JPH0249438A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0249438A JPH0249438A JP6494089A JP6494089A JPH0249438A JP H0249438 A JPH0249438 A JP H0249438A JP 6494089 A JP6494089 A JP 6494089A JP 6494089 A JP6494089 A JP 6494089A JP H0249438 A JPH0249438 A JP H0249438A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- schottky gate
- source
- electrode
- schottky
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 24
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Silicon ions Chemical class 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
化合物半導体を用いたショットキ・ゲート電界効果トラ
ンジスタのような半導体装置を製造する方法の改良に関
し、 ８５０（’Ｃ）以上の熱処理に耐えることができるショ
ットキ・ゲート電極を有する半導体装置を製造できるよ
うにすることを目的とし、化合物半導体上にタングステ
ンを含むシリサイドからなるショットキ・ゲート電極を
形成する工程と、前記ショットキ・ゲート電極を加工し
て傘型にするか、或いは、前記ショットキ・ゲート電極
に傘型を構成するマスクを別設する工程と、次いで、不
純物をイオン注入し該ショットキ・ゲート電極の両側に
ソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、次いで
、前記イオン注入された不純物を活性化する為の高温熱
処理を行う工程と、前記不純物が活性化されたソース領
域及びドレイン領域の上にソース電極及びドレイン電極
を形成する工程とが含まれるよう構成する。
ンジスタのような半導体装置を製造する方法の改良に関
し、 ８５０（’Ｃ）以上の熱処理に耐えることができるショ
ットキ・ゲート電極を有する半導体装置を製造できるよ
うにすることを目的とし、化合物半導体上にタングステ
ンを含むシリサイドからなるショットキ・ゲート電極を
形成する工程と、前記ショットキ・ゲート電極を加工し
て傘型にするか、或いは、前記ショットキ・ゲート電極
に傘型を構成するマスクを別設する工程と、次いで、不
純物をイオン注入し該ショットキ・ゲート電極の両側に
ソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、次いで
、前記イオン注入された不純物を活性化する為の高温熱
処理を行う工程と、前記不純物が活性化されたソース領
域及びドレイン領域の上にソース電極及びドレイン電極
を形成する工程とが含まれるよう構成する。
本発明は、化合物半導体を用いたショットキ・ゲート電
界効果トランジスタのような半導体装置を製造する方法
の改良に関する。
界効果トランジスタのような半導体装置を製造する方法
の改良に関する。
例えばＧａＡｓショットキ・ゲート電界効果トランジス
タに於けるゲート電極としては、アルミニウム（／ｌ）
、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、
タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）などの金属が用
いられている。然しなから、いずれも６００（’Ｃ）程
度の熱処理で、ゲート電極の電気的特性、例えば障壁高
さ、ｎ値（１，０４）、逆方向耐圧などが劣化し、トラ
ンジスタとしての動作は不能になる。
タに於けるゲート電極としては、アルミニウム（／ｌ）
、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、
タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）などの金属が用
いられている。然しなから、いずれも６００（’Ｃ）程
