JPH11307671A - 半導体素子収納用パッケージの製造方法 - Google Patents
半導体素子収納用パッケージの製造方法Info
- Publication number
- JPH11307671A JPH11307671A JP10116939A JP11693998A JPH11307671A JP H11307671 A JPH11307671 A JP H11307671A JP 10116939 A JP10116939 A JP 10116939A JP 11693998 A JP11693998 A JP 11693998A JP H11307671 A JPH11307671 A JP H11307671A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- external lead
- insulating base
- lead terminal
- space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】外部リード端子の表面全体に絶縁基体を構成す
る樹脂が被着し、外部リード端子にボンディングワイヤ
を強固に電気的接続することができない。 【解決手段】磁性材料で形成された下金型８と上金型９
を一対とする金型内に空間Ａを設け、下金型８と上金型
９との間に外部リード端子５を配するとともに外部リー
ド端子５の一端５ａを空間Ａ内に露出する上金型９の表
面に、該上金型９の磁力で接合させ、しかる後、空間Ａ
内に液状樹脂Ｐを注入するとともに硬化させる。
る樹脂が被着し、外部リード端子にボンディングワイヤ
を強固に電気的接続することができない。 【解決手段】磁性材料で形成された下金型８と上金型９
を一対とする金型内に空間Ａを設け、下金型８と上金型
９との間に外部リード端子５を配するとともに外部リー
ド端子５の一端５ａを空間Ａ内に露出する上金型９の表
面に、該上金型９の磁力で接合させ、しかる後、空間Ａ
内に液状樹脂Ｐを注入するとともに硬化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子を収容す
るための半導体素子収納用パッケージの製造方法に関す
るものである。
るための半導体素子収納用パッケージの製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子を収容するための半導
体素子収納用パッケージ、通常、エポキシ等の樹脂より
成り、その上面略中央部に半導体素子を収容するための
凹部を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から
外部にかけて導出され、内部に収容する半導体素子を外
部電気回路に接続する鉄ーニッケルーコバルト合金、鉄
ーニッケル合金、銅合金等の金属材料より成る複数個の
外部リード端子と、鉄ーニッケルーコバルト合金等の金
属材料やガラス、サファイア等の無機物、或いはエポキ
シ樹脂等の有機物から成る蓋体とから構成されており、
絶縁基体の凹部に半導体素子を樹脂等の接着材を介して
接着固定するとともに該半導体素子の各電極をボンデイ
ングワイヤ等の電気的接続手段を介して外部リード端子
に接続させ、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体をエポキ
シ樹脂等から成る封止材を介して接合させ、絶縁基体の
凹部を蓋体で塞ぎ、半導体素子を気密に封止することに
よって製品としての半導体装置となる。
体素子収納用パッケージ、通常、エポキシ等の樹脂より
成り、その上面略中央部に半導体素子を収容するための
凹部を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から
外部にかけて導出され、内部に収容する半導体素子を外
部電気回路に接続する鉄ーニッケルーコバルト合金、鉄
ーニッケル合金、銅合金等の金属材料より成る複数個の
外部リード端子と、鉄ーニッケルーコバルト合金等の金
属材料やガラス、サファイア等の無機物、或いはエポキ
シ樹脂等の有機物から成る蓋体とから構成されており、
絶縁基体の凹部に半導体素子を樹脂等の接着材を介して
接着固定するとともに該半導体素子の各電極をボンデイ
ングワイヤ等の電気的接続手段を介して外部リード端子
に接続させ、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体をエポキ
シ樹脂等から成る封止材を介して接合させ、絶縁基体の
凹部を蓋体で塞ぎ、半導体素子を気密に封止することに
よって製品としての半導体装置となる。
【０００３】なお、前記従来の半導体素子収納用パッケ
ージにおけるエポキシ樹脂製絶縁基体は、一般に以下の
方法によって製作される。
ージにおけるエポキシ樹脂製絶縁基体は、一般に以下の
方法によって製作される。
【０００４】即ち、まず（１）上金型と下金型とから成
り、上下金型を当接させることによって内部に絶縁基体
の形状に対応した空間を有する金型を準備する工程と、
（２）前記上金型と下金型とを間に外部リード端子を挟
