JPH0248556A - 3(4),8(9)―ビス(アミノ‐メチル)‐トリシクロ〔5.2.1.0↑2’↑6〕‐デカンの製法 - Google Patents
3(4),8(9)―ビス(アミノ‐メチル)‐トリシクロ〔5.2.1.0↑2’↑6〕‐デカンの製法Info
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
- C07C211/01—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to acyclic carbon atoms
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、3 (4) 、 8 (9)−ビス(アミノ
メチル)−トリシクロ〔5.2,1,0”’]−デカン
の製法に関するものであり、この化合物は以下TCD−
ジアミンと略記する。
メチル)−トリシクロ〔5.2,1,0”’]−デカン
の製法に関するものであり、この化合物は以下TCD−
ジアミンと略記する。
TCD−シアミンは、工業的に実施されている数多くの
合成・に訃いてittな中間生成物として使用されてい
る。従って、これは例えばポリウレタンを獲得する際に
、またエポキシド樹脂の硬化剤として使用されている。
合成・に訃いてittな中間生成物として使用されてい
る。従って、これは例えばポリウレタンを獲得する際に
、またエポキシド樹脂の硬化剤として使用されている。
TCD−ジアミンを製造するためには、通常ジシクロペ
ンタジェンから出発する。この出発物質は、既に室温で
行なわれ、かつ触媒によって促進させることができるシ
クロペンタジェンの二量体によって得られる。二量体の
シクロペンタジェンは、ヒドロホルミル化、すなわち微
粒状金属としてまたは化合物とし、て使用てれる触媒、
例えばコバルトまfcはロジウムの存在下に一酸化炭素
および水素と反応させることによって、相応するトリシ
クロデカンジアルデヒド(TCD−シアル)に変換され
る。適当な方法は例えば英国特許第1170226号明
細書に記載されている。
ンタジェンから出発する。この出発物質は、既に室温で
行なわれ、かつ触媒によって促進させることができるシ
クロペンタジェンの二量体によって得られる。二量体の
シクロペンタジェンは、ヒドロホルミル化、すなわち微
粒状金属としてまたは化合物とし、て使用てれる触媒、
例えばコバルトまfcはロジウムの存在下に一酸化炭素
および水素と反応させることによって、相応するトリシ
クロデカンジアルデヒド(TCD−シアル)に変換され
る。適当な方法は例えば英国特許第1170226号明
細書に記載されている。
TCD−シアルからTCD−ジアミンへの変換は、公知
方法でホルミル基の還元アミン化によって行なわれる。
方法でホルミル基の還元アミン化によって行なわれる。
このためにジアルデヒドは、水素化触媒の存在下で、場
合によっては1級アミンと予め反応させた後、アンモニ
アおよび水素で処理される。適当な反応条件は温度が8
0〜150℃および圧力が5〜11MPaである。ニッ
ケルをベースとする水素化触媒はこの目的のために好適
であることが証明された。
合によっては1級アミンと予め反応させた後、アンモニ
アおよび水素で処理される。適当な反応条件は温度が8
0〜150℃および圧力が5〜11MPaである。ニッ
ケルをベースとする水素化触媒はこの目的のために好適
であることが証明された。
公知方法の欠点は、ヒドロホルミル化反応生成物からの
ジアルデヒドの分離が著しい困難をまねくということで
ある。この原因はジアルデヒドの高い反応性にある。ジ
アルデヒドは高分子量の副産物を生成しながら相互に反
応するだけでなく、反応生成物中に含有されている別の
化合物とも反応し、従って意図した反応がむだになる。
ジアルデヒドの分離が著しい困難をまねくということで
ある。この原因はジアルデヒドの高い反応性にある。ジ
アルデヒドは高分子量の副産物を生成しながら相互に反
応するだけでなく、反応生成物中に含有されている別の
化合物とも反応し、従って意図した反応がむだになる。
この欠点は、特に入念な蒸留、例えば減圧下における薄
層蒸留によって排除することが試みられた。しかし、適
当な蒸留法は費用がかかシかつ合成の経済性が疑問視さ
れることは別として、このような安全処置を順守しても
不所望な副反応は排除されない。
層蒸留によって排除することが試みられた。しかし、適
当な蒸留法は費用がかかシかつ合成の経済性が疑問視さ
れることは別として、このような安全処置を順守しても
不所望な副反応は排除されない。
従って、呈示した問題を避け、TCD−シアミンを高収
率でジシクロペンタジェンから製造できる方法を開発す
るという課題が課された。
率でジシクロペンタジェンから製造できる方法を開発す
るという課題が課された。
本発明によれば、この課題は、ロジウム触媒の存在下に
おけるジシクロペンタジェンのヒドロホルミル化、およ
び引き続く得られたトリシクロデカンジアルデヒドの還
元によるアミン化により 3 (4) 、 8 (9)
−ビス(アミノメチル)−トリシクロC5、2、1、0
216)−デカンを製造する方法によって解決される。
おけるジシクロペンタジェンのヒドロホルミル化、およ
び引き続く得られたトリシクロデカンジアルデヒドの還
元によるアミン化により 3 (4) 、 8 (9)
−ビス(アミノメチル)−トリシクロC5、2、1、0
216)−デカンを製造する方法によって解決される。
この方法はヒドロホルミル化生成物を予め精製せず、殊
にロジウム触媒の分離をせずに、場合によっては1級ア
ミンとの反応後、還元アミン化することによって特徴づ
けられる。
にロジウム触媒の分離をせずに、場合によっては1級ア
ミンとの反応後、還元アミン化することによって特徴づ
けられる。
意外なことに、相応して新規方法には、還元アミン化の
前にトリシクロデカンジアルデヒドを単離しかつ反応混
合物からヒドロホルミル化触媒を除去する必要がないこ
とが判明した。この場合には、ヒドロホルミル化触媒が
最初に生成されたTCD−シアルから高分子量の化合物
への後反応を促進するということを考慮しなければなら
ない。
前にトリシクロデカンジアルデヒドを単離しかつ反応混
合物からヒドロホルミル化触媒を除去する必要がないこ
とが判明した。この場合には、ヒドロホルミル化触媒が
最初に生成されたTCD−シアルから高分子量の化合物
への後反応を促進するということを考慮しなければなら
ない。
新規方法に従ってTCD−シアミンを製造するための出
発物質はジシクロペンタジェンである。
発物質はジシクロペンタジェンである。
これは市販の形で、つまシ予め精製せず使用可能である
。
。
一酸化炭素および水素を用いるジシクロペンタジェンの
ヒドロホルミル化は、自体公知の方法で100〜200
℃の温度および20〜30MPaの圧力において溶剤の
存在下または不在下に行なわれる。反応は、触媒として
のロジウムの存在下に実施される。ロジウムを微粒状の
形の金属として使用する。しかし、化合物、例えば三酸
化二ロジウムまたは弱有機酸、例えば酢酸または2−エ
チルヘキサン酸のロゾクム塩を使用するのが有利である
。ロジウムの濃度は、Ph20〜100!ng/ジシク
ロペy タシ:L y kg (7)間で変えることが
でき、有利な範囲はRh 20〜50〜/ジオレフイy
kgの間にある。ヒドロホルミル化は、バッチ法でまた
は有利には連続的に実施される。
ヒドロホルミル化は、自体公知の方法で100〜200
℃の温度および20〜30MPaの圧力において溶剤の
存在下または不在下に行なわれる。反応は、触媒として
のロジウムの存在下に実施される。ロジウムを微粒状の
形の金属として使用する。しかし、化合物、例えば三酸
化二ロジウムまたは弱有機酸、例えば酢酸または2−エ
チルヘキサン酸のロゾクム塩を使用するのが有利である
。ロジウムの濃度は、Ph20〜100!ng/ジシク
ロペy タシ:L y kg (7)間で変えることが
でき、有利な範囲はRh 20〜50〜/ジオレフイy
kgの間にある。ヒドロホルミル化は、バッチ法でまた
は有利には連続的に実施される。
反応混合物の後処理、殊にジアルデヒドの分離および/
または触媒の除去は不必要である。
または触媒の除去は不必要である。
むしろヒドロホルミル化混合物は、それが得られた場合
と同じように場合によっては溶剤と一緒であっても第2
反応段階で還元アミン化されることができる。
と同じように場合によっては溶剤と一緒であっても第2
反応段階で還元アミン化されることができる。
還元アミン化は、ジアゾメチンの生成中に、反応混合物
中に含有されているTCD−シアルを1級アミンと反応
させることによって行なわれる。この場合、反応混合物
には、トリシクロデカンジアルデヒド1モル当り1級ア
ミンが2〜6モル、殊に6〜4モル添加される。出発物
質間の反応は、既に室温で進行し、20〜60℃、殊に
30〜50℃に加熱することによって促進させることが
できる。1級アミンとして1分子中に炭素原子を2〜1
0個有するアミンが適する。1分子中に炭素原子を6〜
6個有するアミン、有利にn−ブチルアミンが特に成果
をもって使用される。また、反応混合物は直接に、つま
りジアゾメチンを予め生成することなしにアンモニアお
よび水素と反応させることができる。
中に含有されているTCD−シアルを1級アミンと反応
させることによって行なわれる。この場合、反応混合物
には、トリシクロデカンジアルデヒド1モル当り1級ア
ミンが2〜6モル、殊に6〜4モル添加される。出発物
質間の反応は、既に室温で進行し、20〜60℃、殊に
30〜50℃に加熱することによって促進させることが
できる。1級アミンとして1分子中に炭素原子を2〜1
0個有するアミンが適する。1分子中に炭素原子を6〜
6個有するアミン、有利にn−ブチルアミンが特に成果
をもって使用される。また、反応混合物は直接に、つま