度の熱処理で、ゲート電極の電気的特性、例えば障壁高
さ、ｎ値（１，０４）、逆方向耐圧などが劣化し、トラ
ンジスタとしての動作は不能になる。
従って、°その程度の熱処理を加えても、特性の劣化を
生じないゲート電極が必要である。
生じないゲート電極が必要である。
近年、前記要求に応えることができるものとして、Ｔｉ
Ｗを材料とするゲート電極が発表されている。
Ｗを材料とするゲート電極が発表されている。
前記ＴｉＷを材料とするゲート電極は、それまでのゲー
ト電極に比較して高温に耐えることが可能になったが、
例えば８５０（”Ｃ）以上の熱処理に対してては、矢張
り、ショットキ障壁が失われて電界効果トランジスタの
動作が不安定になる。
ト電極に比較して高温に耐えることが可能になったが、
例えば８５０（”Ｃ）以上の熱処理に対してては、矢張
り、ショットキ障壁が失われて電界効果トランジスタの
動作が不安定になる。
また、通常の製造プロセスを適用すると、その間に腐蝕
されて比抵抗が増大したり、或いは、失われてしまう場
合もある。
されて比抵抗が増大したり、或いは、失われてしまう場
合もある。
本発明は、８５０（’Ｃ）以上の熱処理に耐えることが
できるショットキ・ゲート電極を有する半導体装置を製
造できるようにする。
できるショットキ・ゲート電極を有する半導体装置を製
造できるようにする。
尚、本発明に於いて、ショットキ接触とは、電極金属が
半導体基板に直接接触してダイオード特性が発生するも
の、電極金属が半導体基板に直接接触し更に半導体基板
との間に合金を生じてダイオード特性が発生するもの、
半導体基板表面の自然酸化膜を介して電極金属が配設さ
れて自然酸化膜中のトンネル現象でダイオード特性が生
じるものなどを含むものとする。
半導体基板に直接接触してダイオード特性が発生するも
の、電極金属が半導体基板に直接接触し更に半導体基板
との間に合金を生じてダイオード特性が発生するもの、
半導体基板表面の自然酸化膜を介して電極金属が配設さ
れて自然酸化膜中のトンネル現象でダイオード特性が生
じるものなどを含むものとする。
本発明に依る半導体装置の製造方法に於いては、化合物
半導体上にタングステンを含むシリサイドからなるショ
ットキ・ゲート電極を形成する工程と、前記シジフトキ
・ゲート電極を加工して傘型にするか、或いは、前記シ
ョットキ・ゲー°ト電極に傘型を構成するマスクを別設
する工程と、次いで、不純物をイオン注入し該ショット
キ・ゲート電極の両側にソース領域及びドレイン領域を
形成する工程と、次いで、前記イオン注入された不純物
を活性化する為の高温熱処理を行う工程と、前記不純物
が活性化されたソース領域及びドレイン領域の上にソー
ス電極及びドレイン電極を形成する工程とが含まれるよ
う構成する。
半導体上にタングステンを含むシリサイドからなるショ
ットキ・ゲート電極を形成する工程と、前記シジフトキ
・ゲート電極を加工して傘型にするか、或いは、前記シ
ョットキ・ゲー°ト電極に傘型を構成するマスクを別設
する工程と、次いで、不純物をイオン注入し該ショット
キ・ゲート電極の両側にソース領域及びドレイン領域を
形成する工程と、次いで、前記イオン注入された不純物
を活性化する為の高温熱処理を行う工程と、前記不純物
が活性化されたソース領域及びドレイン領域の上にソー
ス電極及びドレイン電極を形成する工程とが含まれるよ
う構成する。
前記手段を採ることに依り、ショットキ・ゲート電極の
位置決めを自己整合方式で行うことができ、しかも、そ
のようにしてもソース領域及びドレイン領域とショット
キ・ゲート電極とが短絡を生ずることはなく、該ショッ
トキ・ゲート電極の逆方向耐圧は充分に高く維持するこ
とができる。
位置決めを自己整合方式で行うことができ、しかも、そ
のようにしてもソース領域及びドレイン領域とショット
キ・ゲート電極とが短絡を生ずることはなく、該ショッ
トキ・ゲート電極の逆方向耐圧は充分に高く維持するこ
とができる。
第１図乃至第６図は本発明一実施例を解説する為の工程
要所に於ける半導体装置の要部切断側面図を表し、以下
、これ等の図を参照しつつ説明する。
要所に於ける半導体装置の要部切断側面図を表し、以下
、これ等の図を参照しつつ説明する。
第１図参照
例えばクロム（Ｃｒ）をドープした半絶縁性ＧａＡｓ基
板１に厚さ例えば６０００ （人〕程度の二酸化シリコ
ン（ＳｉＯｚ）膜２を形成する。
板１に厚さ例えば６０００ （人〕程度の二酸化シリコ
ン（ＳｉＯｚ）膜２を形成する。
通常のフォト・リソグラフィ技術を適用することに依り
、二酸化シリコン膜２のパターニングを行って窓２ａを
形成する。
、二酸化シリコン膜２のパターニングを行って窓２ａを
形成する。
イオン注入法を適用することに依り、ドーズ量を２．６
Ｘ１０”（ロー２〕としてシリコン・イオンを注入する
。
Ｘ１０”（ロー２〕としてシリコン・イオンを注入する
。
第２図参照
（２ｉに
二酸化シリコン膜２を除去してから、新たに厚さ例えば
１０００ ［人］程度の外方拡散を防止する為の二酸化
シリコン膜（図示せず）を形成する。
１０００ ［人］程度の外方拡散を防止する為の二酸化
シリコン膜（図示せず）を形成する。
温度を例えば８５０（’Ｃ，）、また、時間を例えば１
５〔分〕として熱処理を行う。これに依って、図示のよ
うなｎ型層３を得ることができる。
５〔分〕として熱処理を行う。これに依って、図示のよ
うなｎ型層３を得ることができる。
前記外方拡散を防止する為の二酸化シリコン膜を除去す
る。
る。
第３図参照
ＴｉＷＳｉ合金、例えば７ ｉ ｏ、３ Ｗｏ、ｔ Ｓ
ｆ ｚからなる合金をスパッタ法にて被着°して厚さ
例えば６０００ （人〕の合金膜を形成する。
ｆ ｚからなる合金をスパッタ法にて被着°して厚さ
例えば６０００ （人〕の合金膜を形成する。
エツチング・ガスをＣＦ４ ＋Ｏ□ （５〔％〕）とす
るドライ・エツチング法を適用し、前記合金膜のパター
ニングを行ってゲート電極４を形成する。
るドライ・エツチング法を適用し、前記合金膜のパター
ニングを行ってゲート電極４を形成する。
第４図参照
通常の技法を適用することに依り、二酸化シリコン膜５
を形成する。
を形成する。
通常の技法を適用することに依り、二酸化シリコン膜５
の選択的エツチングを行って窓５ａを形成する。
の選択的エツチングを行って窓５ａを形成する。
イオン注入法を適用することに依り、ドーズ量を１．
７ Ｘ １０′３（ａｍ−”）及び加速エネルギを１７
５（ＫｅＶ）としてＳｉの注入を行う。
７ Ｘ １０′３（ａｍ−”）及び加速エネルギを１７
５（ＫｅＶ）としてＳｉの注入を行う。
第５図参照
（５）−に
二酸化シリコン膜５を除去してから、新たに厚さ例えば
１０００ （人〕程度の外方拡散を防止する為の二酸化
シリコン膜（図示せず）を形成する。
１０００ （人〕程度の外方拡散を防止する為の二酸化
シリコン膜（図示せず）を形成する。
温度を例えば８００（”Ｃ）、また、時間を例えば１５
〔分〕として熱処理を行う。
〔分〕として熱処理を行う。
これに依って、図示のようなｎ＋型領領域６び７を得る
ことができる。
ことができる。
前記外方拡散を防止する為の二酸化シリコン膜を除去す
る。
る。
この工程で形成されたｎ＋型領領域６び７の不純物濃度
はピーク部分で１×１０１１′（ロー３〕、そして、ｎ
型層３のそれは同じくピーク部分でｌ Ｘ Ｉ Ｑ ”
（ｃｏｄ−’）であった。
はピーク部分で１×１０１１′（ロー３〕、そして、ｎ
型層３のそれは同じくピーク部分でｌ Ｘ Ｉ Ｑ ”
（ｃｏｄ−’）であった。
第６図参照
ＧａＡｓ部分の表面を１００ 〔人〕程度エツチングす
る。尚、このときのエツチング液としてはＫＯＨ＋Ｈ，
Ｏ□を使用して良い。
る。尚、このときのエツチング液としてはＫＯＨ＋Ｈ，
Ｏ□を使用して良い。
通常の技法を適用することに依り、ｎ＋型領領域６び７
上に電極８及び９を形成して完成する。尚、電極材料と
しては、Ａ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕ系を使用して良い
。
上に電極８及び９を形成して完成する。尚、電極材料と
しては、Ａ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕ系を使用して良い
。
このようにして製造した半導体装置に関する具体的デー
タを挙げると次の通りである。
タを挙げると次の通りである。
ゲート長：１．４（μｍ〕
ゲート幅：２００（μｍ）
ソース・ドレイン間隔：６ 〔μｍ〕
相互コンダクタンスｇ、： ２３ （ｍｓ）ソース・ゲ
ート間容量Ｃ□：０．２１ （ｐＦ）遮断周波数ｆｔ
： １２． ３ （ＧＨｚ）ショットキ・ゲートに
