JPH11307670A - 半導体素子収納用パッケージの製造方法 - Google Patents
半導体素子収納用パッケージの製造方法Info
- Publication number
- JPH11307670A JPH11307670A JP10116937A JP11693798A JPH11307670A JP H11307670 A JPH11307670 A JP H11307670A JP 10116937 A JP10116937 A JP 10116937A JP 11693798 A JP11693798 A JP 11693798A JP H11307670 A JPH11307670 A JP H11307670A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- external lead
- insulating base
- lead terminal
- space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Abstract
(57)【要約】
【課題】外部リード端子の表面全体に絶縁基体を構成す
る樹脂が被着し、外部リード端子にボンディングワイヤ
を強固に電気的接続することができない。 【解決手段】上面に凹溝８ａを有し、該凹溝８ａ周辺に
凸部８ｂを有する下金型８と、下面に凹溝９ａを有する
上金型９とを外部リード端子５を間に挟んで上下に当接
させ、上下金型８、９間に外部リード端子５を固定させ
るとともに上下金型８、９の凹溝８ａ、９ａによって形
成される空間Ａ内に外部リード端子５の一端５ａを、該
一端５ａが空間Ａ内に露出する上金型９の表面に接合す
るようにして位置させ、しかる後、空間Ａ内に液状樹脂
Ｐを注入するとともに硬化させる。
る樹脂が被着し、外部リード端子にボンディングワイヤ
を強固に電気的接続することができない。 【解決手段】上面に凹溝８ａを有し、該凹溝８ａ周辺に
凸部８ｂを有する下金型８と、下面に凹溝９ａを有する
上金型９とを外部リード端子５を間に挟んで上下に当接
させ、上下金型８、９間に外部リード端子５を固定させ
るとともに上下金型８、９の凹溝８ａ、９ａによって形
成される空間Ａ内に外部リード端子５の一端５ａを、該
一端５ａが空間Ａ内に露出する上金型９の表面に接合す
るようにして位置させ、しかる後、空間Ａ内に液状樹脂
Ｐを注入するとともに硬化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子を収容す
るための半導体素子収納用パッケージの製造方法に関す
るものである。
るための半導体素子収納用パッケージの製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子を収容するための半導
体素子収納用パッケージ、通常、エポキシ等の樹脂より
成り、その上面略中央部に半導体素子を収容するための
凹部を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から
外部にかけて導出され、内部に収容する半導体素子を外
部電気回路に接続する鉄ーニッケルーコバルト合金、鉄
ーニッケル合金、銅合金等の金属材料より成る複数個の
外部リード端子と、鉄ーニッケルーコバルト合金等の金
属材料やガラス、サファイア等の無機物、或いはエポキ
シ樹脂等の有機物から成る蓋体とから構成されており、
絶縁基体の凹部に半導体素子を樹脂等の接着材を介して
接着固定するとともに該半導体素子の各電極をボンデイ
ングワイヤ等の電気的接続手段を介して外部リード端子
に接続させ、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体をエポキ
シ樹脂等から成る封止材を介して接合させ、絶縁基体の
凹部を蓋体で塞ぎ、半導体素子を気密に封止することに
よって製品としての半導体装置となる。
体素子収納用パッケージ、通常、エポキシ等の樹脂より
成り、その上面略中央部に半導体素子を収容するための
凹部を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から
外部にかけて導出され、内部に収容する半導体素子を外
部電気回路に接続する鉄ーニッケルーコバルト合金、鉄
ーニッケル合金、銅合金等の金属材料より成る複数個の
外部リード端子と、鉄ーニッケルーコバルト合金等の金
属材料やガラス、サファイア等の無機物、或いはエポキ
シ樹脂等の有機物から成る蓋体とから構成されており、
絶縁基体の凹部に半導体素子を樹脂等の接着材を介して
接着固定するとともに該半導体素子の各電極をボンデイ
ングワイヤ等の電気的接続手段を介して外部リード端子
に接続させ、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体をエポキ
シ樹脂等から成る封止材を介して接合させ、絶縁基体の
凹部を蓋体で塞ぎ、半導体素子を気密に封止することに
よって製品としての半導体装置となる。
【０００３】なお、前記従来の半導体素子収納用パッケ
ージにおけるエポキシ樹脂製絶縁基体は、一般に以下の
方法によって製作される。
ージにおけるエポキシ樹脂製絶縁基体は、一般に以下の
方法によって製作される。
【０００４】即ち、まず（１）上金型と下金型とから成
り、上下金型を当接させることによって内部に絶縁基体
の形状に対応した空間を有する金型を準備する工程と、
（２）前記上金型と下金型とを間に外部リード端子を挟
