JPH0312775B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0312775B2 JPH0312775B2 JP59126176A JP12617684A JPH0312775B2 JP H0312775 B2 JPH0312775 B2 JP H0312775B2 JP 59126176 A JP59126176 A JP 59126176A JP 12617684 A JP12617684 A JP 12617684A JP H0312775 B2 JPH0312775 B2 JP H0312775B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- insulating film
- substrates
- single crystal
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H10W10/00—
-
- H10W10/01—
Landscapes
- Element Separation (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59126176A JPS615544A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59126176A JPS615544A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28113492A Division JPH0682753B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS615544A JPS615544A (ja) | 1986-01-11 |
| JPH0312775B2 true JPH0312775B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1991-02-21 |
Family
ID=14928560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59126176A Granted JPS615544A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS615544A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0754826B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1995-06-07 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH07120757B2 (ja) * | 1986-05-07 | 1995-12-20 | セイコーエプソン株式会社 | Soi基板及びその製造方法 |
| JPS6337652A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-18 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体デバイス用基板の接着方法 |
| JPS63126243A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-30 | Toshiba Corp | 集積回路素子及びその製造方法 |
| JPS63157475A (ja) * | 1986-12-20 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPS63186936A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-02 | Japan Electronic Control Syst Co Ltd | 内燃機関の電子制御燃料噴射装置 |
| JPS63237408A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体デバイス用基板 |
| JP2621325B2 (ja) * | 1988-04-11 | 1997-06-18 | 富士通株式会社 | Soi基板及びその製造方法 |
| JPH0795505B2 (ja) * | 1990-02-28 | 1995-10-11 | 信越半導体株式会社 | 接合ウエーハの製造方法 |
| JPH04278562A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| EP0562127B1 (en) * | 1991-10-14 | 2001-04-25 | Denso Corporation | Method for fabrication of semiconductor device |
| JPH07326663A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Fuji Electric Co Ltd | ウエハの誘電体分離方法 |
| JPH07326664A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Fuji Electric Co Ltd | ウエハの誘電体分離溝の充填方法 |
| JP2002331431A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-19 | Pascal Corp | ワークパレット |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59126176A patent/JPS615544A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS615544A (ja) | 1986-01-11 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |