JPS58180050A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS58180050A JPS58180050A JP6341482A JP6341482A JPS58180050A JP S58180050 A JPS58180050 A JP S58180050A JP 6341482 A JP6341482 A JP 6341482A JP 6341482 A JP6341482 A JP 6341482A JP S58180050 A JPS58180050 A JP S58180050A
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- JP
- Japan
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- parts
- lead
- semiconductor device
- electrode
- resin
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置、特に、リード部 電極部および
電極部に電気的に結合された半導体素子を樹脂でモール
ドしてなる半導体装置に関するものである。
電極部に電気的に結合された半導体素子を樹脂でモール
ドしてなる半導体装置に関するものである。
第１図は、この種の半導体装置の構造を示すもので、１
（ｌａ、ｌｂ、ｌｃ、ｌｄ）はリード部１１の先端の
平板部が半導体素子の電極部１３を形成し、この電極部
１３に続く折シ曲げ部でＬ字型に曲げられ、立上り部に
薄板構造部１２を有するリード線である。２ （２ａ、
２ｂ、２ｃ、２ｄ）は四個のリード線１ａ、ｌｂ、ｌｃ
、 １ｄを井桁状に組合せる際の重複部に取シ付けられ
た半導体素子、３は半導体素子２が取り付けられたリー
ド線１をリード線１のリード部１１の一部を除いてモー
ルドした樹脂である。
（ｌａ、ｌｂ、ｌｃ、ｌｄ）はリード部１１の先端の
平板部が半導体素子の電極部１３を形成し、この電極部
１３に続く折シ曲げ部でＬ字型に曲げられ、立上り部に
薄板構造部１２を有するリード線である。２ （２ａ、
２ｂ、２ｃ、２ｄ）は四個のリード線１ａ、ｌｂ、ｌｃ
、 １ｄを井桁状に組合せる際の重複部に取シ付けられ
た半導体素子、３は半導体素子２が取り付けられたリー
ド線１をリード線１のリード部１１の一部を除いてモー
ルドした樹脂である。
しかし、このような構造を有する半導体装置は、リード
線１の電極部１３とモールドした樹脂３との熱膨張率の
差により半導体装置の温度が低下した場合には、第１図
と同一部分には同一符号で示した第２図の平断面図、第
３図の縦断面図において矢印４で示す方向ヘモールドし
た樹脂３が収縮するため、リード部１１は矢印４の方向
へ変位し、その結果、電極部１３は矢印５で示す方向に
変位させられる。このように電極部１３が変位すると、
半導体素子２には高い応力が生じ、半導体素子２が破壊
に至る危険性が高い。
線１の電極部１３とモールドした樹脂３との熱膨張率の
差により半導体装置の温度が低下した場合には、第１図
と同一部分には同一符号で示した第２図の平断面図、第
３図の縦断面図において矢印４で示す方向ヘモールドし
た樹脂３が収縮するため、リード部１１は矢印４の方向
へ変位し、その結果、電極部１３は矢印５で示す方向に
変位させられる。このように電極部１３が変位すると、
半導体素子２には高い応力が生じ、半導体素子２が破壊
に至る危険性が高い。
本発明は、このような問題点を除去し、温度変化に伴っ
て半導体素子に生じる応力を低減し、耐ヒートサイクル
特性の良好な半導体装置を提供することを目的とし、半
導体素子と、リード部先端の平板部が半導体素子の電極
部を形成し、この電極部に続く折り曲げ部でＬ字型に曲
げられ、立上り部に薄板構造部を有するリード線とを組
み合せ、樹脂でモールドしてなり、電極部の長手方向と
樹脂の変位する方向とが異なる半導体装置において、薄
板構造部の法線方向が半導体装置の温度変化に伴ってリ
ード部において樹脂の変位する方向に一致していること
を特徴とするものである。
て半導体素子に生じる応力を低減し、耐ヒートサイクル
特性の良好な半導体装置を提供することを目的とし、半
導体素子と、リード部先端の平板部が半導体素子の電極
部を形成し、この電極部に続く折り曲げ部でＬ字型に曲
げられ、立上り部に薄板構造部を有するリード線とを組
み合せ、樹脂でモールドしてなり、電極部の長手方向と
樹脂の変位する方向とが異なる半導体装置において、薄
板構造部の法線方向が半導体装置の温度変化に伴ってリ
ード部において樹脂の変位する方向に一致していること
を特徴とするものである。
すなわち、従来の半導体装置においては、モールドした
樹脂が温度変化によシ伸縮すると、これに伴って電極部
１３に対して垂直に立上っているリード部１１が変形さ
せられた。電極部１３とリード部１１との間には平板状
の薄板構造部１２が存在するが、この薄板構造部１２の
曲げ剛性が最も小さい方向は薄板構造部１２の法線方向
であるのに対して、モールドした樹脂３の伸縮方向は半
導体装置の中心方向であり、両方向は一致しないため、
リード線１の変形に伴い電極部１３および半導体素子２
に高い応力が生じていた。
樹脂が温度変化によシ伸縮すると、これに伴って電極部
１３に対して垂直に立上っているリード部１１が変形さ
せられた。電極部１３とリード部１１との間には平板状
の薄板構造部１２が存在するが、この薄板構造部１２の
曲げ剛性が最も小さい方向は薄板構造部１２の法線方向
であるのに対して、モールドした樹脂３の伸縮方向は半
導体装置の中心方向であり、両方向は一致しないため、
リード線１の変形に伴い電極部１３および半導体素子２
に高い応力が生じていた。
厚さｈ１幅ｂ（ｈ＜ｂ）、縦弾性率Ｅの板の曲げ剛性は
曲率半径を厚さ方向に一致させた場合に最小値をとり、
その値Ｕは で表わされる。
曲率半径を厚さ方向に一致させた場合に最小値をとり、
その値Ｕは で表わされる。
本発明は、この点に着目し、樹脂のリード部における伸
縮方向とリード線の薄板構造部の法線力導体素子に生じ
る応力を低減し、所期の目的の達成を可能とするもので
ある。
縮方向とリード線の薄板構造部の法線力導体素子に生じ
る応力を低減し、所期の目的の達成を可能とするもので
ある。
以下、実施例について説明する。
第４図は一実施例の平面図、第５図は同じく要部の斜視
図、第６図は同じくリード線の斜視図であり、第１図、
第２図および第３図と同一部分には同一符号が付しであ
る。この半導体装置は銅製のリード線よりなり、リード
部１１とこれと直角をなして設けられている銅製の電極
部１３の接合部に位置する薄板構造部１４が、その法線
の方向を井桁に組まれた井桁の中心方向に一致するよう
に設けられている。従って、電極部１３に対して薄板構
造部１４は、第４図、第５図および第６図に見られる如
く電極部１３を構成する長方形の長辺に対して傾斜した
状態になる（このような薄板構造部を傾斜平板部と称す
る）。すなわち、実施例の半導体装置は、２本のリード
線１をその電極部１３が平行に位置しリード部１１が互
に反対側に位置するように配置し、その上に電極部１３
がそれぞれ９０° 回転した状態になるように、他の二
枚のリード線１の電極部１３を重ね、上下４枚の電極部
１３０重複部に半導体素子２を挾み半田で接合したもの
を樹脂３でモールドして構成される。半導体素子２とし
て整流機能を持つものを用いる場合には、電極部１３と
半導体素子２のそれぞれ４個を用いてブリッジ回路が構
成され、交流の全波整流機能を有する半導体装置が得ら
れる。
図、第６図は同じくリード線の斜視図であり、第１図、
第２図および第３図と同一部分には同一符号が付しであ
る。この半導体装置は銅製のリード線よりなり、リード
部１１とこれと直角をなして設けられている銅製の電極
部１３の接合部に位置する薄板構造部１４が、その法線
の方向を井桁に組まれた井桁の中心方向に一致するよう
に設けられている。従って、電極部１３に対して薄板構
造部１４は、第４図、第５図および第６図に見られる如
く電極部１３を構成する長方形の長辺に対して傾斜した
状態になる（このような薄板構造部を傾斜平板部と称す
る）。すなわち、実施例の半導体装置は、２本のリード
線１をその電極部１３が平行に位置しリード部１１が互
に反対側に位置するように配置し、その上に電極部１３
がそれぞれ９０° 回転した状態になるように、他の二
枚のリード線１の電極部１３を重ね、上下４枚の電極部
１３０重複部に半導体素子２を挾み半田で接合したもの
を樹脂３でモールドして構成される。半導体素子２とし
て整流機能を持つものを用いる場合には、電極部１３と
半導体素子２のそれぞれ４個を用いてブリッジ回路が構
成され、交流の全波整流機能を有する半導体装置が得ら
れる。
このように構成された半導体装置では、樹脂３と電極部
１３の熱膨張率の差のため、リード部１１は電極部１３
に対する相対変位を、第４図のリード部１１の変位方向
６に生じる。しかし、この実施例の場合には、傾斜平板
部１４の法線方向がリード部１１の変位方向と一致して
いるため、リード線１の変位は傾斜平板部１４の曲げ変
形で吸収され、それぞれ二枚の電極部１３に挾まれた状
態にある半導体素子２に生じる応力を低減させることが
できる。
１３の熱膨張率の差のため、リード部１１は電極部１３
に対する相対変位を、第４図のリード部１１の変位方向
６に生じる。しかし、この実施例の場合には、傾斜平板
部１４の法線方向がリード部１１の変位方向と一致して
いるため、リード線１の変位は傾斜平板部１４の曲げ変
形で吸収され、それぞれ二枚の電極部１３に挾まれた状
態にある半導体素子２に生じる応力を低減させることが
できる。
その結果、半導体装置のリード部と電極部との間の曲げ
剛性を従来の半導体装置より低減することができ、電極
部に半導体素子を接合した部品を樹脂でモールドした際
に、温度変化によって電極部と樹脂の熱膨張率の差から
生じるリード線が曲げられることに起因した半導体素子
の応力を１／１０以下に低減でき、半導体素子の破壊を
防止することができ、安定した半導体装置を得ることが
できる。
剛性を従来の半導体装置より低減することができ、電極
部に半導体素子を接合した部品を樹脂でモールドした際
に、温度変化によって電極部と樹脂の熱膨張率の差から
生じるリード線が曲げられることに起因した半導体素子
の応力を１／１０以下に低減でき、半導体素子の破壊を
防止することができ、安定した半導体装置を得ることが
できる。
この実施例では、リード線の電極部が井桁を形成するよ
うに組み合されて構成される半導体装置について示した
が、このような構造に限らず、電極部の長手方向と樹脂
の変位する方向が異なる配置となる構造の半導体装置に