んで当接させ、上下金型間に外部リード端子を固定する
とともに一端を前記空間内に位置させる工程と、（３）
前記金型の空間内にエポキシ樹脂前駆体を約５０〜２０
０ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力で注入するとともに約１５０〜
２００℃の温度で硬化させて絶縁基体となし、該絶縁基
体に外部リード端子を、一端が絶縁基体の凹部内に、他
端が外部に露出するようにして取着する工程と、（４）
前記外部リード端子が取着された絶縁基体を金型から取
り出す工程とで製作されている。
り、上下金型を当接させることによって内部に絶縁基体
の形状に対応した空間を有する金型を準備する工程と、
（２）前記上金型と下金型とを間に外部リード端子を挟
んで当接させ、上下金型間に外部リード端子を固定する
とともに一端を前記空間内に位置させる工程と、（３）
前記金型の空間内にエポキシ樹脂前駆体を約５０〜２０
０ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力で注入するとともに約１５０〜
２００℃の温度で硬化させて絶縁基体となし、該絶縁基
体に外部リード端子を、一端が絶縁基体の凹部内に、他
端が外部に露出するようにして取着する工程と、（４）
前記外部リード端子が取着された絶縁基体を金型から取
り出す工程とで製作されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージは、外部リード端子の
一端が金型の空間内に位置していること、金型の空間内
に位置する外部リード端子の一端は、該外部リード端子
の自重によって下方に垂れ下がり、上下のいずれの金型
にも接触していないこと等から金型内の空間にエポキシ
樹脂前駆体を注入して絶縁基体を形成する際、注入され
たエポキシ樹脂前駆体は金型の空間内に位置する外部リ
ード端子の表面全体に被着して外部リード端子全体を絶
縁基体を形成するエポキシ樹脂で被覆した状態となって
しまい、その結果、外部リード端子に半導体素子の電極
をボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介し接続し
ようとしてもその接続ができないという欠点を有してい
た。
来の半導体素子収納用パッケージは、外部リード端子の
一端が金型の空間内に位置していること、金型の空間内
に位置する外部リード端子の一端は、該外部リード端子
の自重によって下方に垂れ下がり、上下のいずれの金型
にも接触していないこと等から金型内の空間にエポキシ
樹脂前駆体を注入して絶縁基体を形成する際、注入され
たエポキシ樹脂前駆体は金型の空間内に位置する外部リ
ード端子の表面全体に被着して外部リード端子全体を絶
縁基体を形成するエポキシ樹脂で被覆した状態となって
しまい、その結果、外部リード端子に半導体素子の電極
をボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介し接続し
ようとしてもその接続ができないという欠点を有してい
た。
【０００６】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は絶縁基体に取着された外部リード端子に
絶縁基体を構成する樹脂が被着するのを有効に防止し、
外部リード端子に半導体素子の電極をボンディングワイ
ヤを介して確実、強固に電気的接続することができる半
導体素子収納用パッケージの製造方法を提供することに
ある。
で、その目的は絶縁基体に取着された外部リード端子に
絶縁基体を構成する樹脂が被着するのを有効に防止し、
外部リード端子に半導体素子の電極をボンディングワイ
ヤを介して確実、強固に電気的接続することができる半
導体素子収納用パッケージの製造方法を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子収納
用パッケージの製造方法は、上面に半導体素子を収容す
る凹部を有し、かつ複数個の外部リード端子が一端を前
記凹部内に、他端が外部に露出した状態で取着されてい
る樹脂製絶縁基体と蓋体とから成る半導体素子収納用パ
ッケージであって、前記樹脂製絶縁基体が下記（１）乃
至（４）の工程により製作されていることを特徴とする
もである。
用パッケージの製造方法は、上面に半導体素子を収容す
る凹部を有し、かつ複数個の外部リード端子が一端を前
記凹部内に、他端が外部に露出した状態で取着されてい
る樹脂製絶縁基体と蓋体とから成る半導体素子収納用パ
ッケージであって、前記樹脂製絶縁基体が下記（１）乃
至（４）の工程により製作されていることを特徴とする
もである。
【０００８】（１）下面に凹溝を有する上金型と、上面
に凹溝を有し、該凹溝周辺の上面に凸部を有する下金型
とから成り、上下金型を当接させ、上下金型に設けた凹
溝によって内部に絶縁基体の形状に対応した空間を形成
する金型を準備する工程と、（２）前記上金型と下金型
とを間に外部リード端子を挟んで当接させ、上下金型間
に外部リード端子を固定するとともに一端を前記空間内
に位置させ、かつ前記外部リード端子の一端を下金型に
設けた凸部によって前記空間に露出する上金型の表面に
接合させる工程と、（３）前記金型の空間内に液状樹脂
を注入するとともに硬化させて絶縁基体となし、該絶縁
基体に外部リード端子を、一端が絶縁基体の凹部内に、
他端が外部に露出するようにして取着する工程と、
（４）前記外部リード端子が取着された絶縁基体を金型
から取り出す工程 本発明の製造方法によれば、内部に絶縁基体に対応した
空間を形成するための凹溝を有する上下一対の金型のう
ち下金型の凹溝周辺に凸部を設けたことから上金型と下
金型とを間に外部リード端子を挟んで当接させた場合、
金型の空間内に位置する外部リード端子の一端は前記凸
部を支点として空間に露出する上金型の表面に接合し、
その結果、金型内の空間に液状樹脂を注入して絶縁基体
を形成する際、注入された液状樹脂は金型の空間内に位
置する外部リード端子の上面に被着することは殆どな
く、これによって外部リード端子に半導体素子の電極を
ボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して確実に
電気的接続することが可能となる。
に凹溝を有し、該凹溝周辺の上面に凸部を有する下金型
とから成り、上下金型を当接させ、上下金型に設けた凹
溝によって内部に絶縁基体の形状に対応した空間を形成
する金型を準備する工程と、（２）前記上金型と下金型
とを間に外部リード端子を挟んで当接させ、上下金型間
に外部リード端子を固定するとともに一端を前記空間内
に位置させ、かつ前記外部リード端子の一端を下金型に
設けた凸部によって前記空間に露出する上金型の表面に
接合させる工程と、（３）前記金型の空間内に液状樹脂
を注入するとともに硬化させて絶縁基体となし、該絶縁
基体に外部リード端子を、一端が絶縁基体の凹部内に、
他端が外部に露出するようにして取着する工程と、
（４）前記外部リード端子が取着された絶縁基体を金型
から取り出す工程 本発明の製造方法によれば、内部に絶縁基体に対応した
空間を形成するための凹溝を有する上下一対の金型のう
ち下金型の凹溝周辺に凸部を設けたことから上金型と下
金型とを間に外部リード端子を挟んで当接させた場合、
金型の空間内に位置する外部リード端子の一端は前記凸
部を支点として空間に露出する上金型の表面に接合し、
その結果、金型内の空間に液状樹脂を注入して絶縁基体
を形成する際、注入された液状樹脂は金型の空間内に位
置する外部リード端子の上面に被着することは殆どな
く、これによって外部リード端子に半導体素子の電極を
ボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して確実に
電気的接続することが可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は本発明の製造方法によって製作さ
れた半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
の一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。こ
の絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子３を収容するため
の容器４が構成される。
細に説明する。図１は本発明の製造方法によって製作さ
れた半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
の一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。こ
の絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子３を収容するため
の容器４が構成される。
【００１０】前記絶縁基体１は、例えば、エポキシ樹脂
等の電気絶縁材料から成り、その上面略中央部に半導体
素子３を収容するための凹部１ａが設けてあり、該凹部
１ａ底面には半導体素子３が樹脂等から成る接着材を介
して接着固定される。
等の電気絶縁材料から成り、その上面略中央部に半導体
素子３を収容するための凹部１ａが設けてあり、該凹部
１ａ底面には半導体素子３が樹脂等から成る接着材を介
して接着固定される。
【００１１】また前記絶縁基体１には凹部１ａの内側か
ら外部にかけて導出する複数個の外部リード端子５が取
着されており、該外部リード端子５は内部に収容する半
導体素子３を外部電気回路に電気的に接続する作用を為
し、その一端には半導体素子３の各電極がボンデイング
ワイヤ等の電気的接続手段６を介して接続され、また外
部に導出された他端は、外部電気回路に半田等のロウ材
を介し接続される。
ら外部にかけて導出する複数個の外部リード端子５が取
着されており、該外部リード端子５は内部に収容する半
導体素子３を外部電気回路に電気的に接続する作用を為
し、その一端には半導体素子３の各電極がボンデイング
ワイヤ等の電気的接続手段６を介して接続され、また外
部に導出された他端は、外部電気回路に半田等のロウ材
を介し接続される。
【００１２】前記外部リード端子５は鉄ーニッケルーコ
バルト合金や鉄ーニッケル合金、銅合金等の金属材料か
ら成り、例えば、鉄ーニッケルーコバルト合金のインゴ
ット( 塊) に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知
の金属加工法を施すことによって所定の形状に形成され
る。
バルト合金や鉄ーニッケル合金、銅合金等の金属材料か
ら成り、例えば、鉄ーニッケルーコバルト合金のインゴ
ット( 塊) に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知
の金属加工法を施すことによって所定の形状に形成され
る。
【００１３】なお、前記外部リード端子５は、その露出
