JP2000228457A - 半導体装置、その製造方法及びテープキャリア - Google Patents
半導体装置、その製造方法及びテープキャリアInfo
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- JP2000228457A JP2000228457A JP11029478A JP2947899A JP2000228457A JP 2000228457 A JP2000228457 A JP 2000228457A JP 11029478 A JP11029478 A JP 11029478A JP 2947899 A JP2947899 A JP 2947899A JP 2000228457 A JP2000228457 A JP 2000228457A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置のパッケージサイズがＩＣチップ
のサイズより大きくて、厚くなるという課題があった。 【解決手段】 ＩＣチップ１の主面を樹脂層２で樹脂封
止し、樹脂層２上に設けた外部接続用電極であるボール
３とＩＣチップ１に形成したパッド及びバンプとを、樹
脂層２を通してアウトプット用パターン４で導通をとる
ようにした。
のサイズより大きくて、厚くなるという課題があった。 【解決手段】 ＩＣチップ１の主面を樹脂層２で樹脂封
止し、樹脂層２上に設けた外部接続用電極であるボール
３とＩＣチップ１に形成したパッド及びバンプとを、樹
脂層２を通してアウトプット用パターン４で導通をとる
ようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置、その製
造方法及びそれに使用するテープキャリアに関するもの
で、特にチップサイズパッケージの樹脂封止型半導体装
置に関する。
造方法及びそれに使用するテープキャリアに関するもの
で、特にチップサイズパッケージの樹脂封止型半導体装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のパッケージはベースにプ
リント基板又はリードフレームを用いてダイスボンディ
ングを行い、ワイヤボンディングによりＩＣと外部との
導通を図り、プリント基板、リードフレームを樹脂封止
後にカッティング、研磨等を行い、よりチップサイズに
近く形成したものが一般的であった。
リント基板又はリードフレームを用いてダイスボンディ
ングを行い、ワイヤボンディングによりＩＣと外部との
導通を図り、プリント基板、リードフレームを樹脂封止
後にカッティング、研磨等を行い、よりチップサイズに
近く形成したものが一般的であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらワイヤボ
ンドを行う上で基板、リードフレーム側でのボンディン
グエリアを確保するため、完成後のパッケージサイズが
ＩＣチップのサイズに対してＸＹ方向共に大きくなって
しまう欠点があった。
ンドを行う上で基板、リードフレーム側でのボンディン
グエリアを確保するため、完成後のパッケージサイズが
ＩＣチップのサイズに対してＸＹ方向共に大きくなって
しまう欠点があった。
【０００４】また、パッケージ厚に関しては、樹脂封止
時にＩＣチップ及びワイヤを全て覆わなければならな
い。これに加算して基板厚などもあることから、ＩＣチ
ップ単体の厚さは約０．２５ｍｍ〜０．３５ｍｍである
が、パッケージ状態では１．０ｍｍ程度になってしまう
という問題があった。
時にＩＣチップ及びワイヤを全て覆わなければならな
い。これに加算して基板厚などもあることから、ＩＣチ
ップ単体の厚さは約０．２５ｍｍ〜０．３５ｍｍである
が、パッケージ状態では１．０ｍｍ程度になってしまう
という問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明はパッド及びバンプを形成したＩＣチップの
主面を樹脂層で封止し、樹脂層上に設けられた外部接続
用電極とパッド及びバンプとをアウトプット用パターン
により導通をとるようにしたものである。
め、本発明はパッド及びバンプを形成したＩＣチップの
主面を樹脂層で封止し、樹脂層上に設けられた外部接続
用電極とパッド及びバンプとをアウトプット用パターン
により導通をとるようにしたものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施形態を
示す斜視図である。半導体装置はＩＣチップ１と、その
