JPH03195048A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03195048A JPH03195048A JP33590689A JP33590689A JPH03195048A JP H03195048 A JPH03195048 A JP H03195048A JP 33590689 A JP33590689 A JP 33590689A JP 33590689 A JP33590689 A JP 33590689A JP H03195048 A JPH03195048 A JP H03195048A
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の樹脂封止方法に関し。
封止部の密着力を向上させることを目的とし。
第１の発明は、半導体チップがマウントされた絶縁基板
に蓋部または枠部から成る封止部材をシリコーン樹脂で
接着して封止する半導体装置の樹脂封止方法において、
絶縁基板上の封止部に金属メッキ層を形成する工程と、
該金属メッキ層上にハンダメッキ層を形成する工程と、
該ハンダメッキ層を還元雰囲気中で溶融させる工程と、
シリコーン樹脂によりハンダメッキ層上に封止部材を接
着する工程を含むように構成し。
に蓋部または枠部から成る封止部材をシリコーン樹脂で
接着して封止する半導体装置の樹脂封止方法において、
絶縁基板上の封止部に金属メッキ層を形成する工程と、
該金属メッキ層上にハンダメッキ層を形成する工程と、
該ハンダメッキ層を還元雰囲気中で溶融させる工程と、
シリコーン樹脂によりハンダメッキ層上に封止部材を接
着する工程を含むように構成し。
第２の発明は、半導体チップがマウントされた絶縁基板
に蓋部または枠部から成る封止部材をシリコーン樹脂で
接着して封止する半導体装置の樹脂封止方法において、
絶縁基板上の封止部に金属メッキ層を形成する工程と、
該金属メッキ層上にハンダメンキ層を形成する工程と、
該ハンダメッキ層をＡｕまたはＡｕ合金メッキで被覆す
る工程とＡｕまたはＡｕ合金メンキで被覆されたハンダ
メッキ層を還元雰囲気中で溶融させる工程と、シリコー
ン樹脂によりハンダメッキ層上に封止部材を接着する工
程を含むように構成する。
に蓋部または枠部から成る封止部材をシリコーン樹脂で
接着して封止する半導体装置の樹脂封止方法において、
絶縁基板上の封止部に金属メッキ層を形成する工程と、
該金属メッキ層上にハンダメンキ層を形成する工程と、
該ハンダメッキ層をＡｕまたはＡｕ合金メッキで被覆す
る工程とＡｕまたはＡｕ合金メンキで被覆されたハンダ
メッキ層を還元雰囲気中で溶融させる工程と、シリコー
ン樹脂によりハンダメッキ層上に封止部材を接着する工
程を含むように構成する。
本発明は、半導体装置の製造方法、特に半導体装置の樹
脂封止方法に関する。
脂封止方法に関する。
カラーフィルタ付イメージセンサなどの半導体装置は構
成材料の耐熱温度が２００℃と低いので。
成材料の耐熱温度が２００℃と低いので。
これらの半導体装置を絶縁基板上にマウントした後シリ
コーン樹脂などにより封止部材を接着して封止するには
、２００°Ｃ以下の低温で行う必要がある。このために
種々の工夫がなされている。
コーン樹脂などにより封止部材を接着して封止するには
、２００°Ｃ以下の低温で行う必要がある。このために
種々の工夫がなされている。
以下に従来の樹脂封止型半導体装置の例を示す。
（従来例１）
第２図は、従来例１を示す図である。
同図において、２１は絶縁基板、２２は内部電極、２３
はバイパス配線、２４はピン、２５はソルダレジスト、
２６はシリコーン樹脂、２７は蓋部、２８は半導体チッ
プ、２９はワイヤである。
はバイパス配線、２４はピン、２５はソルダレジスト、
２６はシリコーン樹脂、２７は蓋部、２８は半導体チッ
プ、２９はワイヤである。
絶縁基板２１は、ガラスエポキシやセラミックスなどか
ら成る。
ら成る。
内部電極２２は、絶縁基板２１上の配線と半導体チップ
２８とをワイヤ２９で接続するためのものである。
２８とをワイヤ２９で接続するためのものである。
バイパス配線２３は、封止部に配線がかからないように
回避するためのものである。
回避するためのものである。
ピン２４は、絶縁基板２１に挿入され、外部と電気的接
続をとるためのものである。
続をとるためのものである。
ソルダレジスト２５は、絶縁基板２１上の配線がむき出
しにならないように保護すると共に、ピン２４をハンダ
付けする際に配線相互間にハンダブリッジが発生しない
ようにするためのものである。
しにならないように保護すると共に、ピン２４をハンダ
付けする際に配線相互間にハンダブリッジが発生しない
ようにするためのものである。
シリコーン樹脂２６は、絶縁基板２１上に蓋部２７を接
着するためのものである。
着するためのものである。
蓋部２７は、絶縁基板２１上にマウントされた半導体チ
ップ２８を保護するためのものである。
ップ２８を保護するためのものである。
半導体チップ２８は、絶縁基板２１上にマウントされる
。
。
ワイヤ２９は、半導体チップ２８と内部電極２２とを電
気的に接続するためのものである。
気的に接続するためのものである。
本従来例は、第２図かられかるように、絶縁基板２１上
にマウントした半導体チップ２８を蓋部２７で封止した
ものである。封止は１Ｍ部２７シリコ一ン樹脂２６間の
接着およびソルダレジスト２５−シリコーン樹脂２６間
の接着により行われる。
にマウントした半導体チップ２８を蓋部２７で封止した
ものである。封止は１Ｍ部２７シリコ一ン樹脂２６間の
接着およびソルダレジスト２５−シリコーン樹脂２６間
の接着により行われる。
（従来例２）
第３図は、従来例２を示す図である。
同図において、３１は絶縁基板、３２は内部電極、３３
はバイパス配線、３４はピン、３５はソルダレジスト
３６はシリコーン樹脂、３７は枠部、３８は半導体チッ
プ、３９はワイヤ、４０はシリコーン樹脂、４１はキャ
ップ、４２はメタル層である。
はバイパス配線、３４はピン、３５はソルダレジスト
３６はシリコーン樹脂、３７は枠部、３８は半導体チッ
プ、３９はワイヤ、４０はシリコーン樹脂、４１はキャ
ップ、４２はメタル層である。
絶縁基板３１は、ガラスエポキシやセラミックスなどか
ら成る。
ら成る。
内部電極３２は、絶縁基板３１上の配線と半導体チップ
３８とをワイヤ３９で接続するためのものである。
３８とをワイヤ３９で接続するためのものである。
バイパス配線３３は、封止部に配線がかからないように
回避するためのものである。
回避するためのものである。
ピン３４は、絶縁基板３１に挿入され、外部と電気的接
続をとるためのものである。
続をとるためのものである。
ソルダレジスト３５は、絶縁基板３１上の配線がむき出
しにならないように保護すると共に、ピン３４をハンダ
付けする際に配線相互間にハンダブリッジが発生しない
ようにするためのものである。
しにならないように保護すると共に、ピン３４をハンダ
付けする際に配線相互間にハンダブリッジが発生しない
ようにするためのものである。
シリコーン樹脂３６は、絶縁基板３１上に枠部３７を接
着するためのものである。
着するためのものである。
枠部３７は、絶縁基板３１上にマウントされた半導体チ
ップ３８をキャップ４１と共に保護するためのものであ
る。
ップ３８をキャップ４１と共に保護するためのものであ
る。
半導体チップ３８は、絶縁基板３１上にマウントされる
。
。
ワイヤ３９は、半導体チップ３８と内部電極３２とを電
気的に接続するためのものである。
気的に接続するためのものである。
シリコーン樹脂４０は、枠部３７とキヤ・ンプ４１とを
接着するためのものである。
接着するためのものである。
キャップ４１は、絶縁基板３１上にマウントされた半導
体チップ３８を枠部３７と共に保護するためのものであ
る。
体チップ３８を枠部３７と共に保護するためのものであ
る。
メタル層４２は、絶縁基板３１上の半導体チップ３８の
マウント部および封止部に形成されており、Ｃｕ−Ｎｉ
メッキ−＾Ｕメッキ構造またはＣｕ−Ｎｉメッキ−Ｐｂ
Ｓｎメッキ構造をもっている。
マウント部および封止部に形成されており、Ｃｕ−Ｎｉ
メッキ−＾Ｕメッキ構造またはＣｕ−Ｎｉメッキ−Ｐｂ
Ｓｎメッキ構造をもっている。
本従来例は、第３図かられかるように、絶縁基板３１上
にマウントした半導体チップ３８を枠部３７およびキャ
ップ４１で封止したものである。
にマウントした半導体チップ３８を枠部３７およびキャ
ップ４１で封止したものである。
封止は、キャップ４１−シリコーン樹脂４０間の接着、
シリコーン樹脂４〇−枠部３７間の接着。
シリコーン樹脂４〇−枠部３７間の接着。
枠部３７−シリコーン樹脂３６間の接着、およびシリコ
ーン樹脂３６−＾ＵメッキもしくはＰｂ５ｎメッキ間の
接着により行われる。
ーン樹脂３６−＾ＵメッキもしくはＰｂ５ｎメッキ間の
接着により行われる。
（従来の封止部の詳細）
次に、従来の封止部の詳細を説明する。
（１） 第４図は、従来の封止部詳細（その１）を示
す図である。
す図である。
同図において、５１はプリント板、５２はソルダレジス
ト層、５３はシリコーン樹脂、５４は蓋部または枠部で
ある。
ト層、５３はシリコーン樹脂、５４は蓋部または枠部で
ある。
封止は、蓋部または枠部５４−シリコーン樹脂５３間の
接着およびシリコーン樹脂５３−ソルダレジスト層５２
間の接着により行われている。
接着およびシリコーン樹脂５３−ソルダレジスト層５２
間の接着により行われている。
（２）第５図は、従来の封止部詳細（その２）を示す図
である。
である。
同図において、６１はプリント板、６２はＣｕ層。
６３はシリコーン樹脂、６４は蓋部または枠部である。
封止は、蓋部または枠部６４−シリコーン樹脂６３間の
接着およびシリコーン樹脂５３Ｃｕ層６２間の接着によ
り行われている。
接着およびシリコーン樹脂５３Ｃｕ層６２間の接着によ
り行われている。
（３）第６図は、従来の封止部詳細（その３）を示す図
である。
である。
同図において、７１はプリント板、７２はＣｕ層。
７３はＮｉメッキ層、７４は＾Ｕメッキ層、７５はシリ
コーン樹脂、７６は蓋部または枠部である。
コーン樹脂、７６は蓋部または枠部である。
封止は、蓋部または枠部７ロ一シリコーン樹脂７５間の
接着およびシリコーン樹脂７５−＾Ｕメッキ層７４間の
接着により行われている。
接着およびシリコーン樹脂７５−＾Ｕメッキ層７４間の
接着により行われている。
（４）第７図は、従来の封止部詳細（その４）を示す図
である。
である。
同図において、８１はプリント板、８２はＣｕ層。
８３はＮｉメッキ層、８４はハンダメッキ層、８５はシ
リコーン樹脂、８６は蓋部または枠部である。
リコーン樹脂、８６は蓋部または枠部である。
封止は、蓋部または枠部８６−シリコーン樹脂８５間の
接着およびシリコーン樹脂８５−ハンダメッキ層８４間
の接着により行われている。
接着およびシリコーン樹脂８５−ハンダメッキ層８４間
の接着により行われている。
上述したように、従来プリント板の封止部の表面処理に
は、ツルダレジス３Ａｕメッキ、 Ｐｂ５ｎメッキなど
を用いていた。しかし、これらの表面材料とシリコーン
樹脂とを接着する際には９次のような問題があった。
は、ツルダレジス３Ａｕメッキ、 Ｐｂ５ｎメッキなど
を用いていた。しかし、これらの表面材料とシリコーン
樹脂とを接着する際には９次のような問題があった。
■ ソルダレジストの場合
耐湿試験を行うと、ソルダレジストがプリント板素地か
ら剥がれ、封止が破れる。
ら剥がれ、封止が破れる。
■ ＾Ｕメッキの場合
シリコーン樹脂との密着力が弱く、比較的小さな引張力
でシリコーン樹脂がＡｕメッキ層から剥がれてしまう。
でシリコーン樹脂がＡｕメッキ層から剥がれてしまう。
■ Ｐｂ５ｎメッキの場合
Ｐｂ５ｎメッキ自体の表面の凹凸が大きく、シリコーン
樹脂と充分な密着力が得られないので、比較的小さな引
張力でシリコーン樹脂がＰｂ５ｎ層から剥がれてしまう
。
樹脂と充分な密着力が得られないので、比較的小さな引
張力でシリコーン樹脂がＰｂ５ｎ層から剥がれてしまう
。
本発明は、これらの問題点を解決するためになされたも
のであり、封止部の密着力を向上させた半導体装置の製
造方法、特に半導体装置の樹脂封止方法を提供すること
を目的とする。
のであり、封止部の密着力を向上させた半導体装置の製
造方法、特に半導体装置の樹脂封止方法を提供すること
を目的とする。
上記の目的を達成するために１本発明に係る半導体装置
の製造方法は１次のように構成する。
の製造方法は１次のように構成する。
（第１の発明）
半導体チップがマウントされた絶縁基板に蓋部または枠
部から成る封止部材をシリコーン樹脂で接着して封止す
る半導体装置の樹脂封止方法において、絶縁基板上の封
止部に金属メッキ層を形成する工程と、該金属メッキ層
上にハンダメッキ層を形成する工程と、該ハンダメッキ
層を還元雰囲気中で熔融させる工程と、シリコーン樹脂
によりハンダメッキ層上に封止部材を接着する工程を含
むように構成する。
部から成る封止部材をシリコーン樹脂で接着して封止す
る半導体装置の樹脂封止方法において、絶縁基板上の封
止部に金属メッキ層を形成する工程と、該金属メッキ層
上にハンダメッキ層を形成する工程と、該ハンダメッキ
層を還元雰囲気中で熔融させる工程と、シリコーン樹脂
によりハンダメッキ層上に封止部材を接着する工程を含
むように構成する。
（第２の発明）
半導体チップがマウントされた絶縁基板に蓋部または枠
部から成る封止部材をシリコーン樹脂で接着して封止す
る半導体装置の樹脂封止方法において、絶縁基板上の封
止部に金属メッキ層を形成する工程と、該金属メッキ層
上にノ１ンダメッキ層を形成する工程と、該ハンダメッ
キ層をＡｕまたはＡｕ合金メッキで被覆する工程と、
ＡｕまたはＡｕ合金メッキで被覆されたハンダメッキ層
を還元雰囲気中で溶融させる工程と、シリコーン樹脂に
より／’１ンダメッキ層上に封止部材を接着する工程を
含むように構成する。
部から成る封止部材をシリコーン樹脂で接着して封止す
る半導体装置の樹脂封止方法において、絶縁基板上の封
止部に金属メッキ層を形成する工程と、該金属メッキ層
上にノ１ンダメッキ層を形成する工程と、該ハンダメッ
キ層をＡｕまたはＡｕ合金メッキで被覆する工程と、
ＡｕまたはＡｕ合金メッキで被覆されたハンダメッキ層
を還元雰囲気中で溶融させる工程と、シリコーン樹脂に
より／’１ンダメッキ層上に封止部材を接着する工程を
含むように構成する。
（第１の発明）
プリント板の表面処理としてハンダメッキ層を形成し、
このハンダメンキ層を還元雰囲気中で溶融させることに
より表面の凹凸を減らした後、シリコーン樹脂によりハ
ンダメッキ層上に封止部材を接着するようにしているの
で、接着力が向上する。
このハンダメンキ層を還元雰囲気中で溶融させることに
より表面の凹凸を減らした後、シリコーン樹脂によりハ
ンダメッキ層上に封止部材を接着するようにしているの
で、接着力が向上する。
（第２の発明）
プリント板の表面処理としてハンダメッキ層を形成し、
このハンダメッキ層をＡｕまたは篩合金メッキで被覆し
た後、還元雰囲気中で溶融させることにより表面の凹凸
を減らし、シリコーン樹脂によりハンダメンキ層上に封
止部材を接着するようにしている。これにより、第１の
発明よりもハンダメッキ層の表面の凹凸がさらに少なく
なるので接着力がより向上する。
このハンダメッキ層をＡｕまたは篩合金メッキで被覆し
た後、還元雰囲気中で溶融させることにより表面の凹凸
を減らし、シリコーン樹脂によりハンダメンキ層上に封
止部材を接着するようにしている。これにより、第１の
発明よりもハンダメッキ層の表面の凹凸がさらに少なく
なるので接着力がより向上する。
第１図は１本発明の一実施例を示す図である。
同図において、１１はプリント板、１２はＣｕ層。
１３はＮｉメンキ層、１４はＰｂ５ｎメッキ層、１５は
シリコーン樹脂、１６は蓋部または枠部である。
シリコーン樹脂、１６は蓋部または枠部である。
（第１の発明の実施例）
■ プリント板１１の封止部にＣｕ層１２．Ｎｉメッキ
層１３．Ｐｂ５ｎメッキＮ１４を順次形成する。
層１３．Ｐｂ５ｎメッキＮ１４を順次形成する。
■ Ｈ２濃度２０％の還元雰囲気で２５０℃ピークの温
度プロファイルをもった電気コンベア炉でリフローする
ことにより、 Ｐｂ５ｎメッキＮ１４の表面の凹凸を少
なくする。
度プロファイルをもった電気コンベア炉でリフローする
ことにより、 Ｐｂ５ｎメッキＮ１４の表面の凹凸を少
なくする。
■ シリコーン樹脂１５により、蓋部または枠部１６と
Ｐｂ５ｎメッキ層１４とを接着する。
Ｐｂ５ｎメッキ層１４とを接着する。
以上プリント板の封止部の下地金属層をＣｕ−Ｎｉ−Ｐ
ｂ５ｎで構成した例を示したが、 Ｃｕ Ｎｉ −Ａ
ｕ−ＰｂＳｎとしてもよい。
ｂ５ｎで構成した例を示したが、 Ｃｕ Ｎｉ −Ａ
ｕ−ＰｂＳｎとしてもよい。
（第２の発明の実施例）
■ プリント板１１の封止部にＣｕ層１２．Ｎｉメッキ
層１３．Ｐｂ５ｎメッキ層１４を順次形成する。
層１３．Ｐｂ５ｎメッキ層１４を順次形成する。
■ Ｐｂ５ｎメッキ層１４をＡｕまたはＡｕ合金メッキ
で被覆する。
で被覆する。
■ Ｈ２濃度２０％の還元雰囲気で２５０℃ピークの温
度プロファイルをもった電気コンベア炉でリフローする
ことにより、 Ｐｂ５ｎメッキ層１４の表面の凹凸を少
な（する。
度プロファイルをもった電気コンベア炉でリフローする
ことにより、 Ｐｂ５ｎメッキ層１４の表面の凹凸を少
な（する。
■ シリコーン樹脂１５により、蓋部または枠部１６と
Ｐｂ５ｎメッキ層Ｉ４とを接着する。
Ｐｂ５ｎメッキ層Ｉ４とを接着する。
以上プリント板の封止部の下地金属層をＣｕ−Ｎｉ７