表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、ロウ材と濡れ性
がよく、良導電性の金属をメッキ法によリ０．１μｍ乃
至２０μｍの厚みに被着させておくと、外部リード端子
５の酸化腐蝕を有効に防止することができるとともに外
部リード端子５とボンディングワイヤ等の電気的接続手
段６及び外部電気回路との電気的接続を良好となすこと
ができる。従って、前記外部リード端子５はその露出表
面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、ロウ材と濡れ性が
よく、良導電性の金属をメッキ法によリ０．１μｍ乃至
２０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、ロウ材と濡れ性
がよく、良導電性の金属をメッキ法によリ０．１μｍ乃
至２０μｍの厚みに被着させておくと、外部リード端子
５の酸化腐蝕を有効に防止することができるとともに外
部リード端子５とボンディングワイヤ等の電気的接続手
段６及び外部電気回路との電気的接続を良好となすこと
ができる。従って、前記外部リード端子５はその露出表
面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、ロウ材と濡れ性が
よく、良導電性の金属をメッキ法によリ０．１μｍ乃至
２０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
【００１４】また前記外部リード端子５が取着された絶
縁基体１はその上面に鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄
ーニッケル合金、銅合金等の金属材料、あるいは酸化ア
ルミニウム質焼結体やガラス、サファイア等の無機物、
或いはエポキシ樹脂等の有機物から成る蓋体２が樹脂等
から成る封止材を介して接合され、これによって絶縁基
体１と蓋体２とから成る容器４の内部に半導体素子３が
気密に封止される。
縁基体１はその上面に鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄
ーニッケル合金、銅合金等の金属材料、あるいは酸化ア
ルミニウム質焼結体やガラス、サファイア等の無機物、
或いはエポキシ樹脂等の有機物から成る蓋体２が樹脂等
から成る封止材を介して接合され、これによって絶縁基
体１と蓋体２とから成る容器４の内部に半導体素子３が
気密に封止される。
【００１５】かくして上述のパッケージによれば絶縁基
体１の凹部１ａ底面に半導体素子３を接着剤を介して取
着するとともに半導体素子３の各電極をボンデイングワ
イヤ等の電気的接続手段６を介して外部リード端子５に
接続させ、しかる後、絶縁基体１の上面に蓋体２を樹脂
等の封止材により接合させ、絶縁基体１と蓋体２とから
成る容器４の内部に半導体素子３を気密に封止すること
によって製品としての半導体装置となる。
体１の凹部１ａ底面に半導体素子３を接着剤を介して取
着するとともに半導体素子３の各電極をボンデイングワ
イヤ等の電気的接続手段６を介して外部リード端子５に
接続させ、しかる後、絶縁基体１の上面に蓋体２を樹脂
等の封止材により接合させ、絶縁基体１と蓋体２とから
成る容器４の内部に半導体素子３を気密に封止すること
によって製品としての半導体装置となる。
【００１６】次に上述の半導体素子収納用パッケージに
おける絶縁基体１の製造方法について図２（ａ）〜
（ｃ）に基づき説明する。まず、図２（ａ）に示すごと
く、絶縁基体１を製作するための下金型８、上金型９を
一対とする金型を準備する。
おける絶縁基体１の製造方法について図２（ａ）〜
（ｃ）に基づき説明する。まず、図２（ａ）に示すごと
く、絶縁基体１を製作するための下金型８、上金型９を
一対とする金型を準備する。
【００１７】前記下金型８はその上面に所定形状の凹溝
８ａ及び該凹溝８ａの周辺に凸部８ｂが形成されてお
り、また上金型９の下面には所定形状の凹溝９ａが形成
されている。
８ａ及び該凹溝８ａの周辺に凸部８ｂが形成されてお
り、また上金型９の下面には所定形状の凹溝９ａが形成
されている。
【００１８】前記下金型８及び上金型９に形成した凹溝
８ａ、９ａは下金型８と上金型９とを上下に当接させた
際、内部に絶縁基体１に対応した形状の空間Ａを形成す
る作用をなす。
８ａ、９ａは下金型８と上金型９とを上下に当接させた
際、内部に絶縁基体１に対応した形状の空間Ａを形成す
る作用をなす。
【００１９】前記下金型８及び上金型９は、例えば、ス
テンレス鋼等によって形成されており、ステンレス鋼等
のインゴット（塊）に研削加工や放電加工等の金属加工
法を施すことによってその各々の上下面に凹溝８ａ及び
凹溝９ａが形成され、同時に下金型８の凹溝８ａ周辺に
凸部８ｂが形成される。
テンレス鋼等によって形成されており、ステンレス鋼等
のインゴット（塊）に研削加工や放電加工等の金属加工
法を施すことによってその各々の上下面に凹溝８ａ及び
凹溝９ａが形成され、同時に下金型８の凹溝８ａ周辺に
凸部８ｂが形成される。
【００２０】次に図２（ｂ）に示す如く、前記下金型
８、上金型９とを間に複数個の外部リード端子５を挟ん
で上下に当接させ、上下金型８、９間に外部リード端子
５を固定するとともに一端５ａを空間Ａ内に位置させ
る。
８、上金型９とを間に複数個の外部リード端子５を挟ん
で上下に当接させ、上下金型８、９間に外部リード端子
