JPH0258537A - 芳香族ポリエステルアミド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、 〔従来技術〕 で示される構成単位を含有する芳香族ポリエステルアミ
ドに関するものである。

このポリエステルアミドは溶融時に液晶性（光学的異方
性）を示すので成形性（流動性）に浸れており、高弾性
率かつ高強度であり、高い耐熱性を有する。特にハンダ
耐性に優れているため、精密部品、コネクター、ＩＣノ
ケノト、封止材等の電気・電子材料、自動車用部品等の
成形品・やフィルム・繊維等として利用されうる。

又、本発明のポリエステルアミドは本発明の製造方法に
より製造することによって、従来の一般的なポリエステ
ル製造装置で製造できることより、生産性が向上したり
、コストダウンにもつながる。

上記式で表わされる構成単位を有する芳香族ポリエステ
ルアミドは、プリティッシュ・ポリマー・ジャーナル第
７３巻／号、５頁（／灯／）、特開昭タフ−／７７０２
／、特開昭！；！−２７３９７等に記載があるが、いず
れも窒素含有成分としては芳香族ジアミン化合物残基や
芳香族アミノオキシ化合物残基が用いられているのみで
ある。

アミノカルボン酸残基を含む系についてはマクロモレキ
ュールズ第２０巻ｌｔ号、１７７頁（／Ｆｆｆ７年）に
記載があるが、このものはアミノカルボン酸残基の含有
比率が！０当量係と高いので、吸水性に問題があると考
えられる。

また、このものが液晶性を示すかどうかについては何の
記載もなされていない。

〔問題点を解決するための手段〕

従来の製造装置（例えば３ン０°Ｃ以下の温度でのバル
ク法、たて型重合槽）で製造でき、かつハンダ耐熱（２
乙０℃、７０８６０以上とする）に耐え、かつ高弾性率
、高強度、高流動性の芳香族ポリエステルアミドについ
て鋭意検討した結果、非常に驚くべきことに、以下の成
分をもつ芳香族ポリエステルアミドは上記目的を達成す
ることを見出し１本発明に到達した。

すなわち本発明は、 （イ）　７〜３０モル％の式（１）で示される芳香族ア
ミノカルボン酸残基、 数／〜乙の炭化水素 基を示す。） （ロ）　２〜５０モル％の式（２）で示される２、ｔ−
ナフタレンジカルボン酸残基、 （２ン Ｈｊ〜ｒｏモル係モル（３）で示される芳香族ジオール
残基、 −Ｏ−Ｒ２−０− （Ｒ２：、２価の芳香族基を示す。） （−１：ｌ　Ｏ−弘Ｏモル％の式（４）で示される芳香
族ジカルボン酸残基、 ＯＯ （ホ）　０〜７５モル％の式（５）で示される芳香族オ
キシカルボン酸残基、 から主として成る芳香族ボリエヌテルアミドであり（こ
こに（１）、（２）、（３）、（４）、（５）のモル数
を〔１〕、〔２〕、〔３〕、〔４〕、〔５〕で表わすと
、モル係は［１３−１−［２）＋Ｃ３’：ｌ＋（４］＋
（５）に対する値である）、３２０　℃、１００ｓｅｃ
’での溶融粘度が１０ボイズ以上の芳香族ポリエステル
アミド、及び 出発原料として （へ）　７〜３０モル％の式（６）で示される芳香族ア
ミノカルボン酸、 （Ｒ１＝水素原子または炭素数／〜乙の炭化水素基を示
す。） （ト１　．２〜！θモル係の式（力で示される２、ｔ　
−ナフタレンジカルボン酸。

ＨＯ−Ｒ２−ＯＨ（８１ （Ｒ２：２価の芳香族基を示す。） （１月　θ〜μ０モル係モル（９）で示される芳香族ジ
カルボン酸、 −）　０〜７ｊモル易の弐ＱＱ）で示される芳香族オキ
シカルボン酸、 （ホ）　３〜ｊＯモル係の式（８）で示される芳香族ジ
オール化合物、 させ、１００−≠θＯ°Ｃの温度において酸及び酸無水
物を留去しつつ反応させることを特徴とする芳香族ポリ
エステルアミド′の製造方法、に存する。

本発明をさらに詳細に説明する。

本発明の芳香族ポリエステルアミドにおいては、その構
成成分として、前記式（１）で示される芳香族アミノカ
ルボン酸残基、式（２）で示される、２ｔ−ナフタレン
ジカルボン酸残基、及ヒ式（３）で示される芳香族ジオ
ール残基を含有することが必須の要件である。

式（１）で示される芳香族アミノカルボン酸残基の含有
比率は、［１）−Ｈ：２）＋［３）＋〔４）＋［５）の
和に対して７〜３０モル％であり、好ましくは２〜２５
モル％、更に好寸しくけ３〜２０モル％である。

これは１モル係以上存在させるだけで耐熱性を高めるこ
とができるだけでなく、弾性率及び強度をも高めるとい
う特徴をも有する。

３０モル係を超えると流動性が低化したり、吸水性が悪
化したりするので好ましくない。

式（１）で示される化合物残基の具体的な例としては、
ｍ〜ルアミノ息香酸、Ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−Ｎ−メ
チルアミノ安息香ｅ、ｐ−Ｎ−フェニルアミノ安息香酸
、等の残基が挙げられ、これ等の２種以上を含有してい
てもよい。

これ等のうち、ｍ−アミノ安息香酸、Ｐ−アミノ安息香
酸の残基が好ましく、特にＰ−アミノ安息香酸残基が好
ましい。

式（２）で示される２、６−ナフタレンジカルボン酸残
基の含有比率は、（１）＋［：２　）＋（３）＋（４Ｄ
〔５〕の和に対して２−！ｒＯモルモルあり、好ましく
Ｉｔ′ｉ３モル係以モル３ｔモル係以下、さらに好まし
くはｊモル係以上、３０モル係以下である。これは２モ
ル％以上存在するだけで液晶性を高めるだけでなく、通
常のポリエステル製造装置（３２０℃以下）で製造でき
るという驚くべき特徴を有する。通常のポリエステルの
製造装置とは、例えば繊維便覧（原料編）ｐ、ＩＯどの
図７．／ｌ　に記載されているようなものと考えればよ
い。また、製造できるということは、重合槽の中で固化
してしまうことなく流動可能であり、そのため重合槽か
ら抜き出すことができることを意味する。

液晶性を高めるということは、弾性率の向上や、成形性
の良化（流動性の向上即ち溶融粘度の低下）をもたらす
ということである。該コ、乙−ナフタレンジカルボン酸
残基の含有比率が２モル％未満の領域では、重合中に固
化が起こり、抜き出すことができなくなるだけでなく、
弾性率の低下や成形性（流動性）の低下を招くので好ま
しくない。

式（３）で示される芳香族ジオールについては、ポリマ
ー全体として、成形時に液晶性を示し、かつ・・ンダ耐
熱性を有するように選択するのが好ましい。

一般式（３）中のＲ２ｐ−１，２価の芳香族を示すが、
好ましいＲ２としては、 （Ｒ３：炭素数／〜３のアルキル基又ハフェニル基を示
す。

ｎ：置換基数を表わし、ｎ＝ｏ〜μの整数である。

Ｘ：酸素原子、硫黄原子、スルホニル基、カルボニル基
、炭化水素基、エステル 残基又は直接結合を示す） で示される基が挙げられる。

式〔３〕で示される芳香族ジオキシ化合物の残基の具体
例としては、例えば・・イドロキノン、レゾルンン、メ
チルハイドロキノン、ｔ−ブチルハイドロキノン、　ｒ
、ｓ　−シー　ｔ　−フーｔルハイドロキノン、！、６
−ジーｔ−ブチルハイドロキノン、メチルハイドロキノ
ンジアセテ−１・、ｔ−プチルハイドロキノンジアセテ
ート、！、≠、ｊ−トリメチルレゾルンン、λ、３．Ｊ
　−トリメチルハイドロキノン、／、Ｆ−ジヒドロキシ
ナ７タレン、／＋！−ジヒドロキシナフタレン、／、Ａ
−ジヒドロキシナフタレン、２．乙−ジヒドロキシナフ
タレン、コ、７−シヒドロキシナフタレン、ｄｌ、２−
ビスＣクーヒドロキシフェニル）プロパン、、２−（３
−ヒドロキシフェニル）　−，２−（クーヒドロキシフ
ェニル）プロパン、ビス（４ｔ−ヒドロキシフェニル）
メタン、３．Ｉｔ’−ジヒドロキシジフェニルスルホン
、　　３．Ｉｔ’−ジヒドロキシベンゾフェノン、／、
／−ビス（弘−ヒドロキシフェニル）ンクロヘキサン、
　　糺ｐ’　−）ヒドロキシジフェニル、ビス（４ｔ−
ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス（クーヒドロキシフ
ェニル）スルフィド、ビス（クーヒドロキシフェニル）
スルホン、ビス（４ｔ−ヒドロキシフェニル）エーテル
、（クーヒドロキシフェニル）−＜＝−ヒドロキシベン
ゾエート等の残基が挙げられるが、必ずしもこれらに限
定されるものではない、またこれらは混合物として使用
してもよい。

これらの中でハイドロキノン、レゾルシン、ｔ−ブチル
ハイドロキノン、メチルハイドロキノン、≠、≠′−ジ
ヒドロキシジフェニル、、２．＆−ジヒドロキンナフタ
レン、ノー（３−ヒドロキシフェニル）−λ−（ｔ／Ｌ
−ヒドロキシフェニル）プロパン等が特に望ましい。（
３）の含有比率は（１）〜（５）の成分の全寺弄鱗巷傘
合計を１００モル係トシて３〜ｒｏモル％の範囲であり
、好ましくはｊＡ／≠７モル係でモル。

３モル係未満では、通常の反応槽からポリマーを抜き出
すことができなくなるので好ましくない。

本発明の芳香族ポリエステルアミドは更に、その構成成
分として、前記の式（４）で示される芳香族ジカルボン
酸残基を含有することができる。

式（４）で示されるジカルボン酸残基としては、テレフ
タル酸残基および／又はイノフタル酸残基が挙げられる
。テレフタル酸残基、イソフタル酸残基それぞれ単独に
用いても混合して共重合体としてもよい。共重合体とす
るときはテレフタル酸残基の量がインフタル酸残基の量
より多い方が好ましい。（４）の含有比率は、〔１〕〜
〔５〕の和に対して≠！モル係以下である。

前記式（２１，（３１，（４）で表わされる各構成成分
は、その各々の含有比率〔２〕、〔３〕、〔４〕が、Ｏ
８り＜（〔２）＋〔４）ン（：３）＜：／、／を満たす
ようにするのが好ましい。この範囲外では、重合度が不
十分となる。

特如 ０、タ　−’　＜　（［２）十（４］ン（３）＜：／、
Ｏりが好ましい。

本発明の芳香族ポリエステルアミドは更に、その構成成
分として、前記の式〔５〕で示される芳香族オキシ安息
香酸残基を含有することができる。

式（５）で示されるオキシ安息香酸残基の具体例として
は、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｍ−ヒドロキン安息香酸
、の残基が挙げられる。

これらの残基はそれぞれ単独に用いてもよいし、共重合
体として使用してもよい。ｐ−ヒドロキシ安息香酸残基
と、ｍ−ヒドロキシ安息香酸残基を共重合体とするとき
は、ｐ−ヒドロキシ安息香酸残基量をより多くすること
が好ましい。ｐ−ヒドロキシ安息香酸残基を単独で用い
ることも好ましい。（５）の含有比率は、〔１〕〜〔５
〕の和に対して７５モル係以下、好ましくはＡＯモル係
以下である。

（５）の含有比率が７ｔモル係を超えると、流動性が悪
化したり、反応槽からポリマーを抜き出すことができな
くなったりするので好ましくない０ （４）の成分が含まれない場合においても、生成ポリマ
ーは溶融相において光学的に異方性（液晶性）を示しう
るので、そのため成形性にすぐれ、かつ高弾性率、高耐
熱性の芳香族ポリエステルアミドを得ることは可能であ
り、しかもこの場合は、液晶性ポリマーとして弾性率が
高い上に異方性がある程度緩和された、すなわちＥＭＤ
／′ＥＴＤ　　比の小ざい芳香族ポリエステルアミドが
得られる。

本発明においては、上に挙げたｆｌ、１〜（５）成分以
外の成分を肴干（約３当量係以下）含有することは、−
向に差し支えない。

本発明においては、これらの構成成分を含有することに
より、驚くべきことに、生成ポリマーは溶融相において
光学的に異方性（液晶性）を示し、そのため成形性にす
ぐれ、かつ高弾性率高強度を有し、さらに耐熱性の良好
な芳香族ポリエステルアミドが得られ、かつ従来のポリ
エステル製造装置（例えば、たて型のポリエチレンテレ
フタレート製造装置）を利用しても槽の底からポリマー
を抜き出すことができるという大きなメリットがあるこ
とを見出した。（以下、抜出し性と表現する）それは（
１）、（２）、（３）、場合により（４）および／また
は（５）の成分を組み合わせることにより、流動開始温
度が低くなるためと考えられる。

特に（１）と（２）を用いることが、耐熱性を高め（す
なわちハンダ耐性を付与し）、かつ流動開始温度はあま
り高めず３２０℃において流動しうる状態を作り出すこ
と、および、溶融粘度をむしろ低下させる効果をもつこ
とを見出したことは驚くべきことである。

本発明の芳香族ポリエステルアミドが耐熱性にすぐれて
いることは、次のことからも明らかである。例えばパイ
ブロン（／／（１７Ｈｚ）　　で測定したａＯ℃、ｉｓ
ｏ℃における複素弾性率／Ｅ＊／外をそれぞれ／　Ｅ”
　／４０１／　Ｅ　’ン、。とすると、／Ｅ＊イｓ　ｏ
　／　／　Ｅ　”／４　ｏ〉Ｔ５でかつ　／　Ｃ１ｓ。

＞　ｓ　、　ｏｘ　７　ｏ　Ｉｌｌ　ｄ’／ｎｅ／７／
　Ｅ＊／　４０〉ｔｏ、　ｏ　ｘ７０Ｉ０ｄｙｎｅ／／
″という特徴を有する。組成を選べば ／Ｅ＊イｓ　ｏ　／　／　Ｅン４０〉−／Ｅ＊４５０　
〉／゛０．０　×１０１０ｄＹｎＣ／ｆ″７Ｅ＊７４０
　〉／ｊ　、ＯＸ／　ＯＩｏ　ｄＹ”””である。

又、相当するポリエステルに比べても、（１）の成分を
導入することにより常温での複素弾性率Ｅ＊　も向上し
、また／　ｊ　Ｏ”ＣでのＥ＊　も向上するという特徴
を有する。

又、２６０℃における複素弾性率を／Ｅ＊／／２６゜と
すると、 ／　Ｅ’ｓ、６ｏ’；ｚｘ、ｏ　ｘ　ｌｏ”　ｄｙｎｅ
／Ｃｎｔという非常に高い耐熱性を示す。このため２１
．０℃でのハンダ耐性をも有する。実際！６０℃のハン
ダ浴に浸漬しても、外観上何ら変化は認められない。

本発明の芳香族ポリエステルアミドは、２乙。

℃で上記のような高い弾性率を示し、かつ３２０℃では
通常のポリエステル製造装置で溶融法で製造できるとい
う大きな特徴をもっている。

またレオロジー的には溶融粘度が低く、成形性が良好で
ある。

本発明の芳香族ポリエステルアミドば、３１０℃１　７
００　ｓｅｃ　　＋での溶融粘度が１０ポイズ以上であ
ることが必須であり、ｉｏボイズ未満では充分な強度が
得られない。Ｊ　、２０　’Ｃ１１ｏ。

Ｓｅｃ　　’　　での好ましい溶融粘度はＳＯポイズ以
上、特にｉｏｏ〜／　０，０００ボイズが成形性の点で
好適である。

本発明の芳香族ポリエステルアミドを製造するＫＦｉ、
所定比率の（６ンの芳香族アミノカルボン酸、（７）の
２．６−ナフタレンジカルボン酸、（８１の芳香族ジオ
ール、（９）の芳香族ジカルボン酸、０ωの芳香族オキ
シカルボン酸残基あるいはこれ等の誘導っで処理すれば
よい。とくに溶融重合法は、重合反応後の後処理が不要
であるため工業的生産上有利であシ、また、溶液重合法
及び界面重合法は、重合反応が比較的低温で実施し得る
利点がある。

溶融重合法の場合は、前記の原料成分の一部を、アシル
化物又はエステルとして使用し、２００−≠００℃の温
度で重合する方法、あるいは前記原料成分にアンル化剤
を加えて重合する方法が採られる。

また、溶液重合法または界面重合法では、カルボン酸残
基に対応する原料モノマーとして、一般に酸ハライドと
くに酸クロライドが用いられ、界面重合法では原料のオ
キシ残基は塩にしておく必要がある。

特に本発明における製造法はコスト、作業性等の面から
すぐれている。すなわち本発明である製造法は、出発原
料として （へ）　／〜３０モル係モル（６）で示される芳香族ア
ミノカルボン酸残基、 （Ｒ’：水素原子または炭素数／〜乙の炭化水素基を示
す。） （ト）２〜りＯモル係の式で示される２、６−ナフタレ
ンシカｌレボン酸、 四　〇−グ０モル係の式（９）で示される芳香族ジカル
ボン酸。

（ヌ）　θ〜７！モル係モル０Ｉｌｌｌで示される芳香
族オキシカルボン酸、 （力　３〜！θモル倦の式（８）で示される芳香族ジオ
ール化合物、 ＨＯ−Ｒ・−ＯＨ（８） （ｒｔ２ｍ　　、２価の芳香族基を示す。）を使用し、
系中で酸無水物を添加して反応させ、１ｏｏ−≠００℃
の温度において酸及び酸無水物を留去しつつ反応させる
ことを特徴トスる芳香族ポリエステルアミドの製造方法
である。

これら生成ポリエステルアミドの組成は仕込原料組成と
同等なので、所望のポリエステルアミドの組成となるよ
うに仕込原料組成を決めればよい。

触媒としてはＢｕＳｎＯＯＨ、Ｂｕ２ＳｎＯ０Ｔｉ　（
ＯｉＰｒ　）４．　。

Ｚｎ　（ＯＡ、Ｃ）２　、　Ｓｎ　（ＯＡＣ）２　＋　
　５ｂｑＯｓ　、　Ｃｏ　（ＯＡｃ　）２　、　ＫＯＡ
ｃ等が用いられるが、使用しなくてもよい。

酸無水物０］）としては無水酢酸、無水プロピオン酸、
無水安息香酸等を挙げることができる。

特（ζ無水酢酸０２が好ましいう使用する酸無水物のモ
ル数を〔１１〕とすると、 ｏＪ　＜：　［１１］／（［６］＋、２ｘ［：８］＋（
：１０））（、ｚ、Ｏとなるのが好ましく、特に １．０　＜　（１１］／（［６）＋、ｚＸＣｓ〕十〔ユ
Ｏ〕）くハｊが好ましい。

反応温度としては／　００　”Ｃ−ｕ　００　”Ｃの温
度であればいずれも使用することが可能であるが、酸無
水物を添加して、アシル化を主に行うときは１００，２
００℃程度、その後縮合を主に行うときは昇温し、２！
０−≠００℃の温度で行うことが好ましい。酸や酸無水
物の留去のためにＮ２やＡｒ等の不活性ガスをフローシ
たり、残玉を適用したりすることが可能である。

以上のような製造法をとることにより、本発明において
は、従来のポリエステル特シζポリエチレンテレフタレ
ート製造用のイカリ翼や−＼リカル翼をもっただて型攪
拌装置を使用しても、得られたポリマーを反応器からと
り出すことが可能であるという操作上の利点があること
がわかった。

またさらに重合度を高めたい場合は固相重合を適用する
ことも可能である。

本発明の芳香族ポリエステルアミドは溶融相において光
学的に異方相を示しうるので流動性が非常に良く、その
ため成形性が良好で押出成形、射出成形、圧縮成形等の
一般的な溶融成形を行なうことが可能であり、成形品、
フィルム、繊維等に加工することができる。

特に高流動であることにより精密成形品等に適している
。又、成形時に本発明の芳香族ボリエステルアミドに対
し、ガラス繊維、炭素繊維等の繊維類、タルク、マイカ
、炭酸カルシウム等のフィラー類、または、核剤、顔料
、酸化防止剤、滑剤、その他安定剤や難燃剤等の各稲光
てん剤、添加剤、あるいは熱可塑性樹脂等を添υ口して
成形品に所望の特性を付与することも可能である。

又１他のポリマーとのブレンドやアロイ化によって他の
ポリマーの特徴と本発明の芳香族ポリエステルアミドの
両方の長所を合わせもつ組成物を検出することも可能で
ある。

〔実施例〕

次に本発明を実施例について更に詳細に説明するが、本
発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定され
るものではない。

なお、実施例中の溶融粘度の測定には、フローテスター
（島原製作所製）を用い、温度３２０°Ｃ１剪断速度（
ｒ）／　００　ｓｅｃ　’、シリンダーノズルの長さ／
直径−７Ｏを使用した。

ＩＲについては、赤外分光光妾計はＮｌｃｏｌｅｔ社製
の２０　ＤＸＢＦＴ−ＩＲを使用し、ポリマーをヘキサ
フルオロインフロパノールに溶解させるか、又はＫＢｒ
　　ディスクにてテストサンプルとして測定した。

成形は日本製鋼社製０，１０ｚ射出成形機を用いて行い
、成形片を作成した。

又、成形片は流れ方向（ＭＤ力方向とそれに垂直な方向
（ＴＤ方向）が測定できるようにした０ パイブロンは東洋ボールドウィン７１’のレオパイブロ
ンを用い、上の成形片をｌ１０Ｈｚ下で使用した。

光学異方性（液晶性）はホントステージ付き偏光顕微鏡
を用いて観察した。

流動開始温度はパイブロンデータから判定した。

吸水率はＡＳＴＭ−Ｄ−夕７０に準じて測定した。

実施例１ 攪拌翼、窒素導入口、減圧口を備えれガラス重合管に、
ｐ−ヒドロキシ安息香酸３り、ｊ　、２　ｉｉ’（０，
２９モル）、ｐ−アミノ安息香酸／　Ｉ７０９　（０，
／　１モル）、≠、≠′−ジヒドロキシジフェニル３　
／、７７ｆ？（０，７７モル）テレフタル酸／グ、、２
　ｇ　ｙ　（ｏ、ｏ　ｙモル）、２，６−ナフタレンジ
カルボン酸／♂、ｒｔｙ（ｏ、０２モル）を仕込み、減
圧−窒素置換を３回繰り返した後に窒素を満たした。

これに無水酢酸１３．５≠２を滴下して攪拌を開始し、
重合管を／よ０℃のオイルバスＫｖ潰して７時間攪拌を
続け、アセチル化を行った。

その後０．　夕ｔ　／　ｍｉｎの流動の窒素気流下で、
オイルバスの温度を３２０℃壕でり０分かけて昇温した
。

ここで徐々に減圧を適用し、１時間重合を行った０ 最終減圧度は０．３　ｍｌ（ｇであった。

生成物は自重で流れ、反応器の底から抜き出すことが可
能であった。

得られたポリマーをチップ化した後、　　１２０℃で一
晩真空乾燥させた。

このポリマーの溶融粘度は３２０℃、　　１００Ｓｅｃ
　　’　　で弘ｚＯボイズであった。また、０．１０ｚ
　　射出成形機で成形したものの引張特性は、引張強度
／、Ｉ　／　Ｏ却／ｃａｌ、破断伸度３．７％であった
。吸水率はｏ、ｏｔ、ｔ％であった。

このポリマーのＩＲチャート図を第１図に、また０、／
　ｏｚ　　射出成形機を用いて作成した成形片のパイブ
ロンチャートを第１図に示す。

更に、とのポリマーの元素分析を行ったところ、 Ｃ：　　７３．７　　ｔ　％（７！、／Ｊ％）、Ｈ；　
３．ｓり係（、？、７７％） Ｎ：　／、５３係（ｔ、ｔ　ｏ％） であった。（但し、カッコ内は計算値である。）うな組
成になるように仕込１組成を変えた以外は、但し、実施
例λについては、元素分析及び吸水率を測定し、以下の
通りの結果を得た。

〈元素分析結果（％）〉 Ｃ：　７３．９　／　（７１／　／　）、Ｈ：３．よＪ
　（３，６♂）、 Ｎ：（：１．７７（０，７よ） （カッコ内は計算値） く吸水率〉 ｏ、ｏ　ｔ、ｔ％ また、実施例ｒ、りについては、ＭＤ力方向複素弾性率
（／Ｅ＊／ＭＤ）及びＴＤ丈方向複素弾性率（／ＥンＴ
Ｄ）を測定した。

〔発明の効果〕

本発明の芳香族ポリエステルアミドは、優れた耐熱性を
有しく即ちノ・ンダ耐性を有する）、かつ溶融相で液晶
性を示すので流動性にすぐれ、そのため成形性にすぐれ
るという特徴を有する。

又、力学的特性としては、弾性率が高く、強度にも非常
にすぐれている。また本発明の芳香族ポリエステルアミ
ドは、３！Ｏ℃以下の温度特に３．２０℃以下で成形で
きるという特徴を有する０ 以上の性状に基づいて、本発明の芳香族ポリエステルア
ミドは射出成形体、フィルム、繊維等の用途に利用され
る。

また、本発明の芳香族ポリエステルアミドは、一般に３
２０℃以下の温度で溶融状態を示すことから、溶融重合
法により製造した場合、反応後、加圧することにより、
あるいは自重により、生成ポリマーを反応容器から容易
に取り出すことができる操作上の利点も有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、実施例／で得られたポリマーのＩＲチャート
図である。第２図は、実施例／で得られたポリマーの成
形片のバイブロンチャトを示す図である。図中、／　［
Ｅ’、ｌはＦ／Ｉ３はｔａｎα　を示す。 第３図は、実施例２で得られたポリマーのＩＲチャート
を示す図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）（イ）１〜３０モル％の式（１）で示される芳香
   族アミノカルボン酸残基、 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） （Ｒ＾１：水素原子または炭素数１〜６の炭化水素基を
   示す。） （ロ）２〜５０モル％の式（２）で示される２，６−ナ
   フタレンジカルボン酸残基、 ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （ハ）３〜５０モル％の式（３）で示される芳香族ジオ
   ール残基、 −Ｏ−Ｒ＾２−Ｏ−（３） （Ｒ＾２：２価の芳香族基を示す。） （ニ）０〜４５モル％の式（４）で示される芳香族ジカ
   ルボン酸残基、 ▲数式、化学式、表等があります▼（４） （ホ）０〜７５モル％の式（５）で示される芳香族オキ
   シカルボン酸残基、 ▲数式、化学式、表等があります▼（５） から主として成る芳香族ポリエステルアミドであり（こ
   こに、（１）、（２）、（３）、（４）、（５）の当量
   数を〔１〕、〔２〕、〔３〕、〔４〕、〔５〕で表わす
   と、モル％は〔１〕＋〔２〕＋〔３〕＋〔４〕＋〔５〕
   に対する値である）、３２０℃、１００ｓｅｃ＾−＾１
   での溶融粘度が１０ポイズ以上の芳香族ポリエステルア
   ミド。
2. （２）出発原料として （ヘ）１〜３０モル％の式（６）で示される芳香族アミ
   ノカルボン酸、 ▲数式、化学式、表等があります▼（６） （Ｒ＾１：水素原子または炭素数１〜６の炭化水素基を
   示す。） （ト）２〜５０モル％の式（７）で示される、２，６−
   ナフタレンジカルボン酸、 ▲数式、化学式、表等があります▼（７） （チ）３〜５０モル％の式（８）で示される芳香族ジオ
   ール化合物、 ＨＯ−Ｒ＾２−ＯＨ（８） （Ｒ＾２：２価の芳香族基を示す。） （リ）０〜４０モル％の式（９）で示される芳香族ジカ
   ルボン酸、 ▲数式、化学式、表等があります▼（９） （ヌ）０〜７５モル％の式（１０）で示される芳香族オ
   キシカルボン酸、 ▲数式、化学式、表等があります▼（１０） ここで、（６）、（７）、（８）、（９）、（１０）の
   モル数を〔６〕、〔７〕、〔８〕、〔９〕、〔１０〕、
   で表わすと、モル％は〔１〕＋〔２〕＋〔３〕＋〔４〕
   ＋〔５〕に対する値である。 を使用し、系中で酸無水物を添加して反応させ、１００
   〜４００℃の温度において酸及び酸無水物を留去しつつ
   反応させることを特徴とする芳香族ポリエステルアミド
   の製造方法。