んで当接させ、上下金型間に外部リード端子を固定する
とともに一端を前記空間内に位置させる工程と、（３）
前記金型の空間内にエポキシ樹脂前駆体を約５０〜２０
０ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力で注入するとともに約１５０〜
２００℃の温度で硬化させて絶縁基体となし、該絶縁基
体に外部リード端子を、一端が絶縁基体の凹部内に、他
端が外部に露出するようにして取着する工程と、（４）
前記外部リード端子が取着された絶縁基体を金型から取
り出す工程とで製作されている。
り、上下金型を当接させることによって内部に絶縁基体
の形状に対応した空間を有する金型を準備する工程と、
（２）前記上金型と下金型とを間に外部リード端子を挟
んで当接させ、上下金型間に外部リード端子を固定する
とともに一端を前記空間内に位置させる工程と、（３）
前記金型の空間内にエポキシ樹脂前駆体を約５０〜２０
０ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力で注入するとともに約１５０〜
２００℃の温度で硬化させて絶縁基体となし、該絶縁基
体に外部リード端子を、一端が絶縁基体の凹部内に、他
端が外部に露出するようにして取着する工程と、（４）
前記外部リード端子が取着された絶縁基体を金型から取
り出す工程とで製作されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージは、外部リード端子の
一端が金型の空間内に位置していること、金型の空間内
に位置する外部リード端子の一端は、該外部リード端子
の自重によって下方に垂れ下がり、上下のいずれの金型
にも接触していないこと等から金型内の空間にエポキシ
樹脂前駆体を注入して絶縁基体を形成する際、注入され
たエポキシ樹脂前駆体は金型の空間内に位置する外部リ
ード端子の表面全体に被着して外部リード端子全体を絶
縁基体を形成するエポキシ樹脂で被覆した状態となって
しまい、その結果、外部リード端子に半導体素子の電極
をボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介し接続し
ようとしてもその接続ができないという欠点を有してい
た。
来の半導体素子収納用パッケージは、外部リード端子の
一端が金型の空間内に位置していること、金型の空間内
に位置する外部リード端子の一端は、該外部リード端子
の自重によって下方に垂れ下がり、上下のいずれの金型
にも接触していないこと等から金型内の空間にエポキシ
樹脂前駆体を注入して絶縁基体を形成する際、注入され
たエポキシ樹脂前駆体は金型の空間内に位置する外部リ
ード端子の表面全体に被着して外部リード端子全体を絶
縁基体を形成するエポキシ樹脂で被覆した状態となって
しまい、その結果、外部リード端子に半導体素子の電極
をボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介し接続し
ようとしてもその接続ができないという欠点を有してい
た。
【０００６】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は絶縁基体に取着された外部リード端子に
絶縁基体を構成する樹脂が被着するのを有効に防止し、
外部リード端子に半導体素子の電極をボンディングワイ
ヤを介して確実、強固に電気的接続することができる半
導体素子収納用パッケージの製造方法を提供することに
ある。
で、その目的は絶縁基体に取着された外部リード端子に
絶縁基体を構成する樹脂が被着するのを有効に防止し、
外部リード端子に半導体素子の電極をボンディングワイ
ヤを介して確実、強固に電気的接続することができる半
導体素子収納用パッケージの製造方法を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子収納
用パッケージの製造方法は、上面に半導体素子を収容す
る凹部を有し、かつ複数個の外部リード端子が一端を前
記凹部内に、他端が外部に露出した状態で取着されてい
る樹脂製絶縁基体と蓋体とから成る半導体素子収納用パ
ッケージであって、前記樹脂製絶縁基体が下記（１）乃
至（４）の工程により製作されていることを特徴とする
ものである。
用パッケージの製造方法は、上面に半導体素子を収容す
る凹部を有し、かつ複数個の外部リード端子が一端を前
記凹部内に、他端が外部に露出した状態で取着されてい
る樹脂製絶縁基体と蓋体とから成る半導体素子収納用パ
ッケージであって、前記樹脂製絶縁基体が下記（１）乃
至（４）の工程により製作されていることを特徴とする
ものである。
【０００８】（１）磁性材料で形成された上金型と下金
型とから成り、上下金型を当接させることによって内部
に絶縁基体の形状に対応した空間を有する金型を準備す
る工程と、（２）前記上金型と下金型とを間に外部リー
ド端子を挟んで当接させ、上下金型間に外部リード端子
を固定するとともに一端を前記空間内に位置させ、かつ
外部リード端子の一端を前記空間に露出する上金型の表
面に、該上金型の磁力で接合させる工程と、（３）前記
金型の空間内に液状樹脂を注入するとともに硬化させて
絶縁基体となし、該絶縁基体に外部リード端子を、一端
が絶縁基体の凹部内に、他端が外部に露出するようにし
て取着する工程と、（４）前記外部リード端子が取着さ
れた絶縁基体を金型から取り出す工程 本発明の製造方法によれば、金型を磁性材料で形成し、
金型の空間内に位置する外部リード端子の一端を空間に
露出する上金型の表面に、該上金型の磁力で接合させた
ことから金型内の空間に液状樹脂を注入して絶縁基体を
形成する際、注入された液状樹脂は金型の空間内に位置
する外部リード端子の上面に被着することは殆どなく、
これによって外部リード端子に半導体素子の電極をボン
ディングワイヤ等の電気的接続手段を介して確実に電気
的接続することが可能となる。
型とから成り、上下金型を当接させることによって内部
に絶縁基体の形状に対応した空間を有する金型を準備す
る工程と、（２）前記上金型と下金型とを間に外部リー
ド端子を挟んで当接させ、上下金型間に外部リード端子
を固定するとともに一端を前記空間内に位置させ、かつ
外部リード端子の一端を前記空間に露出する上金型の表
面に、該上金型の磁力で接合させる工程と、（３）前記
金型の空間内に液状樹脂を注入するとともに硬化させて
絶縁基体となし、該絶縁基体に外部リード端子を、一端
が絶縁基体の凹部内に、他端が外部に露出するようにし
て取着する工程と、（４）前記外部リード端子が取着さ
れた絶縁基体を金型から取り出す工程 本発明の製造方法によれば、金型を磁性材料で形成し、
金型の空間内に位置する外部リード端子の一端を空間に
露出する上金型の表面に、該上金型の磁力で接合させた
ことから金型内の空間に液状樹脂を注入して絶縁基体を
形成する際、注入された液状樹脂は金型の空間内に位置
する外部リード端子の上面に被着することは殆どなく、
これによって外部リード端子に半導体素子の電極をボン
ディングワイヤ等の電気的接続手段を介して確実に電気
的接続することが可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は本発明の製造方法によって製作さ
れた半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
の一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。こ
の絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子３を収容するため
の容器４が構成される。
細に説明する。図１は本発明の製造方法によって製作さ
れた半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
の一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。こ
の絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子３を収容するため
の容器４が構成される。
【００１０】前記絶縁基体１は、例えば、エポキシ樹脂
等の電気絶縁材料から成り、その上面略中央部に半導体
素子３を収容するための凹部１ａが設けてあり、該凹部
１ａ底面には半導体素子３が樹脂等から成る接着材を介
して接着固定される。
等の電気絶縁材料から成り、その上面略中央部に半導体
素子３を収容するための凹部１ａが設けてあり、該凹部
１ａ底面には半導体素子３が樹脂等から成る接着材を介
して接着固定される。
【００１１】また前記絶縁基体１には凹部１ａの内側か
ら外部にかけて導出する複数個の外部リード端子５が取
着されており、該外部リード端子５は内部に収容する半
導体素子３を外部電気回路に電気的に接続する作用を為
し、その一端には半導体素子３の各電極がボンデイング
ワイヤ等の電気的接続手段６を介して接続され、また外
部に導出された他端は、外部電気回路に半田等のロウ材
を介し接続される。
ら外部にかけて導出する複数個の外部リード端子５が取
着されており、該外部リード端子５は内部に収容する半
導体素子３を外部電気回路に電気的に接続する作用を為
し、その一端には半導体素子３の各電極がボンデイング
ワイヤ等の電気的接続手段６を介して接続され、また外
部に導出された他端は、外部電気回路に半田等のロウ材
を介し接続される。
【００１２】前記外部リード端子５は鉄ーニッケルーコ
バルト合金や鉄ーニッケル合金、銅合金等の金属材料か
ら成り、例えば、鉄ーニッケルーコバルト合金のインゴ
ット( 塊) に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知
の金属加工法を施すことによって所定の形状に形成され
る。
バルト合金や鉄ーニッケル合金、銅合金等の金属材料か
ら成り、例えば、鉄ーニッケルーコバルト合金のインゴ
ット( 塊) に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知
の金属加工法を施すことによって所定の形状に形成され
る。
