JPH01319534A - 芳香族ポリエステルアミド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 構成単位を含有する芳香族ポリエステルアミド及びその
製造方法に関するものである。詳しくは、本発明は溶融
時に液晶性（光学的異方性）を示すので成形性（流動性
）にすぐれ、かつ高弾性、高強度、高耐熱性を有し、特
にハンダ耐性に優れた芳香族ポリエステルアミドに関す
るものである。 本発明の芳香族ポリエステルは、精密部品、電気・電子
材料、自動車用部品等の成形品や、フィルム・繊維等と
して利用されうる。又、アミド結合を有するにもかかわ
らず吸水率が低いという特徴を有する。 又、本発明のポリエステルアミドは本発明の製造方法に
よシ製造することにより、従来の一般的なポリエステル
製造装置で製造できる寺寺ので′、生産性の向上、及び
コストダウン幹半、といった利点をも有する。 〔従来の技術〕 従来、３．３′−ビフェニルジカルボン酸残基を含むポ
リエステルは既に報告されている〔例えば、Ｉｚｖｅｓ
ｔ、　Ａｋａｄ、　Ｎａｕ、に、、Ｓ、Ｓ、Ｓ、Ｒ，○
ｔｄｅｌ。 Ｋｂｉｍ、　Ｎａｕｋ、　７３７〜７　’ｌ　Ｊ゛（／
　９Δ゛７）〕が、コノ残基を含有するポリエステルア
ミドに関しては全く報告されておらず、本発明者らによ
って以前に報告されている以外は、はとんど知られてい
ない（特願昭乙／−３θと／乙７）。 〔発明の目的〕 上記の特願昭乙／−３０と／と７には、３．３’−ビフ
ェニルジカルボン酸残基を含むポリエステルアミドが開
示されておシ、これは耐熱性良好でかつ成形加工性に優
れたものであったが、まだ不充分であった。そこで、さ
らに側熱性および流動性の向上を計り、且つ溶融法によ
シ従来の製造装置で製造しうるポリエステルアミドにつ
いて鋭意検討した結果、特願昭／、／−３０と／コアの
うち特定の成分、特定の組成比において上記目的が達成
されることを見出したものである。 以下に本発明の詳細な説明する。 〔発明の構成〕 本発明の芳香族ポリエステルアミドにおいては、その構
成成分として、前記（１）式の３，３′−ビフェニルジ
カルボン酸残基を含有することが必須の要件であり、そ
の含有比率は、芳香族成分残基の合計を７００当量係と
して、−〜グ！当量係の範囲であシ、この範囲外では成
形加工性が低下し好ましくない。また後述するように、
従来の装置内では重合中に固化してしまうという欠点が
ある。（イ）成分の好ましい含有量は３当量類以上グ０
当量楚以下、とくに好捷しい含有量は汐当量係以上３０
当量係以下である。 本発明の芳香族ポリエステルアミドは、その構成成分と
して、前記（ロ）の（２）式で示される芳香族ジカルボ
ン酸残基を含有することができる。 （２）式で示される芳香族ジカルボン酸残基の具体例と
しては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸の残基が
挙げられる。 これらは２種含有してもよいがテレフタル酸残基のみを
含有するのが好ましい。 （ロ）の成分の含有比率〔町は、全芳香族成分合計を７
００当量係として、０〜ゲタ当量係の範囲であシ、好捷
しくは！〜グ０尚量係、特に好ましくはと〜３５当量係
である。含有量がゲタ当量類を超えると流動性の低下を
まねくので、好ましくない。 この芳香族ポリエステルアミドは、その構成成分として
前記（ハ）の（３）式で示される芳香族ジオキシ化合物
の残基を含有する。 〔（３）式におけるＲ１ば Ｒ１゜ （ｒ（２：炭素数が／〜３のアルキル基又はフェニル基
を示す。 ｎ：置換基数を表わし、ｎ−θ〜￥の整数である。 Ｘ：酸素原子、硫黄原子、スルホニル基、カルボニル基
、炭化水素基、エステル基又（３）式で示される芳香族
ジオキシ化合物の残基の具体例としては、例えばハイド