５を固定するとともに一端５ａを空間Ａ内に位置させ
る。
【００２１】前記外部リード端子５は鉄ーニッケルーコ
バルト合金や鉄ーニッケル合金、銅合金等の金属材料よ
りなり、例えば、鉄ーニッケルーコバルト合金等のイン
ゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周
知の金属加工法を施すことによって所定の形状に形成さ
れる。
バルト合金や鉄ーニッケル合金、銅合金等の金属材料よ
りなり、例えば、鉄ーニッケルーコバルト合金等のイン
ゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周
知の金属加工法を施すことによって所定の形状に形成さ
れる。
【００２２】また前記外部リード端子５は下金型８の凹
溝８ａ周辺に凸部８ｂが形成されていることから下金型
８と上金型９との間に外部リード端子５を挟み込んだ場
合、金型の空間Ａ内に位置する外部リード端子５の一端
５ａは前記凸部８ｂを支点として空間Ａ内に露出する上
金型９の表面に密着性良く接合することとなる。
溝８ａ周辺に凸部８ｂが形成されていることから下金型
８と上金型９との間に外部リード端子５を挟み込んだ場
合、金型の空間Ａ内に位置する外部リード端子５の一端
５ａは前記凸部８ｂを支点として空間Ａ内に露出する上
金型９の表面に密着性良く接合することとなる。
【００２３】なお、前記下金型８の凹溝８ａ周辺に形成
されている凸部８ｂは、該凸部８ｂを支点として外部リ
ード端子５の一端を空間Ａ内に露出する上金型９の表面
に密着性良く接合させるに必要な高さ、具体的には０．
１ｍｍ以下（０を含まず）の高さとしておくことが好ま
しい。
されている凸部８ｂは、該凸部８ｂを支点として外部リ
ード端子５の一端を空間Ａ内に露出する上金型９の表面
に密着性良く接合させるに必要な高さ、具体的には０．
１ｍｍ以下（０を含まず）の高さとしておくことが好ま
しい。
【００２４】次に図２（ｃ）に示す如く、前記外部リー
ド端子５が固定されている金型の空間Ａ内に注入口１１
を通して液状樹脂Ｐを所定の圧力で注入する。この場
合、外部リード端子５の一端５ａはその上面が空間Ａ内
に露出する上金型９の表面に密着接合しているため注入
された液状樹脂Ｐが外部リード端子５の一端５ａ上面に
被着することはない。
ド端子５が固定されている金型の空間Ａ内に注入口１１
を通して液状樹脂Ｐを所定の圧力で注入する。この場
合、外部リード端子５の一端５ａはその上面が空間Ａ内
に露出する上金型９の表面に密着接合しているため注入
された液状樹脂Ｐが外部リード端子５の一端５ａ上面に
被着することはない。
【００２５】前記金型の空間Ａ内に注入される液状樹脂
Ｐとしては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂に、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化
剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合して成るエ
ポキシ樹脂前駆体から成り、注入口１１より空間Ａ内
に、例えば、約５０〜２００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で注
入される。
Ｐとしては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂に、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化
剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合して成るエ
ポキシ樹脂前駆体から成り、注入口１１より空間Ａ内
に、例えば、約５０〜２００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で注
入される。
【００２６】次に前記金型の空間Ａ内に注入された液状
樹脂Ｐは１５０〜２００℃の温度で熱処理され、液状樹
脂Ｐを熱硬化させることによって上面に半導体素子を収
容する凹部を有する絶縁基体１となし、同時に複数個の
外部リード端子５を、一端５ａが絶縁基体１の凹部１ａ
内に、他端が外部に露出するようにして取着される。
樹脂Ｐは１５０〜２００℃の温度で熱処理され、液状樹
脂Ｐを熱硬化させることによって上面に半導体素子を収
容する凹部を有する絶縁基体１となし、同時に複数個の
外部リード端子５を、一端５ａが絶縁基体１の凹部１ａ
内に、他端が外部に露出するようにして取着される。
【００２７】この場合、絶縁基体１の凹部１ａ内に露出
する外部リード端子５の一端５ａはその上面に絶縁基体
１を構成する樹脂が被着しておらず、完全に露出してい
ることから外部リード端子５に半導体素子の電極をボン
ディングワイヤ等の電気的接続手段を介して電気的に接
続する際、その接続が確実、強固となる。
する外部リード端子５の一端５ａはその上面に絶縁基体
１を構成する樹脂が被着しておらず、完全に露出してい
ることから外部リード端子５に半導体素子の電極をボン
ディングワイヤ等の電気的接続手段を介して電気的に接
続する際、その接続が確実、強固となる。
【００２８】そして最後に、上下金型８、９を分割し、
外部リード端子が取着されている絶縁基体を取り出すこ
とによって図１に示す半導体素子収納用パッケージの絶
縁基体１となる。
外部リード端子が取着されている絶縁基体を取り出すこ