【００１３】なお、前記外部リード端子５は、その露出
表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、ロウ材と濡れ性
がよく、良導電性の金属をメッキ法によリ０．１μｍ乃
至２０μｍの厚みに被着させておくと、外部リード端子
５の酸化腐蝕を有効に防止することができるとともに外
部リード端子５とボンディングワイヤ等の電気的接続手
段６及び外部電気回路との電気的接続を良好となすこと
ができる。従って、前記外部リード端子５はその露出表
面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、ロウ材と濡れ性が
よく、良導電性の金属をメッキ法によリ０．１μｍ乃至
２０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、ロウ材と濡れ性
がよく、良導電性の金属をメッキ法によリ０．１μｍ乃
至２０μｍの厚みに被着させておくと、外部リード端子
５の酸化腐蝕を有効に防止することができるとともに外
部リード端子５とボンディングワイヤ等の電気的接続手
段６及び外部電気回路との電気的接続を良好となすこと
ができる。従って、前記外部リード端子５はその露出表
面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、ロウ材と濡れ性が
よく、良導電性の金属をメッキ法によリ０．１μｍ乃至
２０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
【００１４】また前記外部リード端子５が取着された絶
縁基体１はその上面に鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄
ーニッケル合金、銅合金等の金属材料、あるいは酸化ア
ルミニウム質焼結体やガラス、サファイア等の無機物、
或いはエポキシ樹脂等の有機物から成る蓋体２が樹脂等
から成る封止材を介して接合され、これによって絶縁基
体１と蓋体２とから成る容器４の内部に半導体素子３が
気密に封止される。
縁基体１はその上面に鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄
ーニッケル合金、銅合金等の金属材料、あるいは酸化ア
ルミニウム質焼結体やガラス、サファイア等の無機物、
或いはエポキシ樹脂等の有機物から成る蓋体２が樹脂等
から成る封止材を介して接合され、これによって絶縁基
体１と蓋体２とから成る容器４の内部に半導体素子３が
気密に封止される。
【００１５】かくして上述のパッケージによれば絶縁基
体１の凹部１ａ底面に半導体素子３を接着剤を介して取
着するとともに半導体素子３の各電極をボンデイングワ
イヤ等の電気的接続手段６を介して外部リード端子５に
接続させ、しかる後、絶縁基体１の上面に蓋体２を樹脂
等の封止材により接合させ、絶縁基体１と蓋体２とから
成る容器４の内部に半導体素子３を気密に封止すること
によって製品としての半導体装置となる。
体１の凹部１ａ底面に半導体素子３を接着剤を介して取
着するとともに半導体素子３の各電極をボンデイングワ
イヤ等の電気的接続手段６を介して外部リード端子５に
接続させ、しかる後、絶縁基体１の上面に蓋体２を樹脂
等の封止材により接合させ、絶縁基体１と蓋体２とから
成る容器４の内部に半導体素子３を気密に封止すること
によって製品としての半導体装置となる。
【００１６】次に上述の半導体素子収納用パッケージに
おける絶縁基体１の製造方法について図２（ａ）〜
（ｃ）に基づき説明する。まず、図２（ａ）に示すごと
く、絶縁基体１を製作するための下金型８、上金型９を
一対とする金型を準備する。この下金型８、上金型９は
上下に当接させた際、内部に絶縁基体１に対応した形状
の空間Ａが形成される。
おける絶縁基体１の製造方法について図２（ａ）〜
（ｃ）に基づき説明する。まず、図２（ａ）に示すごと
く、絶縁基体１を製作するための下金型８、上金型９を
一対とする金型を準備する。この下金型８、上金型９は
上下に当接させた際、内部に絶縁基体１に対応した形状
の空間Ａが形成される。
【００１７】前記下金型８及び上金型９は、例えば、ア
ルミニウムーニッケルー鉄の合金（必要に応じてコバル
ト、銅、チタンを含有させる場合がある）等の磁性材料
によって形成されており、アルミニウムーニッケルー鉄
の合金（必要に応じてコバルト、銅、チタンを含有させ
る場合がある）等のインゴット（塊）に研削加工や放電
加工等の金属加工法を施すことによって空間Ａとなる溝
が形成される。
ルミニウムーニッケルー鉄の合金（必要に応じてコバル
ト、銅、チタンを含有させる場合がある）等の磁性材料
によって形成されており、アルミニウムーニッケルー鉄
の合金（必要に応じてコバルト、銅、チタンを含有させ
る場合がある）等のインゴット（塊）に研削加工や放電
加工等の金属加工法を施すことによって空間Ａとなる溝
が形成される。
【００１８】前記下金型８及び上金型９をアルミニウム
ーニッケルー鉄の合金（必要に応じてコバルト、銅、チ