ロキノン、レゾルシン、メチルハイドロキノン、メチル
ハイドロキノンジアセテ−）　、　　、２．￥、ｊ　−
）リメチルレゾルシン、認、３．ｊ　−）リメチルハイ
ドロキノン、化クージヒドロキシナフタレン、／、ター
ジヒドロキシナフタレン、／、乙−ジヒドロキシナフタ
レン、認、乙−ジヒドロキシナフタレン、２、乙−ジア
セトキシナフタレン、認、７−ジヒドロキシナフタレン
、２．２−ビス（クーヒドロキシフェニル）フロパン、
２−（３−ヒドロキシフェニル）−＝２−　（グーヒド
ロキシフェニル）プロパン、ビス（クーヒドロキシフェ
ニル）メタン、３．’ｌ’ｌジードロキシジフェニルス
ルホン、３、り′−ジヒドロキシベンゾフェノン、／、
／−ビス（＋！タードロキシフェニル）シクロヘキサン
、ｔｘ、＜ｉ’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（クー
ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス（クーヒドロキシフ
ェニル）スルフィド、ビス（クーヒドロキシフェニル）
スルホン、ビス（クーヒドロキシフェニル）エーテル、
（クーヒドロキシフェニル）−クーヒドロキシベンゾエ
ート等の残基が挙げられるが、必ずしもこれらに限定さ
れるものではない、またこれらは一種以上含有してもよ
い。 これらの中でハイドロキノン、レゾルシン、メチルハイ
ドロキノン、　　＜ｚ、ｇ’−ジヒドロキシジフェニル
、コ、７−シヒドロキシナフタレン、氾、乙−ジヒドロ
キシナフタレン、２−（３−ヒドロキシフェニル）−２
−（＆−ヒドロキシフェニル）プロパン等が特に望まし
い。ハイドロキノンにかさ高い置換基を入れると流動開
始温度が低下し、好ましくない。 （３）式で示される上記化合物残基の含有比率は、全芳
香族成分合計を７００当量係として、３〜クオ尚量矛の
範囲であシ、好ましくはオ〜グθ小量係、特に好才しく
ば１０〜３夕当量係である。含有量が３尚量係未満、あ
るいはゲタ当量係を超える場合は、流動性の低下をまね
くので好ましくない。 本発明の芳香族ポリエステルアミドはまた、その構成成
分として、前記（ニ）の（４）式で示される芳香族オキ
シカルボン酸残基を含有することが必須である。この成
分を導入することによシ、耐熱性は向上し、かつ流動性
も向上しうる。 （４）式で示される芳香族オキシカルボン酸残基の具体
例としては、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｍ−ヒドロキシ
安息香酸の残基が挙げられ、これらは２種含有してもよ
い。特に、ｐ−ヒドロキシ安息香酸の残基を含有するこ
とが好ましい。 （４）の含有比率〔り〕は、全芳香族成分合計を１０θ
当量係として、７０〜とθ当量係の範囲であシ、好捷し
くは／オルフタ当量チ、とくに好ましくは一〇〜７０当
量係である。７０当量チ未満及びざ０尚量係を超える範
囲では重合中に固化する場合があり、好ましくない。 本発明の芳香族ポリエステルアミドは、その構成成分と
して、前記（ホ）の（５）式で示される芳香族ジアミノ
残基を含有することができる。（５）式で示される芳香
族ジアミノ残基の具体例としては例えば、メタフェニレ
ンジアミン、パラフェニレンジアミンが挙げられる。 これらは各々単独で含有しても、捷た２種とも含有して
もよい。 （ホ）の含有比率は、全芳香族成分合計を１０θ当量係
として、θ〜３θ当量係の範囲であり、好ましくはθ〜
２０当量チである。３０当量チを超えると成形性の悪化
、水分吸収率の増大等を招き、好ましくない。 本発明の芳香族ポリエステルアミドは、その構成成分と
して、前記（へ）の（６）式で示される芳香族アミノカ
ルボン酸残基を含有することができる。（６）式で示さ
れる芳香族アミノカルボン酸残基の具体例としては例え
ば、ｍ−アミノ安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−ア
セトアミノ安息香酸の残基が挙げられ、これ等は各々単
独ても件だ一種以上を含有していてもよい。 （へ）の含有比率は、全芳香族成分合計を７００尚量係
として、θ〜３−θ当量係の範囲であシ、好ましくはθ
〜グ０当量係である。夕Ｏ尚量係を超えると成形性の悪
化、水分吸収率の増大等を招くので、好寸しくない。 本発明の芳香族ポリエステルアミドは、更にその構成成
分として、前記（ト）の（７）式で示される芳香族アミ
ノオキシ残基を含有することができる。 （７）式で示される芳香族アミノオキシ残基の具体例と
しては、例えばグーアミノフェノール、３−アミンフェ
ノール、ｏ、Ｎ−ジアセチル−１つ−アミンフェノール
等の残基が挙げられ、これらは各々単独でも丑だ２種以
上含有していてもよい。（ト）の含有比率は、全芳香族
成分合計を７００当量係として、θ〜３０当量係の範囲
であシ、好寸しくはθ〜２Ｊ−当量係である。３０当量
係を超えると成形性の悪化、水分吸収率の増大等を招き
、好寸しくない。 本発明の芳香族ポリエステルアミドを構成するｌ前述の
各成分の含有比率（１）、　　（２〕、　　（３）。 （Ｑ）、　　（Ｊ−）、　　（乙〕及び〔７〕を要約す
ると次の通シである。 λ＜　（１）　＜グオ当量係、　　Ｏく〔氾〕≦クタ当
量チ。 ３≦〔３〕≦ゲタ当量係、　　　１０＜（り〕くとθ当
量係。 ０く〔夕〕≦３０尚量係、　　Ｏく〔乙〕くオＯ当量係
。 θ＜　（７）　＜　３０当量楚。 （但し、〔夕〕＋〔ご〕→−〔７〕〉θ）又、高分子量
体にするためには、 であることが好ましい。 尚、ここに挙げた成分以外の成分を若干含有（約３当量
係以下）することは、−向に差し支えない。 これらの構成成分を含有することにより、驚くべきこと
に、生成ポリマーは溶融相において光学的に異方性を示
しく液晶性を示し）、そのため成形性、流動性に優れ、
かつ高弾性率を有−ユ５− する、すなわちパイブロンでｙｏ℃にて１ｆｌｌｌ　定
した複素弾性率／Ｅ＊／グ０の値ば／θＧＰａ以上であ
る。さらに耐熱性の良好な、特に組成によっては、２１
．０℃、／θＳｅＣのハンダＵ性をも有する芳香族ポリ
エステルアミドが得られ、かつ従来の装置で製造できる
ことを見出した。 特に、式（１，）、　（２）、　（３）、　（４）、　
（５）、　（６）、　（７）の成分を含有することによ
シ、従来のポリエステル製造装置（例えば、たて型のポ
リエチレンテレフタレート製造装置（例：繊維便覧原刺
編　Ｐ。 と０♂の図））を利用しても槽の底からポリマーを抜き
出ずことができるという大きなメリットがあることがわ
かった。（以下、抜出し性と表現する） これは（１）、　（２）、　（３）、　（４Ｌ　（５Ｌ
　（６）、　（７）の成分のうち特に（ＩＬ　（４，）
及び（５）〜（７）のうち少なくとも７つ使用によると
ころが太きいと思われる。 またレオロジー的には溶融粘度が低く、成形性が良好で
ある。 本発明の芳香族ポリエステルアミドば３．２０＝１６− ℃、／　００　ＳｅＧ　’　　での溶融粘度が１０ポイ
ズ以上であることが必須であＩ）、１０ポイズ未満では
充分な強度が得られない。３．２θ℃、／θ０ｓｅｃ　
’での好捷しい溶融粘度はタ０ポイズ以上、特に７００
〜１０，０００ポイズが成形性の点で好適である。 本発明の芳香族ポリエステルアミドを製造するには、所
定比率の（イ）の３，３′−ビフェニルジカルボン酸、
（ロ）の残基を含む芳香族ジカルボン酸、（ハ）の残基
を含む芳香族ジヒドロキシ化合物、（ニ）の残基を含む
芳香族ヒドロキシカルボン酸、（ホ）の残基を含む芳香
族ジアミン、（へ）の残基を含む芳香族アミノカルボン
酸及び（ト）の残基を含む芳香族アミノヒドロキシ化合
物、あるいはこれ等の誘導体を原料として、周知の重合
方法、例えば、溶融重合法、溶液重合法または界面重合
法等に従って処理すればよい。とくに溶融重合法は、重
合反応後の後処理が不要であるため工業的生産上有利で
あシ、また、溶液重合法及び界面重合法は、重合反応が
比較的低温で実施し得る利点がある。 溶融重合法の場合は、前記の原料成分の全部又は一部を
、アシル化物又はアリールエステルとして使用し、２０
０〜グ０θ℃の温度で重合する方法、あるいは前記原料
成分にアシル化剤を加えて重合する方法が採られる。 また、溶液重合法または界面重合法では、カルボン酸残
基に対応する原料モノマーとして、一般に酸ハライドと
くに酸クロライドが用いられ、界面重合法では原料のオ
キシ残基は塩にしておく要がある。 特に本発明における製造法はコスト、作業性等の面から
すぐれている。すなわち本発明である製造法は、 出発原料として （チ）次式（８）で表わされる３、３′−ビフェニルジ
カルボン酸残基、 （す）次式（９）で表わされる芳香族ジカルボン酸、（
ヌ）次式００）で表わされる芳香族ジオール、■１Ｏ−
Ｒ＝ＯＨ（１０） （ル）次式〇］）で表わされる芳香族ヒドロキシカルボ
ン酸、 す （オ）次式αって表わされる芳香族ジアミン、（ワ）次
式０→で表わされる芳香族アミノカルボン酸、 （力）次式α→で表わされる芳香族ヒドロキシアミン、 （ここで、前記（８）、　（９）、　（１０）、　（１
１）、　ｏ■、０３及びα→の化合物の割合（モル係）
を〔と）、　〔９〕、　（１０Ｊ。 〔／／〕、〔／、、２）、〔／３〕及び〔／グ〕　で表
わすと（但し、各原料モノマーの使用モル数の和を７０
θモル条とする）、 それぞれの割合が 認＜〔ざ〕＜ゲタモル％、　　　　０＜〔デ〕≦グｊモ
ル係。 ３≦〔／θ〕≦グ３′モル係、　　／θ≦［：／／）　
＜ざ０モル係。 θ＜　［：／ｊ：］　＜　３０モル係、　　　　０＜〔
／３〕＜オ０モル係。 θ≦〔／り〕≦３０モル係。 （但し、〔／町＋〔／３〕＋〔／り〕〉０）である。） を使用し、系中で酸無水物を添加して反応させ、／θＯ
−グＯθ℃の温度において酸及び酸無水物を留去しつつ
反応させることを特徴とする芳香族ポリエステルアミド
の製造方法、である。 これら生成ポリエステルの組成は仕込原料組成と同等な
ので所望のポリエステルの組成となるように仕込原料組
成を決めればよい。 触媒としてはＢｕＳｎｏｏＨ，Ｂｕ２ＳｎＯ，Ｔｔ（○
ＩＰｒ）４゜Ｚｎ　（ＯＡＣ）　２１　Ｓｎ　（○Ａｃ
）２　　等が用いられるが使用しなくてもよい。 酸無水物αつとしては無水酢酸、無水プロピオン酸、無
水安息香酸等を挙げることができる。 特に無水酢酸αＱが好ましい。使用する酸無水物のモル
数を＠５〕とすると、 特に７．０以上／、ｊ以下が好ましい。 反応温度としては１００℃〜グθ０℃の温度いずれも使
用することが可能であるが、酸無水物を添加して、アシ
ル化を主に行うときは１００〜．２００℃程度、その後
縮合を主に行うときは昇温し、２タθ〜グ００℃を使用
することが好ましい。特に、２とθ〜３夕Ｏ℃で行うこ
とが好ましい。酸や酸無水物の留去のためにＮ２やＡｒ
等の不活性ガスをフローシたり、減圧を適用したシする
ことが可能である。 以上のような製造法をとることによシ、従来のポリエス
テル特にポリエチレンテレツクレート製造用のイカリ翼
やヘリカル翼をもっただて型攪拌装置を使用しても、本
発明のポリマーは反応器からとシ出すことが可能である
という操作上の利点のあることがわかった。 またさらに重合度を高めたい場合は固相重合を適用する
ことも可能である。 本発明の芳香族ポリエステルアミドは溶融相において光
学的に異方相を示しうるので流動性が非常に良く、その
ため成形性が良好で押出成形、射出成形、圧縮成形等の
一般的な溶融成形を行なうことが可能であり、成形品、
フィルム、繊維等に加工することができる。 特に高流動であることよシ、精密成形品等に適している
。 又、成形時に本発明の芳香族ポリエステルアミドに対し
、ガラス繊維、炭素繊維等の繊維類、メルク、マイカ、
炭酸カルシウム等のフィラー類、核剤、顔料、酸化防止
剤、滑剤、その他安定剤や離燃剤等の充てん剤、添加剤
あるいは熱可塑性樹脂等を添加して成形品に所望の特性
を付与することも可能である。 又、他のポリマーとのブレンドやアロイ化によって他の
ポリマーの特徴と本発明の芳香族ポリエステルアミドの
両方の長所を合わせもつ組成物を創出することも可能で
ある。 〔発明の効果〕 本発明の芳香族ポリエステルアミドは優れた耐熱性（ハ
ンダ耐性）を有し、かつ溶融相で液晶性を示すので流動
性に優れ、そのため成形性が良好であるという特徴を有
する。又、力学的特性としては弾性率が高く、また機械
的強度にも優れたものである。 更に、本発明の芳香族ポリエステルアミドは３θ０℃以
下、特に３．２θ℃以下の温度で成形できるという特徴
をも有する。 又、ポリエステルアミドであるにもかかわらず吸水率が
極めて低いという特性をも有する。 以上の性状に基づいて、本発明の芳香族ポリエステルア
ミドは射出成形体、フィルム、繊維等の用途に好適に利
用される。 また、本発明の芳香族ポリエステルアミドは、一般に３
．２０℃以下の温度で溶融状態を示すことから、溶融重
合法によシ製造した場合、反応後、加圧することＫよシ
、あるいは自重にょ気生成ポリマーを反応容器から容易
に取り出すことができる操作上の利点をも有する。 〔実施例〕 次に本発明を実施例について更に詳細に説明するが、本
発明はその要旨を超えない限ｐ以下の実施例に限定さ′
れるものではない。 なお、実施例中の溶融粘度の測定には、キャピラリーレ
オメータ−（インテスコ社製）を用い、温度３２０℃、
剪断速度（γ）／θθｓｅｃ　’、シリンダーノズルの
長さ／直径−３０を使用した。 赤外分光光度計はＮｌｃｏｌｅｔ社製の２０Ｄ　Ｘ　Ｔ
３ＦＴ−Ｉ　Ｒを使用した。ポリマーをヘキザフルオロ
イソプロパノールに溶解させるか、又はＫＢｒディスク
にてテストザンブルとした。 成形は日本製鋼社製０．１０ｚ　射出成形機を用いて行
い、成形片を作成した。 パイブロンは東洋ボールドウィン社製のレオパイブロン
を用い上の成形片を／　／　ＯＨｚ下で使用した。これ
によジグθ℃における複素弾性率を用いて行った。 流動開始温度はパイブロンのデータから判定した。また
吸水率は、ＡＳＴＭ　Ｄ−Ｊ−７θに準じて測定した。 実施例／ 攪拌翼、減圧口、Ｎ２導入口を備えた反応器にグ、り′
−ジヒドロキシジフェニル　　３／、、＜ｘ　？　（０
，７７モル）テレフタル酸　　　　　　　／グ、／／　
４７’　（θ、Ｏざタモル）３．３′−ビフェニルジカ
ルボン酸、２０．３”７グ（θ、Ｏサタモル）ｐ−ヒド
ロキシ安息香酸　　　グ３．０／　ｊＰ　（０，３７２
モル）ｐ−アミノ安息香酸　　　　　／　／　、　乙Ｊ
−７（０，０，５’３゛モル）を入れて減圧下、窒素置
換した後窒素ンールした。その後無水酢酸と、２．乙ｊ
　？　（０，，５＞７１モル）を投入し、攪拌下で／グ
ｔ℃の油浴に浸漬して７時間反応させた後、窒素気流下
、７５時間かけて３２０℃寸で昇温した。その後３２０
℃において、３０分かけてθ、　３　ｒｒｒｙｎ　Ｈｇ
まで減圧し、３−０℃、０．３ｍＨｇで３０分反応させ
、重合反応を終了した。このポリマーは、自重で流れ、
反応器の底からとシ出すことが可能であった。こうして
得られたポリマーの溶融粘度は３．２０℃、／　００５
ｅＧ−’で、２と０ポイズであった。第１図にこのポリ
マーのＩＲチャートを示す。 更にこのポリマーをθ、／　ＯＺ　射出成形機で成形し
、その成形片のパイブロンを測定したところ、り０℃に
おける複素弾性率は／Ｅ＊／４０−／ざ、　９　ＧＰａ
であった。第２図にこのポリマーのパイブロンチャート
を示す。また、このポリマーは３０−２℃にて流動を開
始し、光学異方性を示した。さらに、上記成形片を２１
．０℃のハンダ槽中に７０秒間浸漬したところ、何らの
外観変化も見られなかった。 このポリマーを元素分析したところ、　Ｃ：７グ、３夕
係（７グ、り／係）、Ｈ：３．７７チ（３，７乙係）、
Ｎ：／、７２％（／。／θヂ）、Ｏ：２０．と、２φ（
認θ、６３％）、（尚、（）内は理論値である。）であ
シ、仕込みモノマーから考えられる分率とポリマー中の
分率は良好な一致を示した。 更にこのポリマーの吸水率を測定したところ、０、θり
φと非常に低い値を示した。 実施例認 使用原料を ＜ｔ、＜ｔ’−ジヒドロキシジフェニル　　／乙７ｙ？
ＣＯ−θ９モル）ｐ−アミンフェノール　　　　　？、
と／　７　（０，０９モル）テレフタル酸、２０．９２
　ｊｉ’　（０，／２乙モル）３１３′−ビフェニルジ
カルボン酸／３，０７　ｆ　（０，Ｏｊ’７モル）ｐ−
ヒｌ−”ロキシ安息香Ｈ、，３−７，２乙グ（０クスモ
ル）無水酢酸　　　　　　　　　と７．九Ｕ（０，と夕
ざモル）とした以外は、実施例／と同様にしてポリマー
を重合した。このポリマーも自重で流れ、反応器の底か
ら取り出すことができた。このポリマー２＋７− −の溶融粘度は３２０℃、／θｏ　ｓｅｃ　’で３７タ
ポイズであった。第３図にこのポリマーのＩＲチャー１
・を示す。 更に実施例／と同様に成形した成形片のパイブロン測定
より、／Ｅ＊／４０−．２／、２ＧＰａ　　であった。 第り図にこの成形片のパイプロンチャートを示す。また
、このポリマーば３１０℃にて流動を開始し、光学異方
性を示した。さらに、上記成形片は２乙θ℃　／θｓｅ
ｃハンダ中に浸漬しても何らの外観変化も見られなかっ
た。 このポリマーの元素分析の結果、　Ｃニア２．１．３−
％（７／、７９％）、）（：３．ｇ、２％（３，グざ係
）、Ｎニア、２７％（／、／、！？％）、Ｑ：、２３Ｊ
ｊ％（２，２，６，２％）（なお、（）内は理論値であ
る。）であシ、理論値と良好な一致を示した。 更に、このポリマーの吸水率を測定したところ、０．θ
に係と、非常に低い値を示した。 実施例３〜と 各成分の組成とその組成比を第１表のようにした以外は
、実施例／と同様にして行った。実雄側／と同様に各物
性を測定し、その結果を第１表に示した。 また第５図に実施例３で得られたポリマーのＪＲチャー
トを示した。

【図面の簡単な説明】

第７図は、実施例／で得られたポリマーのＩＲチャート
図である。 第２図は、実施例／で得られたポリマーのパイブロンチ
ャート図である。 図中／はＥ″、認はｐ　１′、３はＴａｎαを表わず。 第３図は、実施例２で得られたポリマーのＩＲチャート
図である。 第７図は、実施例認で得られたポリマーのパイブロンチ
ャート図である。 図中／はＥ″、認はＥ″、３ばＴａｎαを表わす。 第３−図は、実施例３で得られたポリマーのＩＲチャー
ト図である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）（イ）次式（１）で表わされる３，３′−ビフェ
   ニルジカルボン酸残基、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（１） （ロ）次式（２）で表わされる芳香族ジカルボン酸残基
   、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（２） （ハ）次式（３）で表わされる芳香族ジオール残基、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（３） （ニ）次式（４）で表わされる芳香族オキシカルボン酸
   残基、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（４） （ホ）次式（５）で表わされる芳香族ジアミノ残基、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（５） （ヘ）次式（６）で表わされる芳香族アミノカルボン酸
   残基、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（６） （ト）次式（７）で表わされる芳香族アミノオキシ残基
   、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（７） （ここで、（３）式におけるＲ＾１は▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
   、表等があります▼ Ｒ＾２：炭素数１〜３のアルキル基又はフェニル基を示
   す。 ｎ：置換基数を表わし、ｎ＝０〜４の整数である。 Ｘ：酸素原子、硫黄原子、スルホニル基、 カルボニル基、炭化水素基、エステル残基又は直接結合
   を示す。 で示される基を表わす。） から構成される芳香族ポリエステルアミドであって、か
   つ該芳香族ポリエステルアミド中における前記（１）、
   （２）、（３）、（４）、（５）、（６）及び（７）の
   残基の割合（当量％）を各々〔１〕、〔２〕、〔３〕、
   〔４〕、〔５〕、〔６〕及び〔７〕で表わすと（但し、
   ポリマー中の各構成成分の和を１００当量％とする。）
   、 それぞれの割合が ２≦〔１〕≦４５当量％、０≦〔２〕≦４５当量％、０
   ≦〔５〕≦３０当量％、０≦〔６〕≦５０当量％、０≦
   〔７〕≦３０当量％、 （但し、〔５〕＋〔６〕＋〔７〕＞０）であり、且つ３
   ２０℃、１００ｓｅｃ＾−＾１での溶融粘度が１０ポイ
   ズ以上の芳香族ポリエステルアミド。
2. （２）特定の溶融相において光学的異方性を示す特許請
   求の範囲第１項記載の芳香族ポリエステルアミド。
3. （３）出発原料として、 （チ）次式（８）で表わされる３，３′−ビフェニルジ
   カルボン酸残基、 ▲数式、化学式、表等があります▼（８） （リ）次式（９）で表わされる芳香族ジカルボン酸、 ▲数式、化学式、表等があります▼（９） （ヌ）次式（１０）で表わされる芳香族ジオール、ＨＯ
   −Ｒ＾１−ＯＨ（１０） （ル）次式（１１）で表わされる芳香族ヒドロキシカル
   ボン酸、 ▲数式、化学式、表等があります▼（１１） （オ）次式（１２）で表わされる芳香族ジアミン、▲数
   式、化学式、表等があります▼（１２） （ワ）次式（１３）で表わされる芳香族アミノカルボン
   酸、 ▲数式、化学式、表等があります▼（１３） （カ）次式（１４）で表わされる芳香族ヒドロキシアミ
   ン、 ▲数式、化学式、表等があります▼（１４） （ここで、前記（８）、（９）、（１０）、（１１）、
   （１２）、（１３）及び（１４）の化合物の割合（モル
   ％）を〔８〕、〔９〕〔１０〕、〔１１〕、〔１２〕、
   〔１３〕及び〔１４〕で表わすと（但し、各原料モノマ
   ーの使用モル数 の和を１００モル％とする）、 それぞれの割合が ２≦〔８〕≦４５モル％、０≦〔９〕≦４５モル％、３
   ≦〔１０〕≦４５モル％、１０≦〔１１〕≦８０モル％
   、０≦〔１２〕≦３０モル％、０≦〔１３〕≦５０モル
   ％、０≦〔１４〕≦３０モル％、 （但し、〔１２〕＋〔１３〕＋〔１４〕＞０）である。 ） を使用し、系中で酸無水物を添加して反応させ、１００
   〜４００℃の温度において酸及び酸無水物を留去しつつ
   反応させることを特徴とする芳香族ポリエステルアミド
   の製造方法。