JPH11307663A - 半導体素子収納用パッケージの製造方法 - Google Patents
半導体素子収納用パッケージの製造方法Info
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- JPH11307663A JPH11307663A JP10113437A JP11343798A JPH11307663A JP H11307663 A JPH11307663 A JP H11307663A JP 10113437 A JP10113437 A JP 10113437A JP 11343798 A JP11343798 A JP 11343798A JP H11307663 A JPH11307663 A JP H11307663A
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】絶縁基体に多数のボイドが形成されて、半導体
素子の気密封止ができない。 【解決手段】下金型８と上金型９を一対とした金型内に
主空間Ａと該主空間Ａに連通する副空間ａを設け、主空
間Ａ内に液状樹脂Ｐを注入するとともに該主空間Ａ内の
空気を副空間ａ内へ移動させ、しかる後、主空間Ａ内に
注入された液状樹脂Ｐを硬化させる。
素子の気密封止ができない。 【解決手段】下金型８と上金型９を一対とした金型内に
主空間Ａと該主空間Ａに連通する副空間ａを設け、主空
間Ａ内に液状樹脂Ｐを注入するとともに該主空間Ａ内の
空気を副空間ａ内へ移動させ、しかる後、主空間Ａ内に
注入された液状樹脂Ｐを硬化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子を収容す
るための半導体素子収納用パッケージの製造方法に関す
るものである。
るための半導体素子収納用パッケージの製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子を収容するための半導
体素子収納用パッケージ、通常、エポキシ等の樹脂より
成り、その上面略中央部に半導体素子を収容するための
凹部を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から
外部にかけて導出され、内部に収容する半導体素子を外
部電気回路に接続する鉄ーニッケルーコバルト合金、鉄
ーニッケル合金、銅合金等の金属材料より成る複数個の
外部リード端子と、鉄ーニッケルーコバルト合金等の金
属材料やガラス、サファイア等の無機物、或いはエポキ
シ樹脂等の有機物から成る蓋体とから構成されており、
絶縁基体の凹部に半導体素子を樹脂等の接着材を介して
接着固定するとともに該半導体素子の各電極をボンデイ
ングワイヤ等の電気的接続手段を介して外部リード端子
に接続させ、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体をエポキ
シ樹脂等から成る封止材を介して接合させ、絶縁基体の
凹部を蓋体で塞ぎ、半導体素子を気密に封止することに
よって製品としての半導体装置となる。
体素子収納用パッケージ、通常、エポキシ等の樹脂より
成り、その上面略中央部に半導体素子を収容するための
凹部を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から
外部にかけて導出され、内部に収容する半導体素子を外
部電気回路に接続する鉄ーニッケルーコバルト合金、鉄
ーニッケル合金、銅合金等の金属材料より成る複数個の
外部リード端子と、鉄ーニッケルーコバルト合金等の金
属材料やガラス、サファイア等の無機物、或いはエポキ
シ樹脂等の有機物から成る蓋体とから構成されており、
絶縁基体の凹部に半導体素子を樹脂等の接着材を介して
接着固定するとともに該半導体素子の各電極をボンデイ
ングワイヤ等の電気的接続手段を介して外部リード端子
に接続させ、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体をエポキ
シ樹脂等から成る封止材を介して接合させ、絶縁基体の
凹部を蓋体で塞ぎ、半導体素子を気密に封止することに
よって製品としての半導体装置となる。
【０００３】なお、前記従来の半導体素子収納用パッケ
ージにおけるエポキシ樹脂製絶縁基体は、一般に以下の
方法によって製作される。
ージにおけるエポキシ樹脂製絶縁基体は、一般に以下の
方法によって製作される。
【０００４】即ち、まず（１）上金型と下金型とから成
り、上下金型を当接させることによって内部に絶縁基体
の形状に対応した主空間を有する金型を準備する工程
と、（２）前記上金型と下金型とを間に外部リード端子
を挟んで当接させ、上下金型間に外部リード端子を固定
する工程と、（３）前記金型の主空間内にエポキシ樹脂
前駆体を約５０〜２００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で注入す
る工程と、（４）前記金型の主空間内に注入されたエポ
キシ樹脂前駆体に約１５０〜２００℃の温度を印加し、
硬化させて絶縁基体となすとともに、該絶縁基体に外部
リード端子を、一端が絶縁基体の凹部内に、他端が外部