とによって図１に示す半導体素子収納用パッケージの絶
縁基体１となる。
【００２９】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。
【００３０】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、内部に絶縁
基体に対応した空間を形成するための凹溝を有する上下
一対の金型のうち下金型の凹溝周辺に凸部を設けたこと
から上金型と下金型とを間に外部リード端子を挟んで当
接させた場合、金型の空間内に位置する外部リード端子
の一端は前記凸部を支点として空間に露出する上金型の
表面に接合し、その結果、金型内の空間に液状樹脂を注
入して絶縁基体を形成する際、注入された液状樹脂は金
型の空間内に位置する外部リード端子の上面に被着する
ことは殆どなく、これによって外部リード端子に半導体
素子の電極をボンディングワイヤ等の電気的接続手段を
介して確実に電気的接続することが可能となる。
基体に対応した空間を形成するための凹溝を有する上下
一対の金型のうち下金型の凹溝周辺に凸部を設けたこと
から上金型と下金型とを間に外部リード端子を挟んで当
接させた場合、金型の空間内に位置する外部リード端子
の一端は前記凸部を支点として空間に露出する上金型の
表面に接合し、その結果、金型内の空間に液状樹脂を注
入して絶縁基体を形成する際、注入された液状樹脂は金
型の空間内に位置する外部リード端子の上面に被着する
ことは殆どなく、これによって外部リード端子に半導体
素子の電極をボンディングワイヤ等の電気的接続手段を
介して確実に電気的接続することが可能となる。
【図１】本発明の製造方法によって製作された半導体素
子を収容する半導体素子収納用パッケージの一実施例を
示す断面図である。
子を収容する半導体素子収納用パッケージの一実施例を
示す断面図である。
【図２】（ａ）乃至（ｃ）は図１に示すパッケージの絶
縁基体の製造方法を説明するための各工程毎の断面図で
ある。
縁基体の製造方法を説明するための各工程毎の断面図で
ある。
１・・・絶縁基体 ２・・・蓋体 ３・・・半導体素子 ４・・・容器 ５・・・外部リード端子 ８・・・下金型 ８ａ・・下金型に形成した凹溝 ８ｂ・・凸部 ９・・・上金型 ９ａ・・上金型に形成した凹溝 Ａ・・・空間
Claims (1)
- 【請求項１】上面に半導体素子を収容する凹部を有し、
かつ複数個の外部リード端子が一端を前記凹部内に、他
端が外部に露出した状態で取着されている樹脂製絶縁基
体と蓋体とから成る半導体素子収納用パッケージであっ
て、前記樹脂製絶縁基体が下記（１）乃至（４）の工程
により製作されていることを特徴とする半導体素子収納
用パッケージの製造方法。 （１）下面に凹溝を有する上金型と、上面に凹溝を有
し、該凹溝周辺の上面に凸部を有する下金型とから成
り、上下金型を当接させ、上下金型に設けた凹溝によっ
て内部に絶縁基体の形状に対応した空間を形成する金型
を準備する工程と、（２）前記上金型と下金型とを間に
外部リード端子を挟んで当接させ、上下金型間に外部リ
ード端子を固定するとともに一端を前記空間内に位置さ
せ、かつ前記外部リード端子の一端を下金型に設けた凸
部によって前記空間に露出する上金型の表面に接合させ
る工程と、（３）前記金型の空間内に液状樹脂を注入す
るとともに硬化させて絶縁基体となし、該絶縁基体に外
部リード端子を、一端が絶縁基体の凹部内に、他端が外
部に露出するようにして取着する工程と、（４）前記外
部リード端子が取着された絶縁基体を金型から取り出す
工程
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11693798A JP3477073B2 (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11693798A JP3477073B2 (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307670A true JPH11307670A (ja) | 1999-11-05 |
| JP3477073B2 JP3477073B2 (ja) | 2003-12-10 |
Family
ID=14699407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11693798A Expired - Fee Related JP3477073B2 (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3477073B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6189213B1 (en) * | 1996-11-15 | 2001-02-20 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing cooling unit comprising heat pipes and cooling unit |
| JP2015201611A (ja) * | 2014-04-01 | 2015-11-12 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
1998
