JPH0291188A - シリケート系蛍光体 - Google Patents
シリケート系蛍光体Info
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- JPH0291188A JPH0291188A JP24575688A JP24575688A JPH0291188A JP H0291188 A JPH0291188 A JP H0291188A JP 24575688 A JP24575688 A JP 24575688A JP 24575688 A JP24575688 A JP 24575688A JP H0291188 A JPH0291188 A JP H0291188A
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、シリケート系蛍光体の改良に間する。
シリケート系蛍光体は、すでに多くの種類が開発され、
多用途に使用されている。例えば、組成式がｒＢａＳ
１２０ｓ： ＰｂＪで示される蛍光体は、紫外線領域に
強い発光強度を示す蛍光ランプに使用されている。この
蛍光ランプは、捕虫用、健康線用、紫外線暴露試験用、
合成樹脂硬化用等、広い用途に利用されている。 この蛍光体は、次の材料を混合して焼成している。 ■ Ｂａの酸化物、あるいは、分解すると酸化物になる
炭酸塩、または、硝酸塩、 ■ Ｐｂの酸化物、あるいは、ｐｂの炭酸塩、フッ化物
、塩化物、 ■ ＳｉＯ２ ■〜■の原料を混合して蛍光体の生粉とし、この生粉を
焼成している。焼成品を湿式粉砕してＢａ５ｉ２０ｓ：
Ｐｂ蛍光体を製造している。 他のシリケート系蛍光体として、 （ＢａＳｒＭｇ）３
ｓｉ２０ｖ：Ｐｂ、 （ＢａＭｇＳｒＺｎＣａ）３Ｓ
１２０ｖ： Ｐ ｂ、 Ｚ ｎ２ｓ ｉ Ｏａ ：
Ｍｎ、 （ＢａＭｇ） Ｓ １２０ｓ： Ｅｕ％Ｙ２
Ｓ ｉｏｓ： Ｃｅ、 Ｔｂ等の蛍光体が製造されてい
る。これ等の蛍光体は、前述の蛍光体と同様に、蛍光体
原料にシリカの粉体を混合して焼成している。 従来蛍光ランプの管内面に被覆された蛍光体は、点灯中
に放電により生じたイオンのボンバードによって輝度が
著しく低下する。 ［ジャーナルオブザエレクトロケミ
カルソサイエティ］ Ｖｏｌ、 １０７ Ｎｏ、３ （
１９６０年３月号）第２１０〜２１６ページ、同Ｖｏ１
．１３０ Ｎｏ、２ （１９８３年２月号）第４２６〜
４３１ページ。 それらの文献には、５ｂ２０３等を用いて蛍光体粒子表
面に安定な層を形成する事により蛍光ランプの点灯中の
光束低下を抑制することが記載されている。 しかし、これら方法では、シリケート系蛍光体の発光特
性を充分なまでに向上することができない。 蛍光ランプに使用された状態にあっては、紫外線による
合成物の傷みや、水銀付着による原因で発光出力が低下
し、又、寿命が短くなる。
多用途に使用されている。例えば、組成式がｒＢａＳ
１２０ｓ： ＰｂＪで示される蛍光体は、紫外線領域に
強い発光強度を示す蛍光ランプに使用されている。この
蛍光ランプは、捕虫用、健康線用、紫外線暴露試験用、
合成樹脂硬化用等、広い用途に利用されている。 この蛍光体は、次の材料を混合して焼成している。 ■ Ｂａの酸化物、あるいは、分解すると酸化物になる
炭酸塩、または、硝酸塩、 ■ Ｐｂの酸化物、あるいは、ｐｂの炭酸塩、フッ化物
、塩化物、 ■ ＳｉＯ２ ■〜■の原料を混合して蛍光体の生粉とし、この生粉を
焼成している。焼成品を湿式粉砕してＢａ５ｉ２０ｓ：
Ｐｂ蛍光体を製造している。 他のシリケート系蛍光体として、 （ＢａＳｒＭｇ）３
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１２０ｖ： Ｐ ｂ、 Ｚ ｎ２ｓ ｉ Ｏａ ：
Ｍｎ、 （ＢａＭｇ） Ｓ １２０ｓ： Ｅｕ％Ｙ２
Ｓ ｉｏｓ： Ｃｅ、 Ｔｂ等の蛍光体が製造されてい
る。これ等の蛍光体は、前述の蛍光体と同様に、蛍光体
原料にシリカの粉体を混合して焼成している。 従来蛍光ランプの管内面に被覆された蛍光体は、点灯中
に放電により生じたイオンのボンバードによって輝度が
著しく低下する。 ［ジャーナルオブザエレクトロケミ
カルソサイエティ］ Ｖｏｌ、 １０７ Ｎｏ、３ （
１９６０年３月号）第２１０〜２１６ページ、同Ｖｏ１
．１３０ Ｎｏ、２ （１９８３年２月号）第４２６〜
４３１ページ。 それらの文献には、５ｂ２０３等を用いて蛍光体粒子表
面に安定な層を形成する事により蛍光ランプの点灯中の
光束低下を抑制することが記載されている。 しかし、これら方法では、シリケート系蛍光体の発光特
性を充分なまでに向上することができない。 蛍光ランプに使用された状態にあっては、紫外線による
合成物の傷みや、水銀付着による原因で発光出力が低下
し、又、寿命が短くなる。
この発明は、従来のこれ等の欠点を解決することを目的
に開発されたもので、この発明の重要な目的は、発光出
力が高く、寿命が長いシリケート系蛍光体を提供するに
ある。
に開発されたもので、この発明の重要な目的は、発光出
力が高く、寿命が長いシリケート系蛍光体を提供するに
ある。
この発明のシリケート系蛍光体は、蛍光体粒子の表面に
、ホウ素化合物がコーティングされている。 シリケート系蛍光体の表面にホウ素化合物をコーティン
グするには、焼成された蛍光体を粉砕、分級した後、粒
子表面にホウ素化合物をコーティングする方法と、焼成
後、粉砕工程中にホウ素化合物をコーティングして、分
級する何れの方法も採用できる。 シリケート系蛍光体には、蛍光体組成にシリケートを含
む全ての蛍光体、例えば、ＢａＳｉ２Ｏ５：Ｐｂ、（Ｂ
ａＳｒＭｇ）３ｓｉ２０ｖ：Ｐｂ、（ＢａＭｇＳｒＺｎ
Ｃａ）３Ｓ １２０ｔ： Ｐｂ、Ｚｎ２ＳｉＯ４： Ｍ
ｎ、（ＢａＭｇ）Ｓ １２０ｓ： Ｅｕ、Ｙ２Ｓ ｉｏ
ｓ： Ｃｅ、 Ｔｂ等の蛍光体が使用される。 また、蛍光体の表面にコーティングするホウ素化合物に
は、例えば、ホウ酸、ホウ酸アンモニウム、アルカリ土
類金属のホウ素化合物、スカンジウム、イツトリウム、
ランタノイド等のホウ素化合物等が使用できる。 アルカリ土類金属のホウ素化合物には、例えば、ＢａＢ
ＡＯｖ、Ｂａ（ＢＯ２）２、ＣａＢａ０ｖ等が使用でき
る。
、ホウ素化合物がコーティングされている。 シリケート系蛍光体の表面にホウ素化合物をコーティン
グするには、焼成された蛍光体を粉砕、分級した後、粒
子表面にホウ素化合物をコーティングする方法と、焼成
後、粉砕工程中にホウ素化合物をコーティングして、分
級する何れの方法も採用できる。 シリケート系蛍光体には、蛍光体組成にシリケートを含
む全ての蛍光体、例えば、ＢａＳｉ２Ｏ５：Ｐｂ、（Ｂ
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Ｃａ）３Ｓ １２０ｔ： Ｐｂ、Ｚｎ２ＳｉＯ４： Ｍ
ｎ、（ＢａＭｇ）Ｓ １２０ｓ： Ｅｕ、Ｙ２Ｓ ｉｏ
ｓ： Ｃｅ、 Ｔｂ等の蛍光体が使用される。 また、蛍光体の表面にコーティングするホウ素化合物に
は、例えば、ホウ酸、ホウ酸アンモニウム、アルカリ土
類金属のホウ素化合物、スカンジウム、イツトリウム、
ランタノイド等のホウ素化合物等が使用できる。 アルカリ土類金属のホウ素化合物には、例えば、ＢａＢ
ＡＯｖ、Ｂａ（ＢＯ２）２、ＣａＢａ０ｖ等が使用でき
る。
焼成工程の後に、蛍光体の表面にコーティングされたホ
ウ素化合物は、蛍光体の発光特性を変える。この発明の
蛍光体が如何に優れた特性を示すかは、第１表に示され
ている。この表は、蛍光体が塗布された管球の測定デー