タンを含有させる場合がある）等の磁性材料で形成する
のは下金型８と上金型９とを上下に当接させた際、その
当接の接合強度を上げるとともに後述する外部リード端
子５の空間Ａ内に位置する一端５ａを上金型９の下面に
強固に密着接合させるためである。
ーニッケルー鉄の合金（必要に応じてコバルト、銅、チ
タンを含有させる場合がある）等の磁性材料で形成する
のは下金型８と上金型９とを上下に当接させた際、その
当接の接合強度を上げるとともに後述する外部リード端
子５の空間Ａ内に位置する一端５ａを上金型９の下面に
強固に密着接合させるためである。
【００１９】前記磁性材料から成る下金型８及び上金型
９はその磁力が５ｇ／ｃｍ2 未満の保持力となると下金
型８と上金型９とを上下に強固に当接させることができ
ず、また外部リード端子５の空間Ａ内に位置する一端５
ａを上金型９の下面に強固に密着接合させることが困難
となる。また磁力が１００ｇ／ｃｍ2 を超える保持力と
なると下金型８と上金型９とが強く接合するとともに上
金型９と外部リード端子５との接合が強くなって成形し
た絶縁基体を下金型８と上金型９より取り出すのが手間
で困難となる。従って、前記磁性材料から成る下金型８
及び上金型９はその磁力を５ｇ／ｃｍ2 〜１００ｇ／ｃ
ｍ2 の保持力となるようにしておくことが好ましい。
９はその磁力が５ｇ／ｃｍ2 未満の保持力となると下金
型８と上金型９とを上下に強固に当接させることができ
ず、また外部リード端子５の空間Ａ内に位置する一端５
ａを上金型９の下面に強固に密着接合させることが困難
となる。また磁力が１００ｇ／ｃｍ2 を超える保持力と
なると下金型８と上金型９とが強く接合するとともに上
金型９と外部リード端子５との接合が強くなって成形し
た絶縁基体を下金型８と上金型９より取り出すのが手間
で困難となる。従って、前記磁性材料から成る下金型８
及び上金型９はその磁力を５ｇ／ｃｍ2 〜１００ｇ／ｃ
ｍ2 の保持力となるようにしておくことが好ましい。
【００２０】次に図２（ｂ）に示す如く、前記下金型
８、上金型９とを間に複数個の外部リード端子５を挟ん
で上下に当接させ、上下金型８、９間に外部リード端子
５を固定するとともに一端を５ａを空間Ａ内に位置させ
る。
８、上金型９とを間に複数個の外部リード端子５を挟ん
で上下に当接させ、上下金型８、９間に外部リード端子
５を固定するとともに一端を５ａを空間Ａ内に位置させ
る。
【００２１】また同時に空間Ａ内に位置する外部リード
端子５の一端５ａは空間Ａに露出する上金型９の表面
に、該上金型９の磁力をもって接合させる。
端子５の一端５ａは空間Ａに露出する上金型９の表面
に、該上金型９の磁力をもって接合させる。
【００２２】次に図２（ｃ）に示す如く、前記外部リー
ド端子５が固定されている金型の空間Ａ内に注入口１１
を通して液状樹脂Ｐを所定の圧力で注入する。この場
合、外部リード端子５の空間Ａ内に位置する一端５ａは
空間Ａに露出する上金型９の表面に、該上金型９の磁力
をもって密着接合しているため注入された液状樹脂Ｐが
外部リード端子の上面に被着することはない。
ド端子５が固定されている金型の空間Ａ内に注入口１１
を通して液状樹脂Ｐを所定の圧力で注入する。この場
合、外部リード端子５の空間Ａ内に位置する一端５ａは
空間Ａに露出する上金型９の表面に、該上金型９の磁力
をもって密着接合しているため注入された液状樹脂Ｐが
外部リード端子の上面に被着することはない。
【００２３】前記金型の空間Ａ内に注入される液状樹脂
Ｐとしては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂に、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化
剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合して成るエ
ポキシ樹脂前駆体から成り、注入口１１より空間Ａ内
に、例えば、約５０〜２００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で注
入される。
Ｐとしては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂に、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化
剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合して成るエ
ポキシ樹脂前駆体から成り、注入口１１より空間Ａ内
に、例えば、約５０〜２００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で注
入される。
【００２４】次に前記金型の空間Ａ内に注入された液状
樹脂Ｐは１５０〜２００℃の温度で熱処理され、液状樹
脂Ｐを熱硬化させることによって上面に半導体素子を収
容する凹部を有する絶縁基体１となし、同時に複数個の
外部リード端子５を、一端が絶縁基体１の凹部１ａ内
に、他端が外部に露出するようにして取着される。この
場合、絶縁基体１の凹部１ａ内に露出する外部リード端
