JPS6329530A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6329530A JPS6329530A JP17155086A JP17155086A JPS6329530A JP S6329530 A JPS6329530 A JP S6329530A JP 17155086 A JP17155086 A JP 17155086A JP 17155086 A JP17155086 A JP 17155086A JP S6329530 A JPS6329530 A JP S6329530A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 33
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 20
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUCZBHXJAUTYHE-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au].[Au] QUCZBHXJAUTYHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体チップをテープ・オートメーテッド・
ボンデング方式で塔載する半導体装置に関し、特に、テ
ープ・オートメーテッド・ボンデング（以下、単に、Ｔ
ＡＢという）技術に関するものである。
ボンデング方式で塔載する半導体装置に関し、特に、テ
ープ・オートメーテッド・ボンデング（以下、単に、Ｔ
ＡＢという）技術に関するものである。
半導体チップをＴＡＢ方式で塔載する半導体装置は、例
えば、ポリイミド等から成るテープ本体に銅（Ｃｕ）か
らなるＴＡＢ用リードを接着して、このＴＡＢ用リード
に錫（Ｓｎ）等のメッキを施し、これに金（Ａ ｕ ）
バンプをもった半導体チップを金・ｕ（Ａｕ−Ｓｎ）共
晶接合ボンディングを行うことによって硝酸される。
えば、ポリイミド等から成るテープ本体に銅（Ｃｕ）か
らなるＴＡＢ用リードを接着して、このＴＡＢ用リード
に錫（Ｓｎ）等のメッキを施し、これに金（Ａ ｕ ）
バンプをもった半導体チップを金・ｕ（Ａｕ−Ｓｎ）共
晶接合ボンディングを行うことによって硝酸される。
なお、かかる技術については、（株）オーム社、昭和５
６年６月３０日発行、「半導体ハンドブック（第２版）
Ｊ Ｐ、３３０〜３３１に記載されている。
６年６月３０日発行、「半導体ハンドブック（第２版）
Ｊ Ｐ、３３０〜３３１に記載されている。
しかしながら、かかる技術を検討した結果、ＴＡＢ用リ
ードのアウターリードと外部装置の銅（Ｃｕ）等の配線
とを接続する際に、その熱処理時の熱によってＴＡＢ用
リードの！！１（Ｓｎ）メッキの表面が酸化して外部配
線とＴＡＢ用リードとが電気的に接続することができな
くなるという問題点を見出した。
ードのアウターリードと外部装置の銅（Ｃｕ）等の配線
とを接続する際に、その熱処理時の熱によってＴＡＢ用
リードの！！１（Ｓｎ）メッキの表面が酸化して外部配
線とＴＡＢ用リードとが電気的に接続することができな
くなるという問題点を見出した。
そこで、前記ＴＡＢ用リードの表面に金（Ａｕ）メッキ
を施すことが考えられるが、金・金（Ａ ｕ−Ａｕ）接
合を行うには熱圧着の加重を大きくし、かつ加熱温度を
高くしなければならないため、半導体チップにダメージ
を与えてしまう。特に、半導体チップのパッシベーショ
ン層にクラックを生じてしまう。
を施すことが考えられるが、金・金（Ａ ｕ−Ａｕ）接
合を行うには熱圧着の加重を大きくし、かつ加熱温度を
高くしなければならないため、半導体チップにダメージ
を与えてしまう。特に、半導体チップのパッシベーショ
ン層にクラックを生じてしまう。
本発明の目的は、半導体装置の信頼性を向上することが
できる技術を提供することにある。
できる技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、ＴＡＢ用リードの表面に金（Ａｕ
）メッキを施し、半導体チップ上のアルミニウム電極の
上に銅（Ｃｕ）突起電極を設け、該銅（Ｃｕ）突起電極
の表面に錫（Ｓｎ）メッキを施し。
）メッキを施し、半導体チップ上のアルミニウム電極の
上に銅（Ｃｕ）突起電極を設け、該銅（Ｃｕ）突起電極
の表面に錫（Ｓｎ）メッキを施し。
金・錫（Ａｕ−３ｎ）溶融接合又は共晶接合を可能にし
、ボンディング時の加重及び加熱温度を低減し、外部装
置の配線とＴＡＢ用リードとの電気的接続を良好に行う
ことができる技術を提供することにある。
、ボンディング時の加重及び加熱温度を低減し、外部装
置の配線とＴＡＢ用リードとの電気的接続を良好に行う
ことができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
半導体チップをＴＡＢ方式で塔載した半導体装置におい
て、半導体チップの電極の上に銅（Ｃｕ）突起電極を設
け、該銅（Ｃｕ）突起電極の表面に錫（Ｓｎ）メッキを
施し、ＴＡＢ用リードの表面に金（Ａｕ）メッキを施し
、前記半導体チップの銅（Ｃｕ）突起電極とＴＡＢ用リ
ードとを金・錫（Ａｕ−３ｎ）の溶融接合又は共晶接合
によって電気的に接続したものである。
て、半導体チップの電極の上に銅（Ｃｕ）突起電極を設
け、該銅（Ｃｕ）突起電極の表面に錫（Ｓｎ）メッキを
施し、ＴＡＢ用リードの表面に金（Ａｕ）メッキを施し
、前記半導体チップの銅（Ｃｕ）突起電極とＴＡＢ用リ
ードとを金・錫（Ａｕ−３ｎ）の溶融接合又は共晶接合
によって電気的に接続したものである。
前記手段によれば、半導体チップの電極の上に銅（Ｃｕ
）突起電極を設け、該銅（Ｃｕ）突起電極の表面に錫（
Ｓｎ）メッキを施し、ＴＡＢ用リードの表面に金（Ａ
ｕ ）メッキを施し、前記半導体チップの銅（Ｃｕ）突
起電極とＴＡＢ用リードとを金・１！（Ａｕ−３ｎ）の
溶融接合又は共晶接合によって電気的に接続することに
より、ボンディング時の加重及び加熱温度を低減するこ
とができる。
）突起電極を設け、該銅（Ｃｕ）突起電極の表面に錫（
Ｓｎ）メッキを施し、ＴＡＢ用リードの表面に金（Ａ
ｕ ）メッキを施し、前記半導体チップの銅（Ｃｕ）突
起電極とＴＡＢ用リードとを金・１！（Ａｕ−３ｎ）の
溶融接合又は共晶接合によって電気的に接続することに
より、ボンディング時の加重及び加熱温度を低減するこ
とができる。
また、ＴＡＢ用リードの表面に金（Ａｕ）メッキを施す
ことにより、ＴＡＢ用リードのアウターリードと外部装
置の配線との接続熱処理時の熱によってＴＡＢ用リード
のアウターリードの表面が酸化されないので、ＴＡＢ用
リードのアウターリードと外部装置の配線との電気的接
続を良好に行うことができる。
ことにより、ＴＡＢ用リードのアウターリードと外部装
置の配線との接続熱処理時の熱によってＴＡＢ用リード
のアウターリードの表面が酸化されないので、ＴＡＢ用
リードのアウターリードと外部装置の配線との電気的接
続を良好に行うことができる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
る。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
第１図は、本発明の一実施例のＴＡＢ方式半導体装置の
概略構成を示す断面図、 第２図は、第１図のＯ印で囲んだ部分の全部の拡大図で
ある。
概略構成を示す断面図、 第２図は、第１図のＯ印で囲んだ部分の全部の拡大図で
ある。
本実施例のＴＡＢ方式半導体装置は、第１＠及び第２図
に示すように、シリコン等の半導体チップ１のアルミニ
ウム（Ａｌ）電極２の上にバリア層１０を介して銅（Ｃ
ｕ）突起電極３を設け、この銅（ＣＵ）突起電極３の表
面に錫（Ｓｎ）メッキ４を施す。
に示すように、シリコン等の半導体チップ１のアルミニ
ウム（Ａｌ）電極２の上にバリア層１０を介して銅（Ｃ
ｕ）突起電極３を設け、この銅（ＣＵ）突起電極３の表
面に錫（Ｓｎ）メッキ４を施す。
次に、例えば、ポリイミド等から成るＴＡＢ用テープ本
体Ｓに銅（Ｃｕ）からなるＴＡＢ用リード６を蒸着する
。このＴＡＢ用リード６の表面に蒸着等ｌこよって金（
Ａ ｕ ）メッキ７を施す。
体Ｓに銅（Ｃｕ）からなるＴＡＢ用リード６を蒸着する
。このＴＡＢ用リード６の表面に蒸着等ｌこよって金（
Ａ ｕ ）メッキ７を施す。
次に、前記半導体チップ１の銅（Ｃｕ）突起電極３とＴ
ＡＢ用リード６とを接触させて熱圧着し、金・錫（Ａｕ
−３ｎ）溶融接合によって電気的に接続し、レジン等の
封止材８で封止したものである。
ＡＢ用リード６とを接触させて熱圧着し、金・錫（Ａｕ
−３ｎ）溶融接合によって電気的に接続し、レジン等の
封止材８で封止したものである。
なお、第２図において、９は酸化けい素（Ｓｉ−０２）
等から成るパッシベーション膜、１０はチタン（Ｔｉ）
等からなるバリア層である。
等から成るパッシベーション膜、１０はチタン（Ｔｉ）
等からなるバリア層である。
このように構成することにより、半導体チップ１の銅（
Ｃｕ）突起電極３の表面の錫（Ｓｎ）メッキ４とＴＡＢ
用リード６の金（Ａｕ）メッキ７とを接触させて熱圧着
し、金・錫（Ａｕ−３ｎ）溶融接合又は共晶接合によっ
て電気的に接続する時（いわゆるボンディング時）の加
重及び加熱温度を低減することができる。
Ｃｕ）突起電極３の表面の錫（Ｓｎ）メッキ４とＴＡＢ
用リード６の金（Ａｕ）メッキ７とを接触させて熱圧着
し、金・錫（Ａｕ−３ｎ）溶融接合又は共晶接合によっ
て電気的に接続する時（いわゆるボンディング時）の加
重及び加熱温度を低減することができる。
また、ＴＡＢ用リード６の表面に金（Ａ ｕ ）メッキ
７を施すことにより、ＴＡＢ用リード６のアウターリー
ド６Ａと外部装置の配線との接続熱処理時にアウターリ
ード６Ａの表面が酸化されないので、ＴＡＢ用リード６
のアウターリード６Ａと外部装置の配線との電気的接続
を良好に行うことができる。
７を施すことにより、ＴＡＢ用リード６のアウターリー
ド６Ａと外部装置の配線との接続熱処理時にアウターリ
ード６Ａの表面が酸化されないので、ＴＡＢ用リード６
のアウターリード６Ａと外部装置の配線との電気的接続
を良好に行うことができる。
以上、本発明を実施例にもとすき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
”−〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
（１）半導体チップの電極の上に銅（Ｃｕ）突起電極を
設け、該銅（Ｃｕ）突起電極の表面にＭ（Ｓｎ）メッキ
を施し、ＴＡＢ用リードの表面に金（Ａｕ）メッキを施
し、前記半導体チップの銅（Ｃｕ）突起電極とＴＡＢ用
リードとを金・錫（Ａｕ−３ｎ）の溶融接合によって電
気的に接続することにより、ボンディング時の加重及び
加熱温度を低減することができる。
設け、該銅（Ｃｕ）突起電極の表面にＭ（Ｓｎ）メッキ
を施し、ＴＡＢ用リードの表面に金（Ａｕ）メッキを施
し、前記半導体チップの銅（Ｃｕ）突起電極とＴＡＢ用
リードとを金・錫（Ａｕ−３ｎ）の溶融接合によって電
気的に接続することにより、ボンディング時の加重及び
加熱温度を低減することができる。
（２）ＴＡＢ用リードの表面に金（Ａｕ）メッキを施す
ことにより、ＴＡＢ用リードの７ウターリードと外部装
置の配線との接続熱処理時における熱によってＴＡＢ用
リードのアウターリードの表面が酸化されないので、Ｔ
ＡＢ用リードのアウターリードと外部装置の配線との電
気的接続を良好、こ行うことができる。
ことにより、ＴＡＢ用リードの７ウターリードと外部装
置の配線との接続熱処理時における熱によってＴＡＢ用
リードのアウターリードの表面が酸化されないので、Ｔ
ＡＢ用リードのアウターリードと外部装置の配線との電
気的接続を良好、こ行うことができる。
）第１図は、本発明の一実施例のＴＡＢ方式半導体装置
の概略構成を示す断面図、 第２図は、第１図のＯ印で囲んだ部分の要部拡大図であ
る。 図中、１・・・半導体チップ、２・・・アルミニューム
電極、３・・・銅（Ｃｕ）突起電極、４・・・錫（Ｓｎ
）メッキ、５・・・テープ本体、６・・・ＴＡＢ用リー
ド、６Ａ・・・ＴＡＢ用リードの７ウターリード、７・
・・金（Ａｕ）メッキ、８・・・樹脂、９・・・パッシ
ベーション膜、１０・・・バリア層である。 第 １ 図
の概略構成を示す断面図、 第２図は、第１図のＯ印で囲んだ部分の要部拡大図であ
る。 図中、１・・・半導体チップ、２・・・アルミニューム
電極、３・・・銅（Ｃｕ）突起電極、４・・・錫（Ｓｎ
）メッキ、５・・・テープ本体、６・・・ＴＡＢ用リー
ド、６Ａ・・・ＴＡＢ用リードの７ウターリード、７・
・・金（Ａｕ）メッキ、８・・・樹脂、９・・・パッシ
ベーション膜、１０・・・バリア層である。 第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップをテープ・オートメーテッド・ボンデ
ング方式で塔載した半導体装置において、半導体チップ
の電極の上に銅突起電極を設け、該銅突起電極の表面に
錫メッキを施し、テープ・オートメーテッド・ボンデン
グ用リードの表面に金メッキを施し、前記半導体チップ
の銅突起電極とテープ・オートメーテッド・ボンデング
用リードとを金・錫の溶融接合又は共晶接合によって電
気的に接続したことを特徴とする半導体装置。 ２、前記半導体チップの電極は、アルミニウムからなる
ことを特徴する特許請求の範囲第１項に記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17155086A JPS6329530A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17155086A JPS6329530A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329530A true JPS6329530A (ja) | 1988-02-08 |
Family
ID=15925205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17155086A Pending JPS6329530A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6329530A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005005716A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 金メッキされたリードと金バンプ間のボンディングを有するパッケージ及びその製造方法 |
| JP2016171024A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 東芝ホクト電子株式会社 | マグネトロン |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP17155086A patent/JPS6329530A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005005716A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 金メッキされたリードと金バンプ間のボンディングを有するパッケージ及びその製造方法 |
| JP2016171024A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 東芝ホクト電子株式会社 | マグネトロン |
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