JPS62134628A - 蓄積コンデンサアドレスダイオ−ド型アクテイブマトリクス液晶表示装置とその駆動方法 - Google Patents
蓄積コンデンサアドレスダイオ−ド型アクテイブマトリクス液晶表示装置とその駆動方法Info
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- JPS62134628A JPS62134628A JP60275449A JP27544985A JPS62134628A JP S62134628 A JPS62134628 A JP S62134628A JP 60275449 A JP60275449 A JP 60275449A JP 27544985 A JP27544985 A JP 27544985A JP S62134628 A JPS62134628 A JP S62134628A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、少なくとも一方の基板上にスイッチング素子
を形成した高デユティ・マルチプレックス駆動可能な大
表示容量液晶表示装置に関する。
を形成した高デユティ・マルチプレックス駆動可能な大
表示容量液晶表示装置に関する。
その中でも特に、スイッチング素子として、非線形抵抗
素子を用いた液晶表示装置に関する。
素子を用いた液晶表示装置に関する。
近年、ツイスト・ネマティック型を中心とした液晶表示
装置（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や電卓の分野で
大量に用いられている。それに加え、近年、文字、図形
等の任意の表示が可能なマトリックス型も使われ始めて
いる。このマトリックス型ＬＣＤの応用分野を広げるた
めには、β水容量の増大が必要である。しかし、従来の
ＬＣＤの電圧−透過率変化特性の立上りはあまり急峻で
はない。このことに因り、表示容ｔを増加させるために
マルチプレックス駆動の走査本数を増加させた時、即ち
高デーティ駆動時においては、選択画素と非選択画素各
々にかがる実効電圧比は低下するので、選択画素の透過
率増加と非選択画素の透過率低下とｂラフロストークが
生じる。その結果表示コントラストが著しく低下し、あ
る程度のコントラストが得られる視野角も著しく狭くな
る。
装置（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や電卓の分野で
大量に用いられている。それに加え、近年、文字、図形
等の任意の表示が可能なマトリックス型も使われ始めて
いる。このマトリックス型ＬＣＤの応用分野を広げるた
めには、β水容量の増大が必要である。しかし、従来の
ＬＣＤの電圧−透過率変化特性の立上りはあまり急峻で
はない。このことに因り、表示容ｔを増加させるために
マルチプレックス駆動の走査本数を増加させた時、即ち
高デーティ駆動時においては、選択画素と非選択画素各
々にかがる実効電圧比は低下するので、選択画素の透過
率増加と非選択画素の透過率低下とｂラフロストークが
生じる。その結果表示コントラストが著しく低下し、あ
る程度のコントラストが得られる視野角も著しく狭くな
る。
従って、従来のＬＣＤでは走査本数は、６０本ぐらいが
限界である。
限界である。
マトリックス型ＬＣＤの表示容量を大幅に増加させるた
めに、ＬＣＤの各画素にスイッチング素子を直列に配置
したアクティブマトリックスＬＣＤが考案されている。
めに、ＬＣＤの各画素にスイッチング素子を直列に配置
したアクティブマトリックスＬＣＤが考案されている。
これまでに発表されたアクティブマトリックスＬＣＤの
試作品のスイッチング素子には、アモルファスシリコン
やポリ７リコンを半導体材料とした薄膜トランジスタ素
子（ＴＰＴ）が多く用いられている。また一方では、製
造法および構造が比較的単純であるため、製造工程が簡
略化でき、高歩留９、低コスト化が期待される薄膜二端
子素子（以下’Ｉ”ＦＤと略す）を用いたアクティブマ
トリックスＬＣＤ （以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）も注
目されている。
試作品のスイッチング素子には、アモルファスシリコン
やポリ７リコンを半導体材料とした薄膜トランジスタ素
子（ＴＰＴ）が多く用いられている。また一方では、製
造法および構造が比較的単純であるため、製造工程が簡
略化でき、高歩留９、低コスト化が期待される薄膜二端
子素子（以下’Ｉ”ＦＤと略す）を用いたアクティブマ
トリックスＬＣＤ （以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）も注
目されている。
これまで、ＬＣＤに用いられた’Ｉ’ＦＤは、殆ど非線
形抵抗素子であり、その電流−電圧特性（１−Ｖ特性）
は、近似的に次の式で表わされる。
形抵抗素子であり、その電流−電圧特性（１−Ｖ特性）
は、近似的に次の式で表わされる。
１：Ａ−Ｖ
ここで、Ａは比例定数であり、αは抵抗の非咳形性を表
わす係数である。
わす係数である。
α＝１では％ １はＶに比例し、Ｖの１に対する比でち
る抵抗ｆ［Ｒ（＝Ｖ／Ｉ）は一定であり１通常の抵抗の
特性を示す。α〉１では、ＩはＶの増加とともに急激に
増加する。即ち、抵抗几はＶの増加により急激に低下す
る。このＲの変化は、αが大きい程急激である。従って
、αが大きい程、大きなスイッチング比がとれる。
る抵抗ｆ［Ｒ（＝Ｖ／Ｉ）は一定であり１通常の抵抗の
特性を示す。α〉１では、ＩはＶの増加とともに急激に
増加する。即ち、抵抗几はＶの増加により急激に低下す
る。このＲの変化は、αが大きい程急激である。従って
、αが大きい程、大きなスイッチング比がとれる。
ＬＣＤに用いる’Ｊ’ＦＤＩＣは、金属−絶縁体−金属
素子（以下ＭＩＭ素子又はＭＩＭと略″ｊ）と、アモル
ファス・シリコン（以下ａ −Ｓ ｊ （！： 略ｔ）
を用いたダイオードが仰られている。ＭＩＭを用いたＬ
ＣＤ （以下、ｒ旧ハ１−ＬＣＤと略す）従来例は、論
文ではティ・アールバラフ、他、著「ジ・オグティマイ
セー７ｗン・オプ・メタル・インシェレータφメタルー
ノンリニア・テバイシズー７ォア拳ユース・イン中マル
チブレツクスト・リキッド−クリスタルーディスグレイ
ズ」、アイ拳イー・イー−イー・トランザクション−オ
ン・エレクトロンーテバイシーズ、２８巻、６号、頁７
３６−７３９ （１９８１年発行） （Ｄ、１（、Ｂ
ａｒａｆｆ 、ｅｔａｌ、、 ”：［’ｈｅ Ｏｐｔｉ
ｍｉｚａｔｔｏｎ ｏｆ Ｍｅｔａｌ −Ｉｎｓｕｌａ
ｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｎｏｎ１ｉｎｅａｒ Ｄｅｖｉｃ
ｅｓｆｏｒ ｔＪｓｅ ｉｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅ
ｄ ｌ、１ｑｕｉｄ Ｃｒｙ−ｓｔａｌ １）ｉｓｐｌ
ａｙｓ、″ＩＥＥＥ ’［ｒｄｎｓ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｐｅｖｉｃｅｓ、ｖｏｌ 、ＥＤ−２８，ｐｐ、 ７３
６−７３９（１９８１） ）、 及び両角押漬、他、ｉ
ｒ’２５０Ｘ２４０画紫のラテラルＭＩＭ−ＬＣＤＪＣ
Ｄ上ジョン学会技術報告（ＩＰＤ ８３−８） 、頁３
９−４４゜（１９８３年１２月発行）に代表的に示され
、特許公開公報では特開昭５２−１４９０９０号公報、
及び特開昭５５−１６１２７３号公報中に代表的に示
され動作原理についても詳細に述べられている。
素子（以下ＭＩＭ素子又はＭＩＭと略″ｊ）と、アモル
ファス・シリコン（以下ａ −Ｓ ｊ （！： 略ｔ）
を用いたダイオードが仰られている。ＭＩＭを用いたＬ
ＣＤ （以下、ｒ旧ハ１−ＬＣＤと略す）従来例は、論
文ではティ・アールバラフ、他、著「ジ・オグティマイ
セー７ｗン・オプ・メタル・インシェレータφメタルー
ノンリニア・テバイシズー７ォア拳ユース・イン中マル
チブレツクスト・リキッド−クリスタルーディスグレイ
ズ」、アイ拳イー・イー−イー・トランザクション−オ
ン・エレクトロンーテバイシーズ、２８巻、６号、頁７
３６−７３９ （１９８１年発行） （Ｄ、１（、Ｂ
ａｒａｆｆ 、ｅｔａｌ、、 ”：［’ｈｅ Ｏｐｔｉ
ｍｉｚａｔｔｏｎ ｏｆ Ｍｅｔａｌ −Ｉｎｓｕｌａ
ｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｎｏｎ１ｉｎｅａｒ Ｄｅｖｉｃ
ｅｓｆｏｒ ｔＪｓｅ ｉｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅ
ｄ ｌ、１ｑｕｉｄ Ｃｒｙ−ｓｔａｌ １）ｉｓｐｌ
ａｙｓ、″ＩＥＥＥ ’［ｒｄｎｓ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｐｅｖｉｃｅｓ、ｖｏｌ 、ＥＤ−２８，ｐｐ、 ７３
６−７３９（１９８１） ）、 及び両角押漬、他、ｉ
ｒ’２５０Ｘ２４０画紫のラテラルＭＩＭ−ＬＣＤＪＣ
Ｄ上ジョン学会技術報告（ＩＰＤ ８３−８） 、頁３
９−４４゜（１９８３年１２月発行）に代表的に示され
、特許公開公報では特開昭５２−１４９０９０号公報、
及び特開昭５５−１６１２７３号公報中に代表的に示
され動作原理についても詳細に述べられている。
これらの文献中において、ＭＩＭ−ＬＣＤば、１／１０
００以上の高デスティで駆動可能であること、即ち、１
０００Ｘ １０００画素のＬＣＤｙｇ、、４現可能であ
ることが示されている。
００以上の高デスティで駆動可能であること、即ち、１
０００Ｘ １０００画素のＬＣＤｙｇ、、４現可能であ
ることが示されている。
ａ −３ｉ ダイオードを用いたＬＣＤ （以下、ａ
−８ｉ−ＬＣＤと略す）に関しては、 富樫清杏他、著
「２段ダイオードリンクを用いた２１０×２２８マトリ
クス液晶表示装置」 テレビジョン学会技術報告（１１
−’Ｄ９２−３） １頁１３−１８． （１９８４年
１２月発行）、及び、セット・ヤニフ、他、著、［アｅ
ノベル・アモルファス・シリコン・スイ。
−８ｉ−ＬＣＤと略す）に関しては、 富樫清杏他、著
「２段ダイオードリンクを用いた２１０×２２８マトリ
クス液晶表示装置」 テレビジョン学会技術報告（１１
−’Ｄ９２−３） １頁１３−１８． （１９８４年
１２月発行）、及び、セット・ヤニフ、他、著、［アｅ
ノベル・アモルファス・シリコン・スイ。
チング曽デバイス・フォア・ドライヴイング・アレ
プ・ザ１９８５インタナシ蒼ナル・ティスフ当・リサー
チ−コンファレンス予８集頁７６−７９（１９８５年発
行） ［Ｚ 、Ｙａｎｉｖ、 ｅｔ ａｌ、、 −Ａ
Ｎｏｖｅｌ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ５ｊｌｉｃｏｎ Ｓ
ｗｉｔｃｈｉｎｇＤｅｖｉｃｅ ｆｏｒ Ｄｒｉｖｉｎ
ｇ Ａｃｔｉｖｅ ＭａｔｒｉｘＬｉｇｕｉｄ Ｃｒｙ
ｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ、 ” Ｃｏｎｆｅｒｅ
−ｎｃｅ Ｉ％ｅｃｏｒｄ ｏｆ ｔｈｅ １
９８５ １ｎｔｅｒｎａｔｉｏ−ｎａｌ Ｄｉｓｐｌ
ａｙ Ｒｅ５ｅａｒｃｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
）バ・ｙ７構造、といった種々のものが矧られている。
チ−コンファレンス予８集頁７６−７９（１９８５年発
行） ［Ｚ 、Ｙａｎｉｖ、 ｅｔ ａｌ、、 −Ａ
Ｎｏｖｅｌ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ５ｊｌｉｃｏｎ Ｓ
ｗｉｔｃｈｉｎｇＤｅｖｉｃｅ ｆｏｒ Ｄｒｉｖｉｎ
ｇ Ａｃｔｉｖｅ ＭａｔｒｉｘＬｉｇｕｉｄ Ｃｒｙ
ｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ、 ” Ｃｏｎｆｅｒｅ
−ｎｃｅ Ｉ％ｅｃｏｒｄ ｏｆ ｔｈｅ １
９８５ １ｎｔｅｒｎａｔｉｏ−ｎａｌ Ｄｉｓｐｌ
ａｙ Ｒｅ５ｅａｒｃｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
）バ・ｙ７構造、といった種々のものが矧られている。
。
これらのＩ−Ｖ％性も、おおむね、前に述べたべ上乗式
で表わせる。上記各構造のダイオードは、Ｉ−ｖ％性に
ついて、各々、（１）低′亀圧印別時に電流が流れやす
い、即ち、比例定数Ａが大きい、（１１９非線形係数が
小さい、Ｑｌｌ）再現性がめまりない、等の問題をもっ
ている。従って、非線形抵抗性、電流値、再現性の点か
ら、現在、ＬＣＤ用ＴＦＤとしては、ＭＩＭが最も実用
に近すと考えられている。
で表わせる。上記各構造のダイオードは、Ｉ−ｖ％性に
ついて、各々、（１）低′亀圧印別時に電流が流れやす
い、即ち、比例定数Ａが大きい、（１１９非線形係数が
小さい、Ｑｌｌ）再現性がめまりない、等の問題をもっ
ている。従って、非線形抵抗性、電流値、再現性の点か
ら、現在、ＬＣＤ用ＴＦＤとしては、ＭＩＭが最も実用
に近すと考えられている。
この他に％ＺｎＯ系バリスタを用いたＴＦＤ−ＬＣＤも
知られているが、大型セラミック基板を用いる為、コス
トの魚の１ら実用的ではない。
知られているが、大型セラミック基板を用いる為、コス
トの魚の１ら実用的ではない。
以下、ＬＣＤ用ＴＦＤとして最も実用に近いと考えられ
ているＭＩＭを代表例にとって、従来技術の問題点につ
いて述べる。
ているＭＩＭを代表例にとって、従来技術の問題点につ
いて述べる。
従来のＴＦＤ−ＬＣＤの代表例の断面図を第６図に、平
面図を第７図に示す。下部ガラス基板１０と上部カラス
基板１６は１通常、Ｔａｘｅｓ、８ｉ０ｚ等のガラス保
護膜１９で被覆されている。この保護Ｍは、不可欠なも
のではなく、省略可能である。
面図を第７図に示す。下部ガラス基板１０と上部カラス
基板１６は１通常、Ｔａｘｅｓ、８ｉ０ｚ等のガラス保
護膜１９で被覆されている。この保護Ｍは、不可欠なも
のではなく、省略可能である。
下部ガラス基板１０上に、ＭＩＭと画素電極とを形成し
て、アクティブマトリクス基板とする。ＭＩＭは、既に
述べたように、金属−絶巌体一金属の３Ｎ構成になって
いる。
て、アクティブマトリクス基板とする。ＭＩＭは、既に
述べたように、金属−絶巌体一金属の３Ｎ構成になって
いる。
第１層の金属膜は、代表的にはＴａのスパッタ膜が用い
られ、第７図に示されるように、リード電極２０と下部
電極１３の形状にパターン化される。
られ、第７図に示されるように、リード電極２０と下部
電極１３の形状にパターン化される。
これらの′１極の表面は陽極酸化等によジ形成された絶
縁体層１４で覆われている。
縁体層１４で覆われている。
第７図に示されるように、下部電極１３は、各画素に対
応しており、絶縁体層１４を介して上部電極１５と交差
しておジ、この交差部がＭＩＭ素子になっている。更（
乙上部電（ｉｉ１５は、１而素゛底極１に接続されてい
る。
応しており、絶縁体層１４を介して上部電極１５と交差
しておジ、この交差部がＭＩＭ素子になっている。更（
乙上部電（ｉｉ１５は、１而素゛底極１に接続されてい
る。
第８図に、２枚のガラス基板を１組み合わせた時の平面
図を示す。このように、対向透明誓引１は帯状にパター
ン化され、各画素電極に対応している。
図を示す。このように、対向透明誓引１は帯状にパター
ン化され、各画素電極に対応している。
又、リード電極２０は、パネルの端まで引き出され端子
部２１に接続される。
部２１に接続される。
ａ Ｓ ｓ Ｌ ＣＤ ＊即ち、ａ−３４ダイオー
ドを用いたＴＦＤ−ＬＣＤの構造も上記のＭＩＭの部分
がａ −Ｅ３ ｉ ダイオードに代わっただけで、４不
的にはＭＩＭ−ＬＣＤの構造と同一である。
ドを用いたＴＦＤ−ＬＣＤの構造も上記のＭＩＭの部分
がａ −Ｅ３ ｉ ダイオードに代わっただけで、４不
的にはＭＩＭ−ＬＣＤの構造と同一である。
このようなＭＩＭζこ流れる電流［Ｉ）と両端電圧■）
との関係は、次に示すプール・フレンケル式に従うこと
が知られている。
との関係は、次に示すプール・フレンケル式に従うこと
が知られている。
ｌ ＝ＫＶ ｅｘｐ （βｖ’Ｖ）
ここで、Ｋは比例定数であ！１１．ＭＩＭの接合面積に
比例する。βは非線形性を表す係数である。
比例する。βは非線形性を表す係数である。
この式は、絶縁体中の格子欠陥に基づく伝導に対して理
論的に導出されたものであり、βは絶縁体層厚に逆比例
する。この関係は、実験ともほぼ合う。
論的に導出されたものであり、βは絶縁体層厚に逆比例
する。この関係は、実験ともほぼ合う。
ここで、上記のプール・フレンヶル式は、近似的１こ既
に述べた次のベキ乗の式で書くことができる。
に述べた次のベキ乗の式で書くことができる。
１＝：Ａ−Ｖ”
αは、既に述べたように、非恨形性を表す係数であり、
上記のβに相当する。ＭＩＭ以外の非線形抵抗の電流−
電圧特性も近似的に上記のベキ乗式で表すことができ、
’ｌ’ＦＤ−Ｌ（、’Ｄの動作の等価回路的解析におい
ても、ベキ乗表示の方が便利であるので、以下では、ベ
キ乗表示を主として用層る。
上記のβに相当する。ＭＩＭ以外の非線形抵抗の電流−
電圧特性も近似的に上記のベキ乗式で表すことができ、
’ｌ’ＦＤ−Ｌ（、’Ｄの動作の等価回路的解析におい
ても、ベキ乗表示の方が便利であるので、以下では、ベ
キ乗表示を主として用層る。
以上のような従来型構造を有するＴＦＤ−ＬＣＤの等価
回路は、第９図に示すようになる。基仝的には、これは
ＴＦ、Ｄと液晶とが直列に接続された回路である。第９
図に示される等価回路を第６図力）ら第８図に示された
’ｒＦＤ−ＬＣＤの構造に対応させると、第９図中の第
１リード′；極４は下８５電極１３．及びリード電極２
０に、第２リード也極９は対向透明ｔａｔｉに対応する
。これらの電極への印加電圧は、スイッチング素子を用