Ｐｂ５ｎ −Ａｕで構成した例を示したが、Ｃｕ−Ｎｉ
−Ａｕ−Ｐｂ５ｎ−Ａｕとしてもよい。
Ｐｂ５ｎ −Ａｕで構成した例を示したが、Ｃｕ−Ｎｉ
−Ａｕ−Ｐｂ５ｎ−Ａｕとしてもよい。
本発明によれば、シリコーン樹脂と絶縁基板との間の接
着力が著しく向上するので、封止部に外力に起因する引
張力が作用しても気密封止が破れることがなくなる。
着力が著しく向上するので、封止部に外力に起因する引
張力が作用しても気密封止が破れることがなくなる。
第６図は従来の封止部詳細（その３）を示す図。
第７図は従来の封止部詳細（その４）を示す図である。
第１図において
１１ニブリント板
１２：金属メッキ層
１３：金属メッキ層
１４：ハンダメッキ層
１５：シリコーン樹脂
１６：封止部材
Claims (2)
- （１）半導体チップがマウントされた絶縁基板に蓋部ま
たは枠部から成る封止部材をシリコーン樹脂で接着して
封止する半導体装置の樹脂封止方法において、 絶縁基板上の封止部に金属メッキ層を形成する工程と、 該金属メッキ層上にハンダメッキ層を形成する工程と、 該ハンダメッキ層を還元雰囲気中で溶融させる工程と、 シリコーン樹脂によりハンダメッキ層上に封止部材を接
着する工程 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）半導体チップがマウントされた絶縁基板に蓋部ま
たは枠部から成る封止部材をシリコーン樹脂で接着して
封止する半導体装置の樹脂封止方法において、 絶縁基板上の封止部に金属メッキ層を形成する工程と、 該金属メッキ層上にハンダメッキ層を形成する工程と、 該ハンダメッキ層をＡｕまたはＡｕ合金メッキで被覆す
る工程と、 ＡｕまたはＡｕ合金メッキで被覆されたハンダメッキ層
を還元雰囲気中で溶融させる工程と、 シリコーン樹脂によりハンダメッキ層上に封止部材を接
着する工程 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33590689A JP2685945B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33590689A JP2685945B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03195048A true JPH03195048A (ja) | 1991-08-26 |
| JP2685945B2 JP2685945B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=18293693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33590689A Expired - Lifetime JP2685945B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2685945B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100460075B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2005-01-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 패키지의 확산 방지층 형성방법 |
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1989
- 1989-12-25 JP JP33590689A patent/JP2685945B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100460075B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2005-01-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 패키지의 확산 방지층 형성방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2685945B2 (ja) | 1997-12-08 |
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