主面である上面に形成された樹脂層２と、その上に設け
られた外部接続用電極例えば半田を材料とするボール３
と、ボール３とＩＣチップ１に形成されたパッド及びバ
ンプとの導通をとるアウトプット用パターン４とを備え
ている。
示す斜視図である。半導体装置はＩＣチップ１と、その
主面である上面に形成された樹脂層２と、その上に設け
られた外部接続用電極例えば半田を材料とするボール３
と、ボール３とＩＣチップ１に形成されたパッド及びバ
ンプとの導通をとるアウトプット用パターン４とを備え
ている。
【０００７】図２は図１のＡ部の拡大断面図である。Ｉ
Ｃチップ１の主面には電極パッドにバンプ処理を施した
パッド及びバンプ５が形成され、パッド及びバンプ５に
はアウトプット用パターン４が接合されている。
Ｃチップ１の主面には電極パッドにバンプ処理を施した
パッド及びバンプ５が形成され、パッド及びバンプ５に
はアウトプット用パターン４が接合されている。
【０００８】樹脂層２はＩＣチップ１の主面を封止する
ように形成され、樹脂層２上には、その表面に露出して
いるアウトプット用パターン４に取り付けされたボール
３が設けられている。
ように形成され、樹脂層２上には、その表面に露出して
いるアウトプット用パターン４に取り付けされたボール
３が設けられている。
【０００９】ボール３とパッド及びバンプ５は樹脂層２
を通して、アウトプット用パターン４により導通がとら
れている。
を通して、アウトプット用パターン４により導通がとら
れている。
【００１０】なお、ボール３として説明した外部接続用
電極は、球形に限定されるものではなく、外部接続用に
使用されるものなら突起形状のものでも良い。
電極は、球形に限定されるものではなく、外部接続用に
使用されるものなら突起形状のものでも良い。
【００１１】ただし、現状の作業性、リフロー性を考え
ると、半田ボールが最も適している。
ると、半田ボールが最も適している。
【００１２】図３〜図７は本発明の第１の実施形態の製
造方法を示す図で、それぞれ各工程を断面図で示してい
る。
造方法を示す図で、それぞれ各工程を断面図で示してい
る。
【００１３】図３はテープキャリアを示すもので、耐熱
テープ６の表面に熱圧着用パターン７を形成し、裏面に
熱圧着パターン７と対向してアウトプット用パターン４
を形成し、アウトプット用パターン４を囲うように樹脂
止めパターン８を形成している。
テープ６の表面に熱圧着用パターン７を形成し、裏面に
熱圧着パターン７と対向してアウトプット用パターン４
を形成し、アウトプット用パターン４を囲うように樹脂
止めパターン８を形成している。
【００１４】また耐熱テープ６には、樹脂を注入するた
めの樹脂充填用穴９が設けられている。樹脂止めパター
ン８はこの樹脂充填時に必要以上の樹脂の流れを抑制す
る作用をする。
めの樹脂充填用穴９が設けられている。樹脂止めパター
ン８はこの樹脂充填時に必要以上の樹脂の流れを抑制す
る作用をする。
【００１５】このように形成されたテープキャリアが準
備されると共に、主面にパッド及びバンプ５が形成され
たＩＣチップ１が準備される。
備されると共に、主面にパッド及びバンプ５が形成され
たＩＣチップ１が準備される。
【００１６】図４では、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍ
ａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術によりＩＣチップ１上
にテープキャリアを位置決めし、ＴＡＢツール１０によ
りアウトプット用パターン４とパッド及びバンプ５とを
熱圧着して接合する。
ａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術によりＩＣチップ１上
にテープキャリアを位置決めし、ＴＡＢツール１０によ
りアウトプット用パターン４とパッド及びバンプ５とを
熱圧着して接合する。
【００１７】図５では、耐熱テープ６に開けられた貫通
孔の樹脂充填用穴９を通して、ディスペンサ１１のノズ
ル１２から液状の封止樹脂を注入し、耐熱テープ６とＩ
Ｃチップ１の主面との間を樹脂で充填し、加熱処理をし
て硬化させ、樹脂層２を形成してＩＣチップ１の主面を
樹脂封止する。
孔の樹脂充填用穴９を通して、ディスペンサ１１のノズ
ル１２から液状の封止樹脂を注入し、耐熱テープ６とＩ
Ｃチップ１の主面との間を樹脂で充填し、加熱処理をし
て硬化させ、樹脂層２を形成してＩＣチップ１の主面を
樹脂封止する。
【００１８】液状の封止樹脂を充填する際、樹脂止めパ
ターン８を形成してあるので、樹脂がＩＣチップ１のエ
