JPS62260358A - Ｓｏｉ基板及びその製造方法 - Google Patents
Ｓｏｉ基板及びその製造方法Info
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- JPS62260358A JPS62260358A JP10415486A JP10415486A JPS62260358A JP S62260358 A JPS62260358 A JP S62260358A JP 10415486 A JP10415486 A JP 10415486A JP 10415486 A JP10415486 A JP 10415486A JP S62260358 A JPS62260358 A JP S62260358A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明げ、絶縁性基板上にシリコン層を形成して成る５
ＯＩ（シリコン−オン−インシュレータ：基板に関する
ものである。
ＯＩ（シリコン−オン−インシュレータ：基板に関する
ものである。
絶縁性基板上にシリコンｒａ？接着して放るＳＯＩ基板
に関し、又、絶縁性基板上にシリコン薄膜とアルミニウ
ム薄膜を形成、あるいは接着せんとするシリコン層の接
着面にアルミニウム薄膜ｌ膜を形成し定のちに前記基板
とシリコンＩＩｌ？密着させ、５００℃前後の熱処理を
処すことにより、絶縁性基板上にシリコン層を接着ζせ
たものである。
に関し、又、絶縁性基板上にシリコン薄膜とアルミニウ
ム薄膜を形成、あるいは接着せんとするシリコン層の接
着面にアルミニウム薄膜ｌ膜を形成し定のちに前記基板
とシリコンＩＩｌ？密着させ、５００℃前後の熱処理を
処すことにより、絶縁性基板上にシリコン層を接着ζせ
たものである。
サファイヤ等の絶縁性基板上にシリコン障の単結晶層を
成長１ぜたＳＯ８基板を用いて、ＭＯ６型半導体装置を
製造することが広く行なわ１でいる。
成長１ぜたＳＯ８基板を用いて、ＭＯ６型半導体装置を
製造することが広く行なわ１でいる。
〔発明が解決しようとでるｒｏ１題点〕しかしながら、
前述の従来技術では、次の様な欠点がある。
前述の従来技術では、次の様な欠点がある。
第１の欠点は、サファイヤ基板が高価である為量産性特
にコスト面で問題となる。
にコスト面で問題となる。
第２の欠点は、大口径化が難かしい点である。
こｆ′Ｉ−ニサファイヤ基板が現状でに外径３インチ位
までの製造技術しかない為である。
までの製造技術しかない為である。
第３はサファイヤ基板上に形成し霞半導体層であるシリ
コン薄膜の特性の問題である。こｆ’Ｌは、エピタキシ
ャル成長等の技術を用いているが、現状でにまだ欠陥が
多く、歩留り低下の主要因となっている。
コン薄膜の特性の問題である。こｆ’Ｌは、エピタキシ
ャル成長等の技術を用いているが、現状でにまだ欠陥が
多く、歩留り低下の主要因となっている。
本発明にこの様な問題点？解決でるもので、その目的と
するところに、安価で大口径のＳＯＩ基板？提供するこ
とＩ／Ｃある。
するところに、安価で大口径のＳＯＩ基板？提供するこ
とＩ／Ｃある。
絶縁性基板上に半導体層を構成してなるＳＯＩ基板にお
いて、前記絶縁性基板上にシリコン薄膜を形成したのち
にアルミニウム薄＠を形成でるかあるいに、接着せんと
するシリコン層の接着面にアルミニウム薄膜全形成した
のちに絶縁性基板と７１１コン層を密着させ、５００℃
前後の熱処理を処すことにより、絶縁性基板上にシリコ
ン層を接着ζせたものである。
いて、前記絶縁性基板上にシリコン薄膜を形成したのち
にアルミニウム薄＠を形成でるかあるいに、接着せんと
するシリコン層の接着面にアルミニウム薄膜全形成した
のちに絶縁性基板と７１１コン層を密着させ、５００℃
前後の熱処理を処すことにより、絶縁性基板上にシリコ
ン層を接着ζせたものである。
〔作用〕
本発明の作用を述べれば、絶縁性基板上に形成されたシ
リコン薄膜が、アルミニウムと熱により反応し共晶結合
する。又さらに接着せんとするシリコン層とアルミニウ
ム薄膜に熱により共晶結合する。よって絶縁性基板とシ
リコン層に接着さｎる。シリコンとアルミニウムに共晶
し易い性質があり、又共晶結合である為、接着強度μバ
ルク並に強い。
リコン薄膜が、アルミニウムと熱により反応し共晶結合
する。又さらに接着せんとするシリコン層とアルミニウ
ム薄膜に熱により共晶結合する。よって絶縁性基板とシ
リコン層に接着さｎる。シリコンとアルミニウムに共晶
し易い性質があり、又共晶結合である為、接着強度μバ
ルク並に強い。
以下、本発明について、実施例に基づき詳細に説明する
。
。
第１図に本発明のｗＬｌの実施例を工程順に示す図であ
る。１ずａ図の如く、絶縁性基板１上にシリコン薄膜’
１ｒｃＶＤ法等号用いて全面に形成したのちに、スパッ
タ法等によりアルミニウム薄膜？全面に形成する。次に
ｂ図の様にシリコン薄膜とアルミニウム薄膜とを形成し
定結縁性基板とシリコン喘とを密着ざぜ、５００℃前後
の熱処理ケ処すことにより、０図の如く絶縁性基板とシ
リコン層に完全に接着する。この際アルミニウム薄膜に
共晶反応を起こしシリコン膜中に拡散してしまう。
る。１ずａ図の如く、絶縁性基板１上にシリコン薄膜’
１ｒｃＶＤ法等号用いて全面に形成したのちに、スパッ
タ法等によりアルミニウム薄膜？全面に形成する。次に
ｂ図の様にシリコン薄膜とアルミニウム薄膜とを形成し
定結縁性基板とシリコン喘とを密着ざぜ、５００℃前後
の熱処理ケ処すことにより、０図の如く絶縁性基板とシ
リコン層に完全に接着する。この際アルミニウム薄膜に
共晶反応を起こしシリコン膜中に拡散してしまう。
次に、＠２図により、本発明の軍２の実施例を工程順に
示す。まずａ図の如く、絶縁性基板上にＣＶＤ法等によ
り、シリコン薄膜を全面に形成する。又、接着用シリコ
ン層にはアルミニウム薄膜をスパッタ法等により形成す
る。次にｂ図の様にシリコン薄膜を形成しｔＰ、練性基
板とアルミニウム薄膜を形成したシリコンＩ！！を密４
１１せる。次に５００℃前後の熱処理を処すことにより
、０図の如く絶縁性基板とシリコンＩＩに完全に接着す
る。
示す。まずａ図の如く、絶縁性基板上にＣＶＤ法等によ
り、シリコン薄膜を全面に形成する。又、接着用シリコ
