JPH0263294B2 - - Google Patents
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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Description
【発明の詳細な説明】
A 産業上の利用分野
本発明は、半導体ウエハのSiO2の焼鈍処理に
関する。
関する。
B 開示の概要
金属酸化物半導体(MOS)ウエハのSiO2膜の
焼鈍処理。流動酸素中にて輻射加熱源で加熱す
る。
焼鈍処理。流動酸素中にて輻射加熱源で加熱す
る。
C 従来技術
MOSウエハにおけるSiO2層の電子的特性を改
善するため1000℃で相当永く焼鈍することは既知
である。しかし急速焼鈍(アニーリング)につい
ては何ら示されていない。
善するため1000℃で相当永く焼鈍することは既知
である。しかし急速焼鈍(アニーリング)につい
ては何ら示されていない。
D 発明が解決しようとする問題点
SiO2のホール・トラツピングを減らし、放射
強度を上げ、絶縁性を改善したい要求があつた。
強度を上げ、絶縁性を改善したい要求があつた。
E 問題点を解決するための手段
本発明は強いハロゲン・ランプの輻射でウエハ
を急速加熱し、他の処理工程の分断や永く待つ期
間なしに焼鈍を行なうことができる。
を急速加熱し、他の処理工程の分断や永く待つ期
間なしに焼鈍を行なうことができる。
F 作用
ハロゲン・ランプにより急加熱ができ、ウエハ
上のSiO2の特性が向上する。
上のSiO2の特性が向上する。
G 実施例
本発明はMOS回路ウエハのSiO2絶縁膜の特性
をよくするための処理である。第1図でウエハ1
の面上にSiO2絶縁体2があり、この面には後に
導体が付着される。ウエハは水晶板3の上に置か
れ、水晶容器4内に置かれる。入口5から酸素ガ
スが入れられる。ガスは出口6から出る。ランプ
の列7がオンにされるとウエハ1が所望の焼鈍温
度に急速に加熱される。タングステン・ハロゲ
ン・ランプがランプの一例である。
をよくするための処理である。第1図でウエハ1
の面上にSiO2絶縁体2があり、この面には後に
導体が付着される。ウエハは水晶板3の上に置か
れ、水晶容器4内に置かれる。入口5から酸素ガ
スが入れられる。ガスは出口6から出る。ランプ
の列7がオンにされるとウエハ1が所望の焼鈍温
度に急速に加熱される。タングステン・ハロゲ
ン・ランプがランプの一例である。
厚さ100〜1000ÅのSiO2膜の焼鈍は常圧のO2
(酸素)雰囲気中でなされる。好適な温度、時間
は1000℃、100秒程度である。実用上の範囲は10
〜300秒である。100秒が最良である。
(酸素)雰囲気中でなされる。好適な温度、時間
は1000℃、100秒程度である。実用上の範囲は10
〜300秒である。100秒が最良である。
第2図は焼鈍によるホール・トラツピングの減
少効果を示す。MOSキヤパシタ構造におけるホ
ール注入時間の関数としてのフラツトバンド電圧
シフトを示している。フラツトバンド電圧シフト
は、SiO2中のホール・トラツピングの量に比例
している。コントロールと記したカーブは焼鈍前
の高いトラツピングを示す。他のカーブは急加熱
焼鈍(RTA)後のトラツピングを示し、数字は
焼鈍時間(秒)である。特に100秒の場合は劇的
なホール・トラツピングの減少を示し、0のレベ
ルに達している。
少効果を示す。MOSキヤパシタ構造におけるホ
ール注入時間の関数としてのフラツトバンド電圧
シフトを示している。フラツトバンド電圧シフト
は、SiO2中のホール・トラツピングの量に比例
している。コントロールと記したカーブは焼鈍前
の高いトラツピングを示す。他のカーブは急加熱
焼鈍(RTA)後のトラツピングを示し、数字は
焼鈍時間(秒)である。特に100秒の場合は劇的
なホール・トラツピングの減少を示し、0のレベ
ルに達している。
RTAの前に窒素で前処理するとRTAの焼鈍特
性に改良がみられる。この前処理は例えば窒素中
での永い酸化後焼鈍(POA)等の処理で、シリ
コン−2酸化シリコン相接面に窒素原子を与え
る。例えば1000℃の窒素中で17時間のPOAがな
される。
性に改良がみられる。この前処理は例えば窒素中
での永い酸化後焼鈍(POA)等の処理で、シリ
コン−2酸化シリコン相接面に窒素原子を与え
る。例えば1000℃の窒素中で17時間のPOAがな
される。
H 発明の効果
永い時間をかけての焼鈍につきものの汚染や不
所望の拡散等なしに、ホール・トラピングが減
り、輻射強度が増したウエハが簡単な工程で得ら
れる。温度の制御も楽である。
所望の拡散等なしに、ホール・トラピングが減
り、輻射強度が増したウエハが簡単な工程で得ら
れる。温度の制御も楽である。
第1図は本願実施例の側面図、第2図はホー
ル・トラツピングのグラフである。 1…ウエハ、2…SiO2、5…入口、6…出口、
7…ランプ。
ル・トラツピングのグラフである。 1…ウエハ、2…SiO2、5…入口、6…出口、
7…ランプ。
Claims (1)
- 1 半導体ウエハ上のSiO2膜の特性を改善する
ために、上記ウエハを酸素ガス中に置いて輻射加
熱源により1000℃に加熱し100秒間焼鈍するウエ
ハ処理法。
Applications Claiming Priority (2)
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US06/635,391 US4585492A (en) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | Rapid thermal annealing of silicon dioxide for reduced hole trapping |
US635391 | 1984-07-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6142145A JPS6142145A (ja) | 1986-02-28 |
JPH0263294B2 true JPH0263294B2 (ja) | 1990-12-27 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP7455685A Granted JPS6142145A (ja) | 1984-07-30 | 1985-04-10 | ウエハ処理法 |
Country Status (4)
Country | Link |
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EP (1) | EP0170848B1 (ja) |
JP (1) | JPS6142145A (ja) |
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US4784975A (en) * | 1986-10-23 | 1988-11-15 | International Business Machines Corporation | Post-oxidation anneal of silicon dioxide |