いていない単純マトリックスＬＣＤの駆動波形と同一の
ものが通常用いられ、第１、第２リード電極各々に、走
査信号をデータ信号とが印加される。
回路は、第９図に示すようになる。基仝的には、これは
ＴＦ、Ｄと液晶とが直列に接続された回路である。第９
図に示される等価回路を第６図力）ら第８図に示された
’ｒＦＤ−ＬＣＤの構造に対応させると、第９図中の第
１リード′；極４は下８５電極１３．及びリード電極２
０に、第２リード也極９は対向透明ｔａｔｉに対応する
。これらの電極への印加電圧は、スイッチング素子を用
いていない単純マトリックスＬＣＤの駆動波形と同一の
ものが通常用いられ、第１、第２リード電極各々に、走
査信号をデータ信号とが印加される。
等価回路を詳１細に述べると、ＴＦＤは、ベキ乗式で表
わされる非線形抵抗ＲＴＦ ２とＴＦＤ容量ＣＴＦ３の
並列の形に表現される。又、液晶も、液晶容量ＣＬＯ５
と液晶抵抗ＲＬＣ６の並列回路を表現される。ＴＦＤが
ＭＩＭの場合、ＣＴＦは印加電圧に依存せず一定値をと
る。又、ａ −Ｓｉ ダイオードの場合、空乏層等の
発生により、ＣＴＦは若干変化するが、はぼ一定と近似
される。通常％液晶の比抵抗は１０“Ω・ｃｌｎと高く
、ＲＬｃも一定値と考えられる。これらに対し、ＣＬＯ
は印加電圧により。
わされる非線形抵抗ＲＴＦ ２とＴＦＤ容量ＣＴＦ３の
並列の形に表現される。又、液晶も、液晶容量ＣＬＯ５
と液晶抵抗ＲＬＣ６の並列回路を表現される。ＴＦＤが
ＭＩＭの場合、ＣＴＦは印加電圧に依存せず一定値をと
る。又、ａ −Ｓｉ ダイオードの場合、空乏層等の
発生により、ＣＴＦは若干変化するが、はぼ一定と近似
される。通常％液晶の比抵抗は１０“Ω・ｃｌｎと高く
、ＲＬｃも一定値と考えられる。これらに対し、ＣＬＯ
は印加電圧により。
大きく変化する。
通常の液晶の分子軸と平行の比誘電率ε８！が約１５垂
直の比誘を率εＬが約５であジ、３倍も異なる。
直の比誘を率εＬが約５であジ、３倍も異なる。
画素電極が０．２Ｘ０．２狐、セル厚１０μｍの場合、
Ｃｔ、Ｏは、５．４Ｘ１０ 又ｕ １．８ Ｘ ＩＱ
Ｆａｒａｄ であり、ＲＬＯは、２．５Ｘ１０’
Ωであり、 液晶層の時定数ＣＬＯ・Ｒｔ、ｏｉ、１３
５又は４５ｍ５ｅｃとなる。しかし、通常の製法でパネ
ルを試作した場合、種々の汚染で時定数はこの数分の１
になるρ液晶層への印加電圧Ｖシ０がへの時は、 液晶
分子は基板と平行に並ぶので、ＣＬｏ ＝ １．８ Ｘ
１０ ’！’ａｒａａである。ＶＬｃが液晶の閾電圧
νで以上になると、液晶分子は立ちはじめ、■し。が液
晶の飽和電圧ν。
Ｃｔ、Ｏは、５．４Ｘ１０ 又ｕ １．８ Ｘ ＩＱ
Ｆａｒａｄ であり、ＲＬＯは、２．５Ｘ１０’
Ωであり、 液晶層の時定数ＣＬＯ・Ｒｔ、ｏｉ、１３
５又は４５ｍ５ｅｃとなる。しかし、通常の製法でパネ
ルを試作した場合、種々の汚染で時定数はこの数分の１
になるρ液晶層への印加電圧Ｖシ０がへの時は、 液晶
分子は基板と平行に並ぶので、ＣＬｏ ＝ １．８ Ｘ
１０ ’！’ａｒａａである。ＶＬｃが液晶の閾電圧
νで以上になると、液晶分子は立ちはじめ、■し。が液
晶の飽和電圧ν。
以上ｔｃすると、 ＣＬＯ＝＝ ５．４ ｘ １０ ”
ｉ’；’ａｒａｄとなる。
ｉ’；’ａｒａｄとなる。
以上述べた’１１’ＦＤ−ＬＣＤ４Ｃひいては、図９に
示すように、Ｍ Ｉ ＮｉのようなＴ Ｆ Ｄを液晶と
直列に接続することにより、ＴＦＤのスイッチング特性
の効果で電圧−透過隼変化特性の立上りは急峻になり、
走査本数を大幅に増やすことが可能になる。詳細に先に
述べた文献に述べられている。
示すように、Ｍ Ｉ ＮｉのようなＴ Ｆ Ｄを液晶と
直列に接続することにより、ＴＦＤのスイッチング特性
の効果で電圧−透過隼変化特性の立上りは急峻になり、
走査本数を大幅に増やすことが可能になる。詳細に先に
述べた文献に述べられている。
〔、発明が解決しようとする間１８点〕’Ｉ’ＦＤと液
晶とを直列に組み合わせた従来型のＴＦＤ−ＬＣＤには
１次のような３点の問題点があり、これらは全て、表示
のコントラスト、視野角の低下につながる。（ｉｌｃＬ
ｏ／Ｃｗの比を犬さくとれない。［！ｉ） ＣＬＯが印
〃口電圧により３倍変化する。
晶とを直列に組み合わせた従来型のＴＦＤ−ＬＣＤには
１次のような３点の問題点があり、これらは全て、表示
のコントラスト、視野角の低下につながる。（ｉｌｃＬ
ｏ／Ｃｗの比を犬さくとれない。［！ｉ） ＣＬＯが印
〃口電圧により３倍変化する。
ＯｉＤ液晶層の時定数ＣＬｏｍＲ，ｕ：ｒが短い。 （
１）は、 ’ｌｌ゛Ｆ’ｌ）がＭ Ｉ Ｍの時、特に問
題であり、（ｉｌ）、 （ＩＩＩ）はテレビ等の階調表
示を行う時間順となる。
１）は、 ’ｌｌ゛Ｆ’ｌ）がＭ Ｉ Ｍの時、特に問
題であり、（ｉｌ）、 （ＩＩＩ）はテレビ等の階調表
示を行う時間順となる。
以下、（１）カら（１１Ｄの問題点について述べる。
ＣＴＦがＣＬＯより十分小の場合は、ＴＦＤ−ＬＣＤが
理想的に動作する。この時、走査信号とデータ信号の差
の電圧が全てＴ Ｆ Ｄの両端にか力Ｓ９、その電圧に
対応して、ＴＦＤＩＣ心流が流れる。しかし、Ｃｒｔが
ＣＩ、Ｏに比較して無使できない場合、両信号の差の電
圧は、ＣｒｔとＣＬＯとで容量分割される形で、ＴＦＤ
と液晶とに力）力）る。このことに因り、ＣＴＦがＣＬ
Ｏと同程度の値をもつようになると、ＴＦＤは非線形抵
抗としてではなく、単なる容量として働く為、スイッチ
ング素子としての機能を示さなくなる。ＣＬＯは、既に
述べたように画素サイズ、液晶層厚、液晶材料で決まり
、これらの値はほぼ決まっているので、大表示容量のＴ
ＦＤ−ＬＣＩ）を実現するには、ＣＴＩＰを小さくする
方法しかない。
理想的に動作する。この時、走査信号とデータ信号の差
の電圧が全てＴ Ｆ Ｄの両端にか力Ｓ９、その電圧に
対応して、ＴＦＤＩＣ心流が流れる。しかし、Ｃｒｔが
ＣＩ、Ｏに比較して無使できない場合、両信号の差の電
圧は、ＣｒｔとＣＬＯとで容量分割される形で、ＴＦＤ
と液晶とに力）力）る。このことに因り、ＣＴＦがＣＬ
Ｏと同程度の値をもつようになると、ＴＦＤは非線形抵
抗としてではなく、単なる容量として働く為、スイッチ
ング素子としての機能を示さなくなる。ＣＬＯは、既に
述べたように画素サイズ、液晶層厚、液晶材料で決まり
、これらの値はほぼ決まっているので、大表示容量のＴ
ＦＤ−ＬＣＩ）を実現するには、ＣＴＩＰを小さくする
方法しかない。
Ｍ 工Ｍの場合、Ｃｒｔは、絶縁体の誘電率と層厚、及
び、Ｍ Ｉ Ｍ接合部面積でき壕る。既に述べたように
、絶縁体層を厚くすると、非線形係数β又はαが小さく
なり、抵抗のスイッチング比がとれなくなる。従って、
接合部を小さくせざるをえない。
び、Ｍ Ｉ Ｍ接合部面積でき壕る。既に述べたように
、絶縁体層を厚くすると、非線形係数β又はαが小さく
なり、抵抗のスイッチング比がとれなくなる。従って、
接合部を小さくせざるをえない。
又、液晶に電圧が印加される前１成品分子は、基板に平
行に並んでいるので、液晶の誘電率は、ε上に等しくな
っている。従って、 Ｃｔ、ｏは前に述べたように、力
１なり小さい値となる。
行に並んでいるので、液晶の誘電率は、ε上に等しくな
っている。従って、 Ｃｔ、ｏは前に述べたように、力
１なり小さい値となる。
ここで、代表的なＭＩＭの材料であるＴａｚＱｓを例に
と９、ＣＬＯとＣ−ｒｙを計算する。 ＴａｚＱｓの比
誘電率は約２２であり、膜厚は通常６００人であるので
、接合部をｉｏμｍ角とすると、ＣＴＦ： ３．３ ｘ
ｌｏ ”Ｐａｒａｄとナル。
と９、ＣＬＯとＣ−ｒｙを計算する。 ＴａｚＱｓの比
誘電率は約２２であり、膜厚は通常６００人であるので
、接合部をｉｏμｍ角とすると、ＣＴＦ： ３．３ ｘ
ｌｏ ”Ｐａｒａｄとナル。
非綴形性を確保する為に膜厚をこれ以上厚くすることは
困難である。
困難である。
液晶の比誘を率εＬＯを１０とし、液晶層厚を１０μｍ
とした場合、画素電極が２７０μｍ角の時に、ＣＬＯと
ＣＴＦとは等しくなる。
とした場合、画素電極が２７０μｍ角の時に、ＣＬＯと
ＣＴＦとは等しくなる。
従来から、容量比ＣＬＱ／ＣＴＦは１０以上でなければ
ならないと通常いわれている。
ならないと通常いわれている。
従って、画素部が２００μｆｎ×２００μｍの時、ＣＬ
Ｏ／ＣＴＦ＝１０ｆ得ようとすると、Ｍ Ｉ Ｍの接合
部は２．３μｍ角にしなければならな暦。このような大
きさにＭ Ｉ Ｍ接合部を形成するためには、ＬＳＩレ
ベルのマスク技術、及びフォトリソグラフィー技術が必
要である。’ｆ’ＦＤ−ＬＣＤを用いて、実現しようと
している〆高梢細大容揄ティスゲレイの表示部対角は、
最低でも５インチ、＃未的には１０インチ程度である。
Ｏ／ＣＴＦ＝１０ｆ得ようとすると、Ｍ Ｉ Ｍの接合
部は２．３μｍ角にしなければならな暦。このような大
きさにＭ Ｉ Ｍ接合部を形成するためには、ＬＳＩレ
ベルのマスク技術、及びフォトリソグラフィー技術が必