子５の一端はその上面に絶縁基体１を構成する樹脂が被
着しておらず、完全に露出していることから外部リード
端子５に半導体素子の電極をボンディングワイヤ等の電
気的接続手段を介して電気的に接続する際、その接続が
確実、強固となる。
樹脂Ｐは１５０〜２００℃の温度で熱処理され、液状樹
脂Ｐを熱硬化させることによって上面に半導体素子を収
容する凹部を有する絶縁基体１となし、同時に複数個の
外部リード端子５を、一端が絶縁基体１の凹部１ａ内
に、他端が外部に露出するようにして取着される。この
場合、絶縁基体１の凹部１ａ内に露出する外部リード端
子５の一端はその上面に絶縁基体１を構成する樹脂が被
着しておらず、完全に露出していることから外部リード
端子５に半導体素子の電極をボンディングワイヤ等の電
気的接続手段を介して電気的に接続する際、その接続が
確実、強固となる。
【００２５】そして最後に、上下金型８、９を分割し、
外部リード端子が取着されている絶縁基体を取り出すこ
とによって図１に示す半導体素子収納用パッケージの絶
縁基体１となる。
外部リード端子が取着されている絶縁基体を取り出すこ
とによって図１に示す半導体素子収納用パッケージの絶
縁基体１となる。
【００２６】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例では、
下金型８と上金型９の両方を磁性材料で形成したが、上
金型９のみを磁性材料で形成しておいてもよい。また上
金型９全体を磁性材料で形成するのではなく、上金型９
の下面で外部リード端子５の一端５ａが位置する部位に
のみ磁性材料から成る部材を別途配設させておいてもよ
い。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例では、
下金型８と上金型９の両方を磁性材料で形成したが、上
金型９のみを磁性材料で形成しておいてもよい。また上
金型９全体を磁性材料で形成するのではなく、上金型９
の下面で外部リード端子５の一端５ａが位置する部位に
のみ磁性材料から成る部材を別途配設させておいてもよ
い。
【００２７】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、金型を磁性
材料で形成し、金型の空間内に位置する外部リード端子
の一端を空間に露出する上金型の表面に、該上金型の磁
力で接合させたことから金型内の空間に液状樹脂を注入
して絶縁基体を形成する際、注入された液状樹脂は金型
の空間内に位置する外部リード端子の上面に被着するこ
とは殆どなく、これによって外部リード端子に半導体素
子の電極をボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介
して確実に電気的接続することが可能となる。
材料で形成し、金型の空間内に位置する外部リード端子
の一端を空間に露出する上金型の表面に、該上金型の磁
力で接合させたことから金型内の空間に液状樹脂を注入
して絶縁基体を形成する際、注入された液状樹脂は金型
の空間内に位置する外部リード端子の上面に被着するこ
とは殆どなく、これによって外部リード端子に半導体素
子の電極をボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介
して確実に電気的接続することが可能となる。
【図１】本発明の製造方法によって製作された半導体素
子を収容する半導体素子収納用パッケージの一実施例を
示す断面図である。
子を収容する半導体素子収納用パッケージの一実施例を
示す断面図である。
【図２】（ａ）乃至（ｃ）は図１に示すパッケージの絶
縁基体の製造方法を説明するための各工程毎の断面図で
ある。
縁基体の製造方法を説明するための各工程毎の断面図で
ある。
１・・・絶縁基体 ２・・・蓋体 ３・・・半導体素子 ４・・・容器 ５・・・外部リード端子 ８・・・下金型 ９・・・上金型 Ａ・・・空間
Claims (1)
- 【請求項１】上面に半導体素子を収容する凹部を有し、
かつ複数個の外部リード端子が一端を前記凹部内に、他
端が外部に露出した状態で取着されている樹脂製絶縁基
体と蓋体とから成る半導体素子収納用パッケージであっ
て、前記樹脂製絶縁基体が下記（１）乃至（４）の工程
により製作されていることを特徴とする半導体素子収納
用パッケージの製造方法。 （１）磁性材料で形成された上金型と下金型とから成
り、上下金型を当接させることによって内部に絶縁基体
の形状に対応した空間を有する金型を準備する工程と、
（２）前記上金型と下金型とを間に外部リード端子を挟
んで当接させ、上下金型間に外部リード端子を固定する
とともに一端を前記空間内に位置させ、かつ外部リード
端子の他端を前記空間に露出する上金型の表面に、該上
金型の磁力で接合させる工程と、（３）前記金型の空間
内に液状樹脂を注入するとともに硬化させて絶縁基体と
なし、該絶縁基体に外部リード端子を、一端が絶縁基体
の凹部内に、他端が外部に露出するようにして取着する
工程と、（４）前記外部リード端子が取着された絶縁基
体を金型から取り出す工程
