JPH03122622A - 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH03122622A JPH03122622A JP1258725A JP25872589A JPH03122622A JP H03122622 A JPH03122622 A JP H03122622A JP 1258725 A JP1258725 A JP 1258725A JP 25872589 A JP25872589 A JP 25872589A JP H03122622 A JPH03122622 A JP H03122622A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非線形抵抗素子を用いた薄膜二端子素子型ア
クティブマトリクス液晶表示装置、特に、製造工程の簡
略化に関するものである。
クティブマトリクス液晶表示装置、特に、製造工程の簡
略化に関するものである。
近年ツィステッド・ネマチック型（ＴＮ型）を中心とし
た液晶表示装置（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や電
卓の分野で大量に用いられている。
た液晶表示装置（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や電
卓の分野で大量に用いられている。
それに加え、近年、文字図形等の任意の表示が可能なマ
トリクス型も使われ始めている。このマトリクス型ＬＣ
Ｄの応用分野を広げるためには、表示容量の増大が必要
である。しかし、従来のＬＣＤの電圧−透過率変化特性
の立ち上がりはあまり急峻ではないので、表示容量を増
加させるためにマルチプレンクス駆動の走査本数を増加
させると、選択画素と非選択画素との各々にかかる実効
電圧比は低下し、選択画素の透過率低下と非選択画素の
透過率増加というりＵストークが生じる（偏光板をパラ
レルに配置したノーマリブラックの場合）その結果、表
示コントラストが著しく低下し、ある程度の、コントラ
ストが得られる視野角も狭くなり、従来のＬＣＤでは、
走査本数は６０本ぐらいが高画質の限界である。最近、
スーパー・ツィステッド・ネマチック型Ｃ３ＴＮ型）と
いわれるものがあるが、コントラストはＴＮ型よりも優
れているものの応答が遅いという大きな欠点がある。
トリクス型も使われ始めている。このマトリクス型ＬＣ
Ｄの応用分野を広げるためには、表示容量の増大が必要
である。しかし、従来のＬＣＤの電圧−透過率変化特性
の立ち上がりはあまり急峻ではないので、表示容量を増
加させるためにマルチプレンクス駆動の走査本数を増加
させると、選択画素と非選択画素との各々にかかる実効
電圧比は低下し、選択画素の透過率低下と非選択画素の
透過率増加というりＵストークが生じる（偏光板をパラ
レルに配置したノーマリブラックの場合）その結果、表
示コントラストが著しく低下し、ある程度の、コントラ
ストが得られる視野角も狭くなり、従来のＬＣＤでは、
走査本数は６０本ぐらいが高画質の限界である。最近、
スーパー・ツィステッド・ネマチック型Ｃ３ＴＮ型）と
いわれるものがあるが、コントラストはＴＮ型よりも優
れているものの応答が遅いという大きな欠点がある。
このマトリクス型ＬＣＤの表示容量を大幅に増加させる
ために、ＬＣＤの各画素にスイッチング素子を直列に配
置したアクティブマトリクスＬＣＤが考案されている。
ために、ＬＣＤの各画素にスイッチング素子を直列に配
置したアクティブマトリクスＬＣＤが考案されている。
これまでに発表されたアクティブマトリクスＬＣＤの試
作品のスイッチング素子には、アモルファスＳｉやポリ
Ｓｉを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子（ＴＰＴ
）が多く用いられている。また一方では、製造及び構造
が比較的筒型であるため、製造工程が簡略化でき、高歩
留まり、低コストが期待される薄膜二端子素子（以下Ｔ
ＦＤと略す）を用いたアクティブマトリクスＬＣＤも注
目されている。ごのＴＦＤは回路的には非線形抵抗素子
である。
作品のスイッチング素子には、アモルファスＳｉやポリ
Ｓｉを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子（ＴＰＴ
）が多く用いられている。また一方では、製造及び構造
が比較的筒型であるため、製造工程が簡略化でき、高歩
留まり、低コストが期待される薄膜二端子素子（以下Ｔ
ＦＤと略す）を用いたアクティブマトリクスＬＣＤも注
目されている。ごのＴＦＤは回路的には非線形抵抗素子
である。
このような薄膜二端子素子型アクティブマトリクスＬＣ
Ｄ （以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において一番実用化
に近いと考えられているＬＣＤはＴＦＤに金属−絶縁体
−金属素子（以下ＭＩＭ素子またはＭＩＭと略す）を用
いたＬＣＤ （以下ＭＩＭ−ＬＣＤと略す）である。Ｍ
ＩＭのようなＴＦＤを液晶と直列に接続することにより
、ＴＦＤの電圧−電流特性の高非線形性により、ＴＦＤ
−液晶素子の電圧−透過率変化特性の立ち上がりは急峻
になり、液晶表示装置の走査本数を大幅に増やすことが
可能になる。
Ｄ （以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において一番実用化
に近いと考えられているＬＣＤはＴＦＤに金属−絶縁体
−金属素子（以下ＭＩＭ素子またはＭＩＭと略す）を用
いたＬＣＤ （以下ＭＩＭ−ＬＣＤと略す）である。Ｍ
ＩＭのようなＴＦＤを液晶と直列に接続することにより
、ＴＦＤの電圧−電流特性の高非線形性により、ＴＦＤ
−液晶素子の電圧−透過率変化特性の立ち上がりは急峻
になり、液晶表示装置の走査本数を大幅に増やすことが
可能になる。
このＴＦＤ−ＬＣＤの１画素の等価回路を第３図に示す
。この等価回路は、直列に接続された非線形抵抗素子１
２及び液晶素子１３と、両端に接続されたデータ信号ｗ
Ａ１１および走査信号線１４とで表される。なお等価回
路としては、データ信号線１１と走査信号線１４とが逆
であってもよい。
。この等価回路は、直列に接続された非線形抵抗素子１
２及び液晶素子１３と、両端に接続されたデータ信号ｗ
Ａ１１および走査信号線１４とで表される。なお等価回
路としては、データ信号線１１と走査信号線１４とが逆
であってもよい。
このようにＭＩＭ素子の絶縁体層は、完全な絶縁体では
なく、非線形抵抗層とでも呼ぶべきものである。
なく、非線形抵抗層とでも呼ぶべきものである。
ＴＦＤ素子において、最も重要な材料は非線形抵抗層の
材料である。最も知られている絶縁体材料としては、酸
化タンタルが知られている。このようなＴＦＤを用いた
ＬＣＤの従来例は、論文では、例えば、デイ・アールバ
ラフ他著（ジ・オプチマイゼイション・オン・メタル・
インシュレータ・メタル・ノンリニア・デバイシズ・フ
ォア・ユース・イン・マルチプレクスド・リキッド・ク
リスタル・デイスプレィズ）、アイ・イー・イー・イー
・トランザクション・オン・エレクトロン・アバ４９１
．２８巻、６号１頁７３６−７３９．１９８１年発行）
（Ｄ、Ｒ，Ｂａｒａｆｆ、 ｅｔ ａｌ、、 ”Ｔ
ｈｅ Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｏｆ Ｍｅｔａｌ−Ｉ
ｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｎｏｎ１ｉｎｅａｒ
Ｄｅｖｉｃｅｓｆｏｒ Ｕｓｅ ｉｎ Ｍｕｌｔｉｐ］
ｅｘｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌ
ａｙｓＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ、 ｖｏｌ、 ＨＤ−２８＋ ｐｐ７３６
−７３９ （１９８１）） 、及び、両角伸治他著、
２５０Ｘ２４０画素のラテラルＭＩＭ−ＬＣＤ テレ
ビジョン学会技術報告（Ｉ Ｐ Ｄ８３−８） 、 ｐ
ｐ３９−４４．１９８３年１２月発行）に代表的に示さ
れる。
材料である。最も知られている絶縁体材料としては、酸
化タンタルが知られている。このようなＴＦＤを用いた
ＬＣＤの従来例は、論文では、例えば、デイ・アールバ
ラフ他著（ジ・オプチマイゼイション・オン・メタル・
インシュレータ・メタル・ノンリニア・デバイシズ・フ
ォア・ユース・イン・マルチプレクスド・リキッド・ク
リスタル・デイスプレィズ）、アイ・イー・イー・イー
・トランザクション・オン・エレクトロン・アバ４９１
．２８巻、６号１頁７３６−７３９．１９８１年発行）
（Ｄ、Ｒ，Ｂａｒａｆｆ、 ｅｔ ａｌ、、 ”Ｔ
ｈｅ Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｏｆ Ｍｅｔａｌ−Ｉ
ｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｎｏｎ１ｉｎｅａｒ
Ｄｅｖｉｃｅｓｆｏｒ Ｕｓｅ ｉｎ Ｍｕｌｔｉｐ］
ｅｘｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌ
ａｙｓＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ、 ｖｏｌ、 ＨＤ−２８＋ ｐｐ７３６
−７３９ （１９８１）） 、及び、両角伸治他著、
２５０Ｘ２４０画素のラテラルＭＩＭ−ＬＣＤ テレ
ビジョン学会技術報告（Ｉ Ｐ Ｄ８３−８） 、 ｐ
ｐ３９−４４．１９８３年１２月発行）に代表的に示さ
れる。
このようなＴＦＤ素子を大容量のデイスプレィに適用す
るときに要求される特性は、素子を流れる電流（Ｉ）と
印加電圧（Ｖ）をＩ＝Ａ・■畠と表したときの非線形係
数ａが大きいこと、電流電圧特性が印加電圧の極性に無
関係に正負対称であること及びＴＦＤ素子の容量が小さ
いことである。
るときに要求される特性は、素子を流れる電流（Ｉ）と
印加電圧（Ｖ）をＩ＝Ａ・■畠と表したときの非線形係
数ａが大きいこと、電流電圧特性が印加電圧の極性に無
関係に正負対称であること及びＴＦＤ素子の容量が小さ
いことである。
ところが、酸化タンタルを用いたＴＦＤ素子は対称性は
よいが非線形係数が５〜６とそれほど大きくなく、また
誘電率も大きいため素子容量が太きい等の欠点を有して
いる。
よいが非線形係数が５〜６とそれほど大きくなく、また
誘電率も大きいため素子容量が太きい等の欠点を有して
いる。
そこで、誘電率の小さい窒化シリコンが、ＴＦＤ素子用
非線形抵抗材料として開発されており、例えばエム ス
ズキ他（ア ニュー アクティブダイオード マトリク
ス エルシープイー ユージング オフ ストイキオメ
トリツク Ｓ ｉＮｘレイヤー プロシーデインゲス
オン ザ ニスアイデイ−２８巻１０１−１０４頁、
１９８７年発行）（Ｍ、５ｕｚｕｋｉ ｅｔ ａ
ｌ、、 ’Ａ Ｎｅ−八ｃｔｉｖｅ Ｄｉｏｄｅ
ＭａｔｒｉｘＬＣＤ ｕｓｉｎｇ Ｏｆｆ−ｓｔｏ
ｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉｃ ＳｉＮｘ Ｌａｙｅｒ” Ｐ
ｒｏ−ｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ、 Ｖ
ｏｌ、２８ ｐｌｏｌ−１０４，１９８７））に記述さ
れている。
非線形抵抗材料として開発されており、例えばエム ス
ズキ他（ア ニュー アクティブダイオード マトリク
ス エルシープイー ユージング オフ ストイキオメ
トリツク Ｓ ｉＮｘレイヤー プロシーデインゲス
オン ザ ニスアイデイ−２８巻１０１−１０４頁、
１９８７年発行）（Ｍ、５ｕｚｕｋｉ ｅｔ ａ
ｌ、、 ’Ａ Ｎｅ−八ｃｔｉｖｅ Ｄｉｏｄｅ
ＭａｔｒｉｘＬＣＤ ｕｓｉｎｇ Ｏｆｆ−ｓｔｏ
ｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉｃ ＳｉＮｘ Ｌａｙｅｒ” Ｐ
ｒｏ−ｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ、 Ｖ
ｏｌ、２８ ｐｌｏｌ−１０４，１９８７））に記述さ
れている。
これらの他に、非線形抵抗材料としては、シリコンカー
バイド等、種々の酸化物、窒化物、炭化物の材料が用い
られる。
バイド等、種々の酸化物、窒化物、炭化物の材料が用い
られる。
これらの文献に示された従来型のＴＦＤ−ＬＣＤパネル
の構造の一例を以下に示す。窒化シリコン系ＴＦＤ素子
を用いた構造の断面図を第４図に示し、酸化タンタル系
ＴＦＤ素子を用いた構造のうち、ＴＦＤ素子が形成され
ている基板の平面図を第５図に示し、ＴＦＤ−ＬＣＤの
パネルの一部の透視構造平面図を第６図に示す。
の構造の一例を以下に示す。窒化シリコン系ＴＦＤ素子
を用いた構造の断面図を第４図に示し、酸化タンタル系
ＴＦＤ素子を用いた構造のうち、ＴＦＤ素子が形成され
ている基板の平面図を第５図に示し、ＴＦＤ−ＬＣＤの
パネルの一部の透視構造平面図を第６図に示す。
第４図は、非線形抵抗層６に窒化シリコンを用いたＴＦ
Ｄ−ＬＣＤパネルの例であり、窒化シリコンは成膜後、
エツチングにより所定の形にパターン化しである。なお
第４図において、１は下部ガラス基板、２は画素電極、
３はリード電極、４は画素接続電極、９は液晶層、８は
対向ストライプ電極、７は上部ガラス基板である。
Ｄ−ＬＣＤパネルの例であり、窒化シリコンは成膜後、
エツチングにより所定の形にパターン化しである。なお
第４図において、１は下部ガラス基板、２は画素電極、
３はリード電極、４は画素接続電極、９は液晶層、８は
対向ストライプ電極、７は上部ガラス基板である。
第５図に示すように、陽極酸化による酸化タンタルを用
いた場合は非線形抵抗層６はリード電極３を覆う形にな
る。なお第５図において、１０は上部電極である。第６
図に示すように、リード電極３は液晶セルの外まで引き
出され、端子部５を介して駆動回路に接続される。対向
ストライプ電極８は、リード電極３と直交し、画素電極
２にほぼ対応する幅でストライプ上にパターン化され、
駆動回路に接続される。リード電極３は、第３図に示す
データ信号線１１または走査信号線１４のいずれか一方
に対応し、対向ストライプ電極８はデータ信号線１１ま
たは走査信号線１４の他方に対応する。
いた場合は非線形抵抗層６はリード電極３を覆う形にな
る。なお第５図において、１０は上部電極である。第６
図に示すように、リード電極３は液晶セルの外まで引き
出され、端子部５を介して駆動回路に接続される。対向
ストライプ電極８は、リード電極３と直交し、画素電極
２にほぼ対応する幅でストライプ上にパターン化され、
駆動回路に接続される。リード電極３は、第３図に示す
データ信号線１１または走査信号線１４のいずれか一方
に対応し、対向ストライプ電極８はデータ信号線１１ま
たは走査信号線１４の他方に対応する。
薄膜二端子素子（ＴＦＤ）を用いたアクティブマトリク
スＬＣＤは、製造及び構造が比較的簡単であるため、製
造工程が簡略化でき、低コスト化が期待され注目されて
いる。
スＬＣＤは、製造及び構造が比較的簡単であるため、製
造工程が簡略化でき、低コスト化が期待され注目されて
いる。
本発明の目的は、ＴＦＤ素子を用いたＬＣＤ（ＴＦＤ−
ＬＣＤ）の構造及び製造工程を更に簡略化し、低コスト
化を実現できる、アクティブマトリクス液晶表示装置及
びその製造方法を提供することにある。
ＬＣＤ）の構造及び製造工程を更に簡略化し、低コスト
化を実現できる、アクティブマトリクス液晶表示装置及
びその製造方法を提供することにある。
本発明は、薄膜二端子素子の一方の端子である画素接続
電極が画素電極に接続され、他方の端子がリード電極に
接続され、これら全てが素子基板上に形成され、この素
子基板が、液晶を介して、対向ストライプ電極が形成さ
れている対向基板と、直交する形で張り合わされた構造
の薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置
において、リード電極と非線形抵抗層が同しパターンで
あり、画素接続電極がリード電極のパターンと画素電極
のパターンの重なり部のみに形成されたことを特徴とし
ている。
電極が画素電極に接続され、他方の端子がリード電極に
接続され、これら全てが素子基板上に形成され、この素
子基板が、液晶を介して、対向ストライプ電極が形成さ
れている対向基板と、直交する形で張り合わされた構造
の薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置
において、リード電極と非線形抵抗層が同しパターンで
あり、画素接続電極がリード電極のパターンと画素電極
のパターンの重なり部のみに形成されたことを特徴とし
ている。
また本発明は、薄膜二端子素子が形成された素子基板が
、液晶を介して、対向ストライプ電極が形成されている
対向基板と、直交する形で張り合わされた構造の薄膜二
端子素子型アクティブマトリクス液晶装置の製造方法に
おいて、 素子基板上に、透明電導体薄膜と金属薄膜とを連続形成
し、それらを画素接続電極を含む画素電極のマスクパタ
ーンで金属薄膜、透明電導体薄膜の順でエツチングし、