ターを示している。 この表から明かなように、本発明のＢａＳｉ２Ｏ５：Ｐ
ｂ蛍光体を使用した蛍光ランプ（実施例１〜７）を例と
して示すと、従来の蛍光ランプに比べると、発光効率が
１〜６％も向上した。また、５００時間点灯後の光束維
持率は、従来の蛍光ランプが５５％に低下したのに対し
、この発明の蛍光体を使用した蛍光ランプは、６７〜７
２％にしか第１表 低下せず、１１〜１７％も向上した。 ところで、ホウ酸塩は、蛍光体を管球にコーティングす
るときに結着剤として使用されている。 これは、ホウ酸塩が、紫外線の透過率が高く、しかも、
蛍光体粒子を強固に管球にコーティングする作用がある
為である。この物性を有するホウ素化合物は、蛍光体の
発光特性を向上するにもかかわらず、それ自体が、蛍光
体を刺激する紫外線、あるいは、蛍光体が発光する光を
吸収せず、発光特性を低下させない。 本発明の蛍光体が、従来の蛍光体に比べて優れた特性を
示す理由は、蛍光体の表面に不溶性のホウ素化合物がコ
ーティングされて、蛍光体の結晶表面が改善されている
ためである。従来のシリケート系蛍光体は、蛍光体の結
晶表面が活性化して、安定な状態にないことが理由であ
る。表面が活性化した蛍光体は、紫外線で傷み易く、又
、水銀等の付着が起きるから蛍光体としての発光特性が
低下する。 この発明のシリケート系蛍光体は、蛍光膜の状態で、従
来の蛍光体を卓越する特性を示す。ただ、蛍光体粉体と
しての特性向上は、蛍光膜の状態に比べると少ない。こ
のことは、本発明の蛍光体が、塗布工程における発光特
性の低下を阻止することを証明する。 蛍光膜の特性向上は、前述の蛍光体に限らず、蛍光体組
成にシリケートを含む全ての蛍光体に実現される。この
発明のシリケート系蛍光体は、結晶表面を安定化して発
光特性を向上しているからである。例えば、 ＢａＳ １２０ｓ： Ｐｂ。 （Ｂ ａ Ｓ ｒＭｇ） ３Ｓ １２０ｒ： Ｐ ｂ。 （Ｂ ａＭｇＳ ｒ Ｚ ｎＣａ） ３Ｓ １２ｃ）ｒ
： Ｐ ｂ。 ＺｎＳ ｉｏｎ： Ｍｎ。 Ｙ２Ｓ ｉｏｓ： Ｃｅ、 Ｔ ｂ。 （ＢａＭｇ）Ｓ １２０ｓ： Ｅｕ 等のシリケート系の蛍光体は、この発明のホウ素化合物
をコーティングすることによって、従来品を卓越する優
れた特性を示す。
ウ素化合物は、蛍光体の発光特性を変える。この発明の
蛍光体が如何に優れた特性を示すかは、第１表に示され
ている。この表は、蛍光体が塗布された管球の測定デー
ターを示している。 この表から明かなように、本発明のＢａＳｉ２Ｏ５：Ｐ
ｂ蛍光体を使用した蛍光ランプ（実施例１〜７）を例と
して示すと、従来の蛍光ランプに比べると、発光効率が
１〜６％も向上した。また、５００時間点灯後の光束維
持率は、従来の蛍光ランプが５５％に低下したのに対し
、この発明の蛍光体を使用した蛍光ランプは、６７〜７
２％にしか第１表 低下せず、１１〜１７％も向上した。 ところで、ホウ酸塩は、蛍光体を管球にコーティングす
るときに結着剤として使用されている。 これは、ホウ酸塩が、紫外線の透過率が高く、しかも、
蛍光体粒子を強固に管球にコーティングする作用がある
為である。この物性を有するホウ素化合物は、蛍光体の
発光特性を向上するにもかかわらず、それ自体が、蛍光
体を刺激する紫外線、あるいは、蛍光体が発光する光を
吸収せず、発光特性を低下させない。 本発明の蛍光体が、従来の蛍光体に比べて優れた特性を
示す理由は、蛍光体の表面に不溶性のホウ素化合物がコ
ーティングされて、蛍光体の結晶表面が改善されている
ためである。従来のシリケート系蛍光体は、蛍光体の結
晶表面が活性化して、安定な状態にないことが理由であ
る。表面が活性化した蛍光体は、紫外線で傷み易く、又
、水銀等の付着が起きるから蛍光体としての発光特性が
低下する。 この発明のシリケート系蛍光体は、蛍光膜の状態で、従