US4927770A (en) * | 1988-11-14 | 1990-05-22 | Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia | Method of fabricating back surface point contact solar cells |
US4933022A (en) * | 1988-11-14 | 1990-06-12 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford Univ. & Electric Power Research Institute | Solar cell having interdigitated contacts and internal bypass diodes |
US4933021A (en) * | 1988-11-14 | 1990-06-12 | Electric Power Research Institute | Monolithic series-connected solar cells employing shorted p-n junctions for electrical isolation |
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US5264724A (en) * | 1989-02-13 | 1993-11-23 | The University Of Arkansas | Silicon nitride for application as the gate dielectric in MOS devices |
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KR0131062B1 (ko) * | 1992-08-27 | 1998-04-14 | 순페이 야마자끼 | 반도체장치 제작방법 |
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JP3518122B2 (ja) * | 1996-01-12 | 2004-04-12 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5904575A (en) * | 1997-02-14 | 1999-05-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus incorporating nitrogen selectively for differential oxide growth |
TW388095B (en) * | 1997-05-20 | 2000-04-21 | United Microelectronics Corp | Method for improving planarization of dielectric layer in interconnect metal process |
JP3754234B2 (ja) | 1998-04-28 | 2006-03-08 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ゲート構造側壁の酸化膜の形成方法 |
CN100442454C (zh) | 2000-09-19 | 2008-12-10 | 马特森技术公司 | 形成介电薄膜的方法 |
GB2370043A (en) * | 2000-12-12 | 2002-06-19 | Mitel Corp | Chemical treatment of silica films |
SG110043A1 (en) * | 2003-05-07 | 2005-04-28 | Systems On Silicon Mfg Co Pte | Rapid thermal annealing of silicon structures |
US7632729B2 (en) * | 2006-09-27 | 2009-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for semiconductor device performance enhancement |
US8693553B2 (en) * | 2007-12-28 | 2014-04-08 | Nokia Corporation | Methods, apparatuses, and computer program products for adaptive synchronized decoding of digital video |
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---|---|---|---|---|
BE674294A (ja) * | 1964-12-28 | |||
US3615873A (en) * | 1969-06-03 | 1971-10-26 | Sprague Electric Co | Method of stabilizing mos devices |
US4431900A (en) * | 1982-01-15 | 1984-02-14 | Fairchild Camera & Instrument Corporation | Laser induced flow Ge-O based materials |
-
1984
- 1984-07-30 US US06/635,391 patent/US4585492A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-04-10 JP JP7455685A patent/JPS6142145A/ja active Granted
- 1985-06-24 DE DE8585107740T patent/DE3580417D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-06-24 EP EP85107740A patent/EP0170848B1/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0170848B1 (en) | 1990-11-07 |
EP0170848A3 (en) | 1987-07-01 |
DE3580417D1 (de) | 1990-12-13 |
US4585492A (en) | 1986-04-29 |
JPS6142145A (ja) | 1986-02-28 |
EP0170848A2 (en) | 1986-02-12 |
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