その上に非線形抵抗層と金属電極とを連続形成し、それ
らをリード電極のマスクパターンで金属電極、非線形抵
抗層の順でエツチングし、更に同一マスクで画素電極上
の金属電極もエツチングすることを特徴としている。
、液晶を介して、対向ストライプ電極が形成されている
対向基板と、直交する形で張り合わされた構造の薄膜二
端子素子型アクティブマトリクス液晶装置の製造方法に
おいて、 素子基板上に、透明電導体薄膜と金属薄膜とを連続形成
し、それらを画素接続電極を含む画素電極のマスクパタ
ーンで金属薄膜、透明電導体薄膜の順でエツチングし、
その上に非線形抵抗層と金属電極とを連続形成し、それ
らをリード電極のマスクパターンで金属電極、非線形抵
抗層の順でエツチングし、更に同一マスクで画素電極上
の金属電極もエツチングすることを特徴としている。
〔作用］
本発明によるＴＦＤ−ＬＣＤの製造方法では、使用する
フォトマスクは、２枚のみである。従来例では、フォト
マスクは４枚必要であった。従って、露光工程が著しく
簡略になる。
フォトマスクは、２枚のみである。従来例では、フォト
マスクは４枚必要であった。従って、露光工程が著しく
簡略になる。
また、本発明によるＴＦＤ−ＬＣＤでは、非線形抵抗層
は、金属電極で挾まれているので、外部からの光の影響
を受けることが殆ど無い。
は、金属電極で挾まれているので、外部からの光の影響
を受けることが殆ど無い。
以下に本発明の実施例について説明する。
本実施例により得られる薄膜二端子素子を用いたアクテ
ィブマトリクスＬＣＤの１画素の代表例の平面図を第１
図に示し、また、製造方法を断面図を用いて第２図に示
す。
ィブマトリクスＬＣＤの１画素の代表例の平面図を第１
図に示し、また、製造方法を断面図を用いて第２図に示
す。
まず、下部ガラス基板ｌ上に、酸化インジウム−スズ（
通常ＩＴＯと呼ばれている）薄膜とクロム薄膜（約１０
０ｒ＋ｍ）とをスパッタ法で連続形成する。
通常ＩＴＯと呼ばれている）薄膜とクロム薄膜（約１０
０ｒ＋ｍ）とをスパッタ法で連続形成する。
それを画素接続電極を含む画素電極のマスクパターンで
クロム薄膜、透明電導体薄膜の順でエツチングし、画素
電極２及び画素接続電極４を形成する（第２図（ａ））
。なお、下部ガラス基板１をＳｉＯ□等のガラス保護層
で被覆することも多いが、不可欠なものではないので被
覆を省略することもでき、本実施例では省略している。
クロム薄膜、透明電導体薄膜の順でエツチングし、画素
電極２及び画素接続電極４を形成する（第２図（ａ））
。なお、下部ガラス基板１をＳｉＯ□等のガラス保護層
で被覆することも多いが、不可欠なものではないので被
覆を省略することもでき、本実施例では省略している。
続いて、非線形抵抗層６として、５ｉＨｎガスとＮ２ガ
スを用いてグロー放電分解法により下部ガラス基板１及
び画素接続電極４上に窒化シリコン層を１５０ｎｍ形成
した。このときの窒化シリコン層を形成するときのガス
混合比Ｓ ｉ Ｈａ／ Ｎ ｚは０．０８であった。更
に連続して、クロム薄膜を約１１００ｎ形成する。続い
て、マスクとしてレジスト１５を形成し、リード電極３
のマスクパターンでクロム薄膜、非線形抵抗層の順でエ
ツチングし、非線形抵抗層６及びリード電極３を形成す
る（第２図（ｂ））。ここで、第６図に示された従来例
と同じく、リード電極３は外部に引き出されて、同時に
形成された端子部に接続される。
スを用いてグロー放電分解法により下部ガラス基板１及
び画素接続電極４上に窒化シリコン層を１５０ｎｍ形成
した。このときの窒化シリコン層を形成するときのガス
混合比Ｓ ｉ Ｈａ／ Ｎ ｚは０．０８であった。更
に連続して、クロム薄膜を約１１００ｎ形成する。続い
て、マスクとしてレジスト１５を形成し、リード電極３
のマスクパターンでクロム薄膜、非線形抵抗層の順でエ
ツチングし、非線形抵抗層６及びリード電極３を形成す
る（第２図（ｂ））。ここで、第６図に示された従来例
と同じく、リード電極３は外部に引き出されて、同時に
形成された端子部に接続される。
更に、同一のマスクを用いて、画素電極２の上のクロム
薄膜をエツチングすることで、素子基板は完成する（第
２図（Ｃ））。この素子基板では、リード電極３と非腺
形梃抗Ｎ６が同じパターンであり、画素接続電極４がリ
ード電極のパターンと画素電極のパターンの重なり部の