来の蛍光体を卓越する特性を示す。ただ、蛍光体粉体と
しての特性向上は、蛍光膜の状態に比べると少ない。こ
のことは、本発明の蛍光体が、塗布工程における発光特
性の低下を阻止することを証明する。 蛍光膜の特性向上は、前述の蛍光体に限らず、蛍光体組
成にシリケートを含む全ての蛍光体に実現される。この
発明のシリケート系蛍光体は、結晶表面を安定化して発
光特性を向上しているからである。例えば、 ＢａＳ １２０ｓ： Ｐｂ。 （Ｂ ａ Ｓ ｒＭｇ） ３Ｓ １２０ｒ： Ｐ ｂ。 （Ｂ ａＭｇＳ ｒ Ｚ ｎＣａ） ３Ｓ １２ｃ）ｒ
： Ｐ ｂ。 ＺｎＳ ｉｏｎ： Ｍｎ。 Ｙ２Ｓ ｉｏｓ： Ｃｅ、 Ｔ ｂ。 （ＢａＭｇ）Ｓ １２０ｓ： Ｅｕ 等のシリケート系の蛍光体は、この発明のホウ素化合物
をコーティングすることによって、従来品を卓越する優
れた特性を示す。
以下、この発明の実施例を表に基づいて説明する。
［実施例１］
ＢａＳｉ２Ｏ５：Ｐｂの焼成品を１００ｇ用意する。、
この焼成品は、焼成された後、粉砕および分級処理して
いないものを使用する。これを純水５００ｍＡに混合す
る。その後、蛍光体の混合液に、１０重量％のホウ酸ア
ンモニウムを添加し、ボールミルにて１時閏湿式粉砕を
行い、蛍光体の表面にホウ素化合物をコーティングする
。 その後、蛍光体を、ステンレス４００＃フルイを通した
後、濾過して乾燥した。 この蛍光体を管球に塗布して、４０ＷＳＳ蛍光ランプを
試作した。試作した蛍光ランプを、従来の蛍光体が塗布
された蛍光ランプに比較して、同一条件で発光出力と光
束維持率とを測定した。この結果は、第１表に示すよう
に、従来のＢａＳ １２０ｓ：Ｐｂ蛍光体を使用した蛍
光ランプに比べて、発光出力が３％向上し、１００時間
および、５００時間点灯後の光束維持率が、１２％およ
び、１６％向上した。 ［実施例２］ 添加するホウ酸アンモニウムに０． １重量％のものを
使用する以外、実施例１と同様にして、表面にホウ素化
合物がコーティングされたＢａＳ １２０ｓ：Ｐｂ蛍光
体を試作した。 この蛍光体を管球に塗布して、４０ＷＳＳ蛍光ランプを
試作し、従来の蛍光体が塗布された蛍光ランプに比較し
て、同一条件で発光出力と光束維持率とを測定した。こ
の結果は、第１表に示すように、従来のＢａＳｉ２Ｏ５
：Ｐｂ蛍光体を使用した蛍光ランプに比べて、発光出力
が４％向上し、１００時間および、５００時間点灯後の
光束維持率が、１５％および、１３％向上した。 ［実施例３］ 添加するホウ酸アンモニウムに１重量％のものを使用す
る以外、実施例１と同様にして、表面にホウ素化合物が
コーティングされたＢａＳｉ２Ｏ５：Ｐｂ蛍光体を試作
した。 この蛍光体を管球に塗布して、４０ＷＳＳ蛍光ランプを
試作し、従来の蛍光体が塗布された蛍光ランプに比較し
て、同一条件で発光出力と光束維持率とを測定した。こ
の結果は、第１表に示すように、従来のＢａＳｉ２Ｏ５
：Ｐｂ蛍光体を使用した蛍光ランプに比べて、発光出力
が２％向上し、１００時間および、５００時間点灯後の
光束維持率が、１４％および、１５％向上した。 ［実施例４］ 焼成された後、ボールミルで粗粉砕し、その後、さらに
、ステンレス４００＃フルイで分級したＢａ５ｉ２０ｓ
：Ｐｂ蛍光体を１００ｇ用意する。この蛍光体を純粋５
００ｍｊｌに混合する。その後これに、１０重量％のホ
ウ酸を添加する。得られた液を、ボールミルにて１時間
、湿式粉砕を行い、蛍光体の表面にホウ素化合物をコー
ティングする。 その後、蛍光体を、さらにステンレス４００＃フルイを
通した後、濾過して乾燥した。 この蛍光体を管球に塗布して、４０ＷＳＳ蛍光ランプを
試作し、従来の蛍光体が塗布された蛍光ランプに比較し
て、同一条件で発光出力と光束維持率とを測定した。こ
の結果は、第１表に示すように、従来のＢａ５ｊ２０ｓ
：Ｐｂ蛍光体を使用した蛍光ランプに比べて、発光出力
が６％向上し、１００時間および、５００時間点灯後の
光束維持率が、１６％および、１７％向上した。 焼成後、粗粉砕して、分級した後、蛍光体の粒子表面に
ホウ素化合物をコーティングしたものは、焼成後、分級
しないでホウ素化合物をコーティングした蛍光体に比べ
てさらに優れた発光特性を示す。 ［実施例５］ ホウ酸の混合量を１重量％とする以外実施例５と同様に
して、表面にホウ素化合物がコーティングされたＢａＳ
ｉ２Ｏ５：Ｐｂ蛍光体を試作した。 この蛍光体を管球に塗布して、４０ＷＳＳ蛍光ランプを
試作し、従来の蛍光体が塗布された蛍光ランプに比較し
て、同一条件で発光出力と光束維持率とを測定した。こ
の結果は、第１表に示すように、従来のＢａＳｉ２Ｏ５
：Ｐｂ蛍光体を使用した蛍光ランプに比べて、発光出力
が５％向上し、１００時間および、５００時間点灯後の
光束維持率が、１３％および、１５％向上した。 ［実施例６］ ＢａＳｉ２Ｏ５：Ｐｂ蛍光体の焼成品１００ｇに、純粋
５００ｒｌｌを加える。その後これに、０．２重量％の
ホウ素アンモニウムを混合し、攪拌しながら、ＢａＣＱ
２１０％溶液を滴下し、ボールミルにて１時間、湿式粉
砕を行う。ＢａＣα２の滴下量は、全体で７．４ｇとし
た。この工程で、蛍光体の表面にホウ酸バリウムをコー
ティングする。 その後、蛍光体を、ステンレス４００＃フルイを通した
後、濾過して乾燥した。 この蛍光体を管球に塗布して、４０ＷＳＳ蛍光ランプを
試作し、従来の蛍光体が塗布された蛍光ランプに比較し
て、同一条件で発光出力と光束維持率とを測定した。こ
の結果は、第１表に示すように、従来のＢａＳ １２０
５： Ｐｂ蛍光体を使用した蛍光ランプに比べて、発光
出力が１％向上し、１００時間および、５００時間点灯
後の光束維持率が、１１％および、１３％向上した。 ［実施例７］ 滴下する溶液を、実施例８のＢａＣα２に代わって、Ｙ
ＣＱ ２を使用する以外、実施例８と同様にして、表
面にホウ素イツトリウムがコーティングされたＢａＳ
１２０ｓ： Ｐｂを試作した。 この蛍光体を管球に塗布して、４０ＷＳＳ蛍光ランプを
試作し、従来の蛍光体が塗布された蛍光ランプに比較し
て、同一条件で発光出力と光束維持率とを測定した。こ
の結果は、第１表に示すように、従来のＢａＳｉ２Ｏ５
：Ｐｂ蛍光体を使用した蛍光ランプに比べて、発光出力
が２％向上し、１００時間および、５００時間点灯後の
光束維持率が、１１％および、１２％向上した。 ［実施例８］ 蛍光体にＺ ｎ２ｓ ｉ Ｏａ ： Ｍｎ、添加するホ
ウ酸アンモニウムを１重量％とする以外、実施例１と同
様にして表面にホウ素化合物がコーティングされたＺｎ
２５ ｉｏ４： Ｍｎ蛍光体を試作した。 この蛍光体を管球に塗布して４０ＷＳＳ蛍光ランプを試
作し、従来の蛍光体が塗布された蛍光ランプに比較して
同一条件で発光出力と光束維持率とを測定した。この結
果は第１表に示すように従来のＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ蛍
光体を使用した蛍光ランプに比べて発光出力が８％向上
し、１００時間および５００時間点灯後の光束維持率が
１０％および、１２％向上した。 ［実施例９］ 蛍光体に（Ｂ ａＭｇ） Ｓ １２０ｓ： Ｅ ｕ、添
加するホウ酸アンモニウムを１重量％とする以外、実施
例１と同様にして表面にホウ素化合物がコーティングさ
れた（ＢａＭｇ）Ｓ １２０５： Ｅｕ蛍光体を試作し
た。 この蛍光体を管球に塗布して４０ＷＳＳ蛍光ランプを試
作し、従来の蛍光体が塗布された蛍光ランプに比較して
同一条件で発光出力、光束維持率とを測定した。この結
果は第１表に示すように従来の（Ｂ ａＭｇ） Ｓ ｉ
２０５： Ｅ ｕ蛍光体を使用した蛍光ランプに比べ
て発光出力が３％向上し、１００時間および５００時間
点灯後の光束維持率が６％および、８％向上した。
この焼成品は、焼成された後、粉砕および分級処理して
いないものを使用する。これを純水５００ｍＡに混合す
る。その後、蛍光体の混合液に、１０重量％のホウ酸ア
ンモニウムを添加し、ボールミルにて１時閏湿式粉砕を
行い、蛍光体の表面にホウ素化合物をコーティングする
。 その後、蛍光体を、ステンレス４００＃フルイを通した
後、濾過して乾燥した。 この蛍光体を管球に塗布して、４０ＷＳＳ蛍光ランプを
試作した。試作した蛍光ランプを、従来の蛍光体が塗布
された蛍光ランプに比較して、同一条件で発光出力と光
束維持率とを測定した。この結果は、第１表に示すよう
に、従来のＢａＳ １２０ｓ：Ｐｂ蛍光体を使用した蛍
光ランプに比べて、発光出力が３％向上し、１００時間
および、５００時間点灯後の光束維持率が、１２％およ
び、１６％向上した。 ［実施例２］ 添加するホウ酸アンモニウムに０． １重量％のものを
使用する以外、実施例１と同様にして、表面にホウ素化
合物がコーティングされたＢａＳ １２０ｓ：Ｐｂ蛍光
体を試作した。 この蛍光体を管球に塗布して、４０ＷＳＳ蛍光ランプを
試作し、従来の蛍光体が塗布された蛍光ランプに比較し
て、同一条件で発光出力と光束維持率とを測定した。こ
の結果は、第１表に示すように、従来のＢａＳｉ２Ｏ５
：Ｐｂ蛍光体を使用した蛍光ランプに比べて、発光出力
が４％向上し、１００時間および、５００時間点灯後の
光束維持率が、１５％および、１３％向上した。 ［実施例３］ 添加するホウ酸アンモニウムに１重量％のものを使用す
る以外、実施例１と同様にして、表面にホウ素化合物が
コーティングされたＢａＳｉ２Ｏ５：Ｐｂ蛍光体を試作
した。 この蛍光体を管球に塗布して、４０ＷＳＳ蛍光ランプを
試作し、従来の蛍光体が塗布された蛍光ランプに比較し
て、同一条件で発光出力と光束維持率とを測定した。こ
の結果は、第１表に示すように、従来のＢａＳｉ２Ｏ５
：Ｐｂ蛍光体を使用した蛍光ランプに比べて、発光出力
が２％向上し、１００時間および、５００時間点灯後の
光束維持率が、１４％および、１５％向上した。 ［実施例４］ 焼成された後、ボールミルで粗粉砕し、その後、さらに
、ステンレス４００＃フルイで分級したＢａ５ｉ２０ｓ
：Ｐｂ蛍光体を１００ｇ用意する。この蛍光体を純粋５
００ｍｊｌに混合する。その後これに、１０重量％のホ
ウ酸を添加する。得られた液を、ボールミルにて１時間
、湿式粉砕を行い、蛍光体の表面にホウ素化合物をコー
ティングする。 その後、蛍光体を、さらにステンレス４００＃フルイを
通した後、濾過して乾燥した。 この蛍光体を管球に塗布して、４０ＷＳＳ蛍光ランプを
試作し、従来の蛍光体が塗布された蛍光ランプに比較し
て、同一条件で発光出力と光束維持率とを測定した。こ
の結果は、第１表に示すように、従来のＢａ５ｊ２０ｓ
：Ｐｂ蛍光体を使用した蛍光ランプに比べて、発光出力
が６％向上し、１００時間および、５００時間点灯後の
光束維持率が、１６％および、１７％向上した。 焼成後、粗粉砕して、分級した後、蛍光体の粒子表面に
ホウ素化合物をコーティングしたものは、焼成後、分級
しないでホウ素化合物をコーティングした蛍光体に比べ
てさらに優れた発光特性を示す。 ［実施例５］ ホウ酸の混合量を１重量％とする以外実施例５と同様に
して、表面にホウ素化合物がコーティングされたＢａＳ
ｉ２Ｏ５：Ｐｂ蛍光体を試作した。 この蛍光体を管球に塗布して、４０ＷＳＳ蛍光ランプを
試作し、従来の蛍光体が塗布された蛍光ランプに比較し
て、同一条件で発光出力と光束維持率とを測定した。こ
の結果は、第１表に示すように、従来のＢａＳｉ２Ｏ５
：Ｐｂ蛍光体を使用した蛍光ランプに比べて、発光出力