ッジを越えて流れ出すことはない。
ターン８を形成してあるので、樹脂がＩＣチップ１のエ
ッジを越えて流れ出すことはない。
【００１９】なお、樹脂止めパターン８の高さをＩＣチ
ップ１の主面の位置まで高くした場合は、液状の樹脂が
エッジで確実に止まるので望ましいが、図に示した位置
であっても、毛細管現象により液状の樹脂は耐熱テープ
６側に吸い上げられるため、エッジを越えることはな
い。
ップ１の主面の位置まで高くした場合は、液状の樹脂が
エッジで確実に止まるので望ましいが、図に示した位置
であっても、毛細管現象により液状の樹脂は耐熱テープ
６側に吸い上げられるため、エッジを越えることはな
い。
【００２０】また、液状の封止樹脂が硬化する時、溶剤
分を含む樹脂の場合は、溶剤の揮発によって変形し、乾
燥後に体積変動が発生してしまうため、無溶剤のもの、
即ち体積変動の無い封止樹脂が望ましい。
分を含む樹脂の場合は、溶剤の揮発によって変形し、乾
燥後に体積変動が発生してしまうため、無溶剤のもの、
即ち体積変動の無い封止樹脂が望ましい。
【００２１】図６においては、テープキャリアとＩＣチ
ップ１を剥離する。この時、耐熱テープ６に形成されて
いたアウトプット用パターン４はパッド及びバンプ５に
接合したままＩＣチップ１側へ転写される。
ップ１を剥離する。この時、耐熱テープ６に形成されて
いたアウトプット用パターン４はパッド及びバンプ５に
接合したままＩＣチップ１側へ転写される。
【００２２】この後、図７において転写されたアウトプ
ット用パターン４の上部即ち樹脂層２に露出しているボ
ール付け部へめっき処理を行い、ボール３を取り付けて
チップサイズパッケージの半導体装置が得られる。
ット用パターン４の上部即ち樹脂層２に露出しているボ
ール付け部へめっき処理を行い、ボール３を取り付けて
チップサイズパッケージの半導体装置が得られる。
【００２３】以上のように、第１の実施形態によれば、
従来のパッケージより外形が小さくて薄い表面実装に適
したチップサイズパッケージを作ることができ、表面実
装時の実装密度を上げる効果が得られる。
従来のパッケージより外形が小さくて薄い表面実装に適
したチップサイズパッケージを作ることができ、表面実
装時の実装密度を上げる効果が得られる。
【００２４】図８は本発明の第２の実施形態を示す斜視
図で、第１の実施形態とは、ボール３の位置変更用パタ
ーン１３をアウトプット用パターン４に付加して一部の
ボール３の取り付け位置を変更した点が異なるだけであ
る。
図で、第１の実施形態とは、ボール３の位置変更用パタ
ーン１３をアウトプット用パターン４に付加して一部の
ボール３の取り付け位置を変更した点が異なるだけであ
る。
【００２５】図９及び図１０は本発明の第２の実施形態
の製造方法を示す図で、それぞれ各工程を断面図で示し
ている。
の製造方法を示す図で、それぞれ各工程を断面図で示し
ている。
【００２６】図９はテープキャリアを示したもので、耐
熱テープ６の表面に形成されたアウトプット用パターン
４に付加して、ボール３の位置を変更する時のために、
ボール３の位置変更用パターン１３を形成している。そ
の他は第１の実施形態と同じである。
熱テープ６の表面に形成されたアウトプット用パターン
４に付加して、ボール３の位置を変更する時のために、
ボール３の位置変更用パターン１３を形成している。そ
の他は第１の実施形態と同じである。
【００２７】このテープキャリアを使用し、第１の実施
形態と同様に、テープキャリアとＩＣチップ１とを熱圧
着してアウトプット用パターン４とパッド及びバンプ５
を接合し、樹脂を充填して硬化させ、ＩＣチップ１の主
面を樹脂封止し、テープキャリアを剥離してアウトプッ
ト用パターン４及び位置変更用パターン１３をＩＣチッ
プ１側に転写し、図１０に示すように位置変更用パター
ン１３をめっき処理してボール３を取り付ける。
形態と同様に、テープキャリアとＩＣチップ１とを熱圧
着してアウトプット用パターン４とパッド及びバンプ５
を接合し、樹脂を充填して硬化させ、ＩＣチップ１の主
面を樹脂封止し、テープキャリアを剥離してアウトプッ
ト用パターン４及び位置変更用パターン１３をＩＣチッ
プ１側に転写し、図１０に示すように位置変更用パター
ン１３をめっき処理してボール３を取り付ける。
【００２８】以上のように、第２の実施形態によれば、
第１の実施形態の効果に加えて、位置変更用パターン１
３を形成したので外部接続用電極のボール３の位置を容
易に変更することができる。
第１の実施形態の効果に加えて、位置変更用パターン１