に露出するようにして取着する工程と、（５）前記外部
リード端子が取着された絶縁基体を金型から取り出す工
程とで製作されている。
り、上下金型を当接させることによって内部に絶縁基体
の形状に対応した主空間を有する金型を準備する工程
と、（２）前記上金型と下金型とを間に外部リード端子
を挟んで当接させ、上下金型間に外部リード端子を固定
する工程と、（３）前記金型の主空間内にエポキシ樹脂
前駆体を約５０〜２００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で注入す
る工程と、（４）前記金型の主空間内に注入されたエポ
キシ樹脂前駆体に約１５０〜２００℃の温度を印加し、
硬化させて絶縁基体となすとともに、該絶縁基体に外部
リード端子を、一端が絶縁基体の凹部内に、他端が外部
に露出するようにして取着する工程と、（５）前記外部
リード端子が取着された絶縁基体を金型から取り出す工
程とで製作されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージは、金型内の主空間に
エポキシ樹脂前駆体を注入して絶縁基体を形成する際、
主空間が上金型と下金型で密閉されているため主空間内
に存在する空気の外部への流出が悪く、空気の一部が注
入されるエポキシ樹脂前駆体に取り込まれて絶縁基体に
多数のボイド( 穴) が形成されてしまい、その結果、絶
縁基体と蓋体とで半導体素子を気密に封止することが不
可となり、内部に収容する半導体素子を長期間にわたり
正常、かつ安定に作動させることができないという欠点
を有していた。
来の半導体素子収納用パッケージは、金型内の主空間に
エポキシ樹脂前駆体を注入して絶縁基体を形成する際、
主空間が上金型と下金型で密閉されているため主空間内
に存在する空気の外部への流出が悪く、空気の一部が注
入されるエポキシ樹脂前駆体に取り込まれて絶縁基体に
多数のボイド( 穴) が形成されてしまい、その結果、絶
縁基体と蓋体とで半導体素子を気密に封止することが不
可となり、内部に収容する半導体素子を長期間にわたり
正常、かつ安定に作動させることができないという欠点
を有していた。
【０００６】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は絶縁基体にボイドが形成されるのを有効
に防止し、絶縁基体と蓋体とで半導体素子を気密に封止
するとともに半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安
定に作動させることができる半導体素子収納用パッケー
ジの製造方法を提供することにある。
で、その目的は絶縁基体にボイドが形成されるのを有効
に防止し、絶縁基体と蓋体とで半導体素子を気密に封止
するとともに半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安
定に作動させることができる半導体素子収納用パッケー
ジの製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子収納
用パッケージの製造方法は、上面に半導体素子を収容す
る凹部を有し、かつ複数個の外部リード端子が一端を前
記凹部内に、他端が外部に露出した状態で取着されてい
る樹脂製絶縁基体と蓋体とから成る半導体素子収納用パ
ッケージであって、前記樹脂製絶縁基体が下記（１）及
び（５）の工程により製作されていることを特徴とする
ものである。
用パッケージの製造方法は、上面に半導体素子を収容す
る凹部を有し、かつ複数個の外部リード端子が一端を前
記凹部内に、他端が外部に露出した状態で取着されてい
る樹脂製絶縁基体と蓋体とから成る半導体素子収納用パ
ッケージであって、前記樹脂製絶縁基体が下記（１）及
び（５）の工程により製作されていることを特徴とする
ものである。
【０００８】（１）上金型と下金型とから成り、上下金
型を当接させることによって内部に絶縁基体の形状に対
応した主空間及び該主空間と連通する副空間を有する金
型を準備する工程と、（２）前記上金型と下金型とを間
に外部リード端子を挟んで当接させ、上下金型間に外部
リード端子を固定する工程と、（３）前記金型の主空間
内に液状樹脂を注入するとともに該主空間内の空気を副
空間内へ移動させる工程と、（４）前記金型の主空間内
に注入された液状樹脂を硬化させて絶縁基体となし、該
絶縁基体に外部リード端子を、一端が絶縁基体の凹部内
に、他端が外部に露出するようにして取着する工程と、
（５）前記外部リード端子が取着された絶縁基体を金型
から取り出す工程。
型を当接させることによって内部に絶縁基体の形状に対
応した主空間及び該主空間と連通する副空間を有する金
型を準備する工程と、（２）前記上金型と下金型とを間
に外部リード端子を挟んで当接させ、上下金型間に外部
リード端子を固定する工程と、（３）前記金型の主空間
内に液状樹脂を注入するとともに該主空間内の空気を副
空間内へ移動させる工程と、（４）前記金型の主空間内
に注入された液状樹脂を硬化させて絶縁基体となし、該
絶縁基体に外部リード端子を、一端が絶縁基体の凹部内
に、他端が外部に露出するようにして取着する工程と、
（５）前記外部リード端子が取着された絶縁基体を金型
から取り出す工程。
【０００９】本発明の製造方法によれば、金型内に主空
間と該主空間に連通する副空間を設けたことから主空間
に液状樹脂を注入して絶縁基体を形成する際、主空間内
に存在する空気は注入される液状樹脂で副空間に押し込
まれて液状樹脂内に取り込まれることはなく、その結
果、絶縁基体はボイドの形成がなく、緻密なものとな
り、これによって絶縁基体と蓋体とで半導体素子を完全
に気密封止することが可能になるとともに収容される半
導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させる
ことが可能となる。
間と該主空間に連通する副空間を設けたことから主空間
に液状樹脂を注入して絶縁基体を形成する際、主空間内
に存在する空気は注入される液状樹脂で副空間に押し込
まれて液状樹脂内に取り込まれることはなく、その結
果、絶縁基体はボイドの形成がなく、緻密なものとな
り、これによって絶縁基体と蓋体とで半導体素子を完全
に気密封止することが可能になるとともに収容される半
導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させる
ことが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は本発明の製造方法によって製作さ
れた半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
の一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。こ
の絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子３を収容するため
の容器４が構成される。
細に説明する。図１は本発明の製造方法によって製作さ
れた半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
の一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。こ
の絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子３を収容するため
の容器４が構成される。
【００１１】前記絶縁基体１は、例えば、エポキシ樹脂
等の電気絶縁材料から成り、その上面略中央部に半導体
素子３を収容するための凹部１ａが設けてあり、該凹部
１ａ底面には半導体素子３が樹脂等から成る接着材を介
して接着固定される。
等の電気絶縁材料から成り、その上面略中央部に半導体
素子３を収容するための凹部１ａが設けてあり、該凹部
１ａ底面には半導体素子３が樹脂等から成る接着材を介
して接着固定される。
【００１２】また前記絶縁基体１には凹部１ａの内側か
ら外部にかけて導出する複数個の外部リード端子５が取
着されており、該外部リード端子５は内部に収容する半
導体素子３を外部電気回路に電気的に接続する作用を為
し、その一端には半導体素子３の各電極がボンデイング
ワイヤ等の電気的接続手段６を介して接続され、また外
部に導出された他端は、外部電気回路に半田等のロウ材
を介し接続される。
ら外部にかけて導出する複数個の外部リード端子５が取
着されており、該外部リード端子５は内部に収容する半
導体素子３を外部電気回路に電気的に接続する作用を為
し、その一端には半導体素子３の各電極がボンデイング
ワイヤ等の電気的接続手段６を介して接続され、また外
部に導出された他端は、外部電気回路に半田等のロウ材
を介し接続される。
【００１３】前記外部リード端子５は鉄ーニッケルーコ
バルト合金や鉄ーニッケル合金、銅合金等の金属材料か
ら成り、例えば、鉄ーニッケルーコバルト合金のインゴ
ット( 塊) に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知
の金属加工法を施すことによって所定の形状に形成され
る。
バルト合金や鉄ーニッケル合金、銅合金等の金属材料か
ら成り、例えば、鉄ーニッケルーコバルト合金のインゴ
ット( 塊) に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知
の金属加工法を施すことによって所定の形状に形成され
る。
【００１４】なお、前記外部リード端子５は、その露出
表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、ロウ材と濡れ性
がよく、良導電性の金属をメッキ法によリ０．１μｍ乃
至２０μｍの厚みに被着させておくと、外部リード端子
５の酸化腐蝕を有効に防止することができるとともに外
部リード端子５とボンディングワイヤ等の電気的接続手
段６及び外部電気回路との電気的接続を良好となすこと
ができる。従って、前記外部リード端子５はその露出表
面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、ロウ材と濡れ性が
よく、良導電性の金属をメッキ法によリ０．１μｍ乃至