- 1998-04-27 JP JP11693798A patent/JP3477073B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6189213B1 (en) * | 1996-11-15 | 2001-02-20 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing cooling unit comprising heat pipes and cooling unit |
| JP2015201611A (ja) * | 2014-04-01 | 2015-11-12 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3477073B2 (ja) | 2003-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3572628B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US8158458B2 (en) | Power semiconductor module and method of manufacturing the same | |
| US5144412A (en) | Process for manufacturing plastic pin grid arrays and the product produced thereby | |
| JP3207738B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| KR20080108908A (ko) | 반도체 장치, 그 제조 방법 및 반도체 장치 제품 | |
| JPH08306720A (ja) | 封入成形電子部品およびその製造方法 | |
| JP3427874B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 | |
| JP2003170465A (ja) | 半導体パッケージの製造方法およびそのための封止金型 | |
| KR960010011B1 (ko) | 플라스틱 핀 그리드 어레이 실장 제조공정 | |
| JP3477073B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 | |
| JPH10242385A (ja) | 電力用混合集積回路装置 | |
| JPH01196153A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JP2000012720A (ja) | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 | |
| JPS6326545B2 (ja) | ||
| JPH11307671A (ja) | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 | |
| JPH11307672A (ja) | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 | |
| JPS6389313A (ja) | 電子部品の金型樹脂成形法 | |
| JPH0964080A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH11307663A (ja) | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 | |
| JP3554640B2 (ja) | 半導体チップ装着用パッケージ、半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH10189792A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP2004179584A (ja) | トランジスタパッケージ及びその製造方法 | |
| JPH06224318A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3820991B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2002198455A (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070926 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080926 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080926 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090926 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090926 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100926 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110926 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |