JPH10335579A - 大電力半導体モジュール装置 - Google Patents

大電力半導体モジュール装置

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JPH10335579A
JPH10335579A JP9136845A JP13684597A JPH10335579A JP H10335579 A JPH10335579 A JP H10335579A JP 9136845 A JP9136845 A JP 9136845A JP 13684597 A JP13684597 A JP 13684597A JP H10335579 A JPH10335579 A JP H10335579A
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JP
Japan
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module device
power semiconductor
semiconductor module
circuit board
pressing
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Masaru Ando
勝 安藤
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】大電力半導体モジュール装置において、ペレッ
トの動作時の発熱、冷却の繰り返しによりモジュール全
体の温度が上下を繰り返した時でも、回路基板とペレッ
トとの接合部、回路基板とヒートシンクとの接合部、ボ
ンディングワイヤーのボンディング接合部の熱疲労によ
るモジュール装置の破壊を防止する。 【解決手段】半導体ペレット１１が接合された回路基板
１０を放熱体１３上に接合し、回路基板の側方を囲む筒
部を有する絶縁性のケース１４を放熱体に取り付けた構
造を有する大電力半導体モジュール装置において、ペレ
ット上を所定の圧力で全体的または部分的に押さえる絶
縁体を用いた押圧部材１８を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大電力半導体モジ
ュール装置に係り、特に半導体ペレットが接合された回
路基板を放熱体上に接合し、回路基板の側方を囲む筒状
の絶縁性のケースを放熱体に取り付けられた構造を有す
る大電力半導体モジュール装置に関するもので、例えば
ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）ペレ
ット、ダイオードペレットなどのモジュール装置に使用
されるものである。
【０００２】
【従来の技術】図８（ａ）は、従来のＩＧＢＴモジュー
ル装置の構造の一例を概略的に示す。図８（ｂ）は、同
図（ａ）中のＢ−Ｂ線に沿ってモジュール装置の内部を
上面から見て一部を透視して概略的に示す平面図であ
り、図中のＡ−Ａ線に沿う断面構造を図８（ａ）に示し
ている。
【０００３】図８（ａ）、（ｂ）において、回路基板９
０は、絶縁基板（例えば窒化アルミ、アルミナ等のセラ
ミック基板）９１の表裏面に銅板パターン９２を貼り付
けたものである。９３は前記回路基板９０の表面側の銅
板パターン９２のペレット搭載部上に半田付けにより接
合されたＩＧＢＴペレットであり、例えば２個のペレッ
トが設けられている。
【０００４】９４は前記ＩＧＢＴペレット９３の電極パ
ッドと前記回路基板９０の表面側の銅板パターン９２の
端子部との間を接続するように両端がボンディング接合
されたボンディングワイヤー（通常はアルミニウム）で
ある。
【０００５】９５は銅板からなるヒートシンクであり、
その上面に前記回路基板９０の裏面側の銅板パターン９
２が半田付けにより接合されている。９６は前記回路基
板９０の側方を囲むように前記ヒートシンク９５に取り
付けられた筒状の絶縁性のケース（例えばＰＢＴ製）で
ある。９７は前記ケース９６の内部で前記ＩＧＢＴペレ
ット９３、ボンディングワイヤー９４および回路基板９
０上を覆う絶縁材（例えばゲル状のシリコンゴム）であ
る。
【０００６】９８は前記ケース９６の開口上面を閉じる
ように取り付けられた絶縁性の蓋（例えばＰＰＳ製）で
ある。９９は前記蓋９８の一部を貫通し、下端部が前記
回路基板９０上の銅板パターン９２の一部に例えばろう
付けにより接合され、上端部が蓋９８の上面に沿って折
り曲げられた外部接続端子である。
【０００７】ところで、上記した従来の構造のモジュー
ル装置において、ペレットの動作時の発熱、冷却の繰り
返しによりモジュール全体の温度が上下を繰り返した時
に、回路基板９０とペレット９３との半田接合部、回路
基板９０とヒートシンク９５との半田接合部、ボンディ
ングワイヤー９４のボンディング接合部が熱疲労を起こ
し、モジュール装置が破壊してしまうことがある。
【０００８】即ち、例えばシリコンペレットの熱膨脹係
数（４×１０-6／℃）、例えばアルミニウムボンディン
グワイヤーの熱膨脹係数（２３×１０-6／℃）、銅（回