みに形成されている。
薄膜をエツチングすることで、素子基板は完成する（第
２図（Ｃ））。この素子基板では、リード電極３と非腺
形梃抗Ｎ６が同じパターンであり、画素接続電極４がリ
ード電極のパターンと画素電極のパターンの重なり部の
みに形成されている。
続いて、上部ガラス基板７上にＩＴＯ膜を形成、パター
ン化し、対向ストライプ電極８とした。これは第６図に
示した従来例のＴＦＤ−ＬＣＤパネルと同様であり、ま
た通常の単純マルチプレックスＬＣＤとも殆ど同一であ
る。下部ガラス基板１と上部ガラス基板７とは配向処理
を施したのち、ガラスファイバ等のスペーサを介して張
り合わし、通常のエポキシ接着剤によりシールした。セ
ル厚は５μｍとした。
ン化し、対向ストライプ電極８とした。これは第６図に
示した従来例のＴＦＤ−ＬＣＤパネルと同様であり、ま
た通常の単純マルチプレックスＬＣＤとも殆ど同一であ
る。下部ガラス基板１と上部ガラス基板７とは配向処理
を施したのち、ガラスファイバ等のスペーサを介して張
り合わし、通常のエポキシ接着剤によりシールした。セ
ル厚は５μｍとした。
その後、ＴＮ型液晶を注入し液晶Ｎ９とした。
これを封止してＴＦＤ−ＬＣＤを完成した（第２図（ｄ
））。
））。
本実施例を用いて形成された６４０ Ｘ ４００素子の
ＴＦＤ−ＬＣＤパネルの画像評価を行ったところ、コン
トラスト３０：１以上あったが、駆動電極は２５■であ
った。
ＴＦＤ−ＬＣＤパネルの画像評価を行ったところ、コン
トラスト３０：１以上あったが、駆動電極は２５■であ
った。
以上の実施例では、ＴＦＤとしてＳｉＮｘ系だけについ
て述べたが、他のＴＦＤ材料にも、本実施例は用いるこ
とができる。
て述べたが、他のＴＦＤ材料にも、本実施例は用いるこ
とができる。
［発明の効果］
本発明によるＴＦＤ−ＬＣＤの製造方法では、使用する
フォトマスクは、２枚のみである。従来例では、フォト
マスクは４枚必要であった。従って、露光工程が著しく
簡略になる。
フォトマスクは、２枚のみである。従来例では、フォト
マスクは４枚必要であった。従って、露光工程が著しく
簡略になる。
また、本発明によるＴＦＤ−ＬＣＤでは、非線形抵抗層
は、金属電極で挾まれているので、外部からの光の影響
を受けることが殆ど無い。
は、金属電極で挾まれているので、外部からの光の影響
を受けることが殆ど無い。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によるＴＦＤ−ＬＣＤの一実施例の断面
図、 第２図は本発明による製造方法を示す素子基板の断面図
、 第３図はＴＦＤ−ＬＣＤの一般的な等価回路を示す図、 第４図〜第６図は従来のＴＦＤ−ＬＣＤの例を示したも
のであり、窒化シリコン系ＴＦＤ素子を用いた構造の断
面図を第４図に示し、酸化タンタル系ＴＦＤ素子を用い
た構造のうち、ＴＦＤ素子が形成されている基板の平面
図を第５図に示し、ＴＦＤ−ＬＣＤパネルの一部の透視
構造平面図を第６図に示す。 １・・・・ ２・・・・ ３・・・・ ４・・・・ ５・・・・ ６・・・・ ７・・・・ ８・・・・ ９・・・・ １０・・・・ １１・・・・ １２・・・・ １３・・・・ １４・・・・ １５・・・・ ・下部ガラス基板 ・画素電極 ・リード電極 ・画素接続電極 ・端子部 ・非線形抵抗層 ・上部ガラス基板 ・対向ストライプ電極 ・液晶層 ・上部電極 ・データ信号線 ・非線形抵抗素子 ・液晶素子 ・走査信号線 ・レジスト
図、 第２図は本発明による製造方法を示す素子基板の断面図
、 第３図はＴＦＤ−ＬＣＤの一般的な等価回路を示す図、 第４図〜第６図は従来のＴＦＤ−ＬＣＤの例を示したも
のであり、窒化シリコン系ＴＦＤ素子を用いた構造の断
面図を第４図に示し、酸化タンタル系ＴＦＤ素子を用い
た構造のうち、ＴＦＤ素子が形成されている基板の平面
図を第５図に示し、ＴＦＤ−ＬＣＤパネルの一部の透視
構造平面図を第６図に示す。 １・・・・ ２・・・・ ３・・・・ ４・・・・ ５・・・・ ６・・・・ ７・・・・ ８・・・・ ９・・・・ １０・・・・ １１・・・・ １２・・・・ １３・・・・ １４・・・・ １５・・・・ ・下部ガラス基板 ・画素電極 ・リード電極 ・画素接続電極 ・端子部 ・非線形抵抗層 ・上部ガラス基板 ・対向ストライプ電極 ・液晶層 ・上部電極 ・データ信号線 ・非線形抵抗素子 ・液晶素子 ・走査信号線 ・レジスト
Claims (2)
- （１）薄膜二端子素子の一方の端子である画素接続電極
が画素電極に接続され、他方の端子がリード電極に接続
され、これら全てが素子基板上に形成され、この素子基
板が、液晶を介して、対向ストライプ電極が形成されて
いる対向基板と、直交する形で張り合わされた構造の薄
膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置にお
いて、リード電極と非線形抵抗層が同じパターンであり
、画素接続電極がリード電極のパターンと画素電極のパ
ターンの重なり部のみに形成されたことを特徴とする薄
膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置。 - （２）薄膜二端子素子が形成された素子基板が、液晶を
介して、対向ストライプ電極が形成されている対向基板
と、直交する形で張り合わされた構造の薄膜二端子素子
型アクティブマトリクス液晶装置の製造方法において、 素子基板上に、透明電導体薄膜と金属薄膜とを連続形成
し、それらを画素接続電極を含む画素電極のマスクパタ
ーンで金属薄膜、透明電導体薄膜の順でエッチングし、
その上に非線形抵抗層と金属電極とを連続形成し、それ
らをリード電極のマスクパターンで金属電極、非線形抵
抗層の順でエッチングし、更に同一マスクで画素電極上
の金属電極もエッチングすることを特徴とする薄膜二端
子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25872589A JP2540957B2 (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25872589A JP2540957B2 (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03122622A true JPH03122622A (ja) | 1991-05-24 |
| JP2540957B2 JP2540957B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=17324222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25872589A Expired - Lifetime JP2540957B2 (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2540957B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01266511A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-24 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜ダイオードの製造方法 |
| JPH0283538A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-23 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
1989
- 1989-10-05 JP JP25872589A patent/JP2540957B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01266511A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-24 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜ダイオードの製造方法 |
| JPH0283538A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-23 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2540957B2 (ja) | 1996-10-09 |
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