導体素子２
をその収容容器１に塔載し、半導体素子２の電極
（図示せず）をボンデイングワイヤー３で収容容
器１内の導電層パターン４に接続し、該半導体素
子２を蓋部材５と収容容器１の壁部材６とにより
封止材７を介して封止したLIDの断面図を表わ
す。収容容器１は例えばセラミツク材から構成さ
れ、蓋部材５は金メツキされたコバール板から構
成される。なお８はビアホールでその内側の表面
には半田が被着しやすいように金属メツキ９が施
こしてありそれは導電層パターン４と導通してい
る。ただしこのビアホール８は一実施例であり、
ビアホール以外でも導電層パターンと導通するも
のが壁部材に設けられていればよい。本発明によ
れば第１図の状態のLIDに対して第２図のように
蓋部材５の表面に半田が付着しにくい耐熱性樹脂
（例えばポリイミド）１０を塗布する。次に壁部
材６に半田の突起部を設けるためにLIDを半田浴
槽（その温度は約250〔℃〕）につける。すると第
３図の様に壁部材６の上端部のビアホール端部に
半田の突起部１１が形成されると共に、ビアホー
ル８内にも半田が被着される。その際蓋部材５の
表面には、前記耐熱性樹脂１０が塗布されている
ため、従来の様に半田が被着することはない。こ
の時前記耐熱性樹脂は耐熱性により半田浴槽の温
度に対して耐えることができる。そして第４図の
様にLID１３の蓋部材５のある面を下にして、前
記突起部１１とそれに対応する基板１２の電極１
５とを位置合せして加熱（約250℃）し、前記半
田の突起部を溶かして電気的に接続することによ
りLID１３の実装基板１２上への実装を終える。
この時蓋部材５の表面に半田が被着していたなら
ば、その半田も溶けて流れて前記半田の突起部１
１と接続して電極１５間を短絡させるということ
が起こる。しかし本実施例では蓋部材５の表面に
半田は被着されないので上記のような短絡が起こ
ることはない。
本実施例では蓋部材に半田が付着しにくい耐熱
性樹脂を塗布する場合、蓋部材より封止した後に
塗布したが、封止前に蓋部材に塗布しておいても
同様の効果が得られる。
性樹脂を塗布する場合、蓋部材より封止した後に
塗布したが、封止前に蓋部材に塗布しておいても
同様の効果が得られる。
また本実施例において、壁部材６に半田の突起
部１１を形成した後、前記耐熱性樹脂１０を取り
去つてもよい。しかし前記耐熱性樹脂１０を塗布
したままとすれば、LID１３を実装基板１２に半
田を介して電気的に接続するために加熱して半田
を軟化させた際に、蓋部材５に塗布されている前
記耐熱性樹脂１０により半田が蓋部材５へ流れて
電極１５間が短絡されるのを防ぐことができる。
部１１を形成した後、前記耐熱性樹脂１０を取り
去つてもよい。しかし前記耐熱性樹脂１０を塗布
したままとすれば、LID１３を実装基板１２に半
田を介して電気的に接続するために加熱して半田
を軟化させた際に、蓋部材５に塗布されている前
記耐熱性樹脂１０により半田が蓋部材５へ流れて
電極１５間が短絡されるのを防ぐことができる。
以上説明した様に本発明によれば、蓋部材の表
面に半田が付着しにくい耐熱性樹脂を塗布するこ
とにより蓋部材の表面に半田が付着しないで、実
装基板に実装した際の電極間の短絡を防ぐことが
できる。従つて半導体装置の製造歩留り、信頼性
を大幅に向上することができる。
面に半田が付着しにくい耐熱性樹脂を塗布するこ
とにより蓋部材の表面に半田が付着しないで、実
装基板に実装した際の電極間の短絡を防ぐことが
できる。従つて半導体装置の製造歩留り、信頼性
を大幅に向上することができる。
第１図は半導体装置の一例の構造を示す断面
図、第２図、第３図は本発明の製造方法を第１図
の半導体装置に対して実施した場合の説明のため
の図、第４図は上記半導体装置を基板上に実装し
た場合の斜視図である。 １：半導体素子の収容容器、２：半導体素子、
５：蓋部材、６：壁部材、１０：耐熱性樹脂、１
１：半田の突起部、１２：実装基板、１３：半導
体装置。
図、第２図、第３図は本発明の製造方法を第１図
の半導体装置に対して実施した場合の説明のため
の図、第４図は上記半導体装置を基板上に実装し
た場合の斜視図である。 １：半導体素子の収容容器、２：半導体素子、
５：蓋部材、６：壁部材、１０：耐熱性樹脂、１
１：半田の突起部、１２：実装基板、１３：半導
体装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体素子を収容容器内に金属からなる蓋部
材を用いて気密封入し、前記収容容器の壁部材で
あつて前記蓋部材の設けられた側の端面に半田パ
ツドを形成し、該半田パツドを実装基板の電極に
電気的に接続する半導体装置において、 前記蓋部材上に半田が付着しにくい耐熱性樹脂
を塗布した後、前記収容容器の壁部材であつて前
記蓋部材の設けられた側の端面に半田パツドを形
成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10894779A JPS5632749A (en) | 1979-08-27 | 1979-08-27 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10894779A JPS5632749A (en) | 1979-08-27 | 1979-08-27 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5632749A JPS5632749A (en) | 1981-04-02 |
| JPS6326545B2 true JPS6326545B2 (ja) | 1988-05-30 |
Family
ID=14497671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10894779A Granted JPS5632749A (en) | 1979-08-27 | 1979-08-27 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5632749A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5215458A (en) * | 1988-03-04 | 1993-06-01 | Bic Corporation | Child-resistant lighter with spring-biased, rotatable safety release |
| JPH03501647A (ja) * | 1988-07-01 | 1991-04-11 | スィブジェ ソシエテ アノニム | 安全ライター |
| US5456598A (en) * | 1988-09-02 | 1995-10-10 | Bic Corporation | Selectively actuatable lighter |
| US5002482B1 (en) * | 1988-09-02 | 2000-02-29 | Bic Corp | Selectively actuatable lighter |
| US5445518A (en) * | 1988-09-02 | 1995-08-29 | Bic Corporation | Selectively actuatable lighter |
| FR2705762B1 (fr) * | 1993-05-28 | 1995-08-18 | Hameur Cie | Sécurité de briquet. |
| US5558514A (en) * | 1994-05-27 | 1996-09-24 | Hameur Et Cie | Safety latch for a lighter |
-
1979
- 1979-08-27 JP JP10894779A patent/JPS5632749A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5632749A (en) | 1981-04-02 |
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