３を形成したので外部接続用電極のボール３の位置を容
易に変更することができる。
【００２９】図１１は本発明の第３の実施形態を示す斜
視図、図１２は図１１のＢ部拡大断面図である。第１の
実施形態とは、耐熱テープ１４が残存している点で大き
く異なっている。
視図、図１２は図１１のＢ部拡大断面図である。第１の
実施形態とは、耐熱テープ１４が残存している点で大き
く異なっている。
【００３０】ＩＣチップ１の主面にはパッド及びバンプ
５が形成され、パッド及びバンプ５にはアウトプット用
パターン４が接合されている。
５が形成され、パッド及びバンプ５にはアウトプット用
パターン４が接合されている。
【００３１】樹脂層２は耐熱テープ１４とＩＣチップ１
の間を充填し、ＩＣチップ１の主面を封止するように形
成され、樹脂層２の上面には耐熱テープ１４が剥離され
ずに残存している。
の間を充填し、ＩＣチップ１の主面を封止するように形
成され、樹脂層２の上面には耐熱テープ１４が剥離され
ずに残存している。
【００３２】耐熱テープ１４の表面には熱圧着用パター
ン７が形成されており、その上面に外部接続用電極のボ
ール３が取り付けられている。
ン７が形成されており、その上面に外部接続用電極のボ
ール３が取り付けられている。
【００３３】また、耐熱テープ１４の裏面にはアウトプ
ット用パターン４及びアウトプット用パターン４を囲う
ように樹脂止めパターン８が形成され、図の例では樹脂
止めパターン８が残されている。
ット用パターン４及びアウトプット用パターン４を囲う
ように樹脂止めパターン８が形成され、図の例では樹脂
止めパターン８が残されている。
【００３４】熱圧着用パターン７とアウトプット用パタ
ーン４は耐熱テープ１４に設けられたスルーホール１５
によって導通がとられている。
ーン４は耐熱テープ１４に設けられたスルーホール１５
によって導通がとられている。
【００３５】図１３〜図１７は本発明の第３の実施形態
の製造方法を示す図で、それぞれ各工程を断面図で示し
ている。
の製造方法を示す図で、それぞれ各工程を断面図で示し
ている。
【００３６】図１３はテープキャリアを示したもので、
第１の実施形態のテープキャリアとは、熱圧着用パター
ン７とアウトプット用パターン４との導通をとるスルー
ホール１５を設けた点が異なるだけで他は同じである。
第１の実施形態のテープキャリアとは、熱圧着用パター
ン７とアウトプット用パターン４との導通をとるスルー
ホール１５を設けた点が異なるだけで他は同じである。
【００３７】第１の実施形態と同様に図１４ではＴＡＢ
ツール１０を用いて熱圧着し、アウトプット用パターン
４とパッド及びバンプ５を接合し、図１５ではディスペ
ンサ１１のノズル１２から液状の封止樹脂を樹脂充填用
穴９を通して注入し、耐熱テープ１４とＩＣチップ１の
間を充填し、熱処理し、硬化させて樹脂層２を形成し、
ＩＣチップ１の主面を樹脂封止する。
ツール１０を用いて熱圧着し、アウトプット用パターン
４とパッド及びバンプ５を接合し、図１５ではディスペ
ンサ１１のノズル１２から液状の封止樹脂を樹脂充填用
穴９を通して注入し、耐熱テープ１４とＩＣチップ１の
間を充填し、熱処理し、硬化させて樹脂層２を形成し、
ＩＣチップ１の主面を樹脂封止する。
【００３８】図１６においては、抜きパンチ１６により
テープキャリア即ち耐熱テープ１４を所定のパッケージ
の外形に合わせて個片抜きする。
テープキャリア即ち耐熱テープ１４を所定のパッケージ
の外形に合わせて個片抜きする。
【００３９】図示の例では、樹脂止めパターン８を残し
たパッケージの外形になっているが、樹脂止めパターン
８を残さずにＩＣチップ１のサイズと同じ大きさに個片
抜きしても良いことは勿論である。
たパッケージの外形になっているが、樹脂止めパターン
８を残さずにＩＣチップ１のサイズと同じ大きさに個片
抜きしても良いことは勿論である。
【００４０】図１７では、個片抜きした後熱圧着用パタ
ーン７にめっき処理を行い、ボール３を取り付けて完成
する。
ーン７にめっき処理を行い、ボール３を取り付けて完成
する。
【００４１】なお、第２の実施形態のように、ボール３
の位置変更用パターン１３を必要に応じて形成すること
もできる。
の位置変更用パターン１３を必要に応じて形成すること
もできる。
【００４２】上記したように、第３の実施形態によれ
ば、第１の実施形態の効果に加えて、耐熱テープ１４を
パッケージにそのまま使用するので、耐衝撃性に優れ、
信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
ば、第１の実施形態の効果に加えて、耐熱テープ１４を
パッケージにそのまま使用するので、耐衝撃性に優れ、
信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【００４３】図１８は本発明のテープキャリアを示す断
面図、図１９は同じく平面図である。
面図、図１９は同じく平面図である。
【００４４】耐熱テープ６の表面には熱圧着用パターン
７が形成され、裏面には熱圧着用パターン７と対向して
アウトプット用パターン４が形成され、このアウトプッ
ト用パターン４を囲うようにフレーム状に樹脂止めパタ
ーン８が形成され、また中央部分に樹脂を注入するため
の樹脂充填用穴９が形成されている。
７が形成され、裏面には熱圧着用パターン７と対向して
アウトプット用パターン４が形成され、このアウトプッ
ト用パターン４を囲うようにフレーム状に樹脂止めパタ
ーン８が形成され、また中央部分に樹脂を注入するため
の樹脂充填用穴９が形成されている。
【００４５】耐熱テープ６は耐熱合成樹脂で構成され、
その表裏面には、各パターンの基材となる金属箔を固着
するための熱硬化性の接着剤１７が設けられている。
その表裏面には、各パターンの基材となる金属箔を固着
するための熱硬化性の接着剤１７が設けられている。
【００４６】アウトプット用パターン４は、リードフレ
ームを有する半導体装置におけるインナリード及びアウ
タリードの代りに外部との導通をとる役割をする。
ームを有する半導体装置におけるインナリード及びアウ
タリードの代りに外部との導通をとる役割をする。
【００４７】また、アウトプット用パターン４は、ＩＣ
チップとテープキャリアの接合を行った時に、樹脂充填
のための隙間を形成させるスタンドオフ機能を有してい
る。
チップとテープキャリアの接合を行った時に、樹脂充填
のための隙間を形成させるスタンドオフ機能を有してい
る。
【００４８】熱圧着用パターン７は、ＴＡＢツールによ
りアウトプット用パターン４とＩＣチップのパッド及び
バンプ５（図２等）を熱圧着して接合するのに使用され
る。
りアウトプット用パターン４とＩＣチップのパッド及び
バンプ５（図２等）を熱圧着して接合するのに使用され
る。
【００４９】なお、第３の実施形態の場合における熱圧
着パターン７は、ボールマウント時にはそのままアウト
プット用パターンとして機能する。
着パターン７は、ボールマウント時にはそのままアウト
プット用パターンとして機能する。
【００５０】樹脂止めパターン８は、液状の封止樹脂を
注入し、充填する際、ＩＣチップのエッジからはみ出さ
ないようにストッパの役割をするもので、その高さは図
の位置又はＩＣチップのエッジまでの高さ即ちアウトプ
ット用パターン４の高さあるいはそれ以上の高さであっ
ても良い。
注入し、充填する際、ＩＣチップのエッジからはみ出さ
ないようにストッパの役割をするもので、その高さは図
の位置又はＩＣチップのエッジまでの高さ即ちアウトプ
ット用パターン４の高さあるいはそれ以上の高さであっ
ても良い。
【００５１】耐熱テープ６の両側に設けられたテープ送
り穴１８はテープキャリアを搬送するためのものであ
る。
り穴１８はテープキャリアを搬送するためのものであ
る。
【００５２】テープキャリアを作成するには、まず耐熱
テープ６に金属箔を固着する接着剤１７を塗布し、樹脂
充填用穴９及びテープ送り穴１８をパンチ抜きする。
テープ６に金属箔を固着する接着剤１７を塗布し、樹脂
充填用穴９及びテープ送り穴１８をパンチ抜きする。
【００５３】耐熱テープ６の表裏面に各パターンの基材
となる金属箔をラミネートし、その後エッチング技術に
より熱圧着用パターン７、アウトプット用パターン４及
び樹脂止めパターン８を形成する。
となる金属箔をラミネートし、その後エッチング技術に
より熱圧着用パターン７、アウトプット用パターン４及
び樹脂止めパターン８を形成する。
【００５４】その際、アウトプット用パターン４の高さ
を、樹脂が充填できるだけの高さに確保するため、熱圧
着用パターン７用の表面の金属箔より裏面のアウトプッ
ト用パターン４用の金属箔を厚いものにすると良い。
を、樹脂が充填できるだけの高さに確保するため、熱圧
着用パターン７用の表面の金属箔より裏面のアウトプッ
ト用パターン４用の金属箔を厚いものにすると良い。
【００５５】なお、各パターンを、金属箔のエッチング
ではなく、導電性ペーストなどを使用したスクリーン印
刷によって形成することもできる。
ではなく、導電性ペーストなどを使用したスクリーン印
刷によって形成することもできる。
【００５６】また、第３の実施形態のためには、熱圧着
