JPH0258780B2 - - Google Patents
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- JPH0258780B2 JPH0258780B2 JP6341482A JP6341482A JPH0258780B2 JP H0258780 B2 JPH0258780 B2 JP H0258780B2 JP 6341482 A JP6341482 A JP 6341482A JP 6341482 A JP6341482 A JP 6341482A JP H0258780 B2 JPH0258780 B2 JP H0258780B2
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 7
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- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置、特に、リード部、電極
部および電極部に電気的に結合された半導体素子
を樹脂でモールドしてなる半導体装置に関するも
のである。
部および電極部に電気的に結合された半導体素子
を樹脂でモールドしてなる半導体装置に関するも
のである。
第１図は、この種の半導体装置の構造を示すも
ので、１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄはリード部１
１の先端の平板部が半導体素子の電極部１３を形
成し、この電極部１３に続く折り曲げ部Ｌ字型に
曲げられ、立上り部に薄板構造部１２を有するリ
ード線である。２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄは四
個のリード線１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄを井桁状に
組合せる際の重複部に取り付けられた半導体素
子、３は半導体素子２が取り付けられたリード線
１をリード線１のリード部１１の一部を除いてモ
ールドした樹脂である。
ので、１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄはリード部１
１の先端の平板部が半導体素子の電極部１３を形
成し、この電極部１３に続く折り曲げ部Ｌ字型に
曲げられ、立上り部に薄板構造部１２を有するリ
ード線である。２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄは四
個のリード線１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄを井桁状に
組合せる際の重複部に取り付けられた半導体素
子、３は半導体素子２が取り付けられたリード線
１をリード線１のリード部１１の一部を除いてモ
ールドした樹脂である。
しかし、このような構造を有する半導体装置
は、リード線１の電極部１３とモールドした樹脂
３との熱膨張率の差により半導体装置の温度が低
下した場合には、第１図と同一部分には同一符号
で示した第２図の平断面図、第３図の縦断面図に
おいて矢印４で示す方向へモールドした樹脂３が
収縮するため、リード部１１は矢印４の方向へ変
位し、その結果、電極部１３は矢印５で示す方向
に変位させられる。このように電極部１３が変位
すると、半導体素子２には高い応力が生じ、半導
体素子２が破壊に至る危険性が高い。
は、リード線１の電極部１３とモールドした樹脂
３との熱膨張率の差により半導体装置の温度が低
下した場合には、第１図と同一部分には同一符号
で示した第２図の平断面図、第３図の縦断面図に
おいて矢印４で示す方向へモールドした樹脂３が
収縮するため、リード部１１は矢印４の方向へ変
位し、その結果、電極部１３は矢印５で示す方向
に変位させられる。このように電極部１３が変位
すると、半導体素子２には高い応力が生じ、半導
体素子２が破壊に至る危険性が高い。
本発明は、このような問題点を除去し、温度変
化に伴つて半導体素子に生じる応力を低減し、耐
ヒートサイクル特性の良好な半導体装置を提供す
ることを目的とし、半導体素子と、リード部先端
の平板部が半導体素子の電極部を形成し、この電
極部に続く折り曲げ部でＬ字型に曲げられ、立上
り部に薄板構造部を有するリード線とを組み合
せ、樹脂でモールドしてなり、電極部の長手方向
と樹脂の変位する方向とが異なる半導体装置にお
いて、薄板構造部の法線方向が半導体装置の温度
変化に伴つてリード部において樹脂の変位する方
向に一致していることを特徴とするものである。
化に伴つて半導体素子に生じる応力を低減し、耐
ヒートサイクル特性の良好な半導体装置を提供す
ることを目的とし、半導体素子と、リード部先端
の平板部が半導体素子の電極部を形成し、この電
極部に続く折り曲げ部でＬ字型に曲げられ、立上
り部に薄板構造部を有するリード線とを組み合
せ、樹脂でモールドしてなり、電極部の長手方向
と樹脂の変位する方向とが異なる半導体装置にお
いて、薄板構造部の法線方向が半導体装置の温度
変化に伴つてリード部において樹脂の変位する方
向に一致していることを特徴とするものである。
すなわち、従来の半導体装置においては、モー
ルドした樹脂が温度変化により伸縮すると、これ
に伴つて電極部１３に対して垂直に立上つている
リード部１１が変形させられた。電極部１３とリ
ード部１１との間には平板状の薄板構造部１２が
存在するが、この薄板構造部１２の曲わ剛性が最
も小さい方向は薄板構造部１２の法線方向である
のに対して、モールドした樹脂３の伸縮方向は半
導体装置の中心方向であり、両方向は一致しない
ため、リード線１の変形に伴い電極部１３および
半導体素子２に高い応力が生じていた。
ルドした樹脂が温度変化により伸縮すると、これ
に伴つて電極部１３に対して垂直に立上つている
リード部１１が変形させられた。電極部１３とリ
ード部１１との間には平板状の薄板構造部１２が
存在するが、この薄板構造部１２の曲わ剛性が最
も小さい方向は薄板構造部１２の法線方向である
のに対して、モールドした樹脂３の伸縮方向は半
導体装置の中心方向であり、両方向は一致しない
ため、リード線１の変形に伴い電極部１３および
半導体素子２に高い応力が生じていた。
厚さｈ、幅ｂ（ｈ＜ｂ）、縦弾性率Ｅの板の曲げ
剛性は曲率半径を厚さ方向に一致させた場合に最
小値をとり、その値Ｕは Ｕ＝bh3／12・Ｅ …(1) で表わされる。
剛性は曲率半径を厚さ方向に一致させた場合に最
小値をとり、その値Ｕは Ｕ＝bh3／12・Ｅ …(1) で表わされる。
本発明は、この点に着目し、樹脂のリード部に
おける伸縮方向とリード線の薄板構造部の法線方
向を一致させて、リード部の変形を薄板構造部で
吸収させ、電極部およびこれに接合されている半
導体素子に生じる応力を低減し、所期の目的の達
成を可能とするものである。
おける伸縮方向とリード線の薄板構造部の法線方
向を一致させて、リード部の変形を薄板構造部で
吸収させ、電極部およびこれに接合されている半
導体素子に生じる応力を低減し、所期の目的の達
成を可能とするものである。
以下、実施例について説明する。
第４図は一実施例の平面図、第５図は同じく要
部の斜視図、第６図は同じくリード線の斜視図で
あり、第１図，第２図および第３図と同一部分に
は同一符号が付してある。この半導体装置は銅製
のリード線よりなり、リード部１１とこれと直角
をなして設けられている銅製の電極部１３の接合
部に位置する薄板構造部１４が、その法線の方向
を井桁に組まれた井桁の中心方向に一致するよう
に設けられている。従つて、電極部１３に対して
薄板構造部１４は、第４図，第５図および第６図
に見られる如く電極部１３を構成する長方形の長
辺に対して傾斜した状態になる（このような薄板
構造部を傾斜平板部と称する）。すなわち、実施
例の半導体装置は、２本のリード線１をその電極
部１３が平行に位置しリード部１１が互に反対側
に位置するように配置し、その上に電極部１３が
それぞれ90゜回転した状態になるように、他の二
枚のリード線１の電極部１３を重ね、上下４枚の
電極部１３の重複部に半導体素子２を挾み半田で
接合したものを樹脂３でモールドして構成され
る。半導体素子２として整流機能を持つものを用
いる場合には、電極部１３と半導体素子２のそれ
ぞれ４個を用いてブリツジ回路が構成され、交流
の全波整流機能を有する半導体装置が得られる。
部の斜視図、第６図は同じくリード線の斜視図で
あり、第１図，第２図および第３図と同一部分に
は同一符号が付してある。この半導体装置は銅製
のリード線よりなり、リード部１１とこれと直角
をなして設けられている銅製の電極部１３の接合
部に位置する薄板構造部１４が、その法線の方向
を井桁に組まれた井桁の中心方向に一致するよう
に設けられている。従つて、電極部１３に対して
薄板構造部１４は、第４図，第５図および第６図
に見られる如く電極部１３を構成する長方形の長
辺に対して傾斜した状態になる（このような薄板
構造部を傾斜平板部と称する）。すなわち、実施
例の半導体装置は、２本のリード線１をその電極
部１３が平行に位置しリード部１１が互に反対側
に位置するように配置し、その上に電極部１３が
それぞれ90゜回転した状態になるように、他の二
枚のリード線１の電極部１３を重ね、上下４枚の
電極部１３の重複部に半導体素子２を挾み半田で
接合したものを樹脂３でモールドして構成され
る。半導体素子２として整流機能を持つものを用
いる場合には、電極部１３と半導体素子２のそれ
ぞれ４個を用いてブリツジ回路が構成され、交流
の全波整流機能を有する半導体装置が得られる。
このように構成された半導体装置では、樹脂３
と電極部１３の熱膨張率の差のため、リード部１
１は電極部１３に対する相対変位を、第４図のリ
ード部１１の変位方向６に生じる。しかし、この
実施例の場合には、傾斜平板部１４の法線方向が
リード部１１の変位方向と一致しているため、リ
ード線１の変位は傾斜平板部１４の曲げ変形で吸
収され、それぞれ二枚の電極部１３に挾まれた状
態にある半導体素子２に生じる応力を低減させる
ことができる。
と電極部１３の熱膨張率の差のため、リード部１
１は電極部１３に対する相対変位を、第４図のリ
ード部１１の変位方向６に生じる。しかし、この
実施例の場合には、傾斜平板部１４の法線方向が
リード部１１の変位方向と一致しているため、リ
ード線１の変位は傾斜平板部１４の曲げ変形で吸
収され、それぞれ二枚の電極部１３に挾まれた状
態にある半導体素子２に生じる応力を低減させる
ことができる。
その結果、半導体装置のリード部と電極部との
間の曲げ剛性を従来の半導体装置より低減するこ
とができ、電極部に半導体素子を接合した部品を
