JPH07120757B2 - Ｓｏｉ基板及びその製造方法 - Google Patents

Ｓｏｉ基板及びその製造方法

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JPH07120757B2
JPH07120757B2 JP61104153A JP10415386A JPH07120757B2 JP H07120757 B2 JPH07120757 B2 JP H07120757B2 JP 61104153 A JP61104153 A JP 61104153A JP 10415386 A JP10415386 A JP 10415386A JP H07120757 B2 JPH07120757 B2 JP H07120757B2
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silicon
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silicon layer
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和加雄 宮沢
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、絶縁性基板上にシリコン層を形成して成るSO
I（シリコン−オン−インシユレータ）基板に関するも
のである。
〔発明の概要〕
絶縁性基板上にシリコン層を構成してなるSOI基板にお
いて、該絶縁性基板上に形成されたシリコン薄膜の主面
と、シリコン層との主面とが酸化シリコン層を介して接
着されたものである。
〔従来の技術〕
サフアイヤ等の絶縁性基板上に単結晶層を成長させたSO
S（シリコン−オン−サフアイヤ）基板を用いて、MOS型
半導体装置を製造することが広く行なわれている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、前述の従来技術では、次の様な欠点があ
る。
第１の欠点は、サフアイヤ基板が高価である為量産特性
にコスト面で問題となる。
第２の欠点は、大口径化が難かしい点である。これはサ
フアイヤ基板が現状では外径４インチ位までの製造技術
しかない為である。
第３はサフアイヤ基板上に形成した半導体層であるシリ
コン薄膜の特性の問題である。これは、エピタキシヤル
成長等の技術を用いているが、現状ではまだ欠陥が多
く、歩留り低下の主要因となつている。
本発明はこの様な問題点を解決するもので、その目的と
するところは、安価で大口径のSOI基板を提供すること
にある。
〔問題点を解決するための手段〕
絶縁性基板上にシリコン層を構成してなるSOI基板にお
いて、該絶縁性基板上に形成されたシリコン薄膜の主面
と、シリコン層との主面とが酸化シリコン層を介して接
着されたことを特徴とする。また、絶縁性基板上に半導
体層を構成してなるSOI基板の製造方法において、該絶
縁性基板上にシリコン薄膜をCVD法で形成する工程と、
該シリコン薄膜上にシリコン層を密着させる工程と、該
シリコン層が密着された該絶縁性基板を酸素雰囲気中で
熱処理する工程とを有することを特徴とする。
〔作用〕
本発明の作用を述べれば、絶縁基板上に形成されたシリ
コン薄膜が、高温で酸素に触れる為表面が酸化シリコン
膜に変化する。又、接着せんとするシリコン層の表面も
酸化シリコン膜に変化する。この酸化反応により、互い
のシリコン膜が結合し絶縁基板上にシリコン層が接着さ
れる。酸化シリコン膜は非常に安定した物質であり、又
結合力も強い。この為接着強度はバルク並である。
〔実施例〕
以下、本発明について、実施例に基づき詳細に説明す
る。
第１図は本発明の第１の実施例を工程順に示す図であ
る。まずａ図の如く、絶縁性基板１上にシリコン薄膜を
CVD法等を用いて全面に形成したのちに、該絶縁基板と
シリコン層とを密着させ、1000℃前後の熱処理を処すこ
とにより、第１図（ｂ）の如く絶縁基板とシリコン層は
完全に接着する。
〔発明の効果〕
以上述べた如く、本発明は、絶縁性基板上にシリコン薄
膜を全面に形成したことにより容易にシリコン層を接着
することができる。
この様にして作製したSOI基板は、安価に、しかも大口
径化が可能である。シリコン層については、IC製造用に
６インチあるいは８インチ径のものまで可能であり、又
絶縁性基板は30センチメートル径位までは精度良い物が
できている現状である。
シリコン層についての品質を観てみると、ICテクノロジ
ーの発展に供ない、シリコン基板の品質も著しく向上し
ている。この様に安価で高品質のシリコン層を用いたSO
I基板を容易に作製できる本発明の効果は絶大なもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）（ｂ）は本発明による実施例の工程図であ
る。 １は絶縁基板 ２はシリコン薄膜 ３はシリコン層

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】絶縁性基板上にシリコン層を構成してなる
    SOI基板において、 該絶縁性基板上に形成されたシリコン薄膜の主面と、シ
    リコン層との主面とが酸化シリコン層を介して接着され
    たことを特徴とするSOI基板。
  2. 【請求項２】絶縁性基板上に半導体層を構成してなるSO
    I基板の製造方法において、 該絶縁性基板上にシリコン薄膜をCVD法で形成する工程
    と、該シリコン薄膜上にシリコン層を密着させる工程
    と、該シリコン層が密着された該絶縁性基板を酸素雰囲
    気中で熱処理する工程とを有することを特徴とするSOI
    基板の製造方法。
JP61104153A 1986-05-07 1986-05-07 Ｓｏｉ基板及びその製造方法 Expired - Lifetime JPH07120757B2 (ja)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5013155A (ja) * 1973-06-06 1975-02-12
JPS5118475A (ja) * 1974-06-24 1976-02-14 Westinghouse Electric Corp
JPS5830145A (ja) * 1981-08-17 1983-02-22 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JPS615544A (ja) * 1984-06-19 1986-01-11 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

Patent Citations (4)

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JPS615544A (ja) * 1984-06-19 1986-01-11 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

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