用パターン７とアウトプット用パターン４とを導通する
スルーホール１５を、パターン形成前に公知技術により
形成する必要があることは言うまでもない。
用パターン７とアウトプット用パターン４とを導通する
スルーホール１５を、パターン形成前に公知技術により
形成する必要があることは言うまでもない。
【００５７】以上のように形成したテープキャリアを使
用することによって、上記した第１〜第３の実施形態を
実現することができる。
用することによって、上記した第１〜第３の実施形態を
実現することができる。
【００５８】
【発明の効果】上記したように、本発明はＩＣチップの
主面を樹脂封止し、樹脂層上の外部接続用電極とＩＣチ
ップのパッド及びバンプとをアウトプット用パターンな
どで導通をとるようにしたので、外形が小さく薄い表面
実装に適したチップサイズパッケージを実現することが
できる。
主面を樹脂封止し、樹脂層上の外部接続用電極とＩＣチ
ップのパッド及びバンプとをアウトプット用パターンな
どで導通をとるようにしたので、外形が小さく薄い表面
実装に適したチップサイズパッケージを実現することが
できる。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す斜視図
【図２】図１のＡ部拡大断面図
【図３】第１の実施形態の製造方法を示す図（その１）
【図４】第１の実施形態の製造方法を示す図（その２）
【図５】第１の実施形態の製造方法を示す図（その３）
【図６】第１の実施形態の製造方法を示す図（その４）
【図７】第１の実施形態の製造方法を示す図（その５）
【図８】本発明の第２の実施形態を示す斜視図
【図９】第２の実施形態の製造方法を示す図（その１）
【図１０】第２の実施形態の製造方法を示す図（その
２）
２）
【図１１】本発明の第３の実施形態を示す斜視図
【図１２】図１１のＢ部拡大断面図
【図１３】第３の実施形態の製造方法を示す図（その
１）
１）
【図１４】第３の実施形態の製造方法を示す図（その
２）
２）
【図１５】第３の実施形態の製造方法を示す図（その
３）
３）
【図１６】第３の実施形態の製造方法を示す図（その
４）
４）
【図１７】第３の実施形態の製造方法を示す図（その
５）
５）
【図１８】本発明のテープキャリアを示す断面図
【図１９】本発明のテープキャリアを示す平面図
１ ＩＣチップ ２ 樹脂層 ３ ボール ４ アウトプット用パターン ５ パッド及びバンプ ６，１４ 耐熱テープ ７ 熱圧着用パターン ８ 樹脂止めパターン ９ 樹脂充填用穴 １３ 位置変更用パターン １５ スルーホール １７ 接着剤
Claims (10)
- 【請求項１】 主面にパッド及びバンプを形成したＩＣ
チップと、 前記ＩＣチップの主面を封止するように形成された樹脂
層と、 前記樹脂層上に設けられた外部接続用電極と、 前記樹脂層を通して前記外部接続用電極と前記パッド及
びバンプとの導通をとるアウトプット用パターンと、 を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記アウトプット用パターンに付加して
前記外部接続用電極の位置変更用パターンを形成したこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 主面にパッド及びバンプを形成したＩＣ
チップを準備する工程と、 耐熱テープの表面に熱圧着用パターンを形成し、裏面に
前記熱圧着用パターンと対向してアウトプット用パター
ンを形成し、前記アウトプット用パターンを囲うように
樹脂止めパターンを形成し、樹脂を注入するための樹脂
充填用穴を形成したテープキャリアを準備する工程と、 前記熱圧着用パターンを利用して前記アウトプット用パ
ターンと前記ＩＣチップのパッド及びバンプを熱圧着し
て接合する工程と、 前記樹脂充填用穴を通して前記テープキャリアとＩＣチ
ップとの間に樹脂を注入し、硬化させて前記ＩＣチップ
の主面を樹脂封止する工程と、 前記テープキャリアとＩＣチップを剥離させて前記アウ
トプット用パターンを前記ＩＣチップ側に転写する工程
と、 転写された前記アウトプット用パターンに外部接続用電
極を設ける工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 主面にパッド及びバンプを形成したＩＣ
チップと、 前記ＩＣチップの上部に位置する耐熱テープと、 前記耐熱テープの表面に形成された熱圧着用パターン
と、 前記熱圧着用パターン上に設けられた外部接続用電極
と、 前記耐熱テープの裏面に形成され、前記熱圧着用パター
ンとスルーホールにより導通をとり、前記パッド及びバ
ンプに接合したアウトプット用パターンと、 前記耐熱テープとＩＣチップの主面との間を充填して形
成された樹脂層と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 前記熱圧着用パターンに付加して前記外
部接続用電極の位置変更用パターンを形成したことを特
徴とする請求項４記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記外部接続用電極が半田ボールである
ことを特徴とする請求項１、２、４又は５のいずれかに
記載の半導体装置。 - 【請求項７】 主面にパッド及びバンプを形成したＩＣ
チップを準備する工程と、 耐熱テープの表面に熱圧着用パターンを形成し、裏面に
前記熱圧着用パターンと対向してアウトプット用パター
ンを形成し、前記熱圧着用パターンと前記アウトプット
用パターンとの導通をとるスルーホールを形成し、前記
アウトプット用パターンを囲うように樹脂止めパターン
を形成し、樹脂を注入するための樹脂充填用穴を形成し
たテープキャリアを準備する工程と、 前記熱圧着用パターンを利用して前記アウトプット用パ
ターンと前記ＩＣチップのパッド及びバンプを熱圧着し
て接合する工程と、 前記樹脂充填用穴を通して前記テープキャリアとＩＣチ
ップとの間に樹脂を注入し、硬化させて前記ＩＣチップ
の主面を樹脂封止する工程と、 パッケージの外形に合わせて前記テープキャリアを個片
抜きする工程と、 前記熱圧着用パターンに外部接続用電極を設ける工程
と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 耐熱テープと、 前記耐熱テープの表面に形成した熱圧着用パターンと、 前記耐熱テープの裏面に、前記熱圧着用パターンと対向
して形成したアウトプット用パターンと、 前記アウトプット用パターンを囲うように形成した樹脂
止めパターンと、 前記耐熱テープに設けた樹脂充填用穴と、 を備えたことを特徴とするテープキャリア。 - 【請求項９】 前記アウトプット用パターンの高さを、
前記熱圧着用パターンの高さより高く形成したことを特
徴とする請求項８記載のテープキャリア。 - 【請求項１０】 前記熱圧着用パターンと前記アウトプ
ット用パターンとの導通をとるスルーホールを形成した
ことを特徴とする請求項８又は９記載のテープキャリ
ア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02947899A JP3362007B2 (ja) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | 半導体装置、その製造方法及びテープキャリア |
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| JP2000228457A true JP2000228457A (ja) | 2000-08-15 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231856A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-16 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN100452329C (zh) * | 2003-12-02 | 2009-01-14 | 全懋精密科技股份有限公司 | 可供形成预焊锡材料的半导体封装基板及其制法 |
-
1999
- 1999-02-08 JP JP02947899A patent/JP3362007B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP4626063B2 (ja) * | 2001-02-05 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN100452329C (zh) * | 2003-12-02 | 2009-01-14 | 全懋精密科技股份有限公司 | 可供形成预焊锡材料的半导体封装基板及其制法 |
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| JP3362007B2 (ja) | 2003-01-07 |
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