ついて ｎ値：１．１８ バリヤ・ハイド：０．７８ 破壊電圧：１０（Ｖ） ところで、本発明では、ｎ＋型領領域６び７をショット
キ・ゲート電極４をマスクにした自己整合方式で形成し
ているので、通常であればショットキ・ゲート電極４と
ｎ＋型領領域６び７との短絡が懸念されるところである
が、これは全く問題にならない。即ち、前記したように
、イオン注入法などを適用してｎ＋型領領域６びに７を
形成すると、そこでの不純物濃度分布は第７図に見られ
るようにガウシアン分布となり、ピークは深さで例えば
０．１５（μｍ〕のところに生成され、そこでｌＸｌ０
’″（ａｍ−’）程度であれば、表面ではＩ Ｘ １０
” （ａａ−’）程度になって５〔ｖ〕以上の耐圧が
得られる。また、工程（６）−１に記述したように、ｎ
＋型領領域６びに７の表面をエツチングした場合、第６
図から明らかであるが、該表面はショットキ・ゲート電
極４とｎ型層３との界面よりも低くなって、耐圧は更に
高くなる。
ート間容量Ｃ□：０．２１ （ｐＦ）遮断周波数ｆｔ
： １２． ３ （ＧＨｚ）ショットキ・ゲートに
ついて ｎ値：１．１８ バリヤ・ハイド：０．７８ 破壊電圧：１０（Ｖ） ところで、本発明では、ｎ＋型領領域６び７をショット
キ・ゲート電極４をマスクにした自己整合方式で形成し
ているので、通常であればショットキ・ゲート電極４と
ｎ＋型領領域６び７との短絡が懸念されるところである
が、これは全く問題にならない。即ち、前記したように
、イオン注入法などを適用してｎ＋型領領域６びに７を
形成すると、そこでの不純物濃度分布は第７図に見られ
るようにガウシアン分布となり、ピークは深さで例えば
０．１５（μｍ〕のところに生成され、そこでｌＸｌ０
’″（ａｍ−’）程度であれば、表面ではＩ Ｘ １０
” （ａａ−’）程度になって５〔ｖ〕以上の耐圧が
得られる。また、工程（６）−１に記述したように、ｎ
＋型領領域６びに７の表面をエツチングした場合、第６
図から明らかであるが、該表面はショットキ・ゲート電
極４とｎ型層３との界面よりも低くなって、耐圧は更に
高くなる。
ショットキ・ゲート電極に於ける逆方向耐圧を維持する
には次のような手段をとることが考えられる。
には次のような手段をとることが考えられる。
（ａ） ｎ＋型領領域６びに７のドーズ量を低下させ
る。
る。
（ｂ） ｎ＋型領領域６びに７を形成後、ショットキ
・ゲート電極４をエツチングして細くする。
・ゲート電極４をエツチングして細くする。
（Ｃ１ショットキ・ゲート電極４を絶縁化する。
（ｄ） ｎ＋型領領域６びに７の表面をエツチングす
る。
る。
（ｅ） ｎ＋型領領域６びに７を形成する前にマスク
となるショットキ・ゲート電極４を加工して傘型にする
か、傘型を構成するマスクを別設してからイオン注入を
行う。
となるショットキ・ゲート電極４を加工して傘型にする
か、傘型を構成するマスクを別設してからイオン注入を
行う。
（ｆｌ イオン注入のエネルギを高くしてプロジェク
ト・レインジを深くする。
ト・レインジを深くする。
本発明では、前記（ｆ）の手段を採ることが基本になっ
ているが、必要に応じて他の手段を併用して良く、前記
実施例では、該（ｆ）の手段と（ｄｌの手段とを併用し
ている。尚、該（ｄ）の手段は、他の手段と比較すると
、実施が極めて容易で、且つ、そのわりに効果が大きい
旨の利点がある。
ているが、必要に応じて他の手段を併用して良く、前記
実施例では、該（ｆ）の手段と（ｄｌの手段とを併用し
ている。尚、該（ｄ）の手段は、他の手段と比較すると
、実施が極めて容易で、且つ、そのわりに効果が大きい
旨の利点がある。
因みに、ＧａＡｓｎ＋型領域に対するショットキ逆方向
耐圧に関するデータを示すと次の通りである。
耐圧に関するデータを示すと次の通りである。
■ 不純物濃度が２×１０ＩｓＣｃＩ１１−３〕の場合
■−１エピタキシャル成長などに依るｎ＋＋平坦層では
０．８５ （Ｖ） ■−２Ｓｔイオン注入に依りガウシアン分布を有するｎ
＋型層であって、Ｅ：１７５（ＫｅＶ） 、Ｒｐ ：
０．１５０ Ｃμ）であれば３．６５ ［Ｖ］ ■−３■−２に於いてＥ：３５０ＣＫｅＶ）、Ｒ，：０
．３０６ Ｃμ〕であれば７．７７（Ｖ） ■ 不純物濃度がＩ Ｘ １０ ” （ｃｍ−”）の場
合■−１エピタキシャル成長などに依るｎ＋＋平坦層で
は１．６９（Ｖ） ■−２５ｉイオン注入に依りガウシアン分布を有するｎ
＋型層であって、Ｅ：１７５（ＫｅＶ）、ＲＰ ：０
．１５０ Ｃμ）であれば５．２７ （Ｖ） ■−３■−２に於いてＥ：３５０（ＫｅＶ）、Ｒ，：Ｑ
、３０６ （μ〕であれば１０．２（Ｖ） ■ 不純物濃度が５Ｘ１０”（ｃｍ弓〕の場合■−１エ
ピタキシャル成長などに依るｎ＋＋平坦層では３．３９
（Ｖ） ■−２Ｓｔイオン注入に依りガウシアン分布を有するｎ
＋型層であって、Ｅ：１７５（ＫｅＶ） 、ＲＰ ：
０．１５０ （／ｊ）であれば７．５０ （Ｖ） ■−３■−２に於いてＥ：３５０〔Ｋｅｙ〕、ＲＰ
：０．３０６ Ｃμ〕であれば１３．３（Ｖ） ところで、本発明に於いて、ショットキ・ゲート電極の
位置を自己整合で決定できること、即ち、ショットキ・
ゲート電極を形成してからイオン注入を行い、その活性
化熱処理を行うことができるのは、電極材料として高融
点金属シリサイドを使用した点に負うところが大きいの
で、ここにＴｉＷとＴｉＷＳｉとを比較してデータを示
すと次の通りである。
■−１エピタキシャル成長などに依るｎ＋＋平坦層では
０．８５ （Ｖ） ■−２Ｓｔイオン注入に依りガウシアン分布を有するｎ
＋型層であって、Ｅ：１７５（ＫｅＶ） 、Ｒｐ ：
０．１５０ Ｃμ）であれば３．６５ ［Ｖ］ ■−３■−２に於いてＥ：３５０ＣＫｅＶ）、Ｒ，：０
．３０６ Ｃμ〕であれば７．７７（Ｖ） ■ 不純物濃度がＩ Ｘ １０ ” （ｃｍ−”）の場
合■−１エピタキシャル成長などに依るｎ＋＋平坦層で
は１．６９（Ｖ） ■−２５ｉイオン注入に依りガウシアン分布を有するｎ
＋型層であって、Ｅ：１７５（ＫｅＶ）、ＲＰ ：０
．１５０ Ｃμ）であれば５．２７ （Ｖ） ■−３■−２に於いてＥ：３５０（ＫｅＶ）、Ｒ，：Ｑ
、３０６ （μ〕であれば１０．２（Ｖ） ■ 不純物濃度が５Ｘ１０”（ｃｍ弓〕の場合■−１エ
ピタキシャル成長などに依るｎ＋＋平坦層では３．３９
（Ｖ） ■−２Ｓｔイオン注入に依りガウシアン分布を有するｎ
＋型層であって、Ｅ：１７５（ＫｅＶ） 、ＲＰ ：
０．１５０ （／ｊ）であれば７．５０ （Ｖ） ■−３■−２に於いてＥ：３５０〔Ｋｅｙ〕、ＲＰ
：０．３０６ Ｃμ〕であれば１３．３（Ｖ） ところで、本発明に於いて、ショットキ・ゲート電極の
位置を自己整合で決定できること、即ち、ショットキ・
ゲート電極を形成してからイオン注入を行い、その活性
化熱処理を行うことができるのは、電極材料として高融
点金属シリサイドを使用した点に負うところが大きいの
で、ここにＴｉＷとＴｉＷＳｉとを比較してデータを示
すと次の通りである。
Ａ 比抵抗（８５０（’Ｃ）、１５ （分〕の熱処理後
） Ａ−Ｉ ＴｉＷ （Ｔｉ ： １０ Ｃ重量％〕）で
は、２〜３Ｘ１０’ （Ω・口〕 Ａ−２７ｉ、Ｗｌ−、Ｓｉｚ （Ｔｉ：１０ （重量
％〕）では、 ０、 ８〜ｌＸｌ０−’（Ω・１〕 Ｂ ＨＦ （ｃｏｎｃ）に対する腐蝕Ｂ−Ｉ Ｔｉ
Ｗ （Ｔｉ ： １０ （重量％〕）では、ｌ〔μｍ／
分〕 Ｂ−２Ｔｉ、 Ｗｌ−、Ｓ ｉｔ （Ｔｉ ： １０
（重量％〕）では、 １９００ （人／分〕 ＣＮＨ，Ｆ：ＨＦ＝１０；１に対する腐蝕Ｃ−Ｉ Ｔ
ｉＷ （Ｔｉ ： １０ （重量％））では、１２００
［人／分］ Ｃ−Ｃ−２Ｔ１ Ｗｌ−Ｘ Ｓ ｉｚ （Ｔｔ ：
１０ （重量％〕）では、 ２６７ 〔人／分〕 Ｄ ８５０ ［ｔ’）、 １５ （分〕の熱処理後
のショットキ接合安定性 Ｄ−Ｉ ＴｉＷ （Ｔｉ ： １０ （重量％〕）で
は、約５０〔％〕が劣化し不安定 Ｄ−２ＴｉｘＷｌ−ＸＳｉｔ （Ｔｉ：１０ （重量
％〕）では、 約１００〔％〕が安定なショットキ特性バリヤ・ハイド
： ０．７８ （Ｖ）ｎ値？１．１８ 前記実施例に於いて、ゲート電極の材料としてＴｉＷＳ
ｉを用いたが、この組成のうち、ＴｉはＧａＡｓに対す
る密着性の向上を目的として含有させたものであり、こ
れは、ＷとＳｉとの組成比を最適化して密着性を向上さ
せることで不要にすることができる。
） Ａ−Ｉ ＴｉＷ （Ｔｉ ： １０ Ｃ重量％〕）で
は、２〜３Ｘ１０’ （Ω・口〕 Ａ−２７ｉ、Ｗｌ−、Ｓｉｚ （Ｔｉ：１０ （重量
％〕）では、 ０、 ８〜ｌＸｌ０−’（Ω・１〕 Ｂ ＨＦ （ｃｏｎｃ）に対する腐蝕Ｂ−Ｉ Ｔｉ
Ｗ （Ｔｉ ： １０ （重量％〕）では、ｌ〔μｍ／
分〕 Ｂ−２Ｔｉ、 Ｗｌ−、Ｓ ｉｔ （Ｔｉ ： １０
（重量％〕）では、 １９００ （人／分〕 ＣＮＨ，Ｆ：ＨＦ＝１０；１に対する腐蝕Ｃ−Ｉ Ｔ
