JP2014225664A - パワーエレクトロニクス開閉装置及びパワーエレクトロニクス開閉装置を有する装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板2は電気的に絶縁された導電路22を有し、導電路22の上にはパワー半導体構成要素24が配設され、接続装置3は導電性フィルム30、34及び絶縁性フィルム32を有するフィルム合成物として形成されており、また、第一主面300及び第二主面340を有している。これを用いて開閉装置1は内部で回路に適合して接続されている。押圧装置5は第一の空隙部504を有する押圧体50を有し、この空隙部504から突出して押圧要素52が配設されており、押圧要素52はフィルム合成物の第二主面340の一部分を押圧し、その際この部分はパワー半導体構成要素24、の法線方向に沿った投影において、パワー半導体構成要素24、の面の内側に配されている。
【選択図】図1
Description
基板2の導電路、パワー半導体構成要素24、及び、接続要素3を含む基板2の上側が、封止用化合物を用いて、例えばエポキシ樹脂を用いて、液密に封止されている。これによって、IP54(IEC規格(IEC60529)に従うIPコード(international protection code))以上の保護構造が到達可能である。この際、有利には、端子要素の一部も、特には負荷端子要素の一部も、封止されている。
2 基板
3 接続装置
4 負荷端子装置
5 押圧装置
6 押圧導入装置
7、8 冷却装置
20 絶縁材料体
22 導電路
24、26 パワー半導体構成要素
30、34 導電性フィルム
32 絶縁性フィルム
50 押圧体
52 押圧要素
100 装置
300、340 第二主面
500 第一主面
504 第一の空隙部
Claims (15)
- 基板(2)、その上に配設されたパワー半導体構成要素(24、26)、接続装置(3)、負荷端子装置(4)及び押圧装置(5)を有する、パワーエレクトロニクス開閉装置(1)において、
前記基板(2)が、互いに電気的に絶縁された導電路(22)を有し、また、導電路(22)上にパワー半導体構成要素(24、26)が配設されており且つ素材結合的にそれと接続されていること、
前記接続装置(3)が、導電性フィルム(30、34)及び電気絶縁性フィルム(32)を有するフィルム合成物として形成されており、またそれをもって第一及び第二主面(300、340)を形成しており、そして、前記開閉装置が前記接続装置(3)を用いて内部にて回路に適合して接続されていること、
前記押圧装置(5)が、第一の空隙部(504)を有する押圧体(50)を有し、この空隙部(504)から突出して押圧要素(52)が配設されており、また、前記押圧要素(52)がフィルム合成物の前記第二主面(340)の部分(342、344)を押圧し、その際この部分は前記パワー半導体構成要素(24、26)の法線方向に沿った投影において、前記パワー半導体構成要素(24、26)の面(242、262)の内側に配されていること
を特徴とする開閉装置。 - 請求項1に記載の開閉装置において、
前記押圧体(50)の前記空隙部(504)が、もっぱら第一主面(500)から始まる凹部として、又は、前記第一主面(500)から始まる凹部にして前記押圧体(50)を貫通して前記第二主面(502)まで達しそこに形成された開口部(512)を備えた中抜け部と有する凹部として、形成されていることを特徴とする開閉装置。 - 請求項2に記載の開閉装置において、
前記押圧要素(52)が前記押圧体(50)の前記空隙部(504)を完全に又はほぼ完全に塞ぐことを特徴とする開閉装置。 - 請求項2又は3に記載の開閉装置において、
前記押圧要素(52)が前記押圧体(50)の前記中抜け部(504)からその第二主面(502)にて突出することを特徴とする開閉装置。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載の開閉装置において、
前記押圧体(50)が、高温耐性の熱可塑性プラスチックから、特にはポリフェニレンスルファイドから構成されており、また、前記押圧要素(52)が、シリコーンゴムから、特には液体シリコーンから構成されていることを特徴とする開閉装置。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載の開閉装置において、
前記押圧体(50)がその前記第二主面(502)に第二の空隙部(506)を有しており、そのベース部が補助面(508)を形成し、またその際、前記第二の空隙部(506)内に薄層状の金属体(510)が配設されていることを特徴とする開閉装置。 - 請求項1から6のいずれか一項に記載の開閉装置において、
前記部分(342、344)の表面面積が少なくとも、前記パワー半導体構成要素(24、26)の表面の少なくとも20%、特には少なくとも50%であることを特徴とする開閉装置。 - 請求項1から7のいずれか一項に記載の開閉装置において、
第一の導電路部分が、前記接続装置(3)の前記導電性フィルム(30)から形成されており、前記パワー半導体構成要素(24、26)の接触面及び前記基板(2)の前記導電路(22)と、素材結合的に、特には加圧焼結部を用いて、接続されていることを特徴とする開閉装置。 - 請求項1から8のいずれか一項に記載の開閉装置において、
前記押圧装置(5)の水平方向の広がり(540)が、基板平面に対して平行な2つの直交方向において、前記基板(2)の水平方向の広がり(200)よりも僅かであることを特徴とする開閉装置。 - 請求項1から9のいずれか一項に記載の開閉装置において、
前記押圧体(52)の垂直方向の広がり(522)に対する、水平方向の広がり(520)の比率が、1に対して2の比率、特には1に対して4の比率を有することを特徴とする開閉装置。 - 請求項1から10のいずれか一項に記載の開閉装置において、
前記基板(2)の上面が、その導電路(22)、前記パワー半導体構成要素(24)及び前記接続装置(3)を含み、封止用化合物(8)を用いて、液密に封止されていることを特徴とする開閉装置。 - 請求項1から11のいずれか一項に記載のパワーエレクトロニクス開閉装置(1)、冷却装置(7)、及び、押圧導入装置(6)、を有する装置(100)において、
前記押圧導入装置(6)が間接的に又は直接的に前記冷却装置(7)を圧迫しており、前記押圧装置(5)中央へ押圧を導入し、それにより前記開閉装置(1)が摩擦力による結合で前記冷却装置(7)と接続されていることを特徴とする装置。 - 請求項12に記載の装置において、
前記基板(2)と前記冷却装置(7)の間に、20μmよりも僅かな厚さ、特には10μmよりも僅かな厚さ、特には5μmよりも僅かな厚さを有する導熱板(70)が配設されていることを特徴とする装置。 - 請求項12に記載の装置において、
前記冷却装置(7)が、パワー半導体モジュールのベースプレート又は冷却体であることを特徴とする装置。 - 請求項12に記載の装置において、
前記押圧体(52)の垂直方向の広がり(522)に対する、水平方向の広がり(520)の比率が、1に対して3の比率、特には1に対して5の比率を有することを特徴とする装置。
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Cited By (1)
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Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE102013104949B3 (de) * | 2013-05-14 | 2014-04-24 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronische Schalteinrichtung und Anordnung hiermit |
US9437589B2 (en) * | 2014-03-25 | 2016-09-06 | Infineon Technologies Ag | Protection devices |
DE102014106570B4 (de) | 2014-05-09 | 2016-03-31 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit Schalteinrichtung und Anordnung hiermit |
DE102014115565B3 (de) | 2014-10-27 | 2015-10-22 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung einer Schalteinrichtung mit einer feuchtigkeitsdichten und elektrisch isolierenden Abdeckung und zur Herstellung einer Anordnung hiermit |
DE102015111204B4 (de) * | 2015-07-10 | 2019-03-07 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronisches Modul mit Lastanschlusselementen |
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DE102015115611A1 (de) * | 2015-09-16 | 2017-03-16 | Karlsruher Institut für Technologie | Verfahren zum Herstellen von elektronischen Modulen |
DE102015116165A1 (de) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung einer leistungselektronischen Schalteinrichtung und leistungselektronische Schalteinrichtung |
DE102015120157A1 (de) * | 2015-11-20 | 2017-05-24 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronische Schalteinrichtung mit einer Mehrzahl von Potentialflächen |
DE102016119631B4 (de) * | 2016-02-01 | 2021-11-18 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einem Druckeinleitkörper und Anordnung hiermit |
DE102016110912B4 (de) * | 2016-06-14 | 2018-03-08 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einer Schalteinrichtung |
EP3273470A1 (de) | 2016-07-22 | 2018-01-24 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungselektronische schalteinrichtung, anordnung hiermit und verfahren zur herstellung der schalteinrichtung |
EP3273474A1 (de) | 2016-07-22 | 2018-01-24 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungselektronische schalteinrichtung, anordnung hiermit und verfahren zur herstellung der schalteinrichtung |
EP3273473B1 (de) | 2016-07-22 | 2020-09-09 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungselektronische schalteinrichtung, anordnung hiermit und verfahren zur herstellung der schalteinrichtung |
DE102016123113B3 (de) * | 2016-11-30 | 2017-11-09 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Druckeinrichtung für eine leistungselektronische Schalteinrichtung, Schalteinrichtung und Anordnung hiermit |
DE102016123697B4 (de) * | 2016-12-07 | 2021-06-24 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Druckeinrichtung für eine leistungselektronische Schalteinrichtung, Schalteinrichtung und Anordnung hiermit |
DE102017100328B4 (de) * | 2017-01-10 | 2020-03-19 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einem Leistungshalbleiterbauelement |
DE102017117667B4 (de) * | 2017-08-03 | 2021-11-18 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einer auf eine Schalteinrichtung einwirkenden Druckeinrichtung |
FR3091013B1 (fr) * | 2018-12-21 | 2021-01-15 | Valeo Siemens Eautomotive France Sas | Organe de plaquage, ensemble et équipement électrique |
JP7099385B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2022-07-12 | 株式会社デンソー | 加圧部材 |
DE102019113762B4 (de) * | 2019-05-23 | 2022-04-14 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls |
DE102019209069A1 (de) * | 2019-06-24 | 2020-12-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Befestigung von Leistungshalbleiterbauelementen auf gekrümmten Oberflächen |
DE102019126623B4 (de) | 2019-10-02 | 2024-03-14 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Patentabteilung | Leistungselektronische Schalteinrichtung mit einer Vergussmasse |
GB2579467B (en) * | 2020-01-24 | 2021-01-13 | First Light Fusion Ltd | Electrical switching arrangement |
DE102020121033B4 (de) * | 2020-08-10 | 2024-08-29 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronische Schalteinrichtung, Leistungshalbleitermodul damit und Verfahren zur Herstellung |
DE102022101511A1 (de) | 2022-01-24 | 2023-07-27 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistung-Schalteinrichtung mit optimierter Druckplatte |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08222671A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-08-30 | Toshiba Corp | 回路モジュールの冷却装置 |
JPH10335579A (ja) * | 1997-05-27 | 1998-12-18 | Toshiba Corp | 大電力半導体モジュール装置 |
JP2002353408A (ja) * | 2001-05-05 | 2002-12-06 | Semikron Elektron Gmbh | 圧力接触によるパワー半導体モジュール |
EP2463899A2 (de) * | 2010-12-07 | 2012-06-13 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Halbleiterschaltungsanordnung |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5483104A (en) * | 1990-01-12 | 1996-01-09 | Paradigm Technology, Inc. | Self-aligning contact and interconnect structure |
US5267867A (en) * | 1992-09-11 | 1993-12-07 | Digital Equipment Corporation | Package for multiple removable integrated circuits |
JP3965795B2 (ja) * | 1998-08-24 | 2007-08-29 | 株式会社デンソー | 電子部品の半田付け方法 |
US6218730B1 (en) * | 1999-01-06 | 2001-04-17 | International Business Machines Corporation | Apparatus for controlling thermal interface gap distance |
EP1128432B1 (de) * | 2000-02-24 | 2016-04-06 | Infineon Technologies AG | Befestigung von Halbleitermodulen an einem Kühlkörper |
DE10142614A1 (de) * | 2001-08-31 | 2003-04-03 | Siemens Ag | Leistungselektronikeinheit |
DE10227658B4 (de) * | 2002-06-20 | 2012-03-08 | Curamik Electronics Gmbh | Metall-Keramik-Substrat für elektrische Schaltkreise -oder Module, Verfahren zum Herstellen eines solchen Substrates sowie Modul mit einem solchen Substrat |
US20050127500A1 (en) * | 2003-12-10 | 2005-06-16 | International Business Machines Corporation | Local reduction of compliant thermally conductive material layer thickness on chips |
JP3809168B2 (ja) * | 2004-02-03 | 2006-08-16 | 株式会社東芝 | 半導体モジュール |
DE102006006425B4 (de) | 2006-02-13 | 2009-06-10 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung |
DE102006015198A1 (de) * | 2006-04-01 | 2007-10-11 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Verbindungseinrichtung für elektronische Bauelemente |
KR20140079834A (ko) * | 2006-09-27 | 2014-06-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 전자 소자, 가변 커패시터, 마이크로스위치, 마이크로스위치의 구동 방법, mems형 전자 소자, 마이크로 액추에이터 및 mems 광학 소자 |
DE102007006706B4 (de) | 2007-02-10 | 2011-05-26 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Schaltungsanordnung mit Verbindungseinrichtung sowie Herstellungsverfahren hierzu |
US7808100B2 (en) | 2008-04-21 | 2010-10-05 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module with pressure element and method for fabricating a power semiconductor module with a pressure element |
JP4825259B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2011-11-30 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュール及びその製造方法 |
DE102009005915B4 (de) * | 2009-01-23 | 2013-07-11 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung |
DE102009002992B4 (de) * | 2009-05-11 | 2014-10-30 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitermodulanordnung mit eindeutig und verdrehsicher auf einem Kühlkörper montierbarem Leistungshalbleitermodul und Montageverfahren |
US20110279980A1 (en) * | 2010-05-11 | 2011-11-17 | Silicon Integrated Systems Corp. | Heat dissipation structure for liquid crystal television |
KR101862808B1 (ko) * | 2010-06-18 | 2018-05-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
DE102011078811B3 (de) * | 2011-07-07 | 2012-05-24 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronisches System mit einer Kühleinrichtung |
US8975711B2 (en) * | 2011-12-08 | 2015-03-10 | Infineon Technologies Ag | Device including two power semiconductor chips and manufacturing thereof |
CN103430307B (zh) * | 2012-02-13 | 2016-04-27 | 松下知识产权经营株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
US8916968B2 (en) * | 2012-03-27 | 2014-12-23 | Infineon Technologies Ag | Multichip power semiconductor device |
DE102013104949B3 (de) * | 2013-05-14 | 2014-04-24 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronische Schalteinrichtung und Anordnung hiermit |
DE102014106570B4 (de) * | 2014-05-09 | 2016-03-31 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit Schalteinrichtung und Anordnung hiermit |
-
2013
- 2013-05-14 DE DE102013104949.4A patent/DE102013104949B3/de active Active
-
2014
- 2014-03-11 EP EP14158699.0A patent/EP2804210A1/de not_active Withdrawn
- 2014-05-02 JP JP2014095153A patent/JP6326280B2/ja active Active
- 2014-05-07 IN IN1589MU2014 patent/IN2014MU01589A/en unknown
- 2014-05-14 US US14/120,385 patent/US9530712B2/en active Active
- 2014-05-14 CN CN201410203042.5A patent/CN104157622B/zh active Active
- 2014-05-14 KR KR1020140057786A patent/KR102214418B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08222671A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-08-30 | Toshiba Corp | 回路モジュールの冷却装置 |
JPH10335579A (ja) * | 1997-05-27 | 1998-12-18 | Toshiba Corp | 大電力半導体モジュール装置 |
JP2002353408A (ja) * | 2001-05-05 | 2002-12-06 | Semikron Elektron Gmbh | 圧力接触によるパワー半導体モジュール |
EP2463899A2 (de) * | 2010-12-07 | 2012-06-13 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Halbleiterschaltungsanordnung |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107611110A (zh) * | 2016-07-12 | 2018-01-19 | 赛米控电子股份有限公司 | 功率半导体设备 |
KR20180007340A (ko) * | 2016-07-12 | 2018-01-22 | 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지 | 전력 반도체 디바이스 |
KR102354246B1 (ko) * | 2016-07-12 | 2022-01-20 | 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지 | 전력 반도체 디바이스 |
CN107611110B (zh) * | 2016-07-12 | 2023-05-09 | 赛米控电子股份有限公司 | 功率半导体设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IN2014MU01589A (ja) | 2015-09-04 |
US9530712B2 (en) | 2016-12-27 |
KR102214418B1 (ko) | 2021-02-08 |
CN104157622B (zh) | 2018-04-13 |
DE102013104949B3 (de) | 2014-04-24 |
KR20140134628A (ko) | 2014-11-24 |
EP2804210A1 (de) | 2014-11-19 |
US20150069599A1 (en) | 2015-03-12 |
JP6326280B2 (ja) | 2018-05-16 |
CN104157622A (zh) | 2014-11-19 |
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