JPH0250653B2 - - Google Patents

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JPH0250653B2
JPH0250653B2 JP1943483A JP1943483A JPH0250653B2 JP H0250653 B2 JPH0250653 B2 JP H0250653B2 JP 1943483 A JP1943483 A JP 1943483A JP 1943483 A JP1943483 A JP 1943483A JP H0250653 B2 JPH0250653 B2 JP H0250653B2
Authority
JP
Japan
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voltage
circuit
timer
control signal
reference voltage
Prior art date
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Application number
JP1943483A
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English (en)
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JPS59146222A (ja
Inventor
Harunori Sato
Ryuichi Sakano
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS59146222A publication Critical patent/JPS59146222A/ja
Publication of JPH0250653B2 publication Critical patent/JPH0250653B2/ja
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/28Modifications for introducing a time delay before switching

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  • Electronic Switches (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、タイマーの時定数(タイムコンス
タント)の切替えを高精度で実現するためのタイ
マー回路に関するものである。
従来、電子回路内にタイマー機能を有すると
き、2つ以上の時間を必要とされる場合が多々あ
り、それぞれの時間が、例えば10msと5秒等、
100倍以上の大きな差があるときは、各々2組の
独立したタイマー回路を有する方式のものが多か
つた。また、分周回路(フリツプフロツプ)をN
段用いて(ここでN10)、短い時間から長い時
間を得るようにしたものなどもあつたが、これら
を半導体回路で構成するとき、前者の方式だと、
2組の外部抵抗、コンデンサが必要となり、後者
の方式だと、分周回路部の素子が増え、ICチツ
プサイズが大きくなる等、コスト的に不利になる
という欠点があつた。
この発明はかかる点に鑑みてなされたもので、
1組の抵抗及びコンデンサのみを用い、分周回路
等デイジタル回路を用いる事なく、2組以上のタ
イマー時間の設定が可能となり、しかも上記抵抗
を外付けとすることにより、簡潔で、高精度な、
タイマー回路を提供することを目的としている。
以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。
第1図は、本出願の第2の発明の一実施例を示
す回路図である。図において、10はトランジス
タのベース・エミツタ間順方向電圧に比例した電
圧△VBEを発生するための電圧△VBE電圧発生回
路であり、これは、トランジスタQ1,Q2、抵抗
R1,R2,R3,R4により構成されている。また、
20は絶対温度に比例する電圧△VTを発生する
ための△VT電圧発生回路であり、これは、トラ
ンジスタQ3,Q4,Q5,Q6,Q7,Q8,Q9、ダイオ
ードD1,D2、抵抗R5により構成され、上記△VBE
電圧発生回路10及び△VT電圧発生回路20に
より基準電圧発生回路30が構成されている。そ
して、抵抗R5の両端間には、(△VBE+△VT)な
る絶対温度に比例するエネルギーギヤツプ電圧に
対応した電圧が発生するようになつている。
また、40は電流切替回路であり、これは、ト
ランジスタQ10,Q11,Q12,Q13,Q14,Q15
Q16、ダイオードD3、抵抗R6,R7,R8,R9によ
り構成されており、T3,T4はこの電流切替回路
40の半導体ピン端子、R0,C0はそれぞれ端子
T3,T4に外付けされた外部抵抗及び外部コンデ
ンサである。
また、50は電圧切替回路であり、これは、ト
ランジスタQ17,Q18、抵抗R10,R11,R12により
構成されており、C1はコンパレータ(比較器)、
T5はこのコンパレータC1の出力端子、即ちタイ
マー出力端子であり、該出力端子T5の出力信号
がオン(“H”)の時間がタイマー時間となつてい
る。また、T1,T2はタイマー時間切替設定用の
制御信号入力端子であり、端子T1がオン(“H”)
の時端子T2はオフ(“L”)、端子T2がオン
(“H”)の時は端子T1はオフ(“L”)となる。そ
して、端子T1がオンのときタイマー出力端子T5
にはタイマー時間t1が得られ、端子T2がオンのと
きタイマー時間t2が得られるようになつている。
なお、VBは電源である。
ここで、本出願の第1の発明の一実施例として
は、上記実施例における外付けの抵抗R0を集積
回路内に設けたものを考えることができ、この場
合上記抵抗R0は上記電流切替回路内に含まれる
こととなる。この回路の動作は第1図の上記実施
例の動作と全く同様であり、以下上記実施例をと
つて動作について説明する。
まず、抵抗R3に流れる電流I3は、 I3={VB−(VBE1+VBE2)}/R3 VBE1:トランジスタQ1のベース・エミツ
タ 間電圧 VBE2:トランジスタQ2のベース・エミツ
タ 間電圧 であり、抵抗R2の端子間電圧V2は、 V2=VBE1×R2/R1 ……(1) となる。
トランジスタQ3,Q4およびダイオードD1,D2
の各々のエミツタ面積比をA:1(A>1)とし
たとき、抵抗R5の端子間電圧V5は、 V5=2・kT/qlnA ……(2) k:ボルツマン定数 T:絶対温度 q:電子の電荷量 となる。但しトランジスタQ5,Q6のコレクタ面
積比は1:1、およびトランジスタQ8Q9のエミ
ツタ面積比は2:1とする。
この時トランジスタQ5,Q6のコレクタ電流I5
I6は、各々等しく、 I5=I6=V5/R5=2/R5・kT/qlnA ……(3) のように設定できる。
また、電流切替回路40の制御信号入力端子
T1,T2のそれぞれが各々オン(“H”)の時に端
子T3から流出する電流I1,I2を求めると、まず端
子T1がオンの時、端子T3の電圧VT3は、 VT3=I10R6+VD3−VBE13 I10:トランジスタQ10のコレクタ電流 VD3:ダイオードD3の順方向電圧 VBE13:トランジスタQ13のベース・エミツタ
間電圧 となる。ここでVD3≒VBE13,I10=I6であるから、 VT3=I6R6=2R6/R5・kT/qlnA となり、従つて上記電流I1は I1=VT3/R0=2R6/R0R5・kT/qlnA ……(4)′ =K12/R5・kT/qlnA(但し、K1=R6/R0)……(
4) となる。同様にして上記電流I2は I2=2R7/R0R5・kT/qlnA ……(5)′ =K22/R5・kT/qlnA(但し、K2=R7/R0)……(
5) となり、上記(4),(5)式よりK2=10.K1になるよう
各抵抗値を設定すると、I2=10・I1となり、10倍
の比をもつ2つの電流の切替ができる。
同様に、制御信号入力端子T1,T2のそれぞれ
が各々オン(“H”)の時、コンパレータC1の正
入力端子へ印加される電圧、即ち比較電圧
Vref1,Vref2は、 Vref1=I17(R10+R11) Vref2=I17R10 I17:トランジスタQ17のコレクタ電流
(=I6) Vref1=R10+R11/R5・2kT/qlnA ……(6) Vref2=R10/R5・2kT/qlnA ……(7) となる。
ここで、上記入力端子T1,T2のそれぞれがオ
ンの時のタイマー時間t1,t2は、コンパレータC1
の負端子へ印加される電圧、即ちコンデンサC0
の充電電位がコンパレータC1の正端子へ印加さ
れる比較電圧を越えるまでの時間であるから、上
記(4),(5),(6),(7)式より |I1/C0t|t=t1=Vref1 I1/C0・t1=R10+R11/R5・2kT/qlnA t1=C0・(R10+R11)/I1・R5・2kT/qlnA =C0R0R10+R11/R6 ……(8) 同様に、 |I2/C0t|t=t2=Vref2 I2/C0・t2=R10/R5・2kT/qlnA t2=C0R10/I2・R5・2kT/qlnA =C0R0・R10/R7 ……(9) となる。また、上記(8),(9)式よりタイマー時間
t1,t2の比K0は、 K0=t1/t2=R7/R6(1+R11/R10) ……(10) となり、例えば、R7/R6=10,R11/R10=9に設定する と、K0=100となり、タイマー時間t1,t2の比を
100にできる。
上記(4)〜(9)式の動作メカニズムの波形図を、第
2図に示す。
同図(a)は、スイツチS0をオンからオフにしたと
きのコンデンサC0に印加される電圧の波形図、
同図(b)は、端子T1がオンの時の上記コンデンサ
C0の充電電圧Vcp1及び端子T5の出力電圧Vp1の波
形図、同図(c)は端子T2がオンの時の上記コンデ
ンサC0の充電電圧Vcp2及び端子T5の出力電圧Vp2
の波形図である。
このような上記実施例装置では、分周器等のデ
イジタル回路を用いることなく、2つのタイマー
時間の設定比を2組の抵抗比の積{R7/R6×
(R10+R11)/R10}で決まる値まで大きく、し
かも高精度で設定することが可能となる。また、
基準電圧として、絶対温度に比例するエネルギー
ギヤツプ電圧に対応する電圧を用いているので、
設定されるタイマー時間は周囲温度に左右される
こともない。このような効果は、本出願の第1の
発明の実施例においても全く同様に得られるもの
である。さらに、第2の発明の実施例ではコンデ
ンサC0に流す充電電流を外付けの抵抗R0で設定
しているので、本タイマー回路を半導体集積回路
で構成するとき、更に高精度のタイマー時間を得
ることができ、このようなタイマー回路は、民生
用及び産業用の電子回路に幅広く応用することが
できる。
以上のようにこの発明によれば、絶対温度に比
例した基準電圧を用いて制御信号により複数の異
なる比較電圧を発生し、また、制御信号によつて
複数の異なる電流を1組の抵抗及びコンデンサに
流し、上記複数の異なる比較電圧と上記複数の異
なる電流によるコンデンサの充電電位とをそれぞ
れ組合わせて比較することにより、タイマー時間
の設定比を大きく、しかも高精度に設定すること
ができ、また上記抵抗を外部に外付けすることに
より、更に高精度のタイマー時間が得られる効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例によるタイマー回路
の回路図、第2図は第1図の回路の動作を説明す
るための電圧波形図である。 30……基準電圧発生回路、T1,T2……制御
信号入力端子、R0……外部抵抗、C0……コンデ
ンサ、40……電流切替回路、50……電圧切替
回路、C1……比較器。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 半導体集積回路を用いたタイマー回路におい
    て、絶対温度に比例した基準電圧を発生する基準
    電圧発生回路と、2値の制御信号が印加される1
    つ以上の制御信号入力端子と、上記基準電圧を用
    い上記制御信号に応じて複数の異なる比較電圧を
    発生する電圧切替回路と、制御信号に応じて複数
    の異なる充電電流をその外部ピン端子に外付けさ
    れた1個のコンデンサに流す電流切替回路と、上
    記電圧切替回路の比較電圧と上記コンデンサの充
    電電位とを比較する比較器とを備え、上記複数の
    異なる充電電流と上記複数の異なる比較電圧とを
    組合わせてタイマー時間の設定比を大きくとるこ
    とができるようにしたことを特徴とするタイマー
    回路。 2 半導体集積回路を用いたタイマー回路におい
    て、絶対温度に比例した基準電圧を発生する基準
    電圧発生回路と、2値の制御信号が印加される1
    つ以上の制御信号入力端子と、上記基準電圧を用
    い上記制御信号に応じて複数の異なる比較電圧を
    発生する電圧切替回路と、制御信号に応じて複数
    の異なる電流をその外部ピン端子に外付けされた
    1組の抵抗及びコンデンサに流す電流切替回路
    と、上記電圧切替回路の比較電圧と上記コンデン
    サの充電電位とを比較する比較器とを備え、上記
    コンデンサに流れる複数の異なる充電電流と上記
    複数の異なる比較電圧とを組合わせてタイマー時
    間の設定比を大きくとることができるようにした
    ことを特徴とするタイマー回路。
JP1943483A 1983-02-08 1983-02-08 タイマ−回路 Granted JPS59146222A (ja)

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