２０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、ロウ材と濡れ性
がよく、良導電性の金属をメッキ法によリ０．１μｍ乃
至２０μｍの厚みに被着させておくと、外部リード端子
５の酸化腐蝕を有効に防止することができるとともに外
部リード端子５とボンディングワイヤ等の電気的接続手
段６及び外部電気回路との電気的接続を良好となすこと
ができる。従って、前記外部リード端子５はその露出表
面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、ロウ材と濡れ性が
よく、良導電性の金属をメッキ法によリ０．１μｍ乃至
２０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
【００１５】また前記外部リード端子５が取着された絶
縁基体１はその上面に鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄
ーニッケル合金、銅合金等の金属材料、あるいは酸化ア
ルミニウム質焼結体やガラス、サファイア等の無機物、
或いはエポキシ樹脂等の有機物から成る蓋体２が樹脂等
から成る封止材を介して接合され、これによって絶縁基
体１と蓋体２とから成る容器４の内部に半導体素子３が
気密に封止される。
縁基体１はその上面に鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄
ーニッケル合金、銅合金等の金属材料、あるいは酸化ア
ルミニウム質焼結体やガラス、サファイア等の無機物、
或いはエポキシ樹脂等の有機物から成る蓋体２が樹脂等
から成る封止材を介して接合され、これによって絶縁基
体１と蓋体２とから成る容器４の内部に半導体素子３が
気密に封止される。
【００１６】かくして上述のパッケージによれば絶縁基
体１の凹部１ａ底面に半導体素子３を接着剤を介して取
着するとともに半導体素子３の各電極をボンデイングワ
イヤ等の電気的接続手段６を介して外部リード端子５に
接続させ、しかる後、絶縁基体１の上面に蓋体２を樹脂
等の封止材により接合させ、絶縁基体１と蓋体２とから
成る容器４の内部に半導体素子３を気密に封止すること
によって製品としての半導体装置となる。
体１の凹部１ａ底面に半導体素子３を接着剤を介して取
着するとともに半導体素子３の各電極をボンデイングワ
イヤ等の電気的接続手段６を介して外部リード端子５に
接続させ、しかる後、絶縁基体１の上面に蓋体２を樹脂
等の封止材により接合させ、絶縁基体１と蓋体２とから
成る容器４の内部に半導体素子３を気密に封止すること
によって製品としての半導体装置となる。
【００１７】次に上述の半導体素子収納用パッケージに
おける絶縁基体１の製造方法について図２（ａ）〜
（ｃ）に基づき説明する。まず、図２（ａ）に示すごと
く、絶縁基体１を製作するための下金型８、上金型９を
一対とする金型を準備する。この下金型８、上金型９は
上下に当接させた際、内部に絶縁基体１に対応した形状
の主空間Ａと該主空間Ａに連通する副空間ａが形成され
る。
おける絶縁基体１の製造方法について図２（ａ）〜
（ｃ）に基づき説明する。まず、図２（ａ）に示すごと
く、絶縁基体１を製作するための下金型８、上金型９を
一対とする金型を準備する。この下金型８、上金型９は
上下に当接させた際、内部に絶縁基体１に対応した形状
の主空間Ａと該主空間Ａに連通する副空間ａが形成され
る。
【００１８】前記下金型８及び上金型９は、例えば、ス
テンレス鋼等から成る金属材料によって形成されてお
り、ステンレス鋼等のインゴット（塊）に研削加工や放
電加工等の金属加工法を施すことによって主空間Ａ及び
副空間ａとなる溝が形成される。
テンレス鋼等から成る金属材料によって形成されてお
り、ステンレス鋼等のインゴット（塊）に研削加工や放
電加工等の金属加工法を施すことによって主空間Ａ及び
副空間ａとなる溝が形成される。
【００１９】前記副空間ａはその容積が主空間Ａの容積
の１０〜５０％程度となっており、副空間ａは後述する
主空間Ａ内に液状樹脂を注入した際、主空間Ａ内の空気
を吸収する作用をなす。
の１０〜５０％程度となっており、副空間ａは後述する
主空間Ａ内に液状樹脂を注入した際、主空間Ａ内の空気
を吸収する作用をなす。
【００２０】なお、前記副空間ａの容積が主空間Ａの容
積の１０％未満となると主空間Ａ内に液状樹脂を注入し
た際、主空間Ａ内の空気の押し出しが不十分となって、
主空間Ａ内に注入される液状樹脂内に空気が取り込まれ
てしまう危険性がある。従って、前記副空間ａはその容
積を主空間Ａの容積の１０％以上としておくことが好ま
しく、金型全体の形状を小型とし、取扱いを良好なもの
とするには５０％以下としておくのが良い。
積の１０％未満となると主空間Ａ内に液状樹脂を注入し
た際、主空間Ａ内の空気の押し出しが不十分となって、
主空間Ａ内に注入される液状樹脂内に空気が取り込まれ
てしまう危険性がある。従って、前記副空間ａはその容
積を主空間Ａの容積の１０％以上としておくことが好ま
しく、金型全体の形状を小型とし、取扱いを良好なもの
とするには５０％以下としておくのが良い。
【００２１】次に図２（ｂ）に示す如く、前記下金型
