JP2685945B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体装置の樹脂封止方法に関し， 封止部の密着力を向上させることを目的とし， 第１の発明は，半導体チップがマウントされた絶縁基
板に蓋部または枠部から成る封止部材をシリコーン樹脂
で接着して封止する半導体装置の樹脂封止方法におい
て，絶縁基板上の封止部に金属メッキ層を形成する工程
と，該金属メッキ層上にハンダメッキ層を形成する工程
と，該ハンダメッキ層を還元雰囲気中で溶融させる工程
と，シリコーン樹脂によりハンダメッキ層上に封止部材
を接着する工程を含むように構成し， 第２の発明は，半導体チップがマウントされた絶縁基
板に蓋部または枠部から成る封止部材をシリコーン樹脂
で接着して封止する半導体装置の樹脂封止方法におい
て，絶縁基板上の封止部に金属メッキ層を形成する工程
と，該金属メッキ層上にハンダメッキ層を形成する工程
と，該ハンダメッキ層をAuまたはAu合金メッキで被覆す
る工程と,AuまたはAu合金メッキで被覆されたハンダメ
ッキ層を還元雰囲気中で溶融させる工程と，シリコーン
樹脂によりハンダメッキ層上に封止部材を接着する工程
を含むように構成する。
板に蓋部または枠部から成る封止部材をシリコーン樹脂
で接着して封止する半導体装置の樹脂封止方法におい
て，絶縁基板上の封止部に金属メッキ層を形成する工程
と，該金属メッキ層上にハンダメッキ層を形成する工程
と，該ハンダメッキ層を還元雰囲気中で溶融させる工程
と，シリコーン樹脂によりハンダメッキ層上に封止部材
を接着する工程を含むように構成し， 第２の発明は，半導体チップがマウントされた絶縁基
板に蓋部または枠部から成る封止部材をシリコーン樹脂
で接着して封止する半導体装置の樹脂封止方法におい
て，絶縁基板上の封止部に金属メッキ層を形成する工程
と，該金属メッキ層上にハンダメッキ層を形成する工程
と，該ハンダメッキ層をAuまたはAu合金メッキで被覆す
る工程と,AuまたはAu合金メッキで被覆されたハンダメ
ッキ層を還元雰囲気中で溶融させる工程と，シリコーン
樹脂によりハンダメッキ層上に封止部材を接着する工程
を含むように構成する。
本発明は，半導体装置の製造方法，特に半導体装置の
樹脂封止方法に関する。
樹脂封止方法に関する。
カラーフィルタ付イメージセンサなどの半導体装置は
構成材料の耐熱温度が200℃と低いので，これらの半導
体装置を絶縁基板上にマウントした後シリコーン樹脂な
どにより封止部材を接着して封止するには,200℃以下の
低温で行う必要がある。このために種々の工夫がなされ
ている。
構成材料の耐熱温度が200℃と低いので，これらの半導
体装置を絶縁基板上にマウントした後シリコーン樹脂な
どにより封止部材を接着して封止するには,200℃以下の
低温で行う必要がある。このために種々の工夫がなされ
ている。
以下に従来の樹脂封止型半導体装置の例を示す。
（従来例１） 第２図は，従来例１を示す図である。
同図において,21は絶縁基板,22は内部電極,23はバイ
パス配線,24はピン,25はソルダレジスト,26はシリコー
ン樹脂,27は蓋部,28は半導体チップ,29はワイヤであ
る。
パス配線,24はピン,25はソルダレジスト,26はシリコー
ン樹脂,27は蓋部,28は半導体チップ,29はワイヤであ
る。
絶縁基板21は，ガラスエポキシやセラミックスなどか
ら成る。
ら成る。
内部電極22は，絶縁基板21上の配線と半導体チップ28
とをワイヤ29で接続するためのものである。
とをワイヤ29で接続するためのものである。
バイパス配線23は，封止部に配線がかからないように
回避するためのものである。
回避するためのものである。
ピン24は，絶縁基板21に挿入され，外部と電気的接続
をとるためのものである。
をとるためのものである。
ソルタレジスト25は，絶縁基板21上の配線がむき出し
にならないように保護すると共に，ピン24をハンダ付け
する際に配線相互間にハンダブリッジが発生しないよう
にするためのものである。
にならないように保護すると共に，ピン24をハンダ付け
する際に配線相互間にハンダブリッジが発生しないよう
にするためのものである。
シリコーン樹脂26は，絶縁基板21上に蓋部27を接着す
るためのものである。
るためのものである。
蓋部27は，絶縁基板21上にマウントされた半導体チッ
プ28を保護するためのものである。
プ28を保護するためのものである。
半導体チップ28は，絶縁基板21上にマウントされる。
ワイヤ29は，半導体チップ28と内部電極22とを電気的
に接続するためのものである。
に接続するためのものである。
本従来例は，第２図からわかるように，絶縁基板21上
にマウントした半導体チップ28を蓋部27で封止したもの
である。封止は，蓋部27−シリコーン樹脂26間の接着お
よびソルダレジスト25−シリコーン樹脂26間の接着によ
り行われる。
にマウントした半導体チップ28を蓋部27で封止したもの
である。封止は，蓋部27−シリコーン樹脂26間の接着お
よびソルダレジスト25−シリコーン樹脂26間の接着によ
り行われる。
（従来例２） 第３図は，従来例２を示す図である。
同図において,31は絶縁基板,32は内部電極,33はバイ
パス配線,34はピン,35はソルダレジスト,36はシリコー
ン樹脂,37は枠部,38は半導体チップ,39はワイヤ,40はシ
リコーン樹脂,41はキャップ,42はメタル層である。
パス配線,34はピン,35はソルダレジスト,36はシリコー
ン樹脂,37は枠部,38は半導体チップ,39はワイヤ,40はシ
リコーン樹脂,41はキャップ,42はメタル層である。
絶縁基板31は，ガラスエポキシやセラミックスなどか
ら成る。
ら成る。
内部電極32は，絶縁基板31上の配線と半導体チップ38
とをワイヤ39で接続するためのものである。
とをワイヤ39で接続するためのものである。
バイパス配線33は，封止部に配線がかからないように
回避するためのものである。
回避するためのものである。
ピン34は，絶縁基板31に挿入され，外部と電気的接続
をとるためのものである。
をとるためのものである。
ソルダレジスト35は，絶縁基板31上の配線がむき出し
にならないように保護すると共に，ピン34をハンダ付け
する際に配線相互間にハンダブリッジが発生しないよう
にするためのものである。
にならないように保護すると共に，ピン34をハンダ付け
する際に配線相互間にハンダブリッジが発生しないよう
にするためのものである。
シリコーン樹脂36は，絶縁基板31上に枠部37を接着す
るためのものである。
るためのものである。
枠部37は，絶縁基板31上にマウントされた半導体チッ
プ38をキャップ41と共に保護するためのものである。
プ38をキャップ41と共に保護するためのものである。
半導体チップ38は，絶縁基板31上にマウントされる。
ワイヤ39は，半導体チップ38と内部電極32とを電気的
に接続するためのものである。
に接続するためのものである。
シリコーン樹脂40は，枠部37とキャップ41とを接着す
るためのものである。
るためのものである。
キャップ41は，絶縁基板31上にマウントされた半導体
チップ38を枠部37と共に保護するためのものである。
チップ38を枠部37と共に保護するためのものである。
メタル層42は，絶縁基板31上の半導体チップ38のマウ
ント部および封止部に形成されており,Cu−Niメッキ−A
uメッキ構造またはCu−Niメッキ−PbSnメッキ構造をも
っている。
ント部および封止部に形成されており,Cu−Niメッキ−A
uメッキ構造またはCu−Niメッキ−PbSnメッキ構造をも
っている。
本従来例は，第３図からわかるように，絶縁基板31上
にマウントした半導体チップ38を枠部37およびキャップ
41で封止したものである。封止は，キャップ41−シリコ
ーン樹脂40間の接着，シリコーン樹脂40−枠部37間の接
着，枠部37−シリコーン樹脂36間の接着，およびシリコ
ーン樹脂36−AuメッキもしくはPbSnメッキ間の接着によ
り行われる。
にマウントした半導体チップ38を枠部37およびキャップ
41で封止したものである。封止は，キャップ41−シリコ
ーン樹脂40間の接着，シリコーン樹脂40−枠部37間の接
着，枠部37−シリコーン樹脂36間の接着，およびシリコ
ーン樹脂36−AuメッキもしくはPbSnメッキ間の接着によ
り行われる。
（従来の封止部の詳細） 次に，従来を封止部の詳細を説明する。
（１） 第４図は，従来の封止部詳細（その１）を示す
図である。
図である。
同図において,51はプリント板,52はソルダレジスト
層,53はシリコーン樹脂,54は蓋部または枠部である。
層,53はシリコーン樹脂,54は蓋部または枠部である。
封止は，蓋部または枠部54−シリコーン樹脂53間の接
着およびシリコーン樹脂53−ソルダレジスト層52間の接
着により行われている。
着およびシリコーン樹脂53−ソルダレジスト層52間の接
着により行われている。
（２） 第５図は，従来の封止部詳細（その２）を示す
図である。
図である。
同図において,61はプリント板,62はCu層,63はシリコ
ーン樹脂,64は蓋部または枠部である。
ーン樹脂,64は蓋部または枠部である。
封止は，蓋部または枠部64−シリコーン樹脂63間の接
着およびシリコーン樹脂53−Cu層62間の接着により行わ
れている。
着およびシリコーン樹脂53−Cu層62間の接着により行わ
れている。
（３） 第６図は，従来の封止部詳細（その３）を示す
図である。
図である。
同図において,71はプリント板,72はCu層,73はNiメッ
キ層,74はAuメッキ層,75はシリコーン樹脂,76は蓋部ま
たは枠部である。
キ層,74はAuメッキ層,75はシリコーン樹脂,76は蓋部ま
たは枠部である。
封止は，蓋部または枠部76−シリコーン樹脂75間の接
着およびシリコーン樹脂75−Auメッキ層74間の接着によ
り行われている。
着およびシリコーン樹脂75−Auメッキ層74間の接着によ
り行われている。
（４） 第７図は，従来の封止部詳細（その４）を示す
図である。
図である。
同図において,81はプリント板,82はCu層,83はNiメッ
キ層,84はハンダメッキ層,85はシリコーン樹脂,86は蓋
部または枠部である。
キ層,84はハンダメッキ層,85はシリコーン樹脂,86は蓋
部または枠部である。
封止は，蓋部または枠部86−シリコーン樹脂85間の接
着およびシリコーン樹脂85−ハンダメッキ層84間の接着
により行われている。
着およびシリコーン樹脂85−ハンダメッキ層84間の接着
により行われている。
上述したように，従来プリント板の封止部の表面処理
には，ソルダレジスト,Auメッキ,PbSnメッキなどを用い
ていた。しかし，これらの表面材料とシリコーン樹脂と
を接着する際には，次のような問題があった。
には，ソルダレジスト,Auメッキ,PbSnメッキなどを用い
ていた。しかし，これらの表面材料とシリコーン樹脂と
を接着する際には，次のような問題があった。
ソルダレジストの場合 耐湿試験を行うと，ソルダレジストがプリント板素地
から剥がれ，封止が破れる。
から剥がれ，封止が破れる。
Auメッキの場合 シリコーン樹脂と密着力が弱く，比較的小さな引張力
でシリコーン樹脂がAuメッキ層から剥がれてしまう。
でシリコーン樹脂がAuメッキ層から剥がれてしまう。
PbSnメッキの場合 PbSnメッキ自体の表面の凹凸が大きく，シリコーン樹
脂と充分な密着力が得られないので，比較的小さな引張
力でシリコーン樹脂がPbSn層から剥がれてしまう。
脂と充分な密着力が得られないので，比較的小さな引張
力でシリコーン樹脂がPbSn層から剥がれてしまう。
本発明は，これらの問題点を解決するためになされた
ものであり，封止部の密着力を向上させた半導体装置の
製造方法，特に半導体装置の樹脂封止方法を提供するこ
とを目的とする。
ものであり，封止部の密着力を向上させた半導体装置の
製造方法，特に半導体装置の樹脂封止方法を提供するこ
とを目的とする。
上記の目的を達成するために，本発明に係る半導体装
置の製造方法は，次のように構成する。
置の製造方法は，次のように構成する。
（第１の発明） 半導体チップがマウントされた絶縁基板に蓋部または
枠部から成る封止部材をシリコーン樹脂で接着して封止
する半導体装置の樹脂封止方法において，絶縁基板の封
止部に金属メッキ層を形成する工程と，該金属メッキ層
上にハンダメッキ層を形成する工程と，該ハンダメッキ
層を還元雰囲気中で溶融させる工程と，シリコーン樹脂
によりハンダメッキ層上に封止部材を接着する工程を含
むように構成する。
枠部から成る封止部材をシリコーン樹脂で接着して封止
する半導体装置の樹脂封止方法において，絶縁基板の封
止部に金属メッキ層を形成する工程と，該金属メッキ層
上にハンダメッキ層を形成する工程と，該ハンダメッキ
層を還元雰囲気中で溶融させる工程と，シリコーン樹脂
によりハンダメッキ層上に封止部材を接着する工程を含
むように構成する。
（第２の発明） 半導体チップがマウントされた絶縁基板に蓋部または
枠部から成る封止部材をシリコーン樹脂で接着して封止
する半導体装置の樹脂封止方法において，絶縁基板上の
封止部に金属メッキ層を形成する工程と，該金属メッキ
層上にハンダメッキ層を形成する工程と，該ハンダメッ
キ層をAuまたはAu合金メッキで被覆する工程と,Auまた
はAu合金メッキで被覆されたハンダメッキ層を還元雰囲
気中で溶融させる工程と，シリコーン樹脂によりハンダ
メッキ層上に封止部材を接着する工程を含むように構成
する。
枠部から成る封止部材をシリコーン樹脂で接着して封止
する半導体装置の樹脂封止方法において，絶縁基板上の
封止部に金属メッキ層を形成する工程と，該金属メッキ
層上にハンダメッキ層を形成する工程と，該ハンダメッ
キ層をAuまたはAu合金メッキで被覆する工程と,Auまた
はAu合金メッキで被覆されたハンダメッキ層を還元雰囲
気中で溶融させる工程と，シリコーン樹脂によりハンダ
メッキ層上に封止部材を接着する工程を含むように構成
する。
（第１の発明） プリント板の表面処理としてハンダメッキ層を形成
し，このハンダメッキ層を還元雰囲気中で溶融させるこ
とにより表面の凹凸を減らした後，シリコーン樹脂によ
りハンダメッキ層上に封止部材を接着するようにしてい
るので，接着力が向上する。
し，このハンダメッキ層を還元雰囲気中で溶融させるこ
とにより表面の凹凸を減らした後，シリコーン樹脂によ
りハンダメッキ層上に封止部材を接着するようにしてい
るので，接着力が向上する。
（第２の発明） プリント板の表面処理としてハンダメッキ層を形成
し，このハンダメッキ層をAuまたはAu合金メッキで被覆
した後，還元雰囲気中で溶融させることにより表面の凹
凸を減らし，シリコーン樹脂によりハンダメッキ層上に
封止部材を接着するようにしている。これにより，第１
の発明よりもハンダメッキ層の表面の凹凸がさらに少な
くなるので，接着力がより向上する。
し，このハンダメッキ層をAuまたはAu合金メッキで被覆
した後，還元雰囲気中で溶融させることにより表面の凹
凸を減らし，シリコーン樹脂によりハンダメッキ層上に
封止部材を接着するようにしている。これにより，第１
の発明よりもハンダメッキ層の表面の凹凸がさらに少な
くなるので，接着力がより向上する。
第１図は，本発明の一実施例を示す図である。
同図において,11はプリント板,12はCu層,13はNiメッ
キ層,14はPbSnメッキ層,15はシリコーン樹脂,16は蓋部
または枠部である。
キ層,14はPbSnメッキ層,15はシリコーン樹脂,16は蓋部
または枠部である。
（第１の発明の実施例） プリント板11の封止部にCu層12,Niメッキ層13,PbSn
メッキ層14を順次形成する。
メッキ層14を順次形成する。
H2濃度20％の還元雰囲気で250℃ピークの温度プロ
フィルをもった電気コンベア炉でリフローするとによ
り,PbSnメッキ層14の表面の凹凸を少なくする。
フィルをもった電気コンベア炉でリフローするとによ
り,PbSnメッキ層14の表面の凹凸を少なくする。
シリコーン樹脂15により，蓋部または枠部16とPbSn
メッキ層14とを接着する。
メッキ層14とを接着する。
以上プリント板の封止部の下地金属層をCu−Ni−PbSn
で構成した例を示したが,Cu−Ni−Au−PbSnとしてもよ
い。
で構成した例を示したが,Cu−Ni−Au−PbSnとしてもよ
い。
（第２の発明の実施例） プリント板11の封止部にCu層12,Niメッキ層13,PbSn
メッキ層14を順次形成する。
メッキ層14を順次形成する。
PbSn層14をAuまたはAu合金メッキで被覆する。
H2濃度20％の還元雰囲気で250℃ピークの温度プロ
ファイルをもった電気コンベア炉でリフローすることに
より,PbSnメッキ層14の表面の凹凸を少なくする。
ファイルをもった電気コンベア炉でリフローすることに
より,PbSnメッキ層14の表面の凹凸を少なくする。
シリコーン樹脂15により，蓋部または枠部16とPbSn
メッキ層14とを接着する。
メッキ層14とを接着する。
以上プリント板の封止部の下地金属層をCu−Ni−PbSn
−Auで構成した例を示したが,Cu−Ni−Au−PbSn−Auと
してもよい。
−Auで構成した例を示したが,Cu−Ni−Au−PbSn−Auと
してもよい。
本発明によれば，シリコーン樹脂と絶縁基板との間の
接着力が著しく向上するので，封止部に外力を起因する
引張力が作用しても気密封止が破れることがなくなる。
接着力が著しく向上するので，封止部に外力を起因する
引張力が作用しても気密封止が破れることがなくなる。
第１図は本発明の一実施例を示す図， 第２図は従来例１を示す図， 第３図は従来例２を示す図， 第４図は従来の封止部詳細（その１）を示す図， 第５図は従来の封止部詳細（その２）を示す図， 第６図は従来の封止部詳細（その３）を示す図， 第７図は従来の封止部詳細（その４）を示す図 である。 第１図において 11:プリント板 12:金属メッキ層 13:金属メッキ層 14:ハンダメッキ層 15:シリコーン樹脂 16:封止部材
Claims (2)
- 【請求項１】半導体チップがマウントされた絶縁基板に
蓋部または枠部から成る封止部材をシリコーン樹脂で接
着して封止する半導体装置の樹脂封止方法において， 絶縁基板上の封止部に金属メッキ層を形成する工程と， 該金属メッキ層上にハンダメッキ層を形成する工程と， 該ハンダメッキ層を還元雰囲気中で溶融させる工程と， シリコーン樹脂によりハンダメッキ層上に封止部材を接
着する工程 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】半導体チップがマウントされた絶縁基板に
蓋部または枠部から成る封止部材をシリコーン樹脂で接
着して封止する半導体装置の樹脂封止方法において， 絶縁基板上の封止部に金属メッキ層を形成する工程と， 該金属メッキ層上にハンダメッキ層を形成する工程と， 該ハンダメッキ層をAuまたはAu合金メッキで被覆する工
程と， AuまたはAu合金メッキで被覆されたハンダメッキ層を還
元雰囲気中で溶融させる工程と， シリコーン樹脂によりハンダメッキ層上に封止部材を接
着する工程 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33590689A JP2685945B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33590689A JP2685945B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03195048A JPH03195048A (ja) | 1991-08-26 |
| JP2685945B2 true JP2685945B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=18293693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33590689A Expired - Lifetime JP2685945B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2685945B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100460075B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2005-01-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 패키지의 확산 방지층 형성방법 |
-
1989
- 1989-12-25 JP JP33590689A patent/JP2685945B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03195048A (ja) | 1991-08-26 |
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