樹脂でモールドした際に、温度変化によつて電極
部と樹脂の熱膨張率の差から生じるリード線が曲
げられることに起因した半導体素子の応力を1/10
以下に低減でき、半導体素子の破壊を防止するこ
とができ、安定した半導体装置を得ることができ
る。
間の曲げ剛性を従来の半導体装置より低減するこ
とができ、電極部に半導体素子を接合した部品を
樹脂でモールドした際に、温度変化によつて電極
部と樹脂の熱膨張率の差から生じるリード線が曲
げられることに起因した半導体素子の応力を1/10
以下に低減でき、半導体素子の破壊を防止するこ
とができ、安定した半導体装置を得ることができ
る。
この実施例では、リード線の電極部が井桁を形
成するように組み合されて構成される半導体装置
について示したが、このような構造に限らず、電
極部の長手方向の樹脂の変位する方向が異なる配
置となる構造の半導体装置には同様に用いること
が出来、同様の効果を得ることができる。
成するように組み合されて構成される半導体装置
について示したが、このような構造に限らず、電
極部の長手方向の樹脂の変位する方向が異なる配
置となる構造の半導体装置には同様に用いること
が出来、同様の効果を得ることができる。
以上の如く、本発明は、温度変化に伴つて半導
体素子に生じる応力を低減し、耐ヒートサイクル
特性の良好な半導体装置の提供を可能とするもの
で産業上の効果の大なるものである。
体素子に生じる応力を低減し、耐ヒートサイクル
特性の良好な半導体装置の提供を可能とするもの
で産業上の効果の大なるものである。
第１図は従来の半導体装置の要部の切欠き斜視
図、第２図は同じく要部の切欠き平断面図、第３
図は同じく要部の断面図、第４図は本発明の一実
施例の要部の切欠き平断面図、第５図は同じく要
部の切欠き斜視図、第６図は同じく要部の斜視図
である。 １…リード線、１１…リード部、１３…電極
部、１４…薄板構造部（傾斜平板部）、２…半導
体素子、３…（モールドした）樹脂。
図、第２図は同じく要部の切欠き平断面図、第３
図は同じく要部の断面図、第４図は本発明の一実
施例の要部の切欠き平断面図、第５図は同じく要
部の切欠き斜視図、第６図は同じく要部の斜視図
である。 １…リード線、１１…リード部、１３…電極
部、１４…薄板構造部（傾斜平板部）、２…半導
体素子、３…（モールドした）樹脂。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体素子と、リード部先端の平板部が前記
半導体素子の電極部を形成し、該電極部に続く折
り曲げ部でＬ字型に曲げられ、立上り部に薄板構
造部を有するリード線とを組み合せ、樹脂でモー
ルドしてなり、前記電極部の長手方向と前記樹脂
の変位する方向とが異なる半導体装置において、
前記薄板構造部の法線方向が前記半導体装置の温
度変化に伴つて前記リード部において前記樹脂の
変位する方向に一致していることを特徴とする半
導体装置。 ２ 前記リード線の電極部が井桁を形成するよう
に組み合され、その重複部に前記半導体素子が電
気的に結合しており、前記樹脂の変位する方向が
前記井桁の中心を向いている特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6341482A JPS58180050A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6341482A JPS58180050A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58180050A JPS58180050A (ja) | 1983-10-21 |
| JPH0258780B2 true JPH0258780B2 (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=13228602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6341482A Granted JPS58180050A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58180050A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015142018A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| US10937731B2 (en) | 2016-07-27 | 2021-03-02 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor module and method for manufacturing semiconductor module |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP6341482A patent/JPS58180050A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58180050A (ja) | 1983-10-21 |
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