８、上金型９とを間に複数個の外部リード端子５を挟ん
で上下に当接させ、上下金型８、９間に外部リード端子
５を固定するとともに外部リード端子５の一端を主空間
Ａ内の上金型９に当接させる。
８、上金型９とを間に複数個の外部リード端子５を挟ん
で上下に当接させ、上下金型８、９間に外部リード端子
５を固定するとともに外部リード端子５の一端を主空間
Ａ内の上金型９に当接させる。
【００２２】次に図２（ｃ）に示す如く、前記外部リー
ド端子５が固定されている金型の主空間Ａ内に注入口１
１を通して液状樹脂Ｐを所定の圧力で注入する。
ド端子５が固定されている金型の主空間Ａ内に注入口１
１を通して液状樹脂Ｐを所定の圧力で注入する。
【００２３】前記金型の主空間Ａ内に注入される液状樹
脂Ｐとしては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂に、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化
剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合して成るエ
ポキシ樹脂前駆体から成り、注入口１１より主空間Ａ内
に、例えば、約５０〜２００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で注
入される。
脂Ｐとしては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂に、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化
剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合して成るエ
ポキシ樹脂前駆体から成り、注入口１１より主空間Ａ内
に、例えば、約５０〜２００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で注
入される。
【００２４】また前記注入口１１より主空間Ａ内に液状
樹脂Ｐを注入する場合、主空間Ａ内に存在する空気は注
入される液状樹脂Ｐによって主空間Ａと連通する副空間
ａ内に押し込まれ、その結果、主空間Ａ内に注入された
液状樹脂Ｐに空気が取り込まれることはない。
樹脂Ｐを注入する場合、主空間Ａ内に存在する空気は注
入される液状樹脂Ｐによって主空間Ａと連通する副空間
ａ内に押し込まれ、その結果、主空間Ａ内に注入された
液状樹脂Ｐに空気が取り込まれることはない。
【００２５】次に前記金型の主空間Ａ内に注入された液
状樹脂Ｐに１５０〜２００℃の温度を印加し、液状樹脂
Ｐを熱硬化させて上面に半導体素子を収容する凹部を有
する絶縁基体１となし、同時に複数個の外部リード端子
５を、一端が絶縁基体１の凹部１ａ内に、他端が外部に
露出するようにして取着する。
状樹脂Ｐに１５０〜２００℃の温度を印加し、液状樹脂
Ｐを熱硬化させて上面に半導体素子を収容する凹部を有
する絶縁基体１となし、同時に複数個の外部リード端子
５を、一端が絶縁基体１の凹部１ａ内に、他端が外部に
露出するようにして取着する。
【００２６】なお、この場合、主空間Ａ内に注入された
液状樹脂Ｐには空気が取り込まれていないことから熱硬
化によって形成される絶縁基体１もボイドの極めて少な
い緻密なものとなり、その結果、この絶縁基体と蓋体と
で半導体素子を収容する容器を構成した場合、半導体素
子の気密封止が完全となり、半導体素子を長期間にわた
り正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
液状樹脂Ｐには空気が取り込まれていないことから熱硬
化によって形成される絶縁基体１もボイドの極めて少な
い緻密なものとなり、その結果、この絶縁基体と蓋体と
で半導体素子を収容する容器を構成した場合、半導体素
子の気密封止が完全となり、半導体素子を長期間にわた
り正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【００２７】そして最後に、上下金型８、９を分割し、
外部リード端子が取着されている絶縁基体を取り出すこ
とによって図１に示す半導体素子収納用パッケージの絶
縁基体１となる。
外部リード端子が取着されている絶縁基体を取り出すこ
とによって図１に示す半導体素子収納用パッケージの絶
縁基体１となる。
【００２８】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、図２に示す実施例で
は副空間ａを下金型８に溝を設けることによって形成し
たが、これを上金型９に溝を設けることによって形成し
ても、上下両金型８、９に溝をもうけることによって形
成してもよい。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、図２に示す実施例で
は副空間ａを下金型８に溝を設けることによって形成し
たが、これを上金型９に溝を設けることによって形成し
ても、上下両金型８、９に溝をもうけることによって形
成してもよい。
【００２９】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージの
製造方法によれば、金型内に主空間と該主空間に連通す
る副空間を設けたことから主空間に液状樹脂を注入して
絶縁基体を形成する際、主空間内に存在する空気は注入
される液状樹脂で副空間に押し込まれて液状樹脂内に取
り込まれることはなく、その結果、絶縁基体はボイドの
形成がなく、緻密なものとなり、これによって絶縁基体
と蓋体とで半導体素子を完全に気密封止することが可能
になるとともに収容される半導体素子を長期間にわたり
正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
製造方法によれば、金型内に主空間と該主空間に連通す
る副空間を設けたことから主空間に液状樹脂を注入して
絶縁基体を形成する際、主空間内に存在する空気は注入
される液状樹脂で副空間に押し込まれて液状樹脂内に取
り込まれることはなく、その結果、絶縁基体はボイドの
形成がなく、緻密なものとなり、これによって絶縁基体
と蓋体とで半導体素子を完全に気密封止することが可能
になるとともに収容される半導体素子を長期間にわたり
正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【図１】本発明の製造方法によって製作された半導体素
子を収容する半導体素子収納用パッケージの一実施例を
示す断面図である。
子を収容する半導体素子収納用パッケージの一実施例を
示す断面図である。
【図２】（ａ）乃至（ｃ）は図１に示すパッケージの絶
縁基体の製造方法を説明するための各工程毎の断面図で
ある。
縁基体の製造方法を説明するための各工程毎の断面図で
ある。
１・・・絶縁基体 ２・・・蓋体 ３・・・半導体素子 ４・・・容器 ５・・・外部リード端子 ８・・・下金型 ９・・・上金型 Ａ・・・主空間 ａ・・・副空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (1)
- 【請求項１】上面に半導体素子を収容する凹部を有し、
かつ複数個の外部リード端子が一端を前記凹部内に、他
端が外部に露出した状態で取着されている樹脂製絶縁基
体と蓋体とから成る半導体素子収納用パッケージであっ
て、前記樹脂製絶縁基体が下記（１）及び（５）の工程
により製作されていることを特徴とする半導体素子収納
用パッケージの製造方法。 （１）上金型と下金型とから成り、上下金型を当接させ
ることによって内部に絶縁基体の形状に対応した主空間
及び該主空間と連通する副空間を有する金型を準備する
工程と、（２）前記上金型と下金型とを間に外部リード
端子を挟んで当接させ、上下金型間に外部リード端子を
固定する工程と、（３）前記金型の主空間内に液状樹脂
を注入するとともに該主空間内の空気を副空間内へ移動
させる工程と、（４）前記金型の主空間内に注入された
液状樹脂を硬化させて絶縁基体となし、該絶縁基体に外
部リード端子を、一端が絶縁基体の凹部内に、他端が外
部に露出するようにして取着する工程と、（５）前記外
部リード端子が取着された絶縁基体を金型から取り出す
工程
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10113437A JPH11307663A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10113437A JPH11307663A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307663A true JPH11307663A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14612211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10113437A Pending JPH11307663A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11307663A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022501221A (ja) * | 2018-09-21 | 2022-01-06 | ウーディオ オサケユキチュアWoodio Oy | 成形品の製造方法 |
-
1998
- 1998-04-23 JP JP10113437A patent/JPH11307663A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022501221A (ja) * | 2018-09-21 | 2022-01-06 | ウーディオ オサケユキチュアWoodio Oy | 成形品の製造方法 |
| US12059817B2 (en) | 2018-09-21 | 2024-08-13 | Woodio Oy | Method of manufacturing moulded articles |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031216 |