が５％向上し、１００時間および、５００時間点灯後の
光束維持率が、１３％および、１５％向上した。 ［実施例６］ ＢａＳｉ２Ｏ５：Ｐｂ蛍光体の焼成品１００ｇに、純粋
５００ｒｌｌを加える。その後これに、０．２重量％の
ホウ素アンモニウムを混合し、攪拌しながら、ＢａＣＱ
２１０％溶液を滴下し、ボールミルにて１時間、湿式粉
砕を行う。ＢａＣα２の滴下量は、全体で７．４ｇとし
た。この工程で、蛍光体の表面にホウ酸バリウムをコー
ティングする。 その後、蛍光体を、ステンレス４００＃フルイを通した
後、濾過して乾燥した。 この蛍光体を管球に塗布して、４０ＷＳＳ蛍光ランプを
試作し、従来の蛍光体が塗布された蛍光ランプに比較し
て、同一条件で発光出力と光束維持率とを測定した。こ
の結果は、第１表に示すように、従来のＢａＳ １２０
５： Ｐｂ蛍光体を使用した蛍光ランプに比べて、発光
出力が１％向上し、１００時間および、５００時間点灯
後の光束維持率が、１１％および、１３％向上した。 ［実施例７］ 滴下する溶液を、実施例８のＢａＣα２に代わって、Ｙ
ＣＱ ２を使用する以外、実施例８と同様にして、表
面にホウ素イツトリウムがコーティングされたＢａＳ
１２０ｓ： Ｐｂを試作した。 この蛍光体を管球に塗布して、４０ＷＳＳ蛍光ランプを
試作し、従来の蛍光体が塗布された蛍光ランプに比較し
て、同一条件で発光出力と光束維持率とを測定した。こ
の結果は、第１表に示すように、従来のＢａＳｉ２Ｏ５
：Ｐｂ蛍光体を使用した蛍光ランプに比べて、発光出力
が２％向上し、１００時間および、５００時間点灯後の
光束維持率が、１１％および、１２％向上した。 ［実施例８］ 蛍光体にＺ ｎ２ｓ ｉ Ｏａ ： Ｍｎ、添加するホ
ウ酸アンモニウムを１重量％とする以外、実施例１と同
様にして表面にホウ素化合物がコーティングされたＺｎ
２５ ｉｏ４： Ｍｎ蛍光体を試作した。 この蛍光体を管球に塗布して４０ＷＳＳ蛍光ランプを試
作し、従来の蛍光体が塗布された蛍光ランプに比較して
同一条件で発光出力と光束維持率とを測定した。この結
果は第１表に示すように従来のＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ蛍
光体を使用した蛍光ランプに比べて発光出力が８％向上
し、１００時間および５００時間点灯後の光束維持率が
１０％および、１２％向上した。 ［実施例９］ 蛍光体に（Ｂ ａＭｇ） Ｓ １２０ｓ： Ｅ ｕ、添
加するホウ酸アンモニウムを１重量％とする以外、実施
例１と同様にして表面にホウ素化合物がコーティングさ
れた（ＢａＭｇ）Ｓ １２０５： Ｅｕ蛍光体を試作し
た。 この蛍光体を管球に塗布して４０ＷＳＳ蛍光ランプを試
作し、従来の蛍光体が塗布された蛍光ランプに比較して
同一条件で発光出力、光束維持率とを測定した。この結
果は第１表に示すように従来の（Ｂ ａＭｇ） Ｓ ｉ
２０５： Ｅ ｕ蛍光体を使用した蛍光ランプに比べ
て発光出力が３％向上し、１００時間および５００時間
点灯後の光束維持率が６％および、８％向上した。
Claims (1)
- シリケート系蛍光体において、蛍光体粒子の表面にホウ
素化合物がコーティングされたことを特徴とするシリケ
ート系蛍光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63245756A JPH0662945B2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | シリケート系蛍光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63245756A JPH0662945B2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | シリケート系蛍光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0291188A true JPH0291188A (ja) | 1990-03-30 |
| JPH0662945B2 JPH0662945B2 (ja) | 1994-08-17 |
Family
ID=17138333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63245756A Expired - Fee Related JPH0662945B2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | シリケート系蛍光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0662945B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030045333A (ko) * | 2001-12-03 | 2003-06-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투사형 음극선관용 형광막 및 그 제조방법 |
| JP2008303230A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 蛍光体およびその製造方法 |
| CN106164217A (zh) * | 2014-03-27 | 2016-11-23 | 三井金属矿业株式会社 | 荧光体和其用途 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5211182A (en) * | 1975-07-17 | 1977-01-27 | Fujitsu Ltd | Method of coating the surface of particles |
-
1988
- 1988-09-28 JP JP63245756A patent/JPH0662945B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5211182A (en) * | 1975-07-17 | 1977-01-27 | Fujitsu Ltd | Method of coating the surface of particles |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030045333A (ko) * | 2001-12-03 | 2003-06-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투사형 음극선관용 형광막 및 그 제조방법 |
| JP2008303230A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 蛍光体およびその製造方法 |
| CN106164217A (zh) * | 2014-03-27 | 2016-11-23 | 三井金属矿业株式会社 | 荧光体和其用途 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0662945B2 (ja) | 1994-08-17 |
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Legal Events
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