要である。’ｆ’ＦＤ−ＬＣＤを用いて、実現しようと
している〆高梢細大容揄ティスゲレイの表示部対角は、
最低でも５インチ、＃未的には１０インチ程度である。
このような大面積を無欠陥で２．３μｍ程度にパターン
化することは不可能に近−０何らかの方法でこの点を解
決しない限り、’１’ＦＤ−ＬＣＤの用途は限足されて
しまう。
化することは不可能に近−０何らかの方法でこの点を解
決しない限り、’１’ＦＤ−ＬＣＤの用途は限足されて
しまう。
この点を解決する方法として、両角、他、ｉこよりラテ
ラル構造のＭＩＭが提案されている。この構造を第１Ｏ
図に示す。ガラス保ａ膜１９で被覆された下部ガラス基
板ｌＯ上に第１Ｊ−の金属膜を械した後、リーク電流が
無視できる程度の比較的厚い（約２０００Ａ以上）絶縁
膜を形成し、第７図に示すように、リード電極２０と、
下部電極１３の形状にパターン化する。このエツチング
において、断面がテーパー状になるようにする。この時
、第１０図に示すようＪζ下部電極１３の上にブロック
絶縁体層２２が形成されている。この後、陽極酸化を行
うとブロック絶縁体層２２で被覆されていないラテラル
部分のみ薄す絶縁体層１４が形成される。この上に上部
電極１５を形成すると、ＭＩＭの接合部はラテラル部の
みになる。従って、接合部の一辺は上部電極の線巾にな
るが、他の一辺は突起状電極のテーパ一部分の長さにな
るので、小面積の接合部が比較的容易に実現できる。例
えば、テーパー長が０．５μｍの時、電極巾は２２μｍ
でよいことになる。
ラル構造のＭＩＭが提案されている。この構造を第１Ｏ
図に示す。ガラス保ａ膜１９で被覆された下部ガラス基
板ｌＯ上に第１Ｊ−の金属膜を械した後、リーク電流が
無視できる程度の比較的厚い（約２０００Ａ以上）絶縁
膜を形成し、第７図に示すように、リード電極２０と、
下部電極１３の形状にパターン化する。このエツチング
において、断面がテーパー状になるようにする。この時
、第１０図に示すようＪζ下部電極１３の上にブロック
絶縁体層２２が形成されている。この後、陽極酸化を行
うとブロック絶縁体層２２で被覆されていないラテラル
部分のみ薄す絶縁体層１４が形成される。この上に上部
電極１５を形成すると、ＭＩＭの接合部はラテラル部の
みになる。従って、接合部の一辺は上部電極の線巾にな
るが、他の一辺は突起状電極のテーパ一部分の長さにな
るので、小面積の接合部が比較的容易に実現できる。例
えば、テーパー長が０．５μｍの時、電極巾は２２μｍ
でよいことになる。
上部電極１５は従来と同じく、画素電極ｌに接ＶＣすれ
る。
る。
本ラテラル構造は、Ｃ１・？とＣＬＯの比を大きくする
為の良好な方法であるが、各ＭＩＭの歩留りの点で次の
ような欠点を有する。（ａｌ現在のエツチング技術では
、大面積で全面にわたって均一なテーパー形状を得るこ
とは非常に困難である。従ってテーパー長が空間的（こ
不均一となり、これにより接合部の面積も不均一である
。即ち、ＭＩＭ％性ｆ′ｉ１パネル内でも大きな不均一
性を示す。（ｂ）陽極酸化は膜厚の増加を伴うので、ブ
ロック絶縁体ｊｉ１１４のハガレを引き起こしやすい。
為の良好な方法であるが、各ＭＩＭの歩留りの点で次の
ような欠点を有する。（ａｌ現在のエツチング技術では
、大面積で全面にわたって均一なテーパー形状を得るこ
とは非常に困難である。従ってテーパー長が空間的（こ
不均一となり、これにより接合部の面積も不均一である
。即ち、ＭＩＭ％性ｆ′ｉ１パネル内でも大きな不均一
性を示す。（ｂ）陽極酸化は膜厚の増加を伴うので、ブ
ロック絶縁体ｊｉ１１４のハガレを引き起こしやすい。
このことにより陽極酸化が不均一ζこ進行しやすく、膜
厚のバラツキになる。
厚のバラツキになる。
（Ｃ）上部電極がテーパーになっているとはいえ、ラテ
ラル部には均一に付着しにくい。特にテーパーの度合い
が少ない部分ではそうである。
ラル部には均一に付着しにくい。特にテーパーの度合い
が少ない部分ではそうである。
これらのととにより、ラテラル構造は、歩留９に問題を
残し、特にＴＦＤ−ＬＣＤの大面積化時が問題とみられ
る。
残し、特にＴＦＤ−ＬＣＤの大面積化時が問題とみられ
る。
以上まとめると、’ｒ Ｆ Ｄにラテラル構造のＭＩＭ
を用いれば、上記のように大きな問題点はあるものの、
一応、ＣＬＯ／ ＣＴｙの比に関する問題点は解決でき
る。又、ＴＦＤに、ａ−Ｓｉ ダイオードを用いた場合
は、ａ−Ｈｉの誘ｒａ率が１２程度と小さく、又、各層
の層厚が１μｍ近くと大きい為、Ｃ’ｒｙはＣＬＯより
、非常に小さくすることができる。しかし、このような
ラテラル構造Ｎ１１ Ｍ、又はａ −Ｓ ｉ ダイオー
ドをＴＦＤに用いた場合でも印加電圧によるＣＬＯの変
動、 液晶層の短す時定数Ｃｔ、ｏ−Ｒｔ、ｏの問題は
解決されていない。従来型のＴＦＤ−ＬＣＤでは、第７
図をみてもわ力）るように、ＣＬＯ及びＣＬａ−Ｒｔ、
ａの変動は、直接、双晶にか力）る電圧Ｖｒ−ａに影Ｖ
を及はす。
を用いれば、上記のように大きな問題点はあるものの、
一応、ＣＬＯ／ ＣＴｙの比に関する問題点は解決でき
る。又、ＴＦＤに、ａ−Ｓｉ ダイオードを用いた場合
は、ａ−Ｈｉの誘ｒａ率が１２程度と小さく、又、各層
の層厚が１μｍ近くと大きい為、Ｃ’ｒｙはＣＬＯより
、非常に小さくすることができる。しかし、このような
ラテラル構造Ｎ１１ Ｍ、又はａ −Ｓ ｉ ダイオー
ドをＴＦＤに用いた場合でも印加電圧によるＣＬＯの変
動、 液晶層の短す時定数Ｃｔ、ｏ−Ｒｔ、ｏの問題は
解決されていない。従来型のＴＦＤ−ＬＣＤでは、第７
図をみてもわ力）るように、ＣＬＯ及びＣＬａ−Ｒｔ、
ａの変動は、直接、双晶にか力）る電圧Ｖｒ−ａに影Ｖ
を及はす。
従って、従来型のＴＦＤ−１，ＣＤではＶＬＯの正確な
制御は困難である。このことはキャラクタ表示グラフ表
示等の場合はあまり問題にならないが、正確なＶＬＯの
制御を必要とする階ｇｌ！１表示、即ちテレビ表示の場
合は問題ζこなる。
制御は困難である。このことはキャラクタ表示グラフ表
示等の場合はあまり問題にならないが、正確なＶＬＯの
制御を必要とする階ｇｌ！１表示、即ちテレビ表示の場
合は問題ζこなる。
ＴＦＤ−ＬＣＤの問題点でちるｆｌ） ＣＬＯ／ Ｃｒ
ｔ 比Ｄｉ） ＣＬＯの変動、（１１Ｄ液晶層時定数の
諸点を解決する方法として、従来から、液晶層と並列に
、液晶容量ＣＬＯより大きい容量を有する蓄積コンデン
サ８を設ける方法が提案されている。この方法を用いた
場合の等価回路を第１１図に示す。蓄積コンデンサ８を
付加した以外は、第９図に示される従来の等価回路と同
一である。この方法によれは１等価回路上液晶容ｉ Ｃ
ｒ、、ｏが大幅に増加し、且つ、一定値をとるのと同じ
になる。従って、上記の（１）、＋１＋）。
ｔ 比Ｄｉ） ＣＬＯの変動、（１１Ｄ液晶層時定数の
諸点を解決する方法として、従来から、液晶層と並列に
、液晶容量ＣＬＯより大きい容量を有する蓄積コンデン
サ８を設ける方法が提案されている。この方法を用いた
場合の等価回路を第１１図に示す。蓄積コンデンサ８を
付加した以外は、第９図に示される従来の等価回路と同
一である。この方法によれは１等価回路上液晶容ｉ Ｃ
ｒ、、ｏが大幅に増加し、且つ、一定値をとるのと同じ
になる。従って、上記の（１）、＋１＋）。
（１１Ｄの問題は解決される。しかし、第１１図に示さ
れる等価回路を実際のＴＦＤ−ＬＣＤで実現することは
、パネル構造、及び、端子の取出しが複雑になり、容易
ではない。この為、第１１図の基本回路栴成を有する’
Ｉ’Ｆ’Ｄ−ＬＣＤは、これまで本格的な試作例はなり
０このように、従来７１１）ら提案されてｂる蓄積コン
デンサ並列型ＴＦＤ−ＬＣＤでは、構造的な複雑性のた
めに、実用的な大面積・尚精細ディスプレイは製作不可
能である。
れる等価回路を実際のＴＦＤ−ＬＣＤで実現することは
、パネル構造、及び、端子の取出しが複雑になり、容易
ではない。この為、第１１図の基本回路栴成を有する’
Ｉ’Ｆ’Ｄ−ＬＣＤは、これまで本格的な試作例はなり
０このように、従来７１１）ら提案されてｂる蓄積コン
デンサ並列型ＴＦＤ−ＬＣＤでは、構造的な複雑性のた
めに、実用的な大面積・尚精細ディスプレイは製作不可
能である。
以上述べてきたように、従来技術によるＴＦＤ−ＬＣＤ
は、大表示容量化には対応できるが、画素の高精細化や
大面積化には対応できない。
は、大表示容量化には対応できるが、画素の高精細化や
大面積化には対応できない。
不発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめて
、無欠陥の大面積・高精細・大表示容量（７）ＴＦＤ−
ＬＣＤを低コストで提供することにある。
、無欠陥の大面積・高精細・大表示容量（７）ＴＦＤ−
ＬＣＤを低コストで提供することにある。
本発明の装置は一方の基板をアクティブマトリクス基板
とし、他方の基板を対向基板とし、両者を液晶層を介し
て重ね合わせた構造を有するアクティブマトリクス液晶
表示装置にお込て、前者のアクティブマトリクス基板上
の画素電極が、非線形抵抗素子を介して第１リード電極
に接続されると、同時に蓄積コンデンサを介して第２リ
ード電極に接続されており、後者の対向基板上に透明な
共通電源を表示部全体に形成したことを特徴としている
。また、この装置８駆動する方法は１画素電型が非線形
抵抗素子を介して第１リード屯極に接続されると、同時
に５償コンデンサを介して第２リード電極に接続された
構造のアクティブマトリクス基板と透明な共通電極を表
示部全体に形成した対向基板とを液晶層を介して重ね合
わせた構抵抗素子を介して第１リード篭極に接続される
と同時にｇ攬コンデンサを介して第２リード電極に接続
された構造のアクティブマトリクス成板ト透明な共通屯
甑を表示部全体に形成した対向基板とを液晶層を介して
重ね合わせた構造を有するアクティブマトリクス液晶表
示装置の第１リード電極に走査信号を印加し、第２リー
ド電弥にデータ信号を印加し、共通電極に選択時データ
信号電圧と非選択時データ信号電圧の間の電圧を印力目
することを特徴としている。
とし、他方の基板を対向基板とし、両者を液晶層を介し
て重ね合わせた構造を有するアクティブマトリクス液晶
表示装置にお込て、前者のアクティブマトリクス基板上
の画素電極が、非線形抵抗素子を介して第１リード電極
に接続されると、同時に蓄積コンデンサを介して第２リ
ード電極に接続されており、後者の対向基板上に透明な
共通電源を表示部全体に形成したことを特徴としている
。また、この装置８駆動する方法は１画素電型が非線形
抵抗素子を介して第１リード屯極に接続されると、同時
に５償コンデンサを介して第２リード電極に接続された
構造のアクティブマトリクス基板と透明な共通電極を表
示部全体に形成した対向基板とを液晶層を介して重ね合
わせた構抵抗素子を介して第１リード篭極に接続される
と同時にｇ攬コンデンサを介して第２リード電極に接続
された構造のアクティブマトリクス成板ト透明な共通屯
甑を表示部全体に形成した対向基板とを液晶層を介して
重ね合わせた構造を有するアクティブマトリクス液晶表
示装置の第１リード電極に走査信号を印加し、第２リー
ド電弥にデータ信号を印加し、共通電極に選択時データ
信号電圧と非選択時データ信号電圧の間の電圧を印力目
することを特徴としている。
本発明によるＴＦＤ−ＬＣＤの等価回路の代表例を第１
図に示す。このように、本発明によるＴｌＩ″Ｄ−ＬＣ
Ｄは、 第１１図に示される蓄積コンデンサ並列型’ｌ
”ＦＤに類似しているが、次の点で大きく異なる。本等
価回路中液晶容分５と成品抵抗６の並列回路で表わされ
る液晶層の対向電極に、全画素とも共通であシ、共通電
極７である。この准晶層の他方の電極である画素電極ｌ
は、’１’ＦＤ谷ｉ３と非線形抵抗２の並列回路で表わ
される’Ｊ、’ Ｆ Ｄと蓄積コンデンサ容１ｔ８で表
わされる蓄積コンデンサとに接続される。ＴＦ’Ｄは第
１リード電極４に又、蓄積コンデンサは第２リード電極
９（乙各々接続され、この第１・第２リード屯極の間で
マトリクス・アドレスされる。即ち、第９図に示される
従来型ＴＦＤ−ＬＣＤの等価回路図において、液晶層の
代わりに蓄積コンデンサを置き、液晶ノ撫はＴＦＤと蓄
積コンデンサの接点に接続した構造が本発明によるＴＦ
Ｄ−ＬＣＤの基本構造である。
図に示す。このように、本発明によるＴｌＩ″Ｄ−ＬＣ
Ｄは、 第１１図に示される蓄積コンデンサ並列型’ｌ
”ＦＤに類似しているが、次の点で大きく異なる。本等
価回路中液晶容分５と成品抵抗６の並列回路で表わされ
る液晶層の対向電極に、全画素とも共通であシ、共通電
極７である。この准晶層の他方の電極である画素電極ｌ
は、’１’ＦＤ谷ｉ３と非線形抵抗２の並列回路で表わ
される’Ｊ、’ Ｆ Ｄと蓄積コンデンサ容１ｔ８で表
わされる蓄積コンデンサとに接続される。ＴＦ’Ｄは第
１リード電極４に又、蓄積コンデンサは第２リード電極
９（乙各々接続され、この第１・第２リード屯極の間で
マトリクス・アドレスされる。即ち、第９図に示される
従来型ＴＦＤ−ＬＣＤの等価回路図において、液晶層の
代わりに蓄積コンデンサを置き、液晶ノ撫はＴＦＤと蓄
積コンデンサの接点に接続した構造が本発明によるＴＦ
Ｄ−ＬＣＤの基本構造である。
この点７１）ら本発明によるｒＦＤ−ＬＣＤは、蓄積コ
ンデンサアドレスダイオード型ＬＣＤとよばれる。蓄積
コンデンサ容量８ （Ｃｓｔ）は、Ｔ Ｆ Ｄ容量３（
ＣＴＦ）及び液晶層ｉｉ ５ （ＣＬＯ）に比べて十分
大きくしであるので、画素電極１の電位は、液晶層が接
続されたことによっても、殆ど影響を受けない。従って
、液晶層の対向電極は、共通にしておくことができる。
ンデンサアドレスダイオード型ＬＣＤとよばれる。蓄積
コンデンサ容量８ （Ｃｓｔ）は、Ｔ Ｆ Ｄ容量３（
ＣＴＦ）及び液晶層ｉｉ ５ （ＣＬＯ）に比べて十分
大きくしであるので、画素電極１の電位は、液晶層が接
続されたことによっても、殆ど影響を受けない。従って
、液晶層の対向電極は、共通にしておくことができる。
以下、ＭＩＭを代表例にとって、本発明による’Ｌ’Ｆ
Ｄ−ＬＣＤを説明する。
Ｄ−ＬＣＤを説明する。
ＭＩＭにおいて、最も重要な材料は、絶縁体層の材料で
ある。従来の論文、特許公開公報等に記載のＭＩＭでは
、絶縁体層の材料に、タンタル（１’ａ）又Ｆｉ窒化タ
ンタルの酸化物を用いたものが主として使われている。
ある。従来の論文、特許公開公報等に記載のＭＩＭでは
、絶縁体層の材料に、タンタル（１’ａ）又Ｆｉ窒化タ
ンタルの酸化物を用いたものが主として使われている。
その他の絶縁体層の材料としては、アルミ（Ａ７） 、
ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（ＴＩ）％ニオブ（Ｎｂ
）％モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、イリジ
ウム（ｌｒ）、 インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）
、りｏム（Ｃｒ）、ランタノイド等の金寓の酸化物、及
び、これらの金属の合金の酸化物、又は、シリコンの酸
化物が用いられている。更に、Ｓｉ ３Ｎ４、ＡＡＮ
等の窒化物も用いられて込る。
ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（ＴＩ）％ニオブ（Ｎｂ
）％モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、イリジ
ウム（ｌｒ）、 インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）
、りｏム（Ｃｒ）、ランタノイド等の金寓の酸化物、及
び、これらの金属の合金の酸化物、又は、シリコンの酸
化物が用いられている。更に、Ｓｉ ３Ｎ４、ＡＡＮ
等の窒化物も用いられて込る。
この絶縁体層を挟む金、属としては、上記の金２属（Ｔ
ａ、 Ａｌ、Ｚｒｅ Ｔ１．Ｎｂ−Ｍｏｂ Ｗ、ｌ ｒ
。
ａ、 Ａｌ、Ｚｒｅ Ｔ１．Ｎｂ−Ｍｏｂ Ｗ、ｌ ｒ
。
Ｉｎ、 ｆ９ｎ、 Ｃｒ、 ５ンタノイド）の他に電極
として通常用いられる金属である金（Ａｕ ） 、 ＠
（Ａｇ）が用いられている。酸化スズ、酸化インジウ
ム−スズ（通称ＩＴＯ）等の透明電極も用いられる。
として通常用いられる金属である金（Ａｕ ） 、 ＠
（Ａｇ）が用いられている。酸化スズ、酸化インジウ
ム−スズ（通称ＩＴＯ）等の透明電極も用いられる。
又、不純物を高濃度にドープした半導体も、絶縁体層を
挟む電極として用いることができる。この半導体として
はａ−８ｉが代表的であるが、これに限らない。
挟む電極として用いることができる。この半導体として
はａ−８ｉが代表的であるが、これに限らない。
この場合、素子は半導体−絶縁体−半導体の構造であり
、ＳＩＳ素子とでも称するべきであるが、機能的にはＭ
ＩＭ素子と変わらないので、以下ではこのような素子も
含めてＭＩＭと称する。
、ＳＩＳ素子とでも称するべきであるが、機能的にはＭ
ＩＭ素子と変わらないので、以下ではこのような素子も
含めてＭＩＭと称する。
これらの膜は、抵抗加熱法、又は電子ビーム加熱法によ
る通常の真空蒸着の他に、スパッタリング法、イオン、
ブレーティング法、イオンクランスタービーム法、等が
用いられている。特に、絶縁体層に関しては、’ｆａ等
の金属の陽極酸化Ｉこよる酸化膜が、ピンホール・フリ
ー、カバレッジ、等の魚の）らよく用いられている。金
属の熱酸化膜・プラズマ酸化膜も陽極酸化膜と同じ利点
を有する。
る通常の真空蒸着の他に、スパッタリング法、イオン、
ブレーティング法、イオンクランスタービーム法、等が
用いられている。特に、絶縁体層に関しては、’ｆａ等
の金属の陽極酸化Ｉこよる酸化膜が、ピンホール・フリ
ー、カバレッジ、等の魚の）らよく用いられている。金
属の熱酸化膜・プラズマ酸化膜も陽極酸化膜と同じ利点
を有する。
以下、実施例に基づいて不発明を説明する。
不実施例により得られるＴＦＤ−ＬＣＤ の代表例の断
面図を第２図に、又、鳥敞図を第３図に、更に下部ガラ
ス基板１０上の平面透視図を第４図に示す。
面図を第２図に、又、鳥敞図を第３図に、更に下部ガラ
ス基板１０上の平面透視図を第４図に示す。
まず、下部ガラス基板１０上のプロセスについて第２図
に基づき述べる。
に基づき述べる。
下部ガラス基板１ｏをＴａｚＯｓｅ ５ｉｆｔ等のガラ
ス保護膜で被覆する。この保鏝膜は不可欠なものでない
ので、第２図では省略した。この上１乙 １′ｒ０をス
パッタリング法又はイオングレーティング法によシ１０
００ Ａに形成し、濃塩酸をエツチング液として、線巾
１７０μｍ１ ピッチ２００μｍの帯状にパターン化し
、対向透明電極１１とした。この上に、スパッタリング
法又はイオングレーティングｅｉｃｘｖ、Ｔａｘｅｓ
を７００ＯＡ形成し、誘電体層１２とした。誘電体層
１２は、対向透明電極の取出し部を除いて、下部ガラス
基板上全面に形成した。
ス保護膜で被覆する。この保鏝膜は不可欠なものでない
ので、第２図では省略した。この上１乙 １′ｒ０をス
パッタリング法又はイオングレーティング法によシ１０
００ Ａに形成し、濃塩酸をエツチング液として、線巾
１７０μｍ１ ピッチ２００μｍの帯状にパターン化し
、対向透明電極１１とした。この上に、スパッタリング
法又はイオングレーティングｅｉｃｘｖ、Ｔａｘｅｓ
を７００ＯＡ形成し、誘電体層１２とした。誘電体層
１２は、対向透明電極の取出し部を除いて、下部ガラス
基板上全面に形成した。
この際、蒸着マスクを用いた。
この後のプロセスは、従来例に述べたＴＦＤ−製法とほ
ぼ共通する。スパッタリング法により、ＴａＢ ３００
０ Ａ形成し、それ６ ＣＦ ４ カスｆ用いた反応性
イオンエツチングにより、パターン化し、下部電極１３
とした。ここで、第３図に示すように、対向透明を鷺１
１と下部′電極１３とは直交する。
ぼ共通する。スパッタリング法により、ＴａＢ ３００
０ Ａ形成し、それ６ ＣＦ ４ カスｆ用いた反応性
イオンエツチングにより、パターン化し、下部電極１３
とした。ここで、第３図に示すように、対向透明を鷺１
１と下部′電極１３とは直交する。
第５図、第６図ζこ示されるようにＴａの下部電極はリ
ード電極につなが９．更に端子部２１につながる。対向
透明電極もそれと直交してはしり、端子部に到る。
ード電極につなが９．更に端子部２１につながる。対向
透明電極もそれと直交してはしり、端子部に到る。
この下部ガラス基板を０．１％クエン酸中に浸しタンタ
ル板を対向電極として陽極酸化を行い、下＠電極上にｉ
’ａｚ（Ｊｓの絶縁体層１４を形成した。
ル板を対向電極として陽極酸化を行い、下＠電極上にｉ
’ａｚ（Ｊｓの絶縁体層１４を形成した。
陽極酸化１圧は３３Ｖとし、十分長い間電圧印加するこ
とにより、全面のＴａ上均−に、６００Ａの１’ａｚＯ
ｓを形成した。
とにより、全面のＴａ上均−に、６００Ａの１’ａｚＯ
ｓを形成した。
この絶縁体上に、真全蒸着法によりＣｒＦｉ−形成し、
通常のフォトリングラフィによりパターン化し、上部電
極１５とした。更にＩＴＯをスパッタリングにより形成
し、パターン化し、画素電極１とした。なお、ＩＴＯＳ
形成・パターン化後、Ｃｒを形成、パターン化した基板
も試作したが、特性上、差異はなかった。
通常のフォトリングラフィによりパターン化し、上部電
極１５とした。更にＩＴＯをスパッタリングにより形成
し、パターン化し、画素電極１とした。なお、ＩＴＯＳ
形成・パターン化後、Ｃｒを形成、パターン化した基板
も試作したが、特性上、差異はなかった。
下部電極と下部電極りクロス部分がＭＩＭ接合部になジ
本実施例では２０μｍ×１０μｍであった。
本実施例では２０μｍ×１０μｍであった。
又、リード電極の幅は２０ Ａｍであり１画素電極は１
９０μｍ ｘ ｌ ６ Ｑμｍである。不実施例におい
ては、８３図、第４図に示されるように、画素電極と対
向透明電極の誘電体層を介した重なりが蓄積コンデンサ
となり、その容量Ｃｓｔは６．７ｐＦである。この値は
ＭＩＭの並列容１ｃｔｙ Ｏ，５６ｐＦに比べて非常
に犬きく、ＣＴＦの効果は無視できる。
９０μｍ ｘ ｌ ６ Ｑμｍである。不実施例におい
ては、８３図、第４図に示されるように、画素電極と対
向透明電極の誘電体層を介した重なりが蓄積コンデンサ
となり、その容量Ｃｓｔは６．７ｐＦである。この値は
ＭＩＭの並列容１ｃｔｙ Ｏ，５６ｐＦに比べて非常
に犬きく、ＣＴＦの効果は無視できる。
ＭＩＭは、第７図に示される従来例のように５リード道
極２０′／Ｊ）ら突起した下部電極１３上につくること
も当然可能であるが、開口率の点から不利である。本実
施例では、第４図（こ示されるように、特に突起状のパ
ターンは設けず、上下に通っている下部電極１３上に、
絶縁体層１４を介して、上部電極１５を形成することに
よジ、ＭＩＭを構成した。
極２０′／Ｊ）ら突起した下部電極１３上につくること
も当然可能であるが、開口率の点から不利である。本実
施例では、第４図（こ示されるように、特に突起状のパ
ターンは設けず、上下に通っている下部電極１３上に、
絶縁体層１４を介して、上部電極１５を形成することに
よジ、ＭＩＭを構成した。
目合せ時の精度を徂くする為に、画素電極の右側に凹部
を設けた。又、第５図に示されるように、上部電極１３
を画素部の端に設けたパネルも試作したが、特性は殆ん
ど変わらな乃）った。
を設けた。又、第５図に示されるように、上部電極１３
を画素部の端に設けたパネルも試作したが、特性は殆ん
ど変わらな乃）った。
第３図と第４図に示されるように、ド部邂極１３と対向
透明寛［１１とは、誘電体層１２を介して直交している
。
透明寛［１１とは、誘電体層１２を介して直交している
。
従って、これら両電極のクロス部は寄生容気となり、Ｌ
ＣＤパネルの動作速度を制限する。これを防ぐ為、不実
施例では、第４図に示すように、下部電極とのクロス部
のみ、対向透明電極の線巾を他の箇所の１７５以下にし
た。これにより、１ ／ ２０００チ一テイ以上の動作
速度が得られた。
ＣＤパネルの動作速度を制限する。これを防ぐ為、不実
施例では、第４図に示すように、下部電極とのクロス部
のみ、対向透明電極の線巾を他の箇所の１７５以下にし
た。これにより、１ ／ ２０００チ一テイ以上の動作
速度が得られた。
竿実施例では、上部ガラス基板１６は、下部ガラス基板
と同じく、ガラス保護膜で被覆されるが、この保護膜は
不可欠ではないので、第２図では省略した。この基板上
の表示部全面にｌ’ｒｏが形成され、共通透明′電極１
７とした。
と同じく、ガラス保護膜で被覆されるが、この保護膜は
不可欠ではないので、第２図では省略した。この基板上
の表示部全面にｌ’ｒｏが形成され、共通透明′電極１
７とした。
下部ガラス基板１０と上部ガラス基板１６ｒｉ、ガラス
ファイバー寺のスペーサを介して張り合わされ通常のエ
ポキシ系接宥剤によりシールした。セル厚は８μｍさし
た。
ファイバー寺のスペーサを介して張り合わされ通常のエ
ポキシ系接宥剤によりシールした。セル厚は８μｍさし
た。
両ガラス基板１０．１６はラビングにより配向処理をし
た。この場合、ポリイミド等の配向処理膜を塗布するこ
とが多いが不可欠ではないので、第１図では省略した。
た。この場合、ポリイミド等の配向処理膜を塗布するこ
とが多いが不可欠ではないので、第１図では省略した。
上記のセルに、ツイスト・ネマティック型敢晶であるＺ
ＬＩ−１５６５（メルク製）を注入孔より注入して、液
晶層１８とした。注入孔を接着剤で封止することにより
５ＣＡＤ−ＬＣＤを完成した。
ＬＩ−１５６５（メルク製）を注入孔より注入して、液
晶層１８とした。注入孔を接着剤で封止することにより
５ＣＡＤ−ＬＣＤを完成した。
偏光板は、自乗電工製へ１’−１１００１−１）：！：
用いた。
用いた。
本実施例による５ＣＡＤ−ＬＣＤは、画素ピッチ０．２
ｍｍ、 画素数４５０Ｘ４５０の間精細犬容麓ディスプ
レイである。
ｍｍ、 画素数４５０Ｘ４５０の間精細犬容麓ディスプ
レイである。
本実施例による５ＣＡＬ）−Ｌ（：Ｄを第１図の等側口
路と比較する。等側口路中の’１’ ＦＤは、不実施例
では下部ｌＣ極のＩｆ ａ、絶縁体層の’ｌ’ａ２Ｑｓ
と上部電極のＯｒと力１ら構成される＆ｉ Ｉ Ｍであ
る。等側口路中の蓄積コンデンサは、本実施例では、対
向透明電極の１’ｌ’Ｏ，誘電体層のＴａ２（Ｊｓと画
素電極のＩＴＯと力）ら構成される。液晶の画素部は本
実施例では、画素電極のｌ ’ｌ’ Ｑ、牧晶宵、共通
透明電極のｉ’ｒｏの１ら構成きれる。又、等側口路中
の第１ ’Ｊ−ド電極と第２リード幅極は、谷４・不実
施例中の下部電極と対向透明電極になっている。
路と比較する。等側口路中の’１’ ＦＤは、不実施例
では下部ｌＣ極のＩｆ ａ、絶縁体層の’ｌ’ａ２Ｑｓ
と上部電極のＯｒと力１ら構成される＆ｉ Ｉ Ｍであ
る。等側口路中の蓄積コンデンサは、本実施例では、対
向透明電極の１’ｌ’Ｏ，誘電体層のＴａ２（Ｊｓと画
素電極のＩＴＯと力）ら構成される。液晶の画素部は本
実施例では、画素電極のｌ ’ｌ’ Ｑ、牧晶宵、共通
透明電極のｉ’ｒｏの１ら構成きれる。又、等側口路中
の第１ ’Ｊ−ド電極と第２リード幅極は、谷４・不実
施例中の下部電極と対向透明電極になっている。
各々の電極は、第３図１こ示すように、ＭＩＭと蓄積コ
ンデンサを介して対向し°Ｃおり、互いに直交している
。この両電極にマトリクスアドレスすることにより、各
製品画素に′電圧が印カロされる。これに対し、等側口
路中の共通ｔｉ＆に対応する本実施例中の共通透明電極
は、表示部全面に形成され１フレーム内においては、一
定電圧に保持されている。
ンデンサを介して対向し°Ｃおり、互いに直交している
。この両電極にマトリクスアドレスすることにより、各
製品画素に′電圧が印カロされる。これに対し、等側口
路中の共通ｔｉ＆に対応する本実施例中の共通透明電極
は、表示部全面に形成され１フレーム内においては、一
定電圧に保持されている。
本発明ζこ、Ｉ：る５ＣＡＤ−ＬＣＤの駆動方法は、１
画素から３−ｒ［極（第１リード電極、第２リード４甑
共通電砥）が出ている為、従来の’ｆ’ Ｆ Ｄ −Ｌ
ＣＤの駆動方法とは異なる。液晶を交流駆動する場合
の駆動方法の一例を表に示す。
画素から３−ｒ［極（第１リード電極、第２リード４甑
共通電砥）が出ている為、従来の’ｆ’ Ｆ Ｄ −Ｌ
ＣＤの駆動方法とは異なる。液晶を交流駆動する場合
の駆動方法の一例を表に示す。
この駆動方法においては、第２リード電極に走査信号を
印加し、第１リード電極にデータ信号を印加し、共通電
極には非アドレス時の走査信号電圧を印加する。表に示
した例では、走査信号とデータ信号は通常の単純マトリ
クスＬＣＤに適用されている波形と同じである。
印加し、第１リード電極にデータ信号を印加し、共通電
極には非アドレス時の走査信号電圧を印加する。表に示
した例では、走査信号とデータ信号は通常の単純マトリ
クスＬＣＤに適用されている波形と同じである。
以−ｒ、、Ｈ’ 、＋
こコテ、■。〜ｖ、は、Ｖ、＜Ｖｌ＜ｙ、＜Ｖ、＜Ｖ４
＜Ｍｌ 又ｕ、Ｖ、＞Ｖｌ＞Ｖ、＞Ｖ、＞Ｖ。
＜Ｍｌ 又ｕ、Ｖ、＞Ｖｌ＞Ｖ、＞Ｖ、＞Ｖ。
＞ Ｖ ａである。又、ｌｖ、−シー ｌ−ＩＬ −Ｖ
−１゜ＩＶ、 −Ｖ、 １． ｌ Ｖ、 −Ｖ、 ｌは
−ポ値をとり、ここではＶ、とおく。又、ＩＶ 、 −
Ｖ、 Ｉ ＝（１１−４）Ｖｏ とおく。通常、嵐
がバイアス比とよばれる。
−１゜ＩＶ、 −Ｖ、 １． ｌ Ｖ、 −Ｖ、 ｌは
−ポ値をとり、ここではＶ、とおく。又、ＩＶ 、 −
Ｖ、 Ｉ ＝（１１−４）Ｖｏ とおく。通常、嵐
がバイアス比とよばれる。
この時５表に示すごとく、走査電極アドレス時には、選
択画素に±ｎＶ、、非選画素非出画素 −２）■壷が印
加され、走査底極非アドレス時には１画素には士■拳が
印加される。
択画素に±ｎＶ、、非選画素非出画素 −２）■壷が印
加され、走査底極非アドレス時には１画素には士■拳が
印加される。
ＭＩＭは非線形抵抗性が高い為に、アドレス時において
印加電圧がｎＶ、と （ｒ！ −２）！、 と違うだけ
で、流れる電流が大きく異なる。蓄積コンデンサの容量
が他に比べ十分大きいので、ｆｖｌ Ｉ Ｍを流れる電
荷は大部分蓄積コンデンサに流れる。選択画素の蓄積コ
ンデンサには電荷が蓄積され、液晶を完全にＯＮさせる
のに十分な電圧が、画素電極と第２リード電極との間に
発生するか、非選択画素の蓄積コンデンサｔこけ殆ど電
荷が蓄積されず電圧も殆ど発生しない。蓄積コンテンサ
容量は、液晶容量及び、ＴＦＤ容蓋に比べて十分大きい
為非アドレス時においても、画素電極と第２リード電極
間の蓄積コンデンサの電圧は殆ど変わらない。
印加電圧がｎＶ、と （ｒ！ −２）！、 と違うだけ
で、流れる電流が大きく異なる。蓄積コンデンサの容量
が他に比べ十分大きいので、ｆｖｌ Ｉ Ｍを流れる電
荷は大部分蓄積コンデンサに流れる。選択画素の蓄積コ
ンデンサには電荷が蓄積され、液晶を完全にＯＮさせる
のに十分な電圧が、画素電極と第２リード電極との間に
発生するか、非選択画素の蓄積コンデンサｔこけ殆ど電
荷が蓄積されず電圧も殆ど発生しない。蓄積コンテンサ
容量は、液晶容量及び、ＴＦＤ容蓋に比べて十分大きい
為非アドレス時においても、画素電極と第２リード電極
間の蓄積コンデンサの電圧は殆ど変わらない。
又、共通′を極の電位は非アドレス時の第２リード電極
の電位に等しいのでその電圧がそのまま画素電極と共通
電極の間の液晶漕にかかる。従って。
の電位に等しいのでその電圧がそのまま画素電極と共通
電極の間の液晶漕にかかる。従って。
選択画素の液晶は完全にＯＮになり、非選択画素の液晶
は完全にＯＦＦになる為、高コントラストの表示が得ら
れる。
は完全にＯＦＦになる為、高コントラストの表示が得ら
れる。
本実施例の５ＣＡＤ−ＬＣＤパネルを、デーティ比１／
／４５ｏ１バイアス比ｎ＝ｋ、Ｖ、：３．３Ｖ のパラ
メータで表に示される波形により駆動したとＣ７）％１
０：１の高コントラストの得られる視野角が±４ヂ以上
あり１良好な表示が得られた。又、１６階調以上の１８
ｉｉ７調表示を再現性よく行えた。
／４５ｏ１バイアス比ｎ＝ｋ、Ｖ、：３．３Ｖ のパラ
メータで表に示される波形により駆動したとＣ７）％１
０：１の高コントラストの得られる視野角が±４ヂ以上
あり１良好な表示が得られた。又、１６階調以上の１８
ｉｉ７調表示を再現性よく行えた。
本発明の駆動方法は上に述べた駆動波形に限られない。
他の代表的な駆動方法として、第１り一ド屯極に走査信
号を印加し、第２リード屯極にデータ信号を印加し、共
通電極に選択時データ信号電圧と非選択時くチータイ５
号電圧の間の電圧を印加する方法がある。この方法を本
実施例による５ＣＡＤ−ＬＣＤパネルに適用したところ
、し４５０チーテイ比で１０：１の高コントラストが得
られた。
号を印加し、第２リード屯極にデータ信号を印加し、共
通電極に選択時データ信号電圧と非選択時くチータイ５
号電圧の間の電圧を印加する方法がある。この方法を本
実施例による５ＣＡＤ−ＬＣＤパネルに適用したところ
、し４５０チーテイ比で１０：１の高コントラストが得
られた。
以上％’１’ＦＤとしてＭＩＭを用いた場合につ騒ての
み述べたが、ＴＰＤとして種々のａ−８ｉ ダイオード
を用いた’１’ Ｆ Ｄ −Ｌ ＣＤにも本発明は適用
できる。本発明の適用により、液晶の容量が印加電圧に
より変化する事、及び、液晶の時記数が短い事に因る階
調表示時の間融点はなくなった。
み述べたが、ＴＰＤとして種々のａ−８ｉ ダイオード
を用いた’１’ Ｆ Ｄ −Ｌ ＣＤにも本発明は適用
できる。本発明の適用により、液晶の容量が印加電圧に
より変化する事、及び、液晶の時記数が短い事に因る階
調表示時の間融点はなくなった。
本発明によるＴＦＤ−ＬＣＤは、 第３図に示されるよ
うに、アクティブマトリクス基板が立体構造になってい
る為、製造コストの上昇が心配される。し力）し、誘電
体層は表示部全面に形成される為、下部電極形成と同時
に形成できるので、製造コストは殆ど上昇しな一０又、
従来は上部ガラス基板上の透明電極を帯状にパターン化
していたのに対し、本発明では、表示部全体に形成すれ
ば良い為、対向透明電極のパターン化の工程増７）０は
相殺される。従来は上部、下部両ガラス基板から多数の
端子の取出しが必要だったのに対し、本発明によれば、
共通透明電極は銀ペースト等により、下部ガラス基板上
の電極に接続できる為、下部ガラス基板力）らのみ端子
を取出せばよい。
うに、アクティブマトリクス基板が立体構造になってい
る為、製造コストの上昇が心配される。し力）し、誘電
体層は表示部全面に形成される為、下部電極形成と同時
に形成できるので、製造コストは殆ど上昇しな一０又、
従来は上部ガラス基板上の透明電極を帯状にパターン化
していたのに対し、本発明では、表示部全体に形成すれ
ば良い為、対向透明電極のパターン化の工程増７）０は
相殺される。従来は上部、下部両ガラス基板から多数の
端子の取出しが必要だったのに対し、本発明によれば、
共通透明電極は銀ペースト等により、下部ガラス基板上
の電極に接続できる為、下部ガラス基板力）らのみ端子
を取出せばよい。
このことはパネルの端子を外部と接続するのを容易にす
る。駆動用ＩＣをガラス基板上に直接付ける場合に特に
低コストになる。
る。駆動用ＩＣをガラス基板上に直接付ける場合に特に
低コストになる。
ラテラル構造ＭＩＭ−ＬＣＤは、端子接続に関しては、
従来型のＴＦＤ−ＬＣＤと同じである。
従来型のＴＦＤ−ＬＣＤと同じである。
以上述べたように、本発明によれば、ｉ’ｉ素高精細化
時もＴＦＤのパターンｎ１度が粗くて良い為、大面積高
精、細大表示容−１ｉＴＦＤ−ＬＣＤを高歩留り低コス
トで提供することが可能になる。又、液晶の容量が等価
回路的に増加したことになる為、階調表示性能が著しく
向上した。従来の類似技術であるラテラル構造ＭＩＭ−
ＬＣＤに比べると、歩留り、隔調表示性能、端子接続法
、等の点で、本発明によるＴＦＤ−ＬＣＤの方が優れて
いる〇
時もＴＦＤのパターンｎ１度が粗くて良い為、大面積高
精、細大表示容−１ｉＴＦＤ−ＬＣＤを高歩留り低コス
トで提供することが可能になる。又、液晶の容量が等価
回路的に増加したことになる為、階調表示性能が著しく
向上した。従来の類似技術であるラテラル構造ＭＩＭ−
ＬＣＤに比べると、歩留り、隔調表示性能、端子接続法
、等の点で、本発明によるＴＦＤ−ＬＣＤの方が優れて
いる〇
第１図は、本発明による５ＣＡＤ−ＬＣＤの一実施例の
等価回路、第２図は、第１図の実施例の一画素の断面図
、第３図は、第」図の実施例の一画素の烏敞図、第４図
と第５図は第１図の実施例の下部ガラス基板の平面透視
図、第６図は、従来の１’ＦＩ）−ＬＣＤの断面図、第
７図は、第６図の’１”Ｆｌ）−ＬＣＤの一画素の平面
図、第８図は、第６図のＴＦＤ−ＬＣＤの一部分の平面
図、第９図は、第６図のＴＩ”Ｄ−ＬＣＤの等価回路、
第１０図は、従来のラテラル構造Ｍｌｉ’１４−ＬＣＤ
のアクティブマトリクス基板の断面図の一例、第１１図
は、従来の蓄積コンデンサ並列型ＴＦＤ−ＬＣＤの等価
回路の一例である。 ｌ・・・・・画素電極、 ２・・・・・・非森形批抗
、 ３・・・・・ＴＦＤ８ｋ、 ４・・・・・・第
１リード篭極、 ５・・・・・・液晶容量、 ６・
・・・・・液晶抵抗、 ７・・・・・・共通電極、８
・・・・・・蓄積コンデンサ容量、 ９・・・・・・
第２リード電極、 １０・・・下部ガラス基板、 １１
・・・・・対向透明電極、 １２・・・・・誘電体層、
１３・・・・・・下部′ＴＩＬ極、１４・・・・・・
絶縁体層、 １５・・・・・・上＠’５４ｉ、 １６
・・・・・・上部ガラス基板、 １７・・・・・・共通
透明電極、 １８・・・・・・液晶層、 １９・・・
・・ガラス保護膜、 ２０・・・・・・リード電極、２
１・・・・端子部、 ２２・・・・・ブロック絶縁体層
。 １５、 ｌｉ！電劾 竿 ７ 図 半 ８ 図 ４、へ６１リーＦ電糧 ｑヘレ２リート喚互和台 亭 １１ 図 手続補正書（自発） ６１．４．２４
等価回路、第２図は、第１図の実施例の一画素の断面図
、第３図は、第」図の実施例の一画素の烏敞図、第４図
と第５図は第１図の実施例の下部ガラス基板の平面透視
図、第６図は、従来の１’ＦＩ）−ＬＣＤの断面図、第
７図は、第６図の’１”Ｆｌ）−ＬＣＤの一画素の平面
図、第８図は、第６図のＴＦＤ−ＬＣＤの一部分の平面
図、第９図は、第６図のＴＩ”Ｄ−ＬＣＤの等価回路、
第１０図は、従来のラテラル構造Ｍｌｉ’１４−ＬＣＤ
のアクティブマトリクス基板の断面図の一例、第１１図
は、従来の蓄積コンデンサ並列型ＴＦＤ−ＬＣＤの等価
回路の一例である。 ｌ・・・・・画素電極、 ２・・・・・・非森形批抗
、 ３・・・・・ＴＦＤ８ｋ、 ４・・・・・・第
１リード篭極、 ５・・・・・・液晶容量、 ６・
・・・・・液晶抵抗、 ７・・・・・・共通電極、８
・・・・・・蓄積コンデンサ容量、 ９・・・・・・
第２リード電極、 １０・・・下部ガラス基板、 １１
・・・・・対向透明電極、 １２・・・・・誘電体層、
１３・・・・・・下部′ＴＩＬ極、１４・・・・・・
絶縁体層、 １５・・・・・・上＠’５４ｉ、 １６
・・・・・・上部ガラス基板、 １７・・・・・・共通
透明電極、 １８・・・・・・液晶層、 １９・・・
・・ガラス保護膜、 ２０・・・・・・リード電極、２
１・・・・端子部、 ２２・・・・・ブロック絶縁体層
。 １５、 ｌｉ！電劾 竿 ７ 図 半 ８ 図 ４、へ６１リーＦ電糧 ｑヘレ２リート喚互和台 亭 １１ 図 手続補正書（自発） ６１．４．２４
Claims (3)
- （１）一方の基板をアクティブマトリクス基板とし、他
方の基板を対向基板とし、両者を液晶層を介して重ね合
わせた構造を有するアクティブマトリクス液晶表示装置
において、前者のアクティブマトリクス基板上の画素電
極が、非線形抵抗素子を介して第１リード電極に接続さ
れると、同時に蓄積コンデンサを介して第２リード電極
に接続されており、後者の対向基板上に透明な共通電極
を表示部全体に形成したことを特徴とする蓄積コンデン
サアドレスダイオード型アクティブマトリクス液晶表示
装置。 - （２）画素電極が非線形抵抗素子を介して第１リード電
極に接続されると、同時に蓄積コンデンサを介して第２
リード電極に接続された構造のアクティブマトリクス基
板と透明な共通電極を表示部全体に形成した対向基板と
を液晶層を介して重ね合わせた構造を有するアクティブ
マトリクス液晶表示装置の第１リード電極にデータ信号
を印加し、第２リード電極に走査信号を印加し、共通電
極に非アドレス時の走査信号電圧を印加することを特徴
とする蓄積コンデンサアドレスダイオード型アクティブ
マトリクス液晶表示装置の駆動方法。 - （３）画素電極が非線形抵抗素子を介して第１リード電
極に接続されると、同時に蓄積コンデンサを介して第２
リード電極に接続された構造のアクティブマトリクス基
板と透明な共通電極を表示部全体に形成した対向基板と
を液晶層を介して重ね合わせた構造を有するアクティブ
マトリクス液晶表示装置の第１リード電極に走査信号を
印加し、第２リード電極にデータ信号を印加し、共通電
極に選択時データ信号電圧と非選択時データ信号電圧の
間の電圧を印加することを特徴とする蓄積コンデンサア
ドレスダイオード型アクティブマトリクス液晶表示装置
の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60275449A JPS62134628A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 蓄積コンデンサアドレスダイオ−ド型アクテイブマトリクス液晶表示装置とその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60275449A JPS62134628A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 蓄積コンデンサアドレスダイオ−ド型アクテイブマトリクス液晶表示装置とその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62134628A true JPS62134628A (ja) | 1987-06-17 |
Family
ID=17555681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60275449A Pending JPS62134628A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 蓄積コンデンサアドレスダイオ−ド型アクテイブマトリクス液晶表示装置とその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62134628A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6455539A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device |
| JPH01105913A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Toshiba Corp | マトリックスアレイ基板の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57154280A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal picture display unit |
-
1985
- 1985-12-06 JP JP60275449A patent/JPS62134628A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57154280A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal picture display unit |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6455539A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device |
| JPH01105913A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Toshiba Corp | マトリックスアレイ基板の製造方法 |
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