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10116939A JPH11307671A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10116939A JPH11307671A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307671A true JPH11307671A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14699462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10116939A Pending JPH11307671A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11307671A (ja) |
-
1998
- 1998-04-27 JP JP10116939A patent/JPH11307671A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5144412A (en) | Process for manufacturing plastic pin grid arrays and the product produced thereby | |
| US4965227A (en) | Process for manufacturing plastic pin grid arrays and the product produced thereby | |
| JP2552822B2 (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 | |
| US4816426A (en) | Process for manufacturing plastic pin grid arrays and the product produced thereby | |
| EP0658935A2 (en) | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same | |
| KR20080108908A (ko) | 반도체 장치, 그 제조 방법 및 반도체 장치 제품 | |
| JPH08306720A (ja) | 封入成形電子部品およびその製造方法 | |
| JP2003170465A (ja) | 半導体パッケージの製造方法およびそのための封止金型 | |
| KR960010011B1 (ko) | 플라스틱 핀 그리드 어레이 실장 제조공정 | |
| JPH01196153A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JP3477073B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 | |
| JPH10242385A (ja) | 電力用混合集積回路装置 | |
| JPH11307671A (ja) | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 | |
| JPH11307672A (ja) | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 | |
| JP2000012720A (ja) | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 | |
| JPS6389313A (ja) | 電子部品の金型樹脂成形法 | |
| JPS6326545B2 (ja) | ||
| JPH11307663A (ja) | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 | |
| JP2004165181A (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
| JP3554640B2 (ja) | 半導体チップ装着用パッケージ、半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2004179584A (ja) | トランジスタパッケージ及びその製造方法 | |
| JP2002198455A (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよびその製造方法 | |
| CN112713090B (zh) | 一种qfn器件的制备方法及qfn器件 | |
| JPH10189792A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP2004165314A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040113 |