ｉＷ （Ｔｉ ： １０ （重量％））では、１２００
［人／分］ Ｃ−Ｃ−２Ｔ１ Ｗｌ−Ｘ Ｓ ｉｚ （Ｔｔ ：
１０ （重量％〕）では、 ２６７ 〔人／分〕 Ｄ ８５０ ［ｔ’）、 １５ （分〕の熱処理後
のショットキ接合安定性 Ｄ−Ｉ ＴｉＷ （Ｔｉ ： １０ （重量％〕）で
は、約５０〔％〕が劣化し不安定 Ｄ−２ＴｉｘＷｌ−ＸＳｉｔ （Ｔｉ：１０ （重量
％〕）では、 約１００〔％〕が安定なショットキ特性バリヤ・ハイド
： ０．７８ （Ｖ）ｎ値？１．１８ 前記実施例に於いて、ゲート電極の材料としてＴｉＷＳ
ｉを用いたが、この組成のうち、ＴｉはＧａＡｓに対す
る密着性の向上を目的として含有させたものであり、こ
れは、ＷとＳｉとの組成比を最適化して密着性を向上さ
せることで不要にすることができる。
尚、本発明に於いて、合金膜の組成は化学量的合金に限
られものではなく、当該化学量論値とは若干具なってい
てもよい。
られものではなく、当該化学量論値とは若干具なってい
てもよい。
本発明に依る半導体装置の製造方法に於いては、化合物
半導体上にタングステンを含むシリサイドからなるショ
ットキ・ゲート電極を形成し、前記ショットキ・ゲート
電極を加工して傘型にするか、或いは、前記ショットキ
・ゲート電極に傘型を構成するマスクを別設し、不純物
をイオン注入して該ショットキ・ゲート電極の両側にソ
ース領域及びドレイン領域を形成し、前記イオン注入さ
れた不純物を活性化する為の高温熱処理を行い、前記不
純物が活性化されたソース領域及びドレイン領域の上に
ソース電極及びドレイン電極を形成している。
半導体上にタングステンを含むシリサイドからなるショ
ットキ・ゲート電極を形成し、前記ショットキ・ゲート
電極を加工して傘型にするか、或いは、前記ショットキ
・ゲート電極に傘型を構成するマスクを別設し、不純物
をイオン注入して該ショットキ・ゲート電極の両側にソ
ース領域及びドレイン領域を形成し、前記イオン注入さ
れた不純物を活性化する為の高温熱処理を行い、前記不
純物が活性化されたソース領域及びドレイン領域の上に
ソース電極及びドレイン電極を形成している。
前記構成を採ることに依り、ショットキ・ゲート電極の
位置決めを自己整合方式で行うことができ、しかも、そ
のようにしてもソース領域及びドレイン領域とショット
キ・ゲート電極とが短絡を生ずることはなく、該ショッ
トキ・ゲート電極の逆方向耐圧は充分に高く維持するこ
とができ、従って、化合物を材料とする半導体装置を高
集積化するのに有効である。
位置決めを自己整合方式で行うことができ、しかも、そ
のようにしてもソース領域及びドレイン領域とショット
キ・ゲート電極とが短絡を生ずることはなく、該ショッ
トキ・ゲート電極の逆方向耐圧は充分に高く維持するこ
とができ、従って、化合物を材料とする半導体装置を高
集積化するのに有効である。
第１図乃至第６図は本発明一実施例を説明する為の工程
要所に於ける半導体装置の要部切断側面図、第７図は不
純物濃度分布を説明する為の線図をそれぞれ表している
。 図に於いて、１は基板、２は二酸化シリコン膜、３はｎ
型層、４はゲート電極、６及び７はｎ＋型領領域８及び
９は電極をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 第２図 第５図 第６図 第３図 第４図 不純物濃度分布を説明する為の線図 第７図
要所に於ける半導体装置の要部切断側面図、第７図は不
純物濃度分布を説明する為の線図をそれぞれ表している
。 図に於いて、１は基板、２は二酸化シリコン膜、３はｎ
型層、４はゲート電極、６及び７はｎ＋型領領域８及び
９は電極をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 第２図 第５図 第６図 第３図 第４図 不純物濃度分布を説明する為の線図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 化合物半導体上にタングステンを含むシリサイドからな
るショットキ・ゲート電極を形成する工程と、 前記ショットキ・ゲート電極を加工して傘型にするか、
或いは、前記ショットキ・ゲート電極に傘型を構成する
マスクを別設する工程と、 次いで、不純物をイオン注入し該ショットキ・ゲート電
極の両側にソース領域及びドレイン領域を形成する工程