ン層にはアルミニウム薄膜をスパッタ法等により形成す
る。次にｂ図の様にシリコン薄膜を形成しｔＰ、練性基
板とアルミニウム薄膜を形成したシリコンＩ！！を密４
１１せる。次に５００℃前後の熱処理を処すことにより
、０図の如く絶縁性基板とシリコンＩＩに完全に接着す
る。
以上述べ念如く、本発明に、絶縁性基板上にシリコン薄
膜を全面に形成したのちにアルミニウム薄膜全形成した
ことにより容易にシリコンＩＩ？接着することができる
。又、接着ζせるシリコン層の接着面にアルミニウム薄
膜全形成した場合も同様に接着でる車がで逮、いずれの
場合でも簡単に接着でることができる。
膜を全面に形成したのちにアルミニウム薄膜全形成した
ことにより容易にシリコンＩＩ？接着することができる
。又、接着ζせるシリコン層の接着面にアルミニウム薄
膜全形成した場合も同様に接着でる車がで逮、いずれの
場合でも簡単に接着でることができる。
この様にして作製しｔＳＯＩｉｌｌｌｉ板に、安価に、
しかも大口径化が可能である。シリコン層についてＨ１
ＩＣ製造用に６インチあるいに８インチ径のものまで可
能であり、又ガラス基板に３０センチメートル径位まで
は精度良い物ができている現状である。
しかも大口径化が可能である。シリコン層についてＨ１
ＩＣ製造用に６インチあるいに８インチ径のものまで可
能であり、又ガラス基板に３０センチメートル径位まで
は精度良い物ができている現状である。
シリコン層についての品質を観てみると、 ＩＣテク
ノロジーの発展に供ない、シリコン基板の品質も著しく
向上している。この様に安価で高品質のシリコン／ｉｆ
ｆ？用いたＳＯＩ基板ケ容易に作製できる本発明の効果
に絶大なものである。
ノロジーの発展に供ない、シリコン基板の品質も著しく
向上している。この様に安価で高品質のシリコン／ｉｆ
ｆ？用いたＳＯＩ基板ケ容易に作製できる本発明の効果
に絶大なものである。
與１図（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本発明による第１の実施
例の工程図である。 第２図（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本発明による第２の実施
例の工程図である。 １．１１に絶縁性基板 ２．１２にシリコン薄膜 ６．１３にアルミニウム薄膜 ４．１４にシリコン層
例の工程図である。 第２図（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本発明による第２の実施
例の工程図である。 １．１１に絶縁性基板 ２．１２にシリコン薄膜 ６．１３にアルミニウム薄膜 ４．１４にシリコン層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）絶縁性基板上にシリコン層を構成して成るＳＯＩ基
板において、前記絶縁性基板上にシリコン層を接着して
ある事を特徴とするＳＯＩ基板。 ２）絶縁性基板上にシリコン層を構成して成るＳＯＩ基
板の製造方法において、前記絶縁性基板上にシリコン薄
膜を形成する工程と、引き続きアルミニウム薄膜を形成
する工程と、該基板とシリコン層を密着させ、所望の熱
処理を行なう工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基
板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10415486A JPS62260358A (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | Ｓｏｉ基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10415486A JPS62260358A (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | Ｓｏｉ基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62260358A true JPS62260358A (ja) | 1987-11-12 |
Family
ID=14373145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10415486A Pending JPS62260358A (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | Ｓｏｉ基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62260358A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5693574A (en) * | 1991-02-22 | 1997-12-02 | Deutsche Aerospace Ag | Process for the laminar joining of silicon semiconductor slices |
| KR100774818B1 (ko) | 2006-08-22 | 2007-11-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｓｏｉ기판 |
-
1986
- 1986-05-07 JP JP10415486A patent/JPS62260358A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5693574A (en) * | 1991-02-22 | 1997-12-02 | Deutsche Aerospace Ag | Process for the laminar joining of silicon semiconductor slices |
| KR100774818B1 (ko) | 2006-08-22 | 2007-11-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｓｏｉ기판 |
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