JPH02261891A - ホウ酸インジウム蛍光体および陰極線管 - Google Patents
ホウ酸インジウム蛍光体および陰極線管Info
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- JPH02261891A JPH02261891A JP1082644A JP8264489A JPH02261891A JP H02261891 A JPH02261891 A JP H02261891A JP 1082644 A JP1082644 A JP 1082644A JP 8264489 A JP8264489 A JP 8264489A JP H02261891 A JPH02261891 A JP H02261891A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、主として投写管やコンピュータ一端末のデイ
スプレィ管等に使用されるホウ酸インジウム蛍光体およ
びホウ酸インジウム蛍光体を使用した陰極線管に関する
。
スプレィ管等に使用されるホウ酸インジウム蛍光体およ
びホウ酸インジウム蛍光体を使用した陰極線管に関する
。
コンピュータ一端末などのデイスプレィ管用の蛍光体と
して、LA蛍光体[Cd5C誌(PO4)3 : M
n ]が知られている。この蛍光体は発光輝度が高く、
10%残光時間は30m秒程度と比較的長い。従って、
この蛍光体は、デイスプレィ用に使用した場合、優れた
特性を示す。しかしながら、この蛍光体は、全体の重量
の50%以上が有害なカドミウムの為、公害あるいは作
業環境などの観点から、Cdを含有しないものが望まれ
ている。 これに対し、カドミウムを含有しない残光性の蛍光体と
して、InBO3: Eu、Tb (特開昭59−10
5075号)が開発されている。 又、紫外線で刺激されて橙色に発光する、ランプ用に使
用されるホウ酸インジウム蛍光体として、(I n、
Y、 La) BO3: Euが提案されている(
特開昭59−51783号)。 本発明者等は、このホウ酸インジウム蛍光体の74、流
特性を向上する目的で種々の試験を行ったところ、特定
量のSm(サマリウム)を含有させることにより、発光
特性を著しく改善することに成功した。 更に、このInBO3: Eu、Sm蛍光体は、微量の
Tbを含有させることによって、更に発光輝度を向上さ
せることにも成功した。 また、発光輝度を改善する目的で、インジウムの一部を
アルミニウムで置換したホウ酸インジウム蛍光体も開発
されている(特開昭61−127784号)。 これ等の改良されたホウ酸インジウム蛍光体は、従来の
Cdを多く含むLA蛍光体[Cd5C之(BO4)3:
Mn]や、P−4蛍光体[ZnS: Ag+(Zn−
Cd)s: Cu]などに代わり、多く使用されるよう
になった。また、これ等の蛍光体は、投与管用緑色成分
としても有用である。 しかしながら、従来のホウ酸インジウム蛍光体は、P−
53蛍光体やイツトリウムシリケート蛍光体に比し、電
流飽和しやすい欠点があった。 特に、投写管やデイスプレィ管は、その性格上、高電流
密度の電子線で連続的に蛍光膜が照射される結果、電流
飽和や蛍光体の劣化(バーニング)を引き起こし、輝度
が急速に低下しやすい。 本発明の主要な目的は、電流飽和が少なくバーニング特
性に優れ、発光輝度の高いホウ酸インジウム蛍光体、お
よび、ホウ酸インジウム蛍光体を使用した陰極線管を提
供することにある。
して、LA蛍光体[Cd5C誌(PO4)3 : M
n ]が知られている。この蛍光体は発光輝度が高く、
10%残光時間は30m秒程度と比較的長い。従って、
この蛍光体は、デイスプレィ用に使用した場合、優れた
特性を示す。しかしながら、この蛍光体は、全体の重量
の50%以上が有害なカドミウムの為、公害あるいは作
業環境などの観点から、Cdを含有しないものが望まれ
ている。 これに対し、カドミウムを含有しない残光性の蛍光体と
して、InBO3: Eu、Tb (特開昭59−10
5075号)が開発されている。 又、紫外線で刺激されて橙色に発光する、ランプ用に使
用されるホウ酸インジウム蛍光体として、(I n、
Y、 La) BO3: Euが提案されている(
特開昭59−51783号)。 本発明者等は、このホウ酸インジウム蛍光体の74、流
特性を向上する目的で種々の試験を行ったところ、特定
量のSm(サマリウム)を含有させることにより、発光
特性を著しく改善することに成功した。 更に、このInBO3: Eu、Sm蛍光体は、微量の
Tbを含有させることによって、更に発光輝度を向上さ
せることにも成功した。 また、発光輝度を改善する目的で、インジウムの一部を
アルミニウムで置換したホウ酸インジウム蛍光体も開発
されている(特開昭61−127784号)。 これ等の改良されたホウ酸インジウム蛍光体は、従来の
Cdを多く含むLA蛍光体[Cd5C之(BO4)3:
Mn]や、P−4蛍光体[ZnS: Ag+(Zn−
Cd)s: Cu]などに代わり、多く使用されるよう
になった。また、これ等の蛍光体は、投与管用緑色成分
としても有用である。 しかしながら、従来のホウ酸インジウム蛍光体は、P−
53蛍光体やイツトリウムシリケート蛍光体に比し、電
流飽和しやすい欠点があった。 特に、投写管やデイスプレィ管は、その性格上、高電流
密度の電子線で連続的に蛍光膜が照射される結果、電流
飽和や蛍光体の劣化(バーニング)を引き起こし、輝度
が急速に低下しやすい。 本発明の主要な目的は、電流飽和が少なくバーニング特
性に優れ、発光輝度の高いホウ酸インジウム蛍光体、お
よび、ホウ酸インジウム蛍光体を使用した陰極線管を提
供することにある。
【従来の課題を解決する為の手段および作用効果】投射
管やデイスプレィ管の蛍光膜として使用されるInBO
3蛍光体は、時間が経過するに従って発光輝度が低下す
る。それは、高電流密度の電子線で、蛍光膜の同一箇所
が繰り返し照射されることが原因である。高電流密度の
電子線で繰り返し照射されるホウ酸インジウム蛍光体は
、構成元素であるInやTb等が還元されて、B(hと
対を成す結晶格子から金属として分離する。このために
、蛍光体の発光輝度が低下し、あるいは蛍光膜が変色す
る。 この発明は、この現象を抑制するために、InやTb等
の金属イオンと、BO3イオンとの間の結合力をより強
固にしてやることに着目して開発されたものである。本
発明者等は、このことを実現することを目的に、種々の
実験を繰り返した結果、ホウ酸インジウム蛍光体に、特
定量の チタン(T i) リン(P)、 ケイ素(S i) ゲルマニウム(Ge)のうち少なくとも一種を含有させ
ることにより、金属イオンとホウ酸イオンとの結合を強
固にし、電流飽和特性及びバーニング特性を著しく改良
することに成功した。 ホウ酸インジウム蛍光体に含有させるTi、P、Si、
Geの適量は、蛍光体1モルに対して、1×10−7モ
ルより多く1×10〜2モル以下である。 更に、この発明のホウ酸インジウム蛍光体は、Sc、
Y、 La、 Gd、 Lu、 Ba、 S
r、Ca。 Mg、 Li、 Na、 K、 Pr、 AQ
、Ga、TQ、Ce5Dy、 Tm、 Sn、
Zr、 Hf、 Cr、 As、 Sb、 B i
、 v、 Nb、 Ta等を、0.1モル以下微量添加
して、電流飽和特性やバーニング特性を少し改善できる
。 この発明の実施例1〜3で得られたホウ酸インジウム蛍
光体の、相対発光輝度特性とバーニング特性とを第1表
に示す。 この表に示されるように、本発光のホウ酸インジウム蛍
光体は、従来のものに比較して、極めて優れたバーニン
グ特性を実現する。すなわち、従1表 一以下余白一 来のホウ酸インジウム蛍光体が、下記の強制劣化試験の
後に、発光輝度が約7〜8%も低下したのに対し、本発
明のホウ酸インジウム蛍光体は、強制劣化試験後の輝度
低下率がわずかに2〜3%に過ぎず、極めて優れたバー
ニング特性を示した。 ただし、バーニング特性は次の条件で測定した。 パイレックスガラスに蛍光体を塗布し、アクリルラッカ
ーフィルミング、メタルバックを施し、これを蛍光体輝
度測定装置にセットして測定した。 強制劣化試験のために、電子銃の加速電圧を27kV、
電流密度を20μA/cm2として、30分間蛍光体塗
布膜を走査し、蛍光体膜を強制劣化させた。 強制劣化させる前後で、蛍光体塗布膜の発光輝度を測定
した。この状態では、加速電圧、27kV、電流密度0
.5μA/cm2として発光輝度を測定した。強制劣化
試験前の輝度を100%とし、強制劣化試験後の輝度を
バーニング後の発光輝度とした。 この発明のホウ酸インジウム蛍光体は、Ti、P、Si
、Geの含有量によってバーニング特性が変化する。こ
れ等の含有量には最適値がある。 第1図(1)〜(4)は、これ等の含有量に対するバー
ニング特性を示している。 チタンの含有量を変化させて、多数の蛍光体を試作し、
チタン含有量に対するバーニング特性を測定した。その
結果を第1図(1)に示す。この図から明かなように、
ホウ酸インジウム蛍光体は、チタンの含有量が10−3
モル付近で最も優れたバーニング特性を示し、10−7
〜10−2モルの範囲で従来品よりも優れた特性を示す
。 ゲルマニウムの含有量を変化させて、多数の蛍光体を試
作し、ゲルマニウム含有量に対するバーニング特性を測
定した。その結果を第1図(2)に示す。この図から明
かなように、ホウ酸インジウム蛍光体は、ゲルマニウム
の含有量が10−4モル付近で最も優れたバーニング特
性を示し、107〜10−2モルの範囲で従来品よりも
優れた特性を示す。 燐およびケイ素の含有量を変化させてバーニング特性を
測定した結果を第1図の(3)および(4)に示してい
る。このグラフから明かなように、燐およびケイ素の含
有量は、10−7〜1O−2モルの範囲に調整される。 第2図には、本発明の電流飽和特性を示す。点線は、電
流飽和を起こさない理想の蛍光体の特性を示す。この蛍
光体は、電流密度に比例して直線的に輝度が高くなる。 曲線l、2.3は、それぞれ実施例1.2.3の特性を
示している。 比較例1、比較例2、比較例3は、それぞれ比較例1.
2.3で示される蛍光体の電流飽和曲線を示す。 この表に示される様に、本発明のホウ酸インジウム蛍光
体は、従来のものに比較して、極めて侵れた電流飽和特
性を実現する。すなわち、従来のホウ酸インジウム蛍光
体が、電流密度の上昇につれ、大幅な輝度飽和を示すの
に対し、本発明のホウ酸インジウム蛍光体は、理想の蛍
光体の特性を示す鎖線に近い、リニアーな特性を示す。
管やデイスプレィ管の蛍光膜として使用されるInBO
3蛍光体は、時間が経過するに従って発光輝度が低下す
る。それは、高電流密度の電子線で、蛍光膜の同一箇所
が繰り返し照射されることが原因である。高電流密度の
電子線で繰り返し照射されるホウ酸インジウム蛍光体は
、構成元素であるInやTb等が還元されて、B(hと
対を成す結晶格子から金属として分離する。このために
、蛍光体の発光輝度が低下し、あるいは蛍光膜が変色す
る。 この発明は、この現象を抑制するために、InやTb等
の金属イオンと、BO3イオンとの間の結合力をより強
固にしてやることに着目して開発されたものである。本
発明者等は、このことを実現することを目的に、種々の
実験を繰り返した結果、ホウ酸インジウム蛍光体に、特
定量の チタン(T i) リン(P)、 ケイ素(S i) ゲルマニウム(Ge)のうち少なくとも一種を含有させ
ることにより、金属イオンとホウ酸イオンとの結合を強
固にし、電流飽和特性及びバーニング特性を著しく改良
することに成功した。 ホウ酸インジウム蛍光体に含有させるTi、P、Si、
Geの適量は、蛍光体1モルに対して、1×10−7モ
ルより多く1×10〜2モル以下である。 更に、この発明のホウ酸インジウム蛍光体は、Sc、
Y、 La、 Gd、 Lu、 Ba、 S
r、Ca。 Mg、 Li、 Na、 K、 Pr、 AQ
、Ga、TQ、Ce5Dy、 Tm、 Sn、
Zr、 Hf、 Cr、 As、 Sb、 B i
、 v、 Nb、 Ta等を、0.1モル以下微量添加
して、電流飽和特性やバーニング特性を少し改善できる
。 この発明の実施例1〜3で得られたホウ酸インジウム蛍
光体の、相対発光輝度特性とバーニング特性とを第1表
に示す。 この表に示されるように、本発光のホウ酸インジウム蛍
光体は、従来のものに比較して、極めて優れたバーニン
グ特性を実現する。すなわち、従1表 一以下余白一 来のホウ酸インジウム蛍光体が、下記の強制劣化試験の
後に、発光輝度が約7〜8%も低下したのに対し、本発
明のホウ酸インジウム蛍光体は、強制劣化試験後の輝度
低下率がわずかに2〜3%に過ぎず、極めて優れたバー
ニング特性を示した。 ただし、バーニング特性は次の条件で測定した。 パイレックスガラスに蛍光体を塗布し、アクリルラッカ
ーフィルミング、メタルバックを施し、これを蛍光体輝
度測定装置にセットして測定した。 強制劣化試験のために、電子銃の加速電圧を27kV、
電流密度を20μA/cm2として、30分間蛍光体塗
布膜を走査し、蛍光体膜を強制劣化させた。 強制劣化させる前後で、蛍光体塗布膜の発光輝度を測定
した。この状態では、加速電圧、27kV、電流密度0
.5μA/cm2として発光輝度を測定した。強制劣化
試験前の輝度を100%とし、強制劣化試験後の輝度を
バーニング後の発光輝度とした。 この発明のホウ酸インジウム蛍光体は、Ti、P、Si
、Geの含有量によってバーニング特性が変化する。こ
れ等の含有量には最適値がある。 第1図(1)〜(4)は、これ等の含有量に対するバー
ニング特性を示している。 チタンの含有量を変化させて、多数の蛍光体を試作し、
チタン含有量に対するバーニング特性を測定した。その
結果を第1図(1)に示す。この図から明かなように、
ホウ酸インジウム蛍光体は、チタンの含有量が10−3
モル付近で最も優れたバーニング特性を示し、10−7
〜10−2モルの範囲で従来品よりも優れた特性を示す
。 ゲルマニウムの含有量を変化させて、多数の蛍光体を試
作し、ゲルマニウム含有量に対するバーニング特性を測
定した。その結果を第1図(2)に示す。この図から明
かなように、ホウ酸インジウム蛍光体は、ゲルマニウム
の含有量が10−4モル付近で最も優れたバーニング特
性を示し、107〜10−2モルの範囲で従来品よりも
優れた特性を示す。 燐およびケイ素の含有量を変化させてバーニング特性を
測定した結果を第1図の(3)および(4)に示してい
る。このグラフから明かなように、燐およびケイ素の含
有量は、10−7〜1O−2モルの範囲に調整される。 第2図には、本発明の電流飽和特性を示す。点線は、電
流飽和を起こさない理想の蛍光体の特性を示す。この蛍
光体は、電流密度に比例して直線的に輝度が高くなる。 曲線l、2.3は、それぞれ実施例1.2.3の特性を
示している。 比較例1、比較例2、比較例3は、それぞれ比較例1.
2.3で示される蛍光体の電流飽和曲線を示す。 この表に示される様に、本発明のホウ酸インジウム蛍光
体は、従来のものに比較して、極めて侵れた電流飽和特
性を実現する。すなわち、従来のホウ酸インジウム蛍光
体が、電流密度の上昇につれ、大幅な輝度飽和を示すの
に対し、本発明のホウ酸インジウム蛍光体は、理想の蛍
光体の特性を示す鎖線に近い、リニアーな特性を示す。
以下、本発明の実施例について説明する。
(実施例1)
ホウ酸インジウム蛍光体は、下記の工程で製造される。
■ 原料調整工程
酸化インジウム(In203)
・・・・・・0.7210モル
酸化テルビウム(TI)40v)
・・・・・・0.0029モル
ホウ酸(H3B O3)
・・・・・・2.8573モル
酸化チタン(TiO2)
・・・・・・0.0013モル
上記各原料に水を加えペースト状にして充分混合し、1
10℃で10時間乾燥する。 ■ 焼成工程 混合原料をアルミナルツボに詰め、1250℃で4時間
焼成する。 ■ 後処理工程 焼成品を粉砕し、温水で数回洗浄し、乾燥した後フルイ
にかけて仕上げた。 得られたホウ酸インジウム蛍光体を分析した結果、この
蛍光体は200ppmのチタンを含有していた。 このホウ酸インジウム蛍光体の輝度とバーニング特性と
を従来のホウ酸インジウム蛍光体に比較して測定した。 従来のホウ酸インジウム蛍光体には、Tiを含有しない
他は同一組成のものを使用した。従来品に比較して、得
られたホウ酸インジウム蛍光体は、輝度が5%高くなっ
た。強制劣化試験後の輝度は、従来品が93%であった
のに対し、この実施例で得られた蛍光体は、98%と大
幅に改良された。 (実施例2) ホウ酸インジウム蛍光体は、下記の工程で製造される。 蛍光体原料を下記のものに変更する以外、実施例1と同
様にして、ホウ酸インジウム蛍光体を製造する。 酸化インジウム(In203) ・・・・・・0.7200モル 酸化テルビウム(TbaOr) ・・・・・・0.0020モル 酸化ユーロピウム(Eu203) ・・・・・・0.0020モル ホウ酸(H3B O3) ・・・・・・2.8562モル 酸化ゲルマニウム(CeO2) ・・・・−・0.0008モル これ等の原料を実施例1と同様にして、混合、乾燥、焼
成、処理して蛍光体を仕上げた。 得られたホウ酸インジウム蛍光体を分析した結果、この
蛍光体は、150ppmのゲルマニウムを含有していた
。 このホウ酸インジウム蛍光体の輝度とバーニング特性と
を従来のホウ酸インジウム蛍光体に比較して測定した。 従来のホウ酸インジウム蛍光体には、Geを含有しない
他は同一組成のものを使用した。従来品に比較して、得
られたホウ酸インジウム蛍光体は、輝度が6%高くなっ
た。強制劣化試験後の輝度は、従来品が92%であった
のに対し、この実施例で得られた蛍光体は、97%と大
幅に改良された。 (実施例3) 蛍光体原料を下記のものに変更する以外、実施例1と同
様にしてホウ酸インジウム蛍光体を製造する。 酸化インジウム(In203) ・・・・・・0.7200モル 酸化ユーロピウム(Eu2o3) ・・・・・・0.0020モル 酸化サマリウム(Sm203) ・・・・・・0.0002モル ホウ酸(H3BO3) ・・・・・・2゜ 二酸化ケイ素(Sio2) ・・・・・・0゜ 二酸化チタン(TiO2) ・・−・・・0゜ 5851モル 0006モル 0008モル 実施例1と同様にして、原料を混合、乾燥、焼成、処理
して、蛍光体を仕上げた。 得られたホウ酸インジウム蛍光体を分析した結果、この
蛍光体は、70ppmのケイ素と、120ppmのチタ
ンとを含有していた。 このホウ酸インジウム蛍光体の輝度とバーニング特性と
を、従来のホウ酸インジウム蛍光体に比較して測定した
。従来のホウ酸インジウム蛍光体には、SiとT1とを
含有しない他は同一組成のものを使用した。従来品に比
較して、得られたホウ酸インジウム蛍光体は、輝度が4
%高くなった。 強制劣化試験後の輝度は、従来品が93%であったのに
対し、この実施例で得られた蛍光体は、98.5%と大
幅に改良された。 (実施例4) ホウ酸インジウム蛍光体は、表面に顔料を付着して、コ
ントラストを良くすることができる。顔料付のホウ酸イ
ンジウム蛍光体は、下記の工程で製造される。 ■ 実施例3で得られた、SiとTiとを含有するIn
BO3:Eu、sm蛍光体1kgを、水5誌中に分散し
、赤色顔料として、ベンガラ13gを加えて良く攪拌混
合する。 ■ 次に5%ゼラチン(JI’SI種)10mmと、5
%ポリアクリル酸ナトリウム5m誌を加えて、10分間
攪拌を続ける。 ■ その後、20%酢酸を添加して、液体のPHを4に
調整する。この懸濁液を10〜15分熟成した後、濾過
、水洗して乾燥する。 得られたホウ酸インジウム蛍光体は、表面にベンガラが
付着さている。この蛍光体の分光反射率を第3図の曲線
Bに示す。この図に示されるように、顔料が付着された
ホウ酸インジウム蛍光体は、短波長領域の光をよく吸収
し、コントラストが向上する。この図において、曲線A
は表面にベンガラが付着されないホウ酸インジウム蛍光
体の分光反射率を示している。 顔料付のホウ酸インジウム蛍光体のバーニング特性を測
定した結果、実施例3で得られた蛍光体と同じように優
れた特性を示した。 橙色発光のホウ酸インジウム蛍光体の表面には、ベンガ
ラを付着させるが、緑色発光のホウ酸インジウム蛍光体
には、緑色顔料として、例えば、アルミン酸コバルト、
チタン酸亜鉛コバルト等を付着する。 顔料の付着量は、蛍光体に対して、通常、0.001〜
2.0重量%の範囲に調整される。 (実施例5) 実施例1および実施例3で得られた、緑色および橙色発
光のホウ酸インジウム蛍光体に、ZnS:Ag、AQ青
色発光蛍光体を下記組成式で混合し、K2S i 03
8 a (NO3) 2ヲ使用して沈澱膜を作成した
。 混合する蛍光体には下記の■および■を使用した。 ■ Ti含有T nBO3: T l) (実施例1)
緑色発光蛍光体・・・・・・45.0重量%■ Ti、
Si含有InBO3: Eu、Sm橙色発光蛍光体・・
・・・・29.5重量%■ ZnS: Ag−A企 青色発光蛍光体・・・・・・25.5重量%これ等の蛍
光体を混合して、第4図に示すように、フェースプレー
トの内面に塗布して陰極線管とした。この陰極線管は、
発光色が白色で、従来の陰極線管に比較して優れたバー
ニング特性を示した。 従来の陰極線管には、■と■のホウ酸インジウム蛍光体
から、T1とSiとを除き、その他の組成を同一にした
ものを使用した。 従来の陰極線管は、加速電圧27 k V、電流密度5
It Aで100時間使用して、発光輝度が10%低
下したのに対し、実施例5で得られた陰極線管は、発光
輝度の低下が5.5となフて4.5%も少なくなフた。 この実施例は、青色発光の蛍光体にZnS: Ag−A
Q蛍光体を使用して発光色を白色とこしている。ホウ酸
インジウム蛍光体は、他の蛍光体と混合して使用するこ
とによって、白色あるいは橙色発光の陰極線管として使
用することが可能である。 例えば、ホウ酸インジウム蛍光体に混合して使用される
蛍光体には下記のものがある。 ■ 緑色発光蛍光体として Z n2s i Oa : Mn。 Zn25 io4: Mn、AS− YaA誌so+2: Tb Y3(AQ、Ga)5012: Tb、Y2O2S:
Tb。 ZnO:Zn。 Z n S : Cu HAQ、 ZnS: Cu、Au+ All、 Y2S i Os : T b等が使用できる。 ■ 白色蛍光体として ZnS:Ag。 Y AO−03: Ce。 Y2S ios: Ce。 ZnS: Zn Y2O2S:Tb等が使用できる。 ■ 黄色発光蛍光体として、 YsAQsO+2: Ce。 Yz (AJly G a) 6012 : Ce。 Gd2O2S:Tb等が使用できる。 ■ 橙色発光蛍光体として、 CaS ios: PI)、 Mn。 (Z n−M、g) F2: Mn等が使用できる。 ■ 赤色発光蛍光体として、 Y2O3:Eu。 Y2O2S: Eu。 (Zn−Ca)2 (Po、4)3: Mn。 Y VOa : E u− Mg S i Oa : Mn等が使用できる。
10℃で10時間乾燥する。 ■ 焼成工程 混合原料をアルミナルツボに詰め、1250℃で4時間
焼成する。 ■ 後処理工程 焼成品を粉砕し、温水で数回洗浄し、乾燥した後フルイ
にかけて仕上げた。 得られたホウ酸インジウム蛍光体を分析した結果、この
蛍光体は200ppmのチタンを含有していた。 このホウ酸インジウム蛍光体の輝度とバーニング特性と
を従来のホウ酸インジウム蛍光体に比較して測定した。 従来のホウ酸インジウム蛍光体には、Tiを含有しない
他は同一組成のものを使用した。従来品に比較して、得
られたホウ酸インジウム蛍光体は、輝度が5%高くなっ
た。強制劣化試験後の輝度は、従来品が93%であった
のに対し、この実施例で得られた蛍光体は、98%と大
幅に改良された。 (実施例2) ホウ酸インジウム蛍光体は、下記の工程で製造される。 蛍光体原料を下記のものに変更する以外、実施例1と同
様にして、ホウ酸インジウム蛍光体を製造する。 酸化インジウム(In203) ・・・・・・0.7200モル 酸化テルビウム(TbaOr) ・・・・・・0.0020モル 酸化ユーロピウム(Eu203) ・・・・・・0.0020モル ホウ酸(H3B O3) ・・・・・・2.8562モル 酸化ゲルマニウム(CeO2) ・・・・−・0.0008モル これ等の原料を実施例1と同様にして、混合、乾燥、焼
成、処理して蛍光体を仕上げた。 得られたホウ酸インジウム蛍光体を分析した結果、この
蛍光体は、150ppmのゲルマニウムを含有していた
。 このホウ酸インジウム蛍光体の輝度とバーニング特性と
を従来のホウ酸インジウム蛍光体に比較して測定した。 従来のホウ酸インジウム蛍光体には、Geを含有しない
他は同一組成のものを使用した。従来品に比較して、得
られたホウ酸インジウム蛍光体は、輝度が6%高くなっ
た。強制劣化試験後の輝度は、従来品が92%であった
のに対し、この実施例で得られた蛍光体は、97%と大
幅に改良された。 (実施例3) 蛍光体原料を下記のものに変更する以外、実施例1と同
様にしてホウ酸インジウム蛍光体を製造する。 酸化インジウム(In203) ・・・・・・0.7200モル 酸化ユーロピウム(Eu2o3) ・・・・・・0.0020モル 酸化サマリウム(Sm203) ・・・・・・0.0002モル ホウ酸(H3BO3) ・・・・・・2゜ 二酸化ケイ素(Sio2) ・・・・・・0゜ 二酸化チタン(TiO2) ・・−・・・0゜ 5851モル 0006モル 0008モル 実施例1と同様にして、原料を混合、乾燥、焼成、処理
して、蛍光体を仕上げた。 得られたホウ酸インジウム蛍光体を分析した結果、この
蛍光体は、70ppmのケイ素と、120ppmのチタ
ンとを含有していた。 このホウ酸インジウム蛍光体の輝度とバーニング特性と
を、従来のホウ酸インジウム蛍光体に比較して測定した
。従来のホウ酸インジウム蛍光体には、SiとT1とを
含有しない他は同一組成のものを使用した。従来品に比
較して、得られたホウ酸インジウム蛍光体は、輝度が4
%高くなった。 強制劣化試験後の輝度は、従来品が93%であったのに
対し、この実施例で得られた蛍光体は、98.5%と大
幅に改良された。 (実施例4) ホウ酸インジウム蛍光体は、表面に顔料を付着して、コ
ントラストを良くすることができる。顔料付のホウ酸イ
ンジウム蛍光体は、下記の工程で製造される。 ■ 実施例3で得られた、SiとTiとを含有するIn
BO3:Eu、sm蛍光体1kgを、水5誌中に分散し
、赤色顔料として、ベンガラ13gを加えて良く攪拌混
合する。 ■ 次に5%ゼラチン(JI’SI種)10mmと、5
%ポリアクリル酸ナトリウム5m誌を加えて、10分間
攪拌を続ける。 ■ その後、20%酢酸を添加して、液体のPHを4に
調整する。この懸濁液を10〜15分熟成した後、濾過
、水洗して乾燥する。 得られたホウ酸インジウム蛍光体は、表面にベンガラが
付着さている。この蛍光体の分光反射率を第3図の曲線
Bに示す。この図に示されるように、顔料が付着された
ホウ酸インジウム蛍光体は、短波長領域の光をよく吸収
し、コントラストが向上する。この図において、曲線A
は表面にベンガラが付着されないホウ酸インジウム蛍光
体の分光反射率を示している。 顔料付のホウ酸インジウム蛍光体のバーニング特性を測
定した結果、実施例3で得られた蛍光体と同じように優
れた特性を示した。 橙色発光のホウ酸インジウム蛍光体の表面には、ベンガ
ラを付着させるが、緑色発光のホウ酸インジウム蛍光体
には、緑色顔料として、例えば、アルミン酸コバルト、
チタン酸亜鉛コバルト等を付着する。 顔料の付着量は、蛍光体に対して、通常、0.001〜
2.0重量%の範囲に調整される。 (実施例5) 実施例1および実施例3で得られた、緑色および橙色発
光のホウ酸インジウム蛍光体に、ZnS:Ag、AQ青
色発光蛍光体を下記組成式で混合し、K2S i 03
8 a (NO3) 2ヲ使用して沈澱膜を作成した
。 混合する蛍光体には下記の■および■を使用した。 ■ Ti含有T nBO3: T l) (実施例1)
緑色発光蛍光体・・・・・・45.0重量%■ Ti、
Si含有InBO3: Eu、Sm橙色発光蛍光体・・
・・・・29.5重量%■ ZnS: Ag−A企 青色発光蛍光体・・・・・・25.5重量%これ等の蛍
光体を混合して、第4図に示すように、フェースプレー
トの内面に塗布して陰極線管とした。この陰極線管は、
発光色が白色で、従来の陰極線管に比較して優れたバー
ニング特性を示した。 従来の陰極線管には、■と■のホウ酸インジウム蛍光体
から、T1とSiとを除き、その他の組成を同一にした
ものを使用した。 従来の陰極線管は、加速電圧27 k V、電流密度5
It Aで100時間使用して、発光輝度が10%低
下したのに対し、実施例5で得られた陰極線管は、発光
輝度の低下が5.5となフて4.5%も少なくなフた。 この実施例は、青色発光の蛍光体にZnS: Ag−A
Q蛍光体を使用して発光色を白色とこしている。ホウ酸
インジウム蛍光体は、他の蛍光体と混合して使用するこ
とによって、白色あるいは橙色発光の陰極線管として使
用することが可能である。 例えば、ホウ酸インジウム蛍光体に混合して使用される
蛍光体には下記のものがある。 ■ 緑色発光蛍光体として Z n2s i Oa : Mn。 Zn25 io4: Mn、AS− YaA誌so+2: Tb Y3(AQ、Ga)5012: Tb、Y2O2S:
Tb。 ZnO:Zn。 Z n S : Cu HAQ、 ZnS: Cu、Au+ All、 Y2S i Os : T b等が使用できる。 ■ 白色蛍光体として ZnS:Ag。 Y AO−03: Ce。 Y2S ios: Ce。 ZnS: Zn Y2O2S:Tb等が使用できる。 ■ 黄色発光蛍光体として、 YsAQsO+2: Ce。 Yz (AJly G a) 6012 : Ce。 Gd2O2S:Tb等が使用できる。 ■ 橙色発光蛍光体として、 CaS ios: PI)、 Mn。 (Z n−M、g) F2: Mn等が使用できる。 ■ 赤色発光蛍光体として、 Y2O3:Eu。 Y2O2S: Eu。 (Zn−Ca)2 (Po、4)3: Mn。 Y VOa : E u− Mg S i Oa : Mn等が使用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図(1)〜(4)はTi、 Ge、 P、 Si含
有量に対するバーニング特性を示すグラフ、第2図は電
流飽和特性を示すグラフ、第3図は蛍光体の分光反射率
を示すグラフ、第4図はフェースプレートに塗布された