は同様に用いることが出来、同様の効果を得ることがで
きる。
うに組み合されて構成される半導体装置について示した
が、このような構造に限らず、電極部の長手方向と樹脂
の変位する方向が異なる配置となる構造の半導体装置に
は同様に用いることが出来、同様の効果を得ることがで
きる。
以上の如く、本発明は、温度変化に伴って半導体素子に
生じる応力を低減し、耐ヒートサイクル特性の良好な半
導体装置の提供を可能とするもので産業上の効果の犬な
るものである。
生じる応力を低減し、耐ヒートサイクル特性の良好な半
導体装置の提供を可能とするもので産業上の効果の犬な
るものである。
第１図は従来の半導体装置の要部の切欠き斜視図、第２
図は同じく要部の切欠き平断面図、第３図は同じく要部
の断面図、第４図は本発明の一実施例の要部の切欠き平
断面図、第５図は同じく要部の切欠き斜視図、第６図は
同じく要部の斜視図１・・・リード線、１１・・・リー
ド部、１３・・・電極部、１４・・・薄板構造部（傾斜
平板部）、２・・・半導体装Ｊ／ 目 ／Ｃ ＪＪ１４．目 岸５月 茅乙邑
図は同じく要部の切欠き平断面図、第３図は同じく要部
の断面図、第４図は本発明の一実施例の要部の切欠き平
断面図、第５図は同じく要部の切欠き斜視図、第６図は
同じく要部の斜視図１・・・リード線、１１・・・リー
ド部、１３・・・電極部、１４・・・薄板構造部（傾斜
平板部）、２・・・半導体装Ｊ／ 目 ／Ｃ ＪＪ１４．目 岸５月 茅乙邑
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子と、リード部先端の平板部が前記半導体
素子の電極部を形成し、該電極部に続く折り曲げ部でＬ
字型に曲げられ、立上り部に薄板構造部を有するリード
線とを組み合せ、樹脂でモールドしてなり、前記電極部
の長手方向と前記樹脂の変位する方向とが異なる半導体
装置において、前記薄板構造部の法線方向が前記半導体
装置の温度変化に伴って前記リード部において前記樹脂
の変位する方向に一致していることを特徴とする半導体
装置。 ２、前記リード線の電極部が井桁を形成するように組み
合され、その重複部に前記半導体素子が電気的に結合し
ており、前記樹脂の変位する方向が前記井桁の中心を向
いている特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6341482A JPS58180050A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6341482A JPS58180050A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58180050A true JPS58180050A (ja) | 1983-10-21 |
| JPH0258780B2 JPH0258780B2 (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=13228602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6341482A Granted JPS58180050A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58180050A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015142018A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| WO2018020729A1 (ja) * | 2016-07-27 | 2018-02-01 | 株式会社日立製作所 | 半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP6341482A patent/JPS58180050A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015142018A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| WO2018020729A1 (ja) * | 2016-07-27 | 2018-02-01 | 株式会社日立製作所 | 半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 |
| JPWO2018020729A1 (ja) * | 2016-07-27 | 2019-03-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 |
| US10937731B2 (en) | 2016-07-27 | 2021-03-02 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor module and method for manufacturing semiconductor module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0258780B2 (ja) | 1990-12-10 |
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