と、 次いで、前記イオン注入された不純物を活性化する為の
高温熱処理を行う工程と、 前記不純物が活性化されたソース領域及びドレイン領域
の上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と が含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6494089A JPH0249438A (ja) | 1989-03-18 | 1989-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6494089A JPH0249438A (ja) | 1989-03-18 | 1989-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55189544A Division JPS57113289A (en) | 1980-12-30 | 1980-12-30 | Semiconductor device and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0249438A true JPH0249438A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=13272532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6494089A Pending JPH0249438A (ja) | 1989-03-18 | 1989-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0249438A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6839860B2 (en) | 2001-04-19 | 2005-01-04 | Mircon Technology, Inc. | Capture clock generator using master and slave delay locked loops |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4946874A (ja) * | 1972-09-11 | 1974-05-07 | ||
| JPS5012985A (ja) * | 1973-06-01 | 1975-02-10 | ||
| JPS5322378A (en) * | 1976-08-13 | 1978-03-01 | Fujitsu Ltd | Production of field effect transistor s |
| JPS5425171A (en) * | 1977-07-27 | 1979-02-24 | Fujitsu Ltd | Manufacture of field effect semiconductor device |
| JPS57113289A (en) * | 1980-12-30 | 1982-07-14 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
| JPH0219975A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-23 | Fujitsu Ltd | Ｃａｄシステムにおける操作復元処理方式 |
-
1989
- 1989-03-18 JP JP6494089A patent/JPH0249438A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4946874A (ja) * | 1972-09-11 | 1974-05-07 | ||
| JPS5012985A (ja) * | 1973-06-01 | 1975-02-10 | ||
| JPS5322378A (en) * | 1976-08-13 | 1978-03-01 | Fujitsu Ltd | Production of field effect transistor s |
| JPS5425171A (en) * | 1977-07-27 | 1979-02-24 | Fujitsu Ltd | Manufacture of field effect semiconductor device |
| JPS57113289A (en) * | 1980-12-30 | 1982-07-14 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
| JPH0219975A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-23 | Fujitsu Ltd | Ｃａｄシステムにおける操作復元処理方式 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6839860B2 (en) | 2001-04-19 | 2005-01-04 | Mircon Technology, Inc. | Capture clock generator using master and slave delay locked loops |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0075085B1 (en) | Method of fabricating a conductive metal silicide structure | |
| JPH0219975B2 (ja) | ||
| JP2609267B2 (ja) | 自己整列ひ化ガリウム装置の製造方法 | |
| US4586063A (en) | Schottky barrier gate FET including tungsten-aluminum alloy | |
| JPH0249438A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6292481A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0249435A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0249437A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0249434A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0249436A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6160591B2 (ja) | ||
| JPS61267365A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0622247B2 (ja) | 電界効果型半導体装置 | |
| JPS6323370A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0283920A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2835398B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製法 | |
| JPS6323369A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0324059B2 (ja) | ||
| JPH0472385B2 (ja) | ||
| JPS62243372A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6159879A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58102564A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH0437163A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63246870A (ja) | 化合物半導体装置及び製造方法 | |
| JPS61108174A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 |