蛍光膜を示す断面図である。 第1図(1) 第 図(3) 10−7 10−6 10−5 10’ 10−31
0“2T1含有量 (モル) +o−’ 10−6 10−510〜J to−31
0−2P含有量・(モル) 第 図 (−1 Ge含有は(モ)v) 10−7 1α6 10−5 10−102 1O−2
S1含有量(モル) 第 図 1に 流 幅・ 度 (μA/ff1) (27に) 手続補正書泪発) 3、補正をする者 事件との関係
有量に対するバーニング特性を示すグラフ、第2図は電
流飽和特性を示すグラフ、第3図は蛍光体の分光反射率
を示すグラフ、第4図はフェースプレートに塗布された
蛍光膜を示す断面図である。 第1図(1) 第 図(3) 10−7 10−6 10−5 10’ 10−31
0“2T1含有量 (モル) +o−’ 10−6 10−510〜J to−31
0−2P含有量・(モル) 第 図 (−1 Ge含有は(モ)v) 10−7 1α6 10−5 10−102 1O−2
S1含有量(モル) 第 図 1に 流 幅・ 度 (μA/ff1) (27に) 手続補正書泪発) 3、補正をする者 事件との関係
Claims (2)
- (1) 下記の組成式で表されることを特徴とするホウ
酸インジウム蛍光体。 (In_1_−_a_−_b_−_c_−_dTb_a
Eu_bSm_cM_d)BO_3ただし、式中のa、
b、c、dは、下記の範囲の数値である。 1×10^−^6≦a≦1×10^−^2 0≦b≦1×10^−^2 0≦c≦1×10^−^3 1×10^−^7≦d≦1×10^−^2 また、式中Mは、Ti、P、Si、Geのうち少なくと
も一種である。 - (2) 下記の組成式のホウ酸インジウム蛍光体に、緑
色発光蛍光体と、白色発光蛍光体と、黄色発光蛍光体と
、橙色発光蛍光体のいずれかを混合してなる蛍光膜を備
える陰極線管。 (In_1_−_a_−_b_−_c_−_dTb_a
Eu_bSm_cM_d)BO_3ただし、式中のa、
b、c、dは、下記の範囲の数値である。 1×10^−^6≦a≦1×10^−^2 0≦b≦1×10^−^2 0≦c≦1×10^−^3 1×10^−^7≦d≦1×10^−^2 また、式中Mは、Ti、P、Si、Geのうち少なくと
も一種である。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1082644A JPH0717901B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | ホウ酸インジウム蛍光体および陰極線管 |
EP90106165A EP0390194B1 (en) | 1989-03-31 | 1990-03-30 | Indium borate phosphor and cathode-ray tube using the same |
DE69014951T DE69014951D1 (de) | 1989-03-31 | 1990-03-30 | Indiumboratphosphor und diesen verwendende Kathodestrahlröhre. |
US08/126,733 US5386176A (en) | 1989-03-31 | 1993-09-27 | Cathode-ray tube containing an indium borate phosphor |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP1082644A JPH0717901B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | ホウ酸インジウム蛍光体および陰極線管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02261891A true JPH02261891A (ja) | 1990-10-24 |
JPH0717901B2 JPH0717901B2 (ja) | 1995-03-01 |
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ID=13780136
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