路基板の銅板パターン、ヒートシンク）の熱膨脹係数
（１７×１０-6／℃）、セラミック基板の熱膨脹係数
（窒化アルミ ４×１０-6／℃、アルミナ ７×１０-6
／℃）の相違に起因する伸縮量の差により前記各接合部
が浮き上がったり反ったりする。特に、半田接合部の温
度の上昇時に半田が軟化し、ペレットおよび回路基板が
浮き上がる傾向がある。
【０００９】因みに、モジュール装置に−４０℃〜＋１
２５℃の冷熱サイクルを与えるテストにおいて、従来の
モジュール装置は３００サイクル前後で半田接合部に亀
裂が発生するなどの劣化が認められた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
大電力半導体モジュール装置は、ペレットの動作時の発
熱、冷却の繰り返しによりモジュール全体の温度が上下
を繰り返した時に、回路基板とペレットとの半田接合
部、回路基板とヒートシンクとの半田接合部、ボンディ
ングワイヤーのボンディング接合部が熱疲労を起こし、
モジュール装置が破壊してしまうことがあるという問題
があった。
【００１１】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、ペレットの動作時の発熱、冷却の繰り返しに
よりモジュール全体の温度が上下を繰り返した時でも、
回路基板の接合部などの熱疲労によるモジュール装置の
破壊を防止し得る大電力半導体モジュール装置を提供す
ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の大電力半導体モ
ジュール装置は、絶縁基板の表裏面に導電性のよい金属
板が貼り付けられ、少なくとも表面側に金属板パターン
を有する回路基板と、前記回路基板の表面側の金属板パ
ターンのペレット搭載部上に熱伝導性および導電性のよ
い接着層を介して接合された半導体ペレットと、前記回
路基板の裏面側が熱伝導性および導電性のよい接着層を
介して上面に接合された放熱体と、前記回路基板の側方
を囲む筒部を有し、前記放熱体に取り付けられた絶縁性
のケースと、前記ケースの内部で前記半導体ペレット上
を所定の圧力で押さえる弾力性を有する絶縁体を用いた
押圧部材と、前記ケースの筒部の開口上面を閉じる絶縁
性の蓋と、前記蓋の一部を貫通し、下端部が前記回路基
板の表面側の金属板パターンの一部に接続された外部接
続端子とを具備することを特徴とする。
【００１３】なお、本発明の大電力半導体モジュール装
置において、前記ペレットの電極パッドと前記回路基板
の表面側の金属板パターンの端子部との間を接続するよ
うに両端がボンディング接合されたボンディングワイヤ
ーを具備する場合には、前記押圧部材により前記半導体
ペレット上におけるボンディングワイヤーのボンディン
グ接合部分を部分的に押さえることが望ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。まず、本発明の大電力半導
体モジュール装置の第１の実施の形態に係るＩＧＢＴモ
ジュール装置のいくつかの実施例について、図１乃至図
６を参照しながら説明する。
【００１５】（ＩＧＢＴモジュール装置の実施例１）
（図１） 図１（ａ）は、実施例１のＩＧＢＴモジュール装置の断
面構造を概略的に示す。図１（ｂ）は同図（ａ）のモジ
ュール装置の内部を上面から見て一部を透視した状態を
概略的に示す平面図であり、図中のＡ−Ａ線に沿う断面
構造を図１（ａ）に示した。
【００１６】図１（ａ）、（ｂ）において、回路基板１
０は、絶縁基板（例えば窒化アルミ、アルミナ等のセラ
ミック基板）１０ａの表裏面に導電性のよい金属板（通
常、銅板）１０ｂを貼り付けたダイレクト・ボンド・カ
ッパー基板（ＤＢＣ基板）であり、少なくとも表面側に
金属板パターン（本例では銅板パターン）を有する。
【００１７】１１は前記回路基板１０の表面側の銅板パ
ターン１０ｂのペレット搭載部上にＳｎ−Ｐｂ系半田
（例えばＳｎ−Ｐｂ−Ａｇ半田）により接合されたＩＧ
ＢＴペレットであり、例えば２個設けられている。
【００１８】１２は前記ＩＧＢＴペレット１１の電極パ
ッドと前記回路基板１０の表面側の銅板パターン１０ｂ
の端子部との間を接続するように両端がボンディング接
合されたボンディングワイヤー（通常はアルミニウム）
である。
【００１９】１３は放熱体（例えば銅板からなるヒート
シンク）であり、その上面に前記回路基板１０の裏面側
がＳｎ−Ｐｂ系半田により接合されている。１４は前記
回路基板１０の側方を囲む筒部を有し、例えばネジ止め
により前記ヒートシンク１３に取り付けられた絶縁性の
ケース（例えばポリブチレンテレフタレート；ＰＢＴ
製）である。
【００２０】１５は前記ケース１４の内部で前記ボンデ
ィングワイヤー１２を包むとともに前記ＩＧＢＴペレッ
ト１１上および回路基板１０上を部分的に覆う弾力性を
有する絶縁材（例えばゲル状のシリコンゴム）である。
【００２１】１６は前記ケース１４の筒部の開口上面に
例えば嵌め込まれた状態で前記開口上面を閉じるように
取り付けられた絶縁性の蓋（例えばポリフェニレンサル
ファイド；ＰＰＳ製）である。
【００２２】１７は外部接続端子であり、例えば図８
（ａ）中に示した従来例の外部接続端子９９と同様に、
前記蓋１６の一部を貫通し、下端部が前記回路基板１０
上の銅板パターン１０ｂの一部に接続された前記下端部
は例えばろう付けにより接合され、上端部は蓋１６の上
面に沿って折り曲げられている。
【００２３】さらに、前記ケース１４の内部で前記回路
基板１０上を所定の圧力で部分的に押さえる押圧部材１
８が設けられている。本例では、押圧部材１８は、弾力
性を有する絶縁体（例えばシリコンゴム）からなり、そ
の上面には先端に向かうにつれて細くなっている櫛歯状
の突起１８ａが形成され、その下面には凸部１８ｂが形
成されている。この場合、前記突起１８ａの先端部が前
記蓋１６の内面に当接し、前記ペレット１１上における
ボンディングワイヤー１２のボンディング接合部分に当
接している。
【００２４】これにより、前記押圧部材１８は、その上
面に蓋１６の内面から押圧力が加えられて全体として圧
縮されており（前記櫛歯状の突起１８ａの先端部が圧縮
変形されている）、その下面の凸部１８ｂの先端が前記
ペレット１１上におけるボンディングワイヤーのボンデ
ィング接合部分を部分的に押さえている。換言すれば、
前記蓋１６は、前記押圧部材１８を押圧する状態で前記
ケース１４の筒部の開口上面に嵌め込まれている。
【００２５】なお、前記押圧部材１８を構成する弾力性
を有する絶縁体としては、耐熱性、寿命、入手コストな
どの点で例えばシリコンゴムが望ましいが、フッ素ゴ
ム、他の合成樹脂等を使用してもよい。
【００２６】また、複数のボンディング接合部分は、例
えば一直線上に整列されており、これに対応して前記押
圧部材１８の下面の凸部１８ｂは前記ボンディング接合
部分の整列方向に細長い形状で形成されている。
【００２７】また、前記蓋１６の内面は、前記押圧部材
１８の左右方向の位置ずれを防止するためにその側面を
囲むように当接するガイド部材１６ａが突設されてい
る。上記実施例１のＩＧＢＴモジュール装置によれば、
ペレット１１が接合された回路基板１０をヒートシンク
１３上に接合した状態で回路基板上を絶縁材１５で覆っ
た構造を有し、所定の圧力でボンディングワイヤー１２
のボンディング接合部分を部分的に押さえる押圧部材１
８を具備するので、ペレットの動作時の発熱、冷却の繰
り返しによりモジュール全体の温度が上下を繰り返した
時でも、回路基板とペレットとの接合部、回路基板とヒ
ートシンクとの接合部、ボンディングワイヤーのボンデ
ィング接合部の熱疲労によるモジュール装置の破壊を防
止することが可能になる。
【００２８】因みに、上記実施例１のＩＧＢＴモジュー
ル装置に−４０℃〜＋１２５℃の冷熱サイクルを与える
テストにおいて、半田接合部に亀裂が発生するなどの劣
化が認められのは５００サイクル前後であった。これ
は、従来のモジュール装置では３００サイクル前後であ
ったことと比較して著しく改善されている。
【００２９】（ＩＧＢＴモジュール装置の実施例２）
（図２） 実施例２のＩＧＢＴモジュール装置は、実施例１のＩＧ
ＢＴモジュール装置と比べて、前記押圧部材１８の形状
が異なり、その他は同じであるので図１中と同一部分に
は同一符号を付している。
【００３０】即ち、実施例２の押圧部材は、弾力性を有
する絶縁体（例えばシリコンゴム）からなる棒状に形成
された複数本の押圧片２０、各上面が前記蓋１６の内面
に当接し、各下面が前記ペレット１１上におけるボンデ
ィングワイヤー１２のボンディング接合部分に当接した
状態で全体として圧縮されている。
【００３１】（ＩＧＢＴモジュール装置の実施例３）
（図３） 実施例３のＩＧＢＴモジュール装置は、実施例１のＩＧ
ＢＴモジュール装置と比べて、前記押圧部材１８の形状
が異なり、その他は同じであるので図１中と同一部分に
は同一符号を付している。
【００３２】即ち、実施例３の押圧部材は、その下面に
前記ペレット１１上におけるボンディングワイヤー１２
のボンディング接合部分に当接する凸部３０ｂが形成さ
れた弾力性を有する絶縁体（例えばシリコンゴム）から
なる押圧片３０と、蓋１６の内面に設けられた溝と前記
押圧片３０の上面に設けられた溝との間に介挿されて圧
縮状態になっているコイルばね３１とからなる。
【００３３】（ＩＧＢＴモジュール装置の実施例４）
（図４） 実施例４のＩＧＢＴモジュール装置は、実施例１のＩＧ
ＢＴモジュール装置と比べて、前記押圧部材１８の形状
が異なり、その他は同じであるので図１中と同一部分に
は同一符号を付している。
【００３４】即ち、実施例４の押圧部材は、その下面に
前記ペレット１１上におけるボンディングワイヤー１２
のボンディング接合部分に当接する凸部４０ｂが形成さ
れた弾力性を有する絶縁体（例えばシリコンゴム）から
なる押圧片４０と、蓋１６の内面と押圧片４０の上面と
の間に介挿されている皿ばね４１とからなる。なお、皿
ばね４１の変形例として、例えば周辺部が十字形状の皿
ばねを使用してもよい。
【００３５】（ＩＧＢＴモジュール装置の実施例５）
（図５） 実施例５のＩＧＢＴモジュール装置は、実施例１のＩＧ
ＢＴモジュール装置と比べて、前記押圧部材１８の形状
が異なり、その他は同じであるので図１中と同一部分に
は同一符号を付している。
【００３６】即ち、実施例５の押圧部材は、その下面に
前記ペレット１１上におけるボンディングワイヤー１２
のボンディング接合部分に当接する凸部５０ｂが形成さ
れ、上面の中央部が周辺部よりも突起した弾力性を有す
る絶縁体（例えばシリコンゴム）からなる押圧片５０
と、蓋１６の内面と前記押圧片５０の上面突起部との間
に介挿されている板ばね５１とからなる。
【００３７】なお、上記各実施例においては、前記押圧
部材１８、２０、３０、４０、５０に押圧力を加える構
造として、押圧部材の上面を蓋１６の内面に当接させた
状態で蓋１６の内面から押圧力を加えている例を示した
が、このような構造に限らず、蓋１６に代えて他の部材
を用いることが可能であり、その一例を実施例６に示
す。
【００３８】（ＩＧＢＴモジュール装置の実施例６）
（図６） 実施例６のＩＧＢＴモジュール装置は、実施例１のＩＧ
ＢＴモジュール装置と比べて、前記蓋１６とは別に押圧
部材固定用の補助部材６０を前記ケース１４の内部に配
設して例えば前記ヒートシンク１３にろう付けにより取
り付け、この補助部材６０の下面に押圧部材１８の上面
を当接させた（押圧部材１８の位置を固定させた）状態
で補助部材６０の下面から押圧部材１８に押圧力を加え
るように変更したものであり、その他は同じであるので
図１中と同一部分には同一符号を付している。
【００３９】次に、本発明の大電力半導体モジュール装
置の第２の実施の形態に係るダイオードモジュール装置
の実施例７について、図７に概略的に示す断面構造を参
照しながら説明する。
【００４０】（ダイオードモジュール装置の実施例）
（図７） このダイオードモジュール装置は、実施例１のＩＧＢＴ
モジュール装置と比べて、ＩＧＢＴペレットに代えてダ
イオードペレット７１が用いられており、前記ボンディ
ングワイヤーおよびそのボンディング接合部分が少ない
ので、押圧部材７０はダイオードペレット７１上の全体
的に分散した複数点を押さえるための凸部が格子状の配
列で形成されている点が異なる。その他は同じであるの
で図１中と同一部分には同一符号を付している。
【００４１】なお、上記各実施例において、回路基板１
０とペレット１１または７１との接合、回路基板１０と
ヒートシンク１３との接合は、半田接合に限らず、熱伝
導性および導電性のよい接着層を介して接合することが
できる。
【００４２】即ち、上記各実施例から分かるように、本
発明に係る大電力半導体モジュール装置は、絶縁基板の
表裏面に導電性のよい金属板が貼り付けられ、少なくと
も表面側に金属板パターンを有する回路基板と、前記回
路基板の表面側の金属板パターンのペレット搭載部上に
熱伝導性および導電性のよい接着層を介して接合された
半導体ペレットと、前記回路基板の裏面側が熱伝導性お
よび導電性のよい接着層を介して上面に接合された放熱
体と、前記回路基板の側方を囲む筒部を有し、前記放熱
体に取り付けられた絶縁性のケースと、前記ケースの内
部で前記半導体ペレット上を所定の圧力で押さえる弾力
性を有する絶縁体を用いた押圧部材と、前記ケースの筒
部の開口上面を閉じる絶縁性の蓋と、前記蓋の一部を貫
通し、下端部が前記回路基板の表面側の金属板パターン
の一部に接続された外部接続端子とを具備することを特
徴とするものである。
【００４３】なお、前記押圧部材が半導体ペレット上を
押さえる力が弱過ぎると効果がなく、強過ぎるとパッケ
ージが変形してしまうおそれがあり、ペレット１１を押
さえる力は１．０ＭＰａ程度が最適であることが確認さ
れており、０．１〜１．９６ＭＰａの範囲内が適切であ
る。
【００４４】ここで、ペレット１１を押さえる力を前記
範囲内の低い方に設定したい場合には実施例１〜実施例
３およびその変形例として押圧部材固定用の補助部材を
用いた構造を採用し、前記範囲内の高い方に設定したい
場合には実施例４、実施例５およびその変形例として押
圧部材固定用の補助部材を用いた構造を採用することに
より、パッケージの設計に幅を持たせることが可能であ
る。
【００４５】また、パッケージのサイズの高さに余裕が
ある場合には、実施例１〜実施例３およびその変形例と
して押圧部材固定用の補助部材を用いた構造を採用し、
高さに余裕がない場合には実施例４、実施例５の構造を
採用することが可能である。
【００４６】
【発明の効果】上述したように本発明の大電力半導体モ
ジュール装置によれば、ペレットの動作時の発熱、冷却
の繰り返しによりモジュール全体の温度が上下を繰り返
した時でも、回路基板の接合部などの熱疲労によるモジ
ュール装置の破壊を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＩＧＢＴモジ
ュール装置の実施例１を概略的に示す断面図および一部
透視平面図。
【図２】本発明に係るＩＧＢＴモジュール装置の実施例
２を概略的に示す断面図。
【図３】本発明に係るＩＧＢＴモジュール装置の実施例
３を概略的に示す断面図。
【図４】本発明に係るＩＧＢＴモジュール装置の実施例
４を概略的に示す断面図。
【図５】本発明に係るＩＧＢＴモジュール装置の実施例
５を概略的に示す断面図。
【図６】本発明に係るＩＧＢＴモジュール装置の実施例
６を概略的に示す断面図。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るダイオードモ
ジュール装置の実施例を概略的に示す断面図。
【図８】従来のＩＧＢＴモジュール装置を概略的に示す
断面図および一部透視平面図。
【符号の説明】
１０…回路基板、 １０ａ…絶縁基板、 １０ｂ…銅板パターン、 １１…ＩＧＢＴペレット、 １２…ボンディングワイヤー、 １３…放熱体、 １４…絶縁性のケース、 １５…弾力性を有する絶縁材、 １６…絶縁性の蓋、 １６ａ…ガイド部材、 １７…外部接続端子、 １８…押圧部材、 １８ａ…櫛歯状の突起、 １８ｂ…凸部。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁基板の表裏面に導電性のよい金属板
    が貼り付けられ、少なくとも表面側に金属板パターンを
    有する回路基板と、 前記回路基板の表面側の金属板パターンのペレット搭載
    部上に熱伝導性および導電性のよい接着層を介して接合
    された半導体ペレットと、 前記回路基板の裏面側が熱伝導性および導電性のよい接
    着層を介して上面に接合された放熱体と、 前記回路基板の側方を囲む筒部を有し、前記放熱体に取
    り付けられた絶縁性のケースと、 前記ケースの内部で前記半導体ペレット上を所定の圧力
    で押さえる弾力性を有する絶縁体を用いた押圧部材と、 前記ケースの筒部の開口上面を閉じる絶縁性の蓋と、 前記蓋の一部を貫通し、下端部が前記回路基板の表面側
    の金属板パターンの一部に接続された外部接続端子とを
    具備することを特徴とする大電力半導体モジュール装
    置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の大電力半導体モジュール
    装置において、 前記ペレットの電極パッドと前記回路基板の表面側の銅
    板パターンの端子部との間を接続するように両端がボン
    ディング接合されたボンディングワイヤーと、前記ケー
    スの内部で前記ボンディングワイヤーを含むとともに前
    記半導体ペレットを部分的に覆うように回路基板上に設
    けられた弾力性を有する絶縁材とをさらに具備し、前記
    押圧部材は前記半導体ペレット上におけるボンディング
    ワイヤーのボンディング接合部分を部分的に押さえるこ
    とを特徴とする大電力半導体モジュール装置。
  3. 【請求項３】 請求項１または２記載の大電力半導体モ
    ジュール装置において、前記接着層は半田であることを
    特徴とする大電力半導体モジュール装置。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
    大電力半導体モジュール装置において、前記押圧部材
    は、前記半導体ペレットを０．１〜１．９６ＭＰａの範
    囲内の圧力で押すことを特徴とする大電力半導体モジュ
    ール装置。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の
    大電力半導体モジュール装置において、前記蓋は、前記
    ケースの筒部の開口上面に嵌め込まれた状態で前記開口
    上面を閉じ、前記押圧部材の上端を押圧することを特徴
    とする大電力半導体モジュール装置。
  6. 【請求項６】 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の
    大電力半導体モジュール装置において、 前記ケースの内部に配設され、その下面に前記押圧部材
    の上面が当接した状態で前記押圧部材に押圧力を加える
    押圧部材固定用の補助部材をさらに具備することを特徴
    とする大電力半導体モジュール装置。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の
    大電力半導体モジュール装置において、前記押圧部材
    は、弾力性を有する絶縁体からなり、その上面には先端
    に向かうにつれて細くなる櫛歯状の突起が形成され、そ
    の下面には凸部が形成されており、前記突起の先端部が
    前記蓋または補助部材の内面に当接し、前記凸部の先端
    が前記半導体ペレット上におけるボンディングワイヤー
    のボンディング接合部分に当接し、前記突起の先端部が
    圧縮されていることを特徴とする大電力半導体モジュー
    ル装置。
  8. 【請求項８】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の
    大電力半導体モジュール装置において、前記押圧部材
    は、弾力性を有する絶縁体からなる棒状に形成された複
    数本の押圧片と、各上面が前記蓋または補助部材の内面
    に当接し、各下面が前記半導体ペレット上におけるボン
    ディングワイヤーのボンディング接合部分に当接した状
    態で全体として圧縮されていることを特徴とする大電力
    半導体モジュール装置。
  9. 【請求項９】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の
    大電力半導体モジュール装置において、前記押圧部材
    は、その下面に前記半導体ペレット上におけるボンディ
    ングワイヤーのボンディング接合部分に当接する凸部が
    形成された弾力性を有する絶縁体からなる押圧片と、前
    記蓋または補助部材の内面に設けられた溝と前記押圧片
    の上面に設けられた溝との間に介挿されて圧縮状態にな
    っているコイルばねとからなることを特徴とする大電力
    半導体モジュール装置。
  10. 【請求項１０】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載
    の大電力半導体モジュール装置において、前記押圧部材
    は、その下面に前記半導体ペレット上におけるボンディ
    ングワイヤーのボンディング接合部分に当接する凸部が
    形成された弾力性を有する絶縁体からなる押圧片と、前
    記蓋または補助部材の内面と前記押圧片の上面との間に
    介挿されている皿ばねとからなることを特徴とする大電
    力半導体モジュール装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載
    の大電力半導体モジュール装置において、前記押圧部材
    は、その下面に前記半導体ペレット上におけるボンディ
    ングワイヤーのボンディング接合部分に当接する凸部が
    形成され、上面の中央部が周辺部よりも突起した弾力性
    を有する絶縁体からなる押圧片と、前記蓋または補助部
    材の内面と前記押圧片の上面突起部との間に介挿されて
    いる板ばねとからなることを特徴とする大電力半導体モ
    ジュール装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１記載の大電力半導体モジュー
    ル装置において、前記押圧部材は前記半導体ペレット上
    を全体的に押さえることを特徴とする大電力半導体モジ
    ュール装置。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011187878A (ja) * 2010-03-11 2011-09-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
KR101104389B1 (ko) * 2009-12-24 2012-01-16 한국전기연구원 종단 구조 반도체 칩의 실장구조
KR101228841B1 (ko) 2011-10-04 2013-02-04 엘에스산전 주식회사 일체형 탄성클립을 이용한 전력용반도체 고정장치
JP2014013884A (ja) * 2012-06-07 2014-01-23 Toyota Industries Corp 半導体装置
JP2014187264A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Toshiba Corp 半導体装置
JP2014225664A (ja) * 2013-05-14 2014-12-04 ゼミクロン エレクトローニク ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー パワーエレクトロニクス開閉装置及びパワーエレクトロニクス開閉装置を有する装置
CN113661216A (zh) * 2019-04-10 2021-11-16 汉高股份有限及两合公司 导热性硅酮灌封组合物

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6097089A (en) * 1998-01-28 2000-08-01 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Semiconductor plastic package, metal plate for said package, and method of producing copper-clad board for said package
DE19739591A1 (de) * 1997-09-10 1999-03-11 Wuerth Elektronik Gmbh & Co Kg Recyclingfähige Leiterplatte, bestehend aus einem Folien- und Trägersystem
JP3955396B2 (ja) * 1998-09-17 2007-08-08 株式会社ルネサステクノロジ 半導体サージ吸収素子
DE19843309A1 (de) * 1998-09-22 2000-03-23 Asea Brown Boveri Kurzschlussfestes IGBT Modul
JP3445511B2 (ja) * 1998-12-10 2003-09-08 株式会社東芝 絶縁基板、その製造方法およびそれを用いた半導体装置
US6507101B1 (en) * 1999-03-26 2003-01-14 Hewlett-Packard Company Lossy RF shield for integrated circuits
US6413119B1 (en) * 1999-06-14 2002-07-02 Delphi Technologies, Inc. Filtered electrical connector
JP3695260B2 (ja) * 1999-11-04 2005-09-14 株式会社日立製作所 半導体モジュール
DE10064194B4 (de) * 2000-12-22 2006-12-07 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiter-Modul und Kühlkörper zur Aufnahme des Leistungshalbleiter-Moduls
US6535388B1 (en) * 2001-10-04 2003-03-18 Intel Corporation Wirebonded microelectronic packages including heat dissipation devices for heat removal from active surfaces thereof
US6560110B1 (en) * 2002-02-22 2003-05-06 Delphi Technologies, Inc. Corrosive resistant flip chip thermal management structure
EP1494279A1 (de) * 2003-07-03 2005-01-05 Siemens Aktiengesellschaft Kühlende flexible Kontaktvorrichtung für einen Halbleiterchip
DE102004018476B4 (de) * 2004-04-16 2009-06-18 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiteranordnung mit kontaktierender Folie und Anpressvorrichtung
DE102004051039B4 (de) * 2004-10-20 2008-06-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Druckkontakteinrichtung
US7352039B2 (en) * 2005-03-24 2008-04-01 Intel Corporation Methods and apparatuses for microelectronic assembly having a material with a variable viscosity around a MEMS device
JP4760585B2 (ja) * 2006-07-18 2011-08-31 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
JP4860552B2 (ja) * 2007-06-08 2012-01-25 日本オプネクスト株式会社 半導体装置
US7944033B2 (en) * 2007-10-18 2011-05-17 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module
US7851267B2 (en) * 2007-10-18 2010-12-14 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module method
WO2009062534A1 (de) * 2007-11-13 2009-05-22 Siemens Aktiengesellschaft Leistungshalbleitermodul
DE102009002191B4 (de) * 2009-04-03 2012-07-12 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul, Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung
DE102009026558B3 (de) * 2009-05-28 2010-12-02 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul mit beweglich gelagerten Schaltungsträgern und Verfahren zur Herstellung eines solchen Leistungshalbleitermoduls
DE102009028814B4 (de) * 2009-08-21 2018-04-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Montage eines Leistungshalbleitermoduls
US8872328B2 (en) 2012-12-19 2014-10-28 General Electric Company Integrated power module package
CN104362141B (zh) * 2014-11-26 2017-06-23 国家电网公司 一种大功率压接型igbt模块
WO2016158072A1 (ja) * 2015-03-27 2016-10-06 三菱電機株式会社 パワーモジュール
JP6407422B2 (ja) * 2015-05-26 2018-10-17 三菱電機株式会社 圧接型半導体装置
DE112019006720B4 (de) 2019-01-23 2023-01-19 Mitsubishi Electric Corporation Druckkontakttyp-Halbleitervorrichtung

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60126853A (ja) * 1983-12-14 1985-07-06 Hitachi Ltd 半導体デバイス冷却装置
US5019892A (en) * 1988-02-18 1991-05-28 Amp Incorporated Chip carrier with accumulator
JPH02501178A (ja) * 1988-03-01 1990-04-19 ディジタル　イクイプメント　コーポレーション 集積回路チップをパッケージ化及び冷却する方法及び装置
DE4111247C3 (de) * 1991-04-08 1996-11-21 Export Contor Ausenhandelsgese Schaltungsanordnung
EP0512186A1 (en) * 1991-05-03 1992-11-11 International Business Machines Corporation Cooling structures and package modules for semiconductors
JPH0746624B2 (ja) * 1992-12-10 1995-05-17 山一電機株式会社 Ｉｃキャリア用ソケット
JP2728858B2 (ja) * 1995-04-17 1998-03-18 山一電機株式会社 Ｉｃソケットとｉｃ間の接触媒介基板
DE19533298A1 (de) * 1995-09-08 1997-03-13 Siemens Ag Elektronisches Modul mit Leistungsbauelementen

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101104389B1 (ko) * 2009-12-24 2012-01-16 한국전기연구원 종단 구조 반도체 칩의 실장구조
JP2011187878A (ja) * 2010-03-11 2011-09-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
KR101228841B1 (ko) 2011-10-04 2013-02-04 엘에스산전 주식회사 일체형 탄성클립을 이용한 전력용반도체 고정장치
JP2014013884A (ja) * 2012-06-07 2014-01-23 Toyota Industries Corp 半導体装置
JP2014187264A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Toshiba Corp 半導体装置
JP2014225664A (ja) * 2013-05-14 2014-12-04 ゼミクロン エレクトローニク ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー パワーエレクトロニクス開閉装置及びパワーエレクトロニクス開閉装置を有する装置
CN113661216A (zh) * 2019-04-10 2021-11-16 汉高股份有限及两合公司 导热性硅酮灌封组合物
CN113661216B (zh) * 2019-04-10 2023-09-19 汉高股份有限及两合公司 导热性硅酮灌封组合物

Also Published As

Publication number Publication date
US6087682A (en) 2000-07-11
EP0881674A3 (en) 1999-03-03
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