りジアゾメチンを予め生成することなしにアンモニアお
よび水素と反応させることができる。
ジアルデヒドまたはそれから得られたジアゾメチンの還
元アミン化は、有利に80〜1500C,特に有利には
120〜140℃の温度で実施される。反応容器中の水
素圧は、反応温度の際に5〜12 MPa 、殊に8〜
10 MPaである。
元アミン化は、有利に80〜1500C,特に有利には
120〜140℃の温度で実施される。反応容器中の水
素圧は、反応温度の際に5〜12 MPa 、殊に8〜
10 MPaである。
水素化触媒としてニッケルまたはコバルトを使用し、こ
れはラニーニッケルもしくはラニーコバルトの形である
かまたは相応する担持体触媒の形である。有利な触媒は
ケイソウ上止ニッケルを50〜60重量係含有する。
れはラニーニッケルもしくはラニーコバルトの形である
かまたは相応する担持体触媒の形である。有利な触媒は
ケイソウ上止ニッケルを50〜60重量係含有する。
アンモニアは過剰量で使用するのが有利である。ホルミ
ル基1モル当りもしくはジアゾメチン基1モル当り、少
なくともアンモニア2モルが必要であり、有利にはアン
モニア4〜5モルを使用する。
ル基1モル当りもしくはジアゾメチン基1モル当り、少
なくともアンモニア2モルが必要であり、有利にはアン
モニア4〜5モルを使用する。
ジアルデヒドの還元アミン化は、浴剤の不在下で実施す
ることができ、通常最終製品自体が浴剤として作用する
。しかしながら、少量の断続的なバッチでは浴剤中で操
作するのが有利である。特に良好な結果は、溶剤として
テトラヒドロフラン、イソブタノール、ブタノールまた
はイソプロパツールを使用する際に得られる。
ることができ、通常最終製品自体が浴剤として作用する
。しかしながら、少量の断続的なバッチでは浴剤中で操
作するのが有利である。特に良好な結果は、溶剤として
テトラヒドロフラン、イソブタノール、ブタノールまた
はイソプロパツールを使用する際に得られる。
異性体のジアミンの混合物は良好な収率で得られる。ジ
アルデヒドのわずかな部分だけが高分子量の縮合生成物
に移行する。これらは反応混合物中に溶けかつ反応器か
らの生成物の除去および原料品の支障のない後処理を妨
げない。
アルデヒドのわずかな部分だけが高分子量の縮合生成物
に移行する。これらは反応混合物中に溶けかつ反応器か
らの生成物の除去および原料品の支障のない後処理を妨
げない。
蒸留残分中には水素化触媒が残り、この触媒上にはヒド
ロホルミル化段階で使用したロジウムがほとんど完全に
分離する。ロジウムは公知方法で回収できる。
ロホルミル化段階で使用したロジウムがほとんど完全に
分離する。ロジウムは公知方法で回収できる。
異性体のTCD−ジアミンの分離のために、反応混合物
は有利に減圧下で蒸留てれる。約61000で沸騰する
無色液体の化合物が得られる。
は有利に減圧下で蒸留てれる。約61000で沸騰する
無色液体の化合物が得られる。
以下の例につき新規方法全詳述する。当然のことながら
、本発明をこの詳細な実施態様に限定しようと意図した
ものではない。
、本発明をこの詳細な実施態様に限定しようと意図した
ものではない。
例1
(a) ヒドロホルミル化
攪拌u、t−トクレーグ中でトルエン60重量部中のジ
シクロペンタジェン70重量部m液を165℃に加熱す
る。その上、25 MPaの圧力でロジウム50重量p
pm (Rh−2−s−チルヘキサノエートとして使用
した)の存在下に合成ガス(H2:C0=1:1)全浴
液中に6時間導入した。反応生成物は42+tJmt%
がトリシクロデカンジアルデヒドから成り、44重量%
がトルエンから成シ、残分がトリシクロデカンモノアル
デヒド(11重量%)ならびに低沸点成分および高沸点
成分から成る。
シクロペンタジェン70重量部m液を165℃に加熱す
る。その上、25 MPaの圧力でロジウム50重量p
pm (Rh−2−s−チルヘキサノエートとして使用
した)の存在下に合成ガス(H2:C0=1:1)全浴
液中に6時間導入した。反応生成物は42+tJmt%
がトリシクロデカンジアルデヒドから成り、44重量%
がトルエンから成シ、残分がトリシクロデカンモノアル
デヒド(11重量%)ならびに低沸点成分および高沸点
成分から成る。
(b) アミン化する水素化
オートクレーブ中でn−ブチルアミン30重量部に(a
)によるTCD−シアルを含有するヒドロホルミル化原
料品60重量部を1時間かけてかつ最高60℃の温度を
保持しなから配量添加し、続いて40℃でさらに30分
間攪拌する。TCD−シアルのジアゾメチンを含有する
反応生成物(ロジウム含量18.5!量ppm )を、
固定層として配置したNi−触媒上でアンモニアおよび
水素と共に連続的に水素化する。反応は反応温度160
℃1水素圧8 MPa s NH3/ジアゾメチンのモ
ル比50:1および触媒1容量当り生成混合物毎時0.
4容量の空間速度の際に行なわれる。
)によるTCD−シアルを含有するヒドロホルミル化原
料品60重量部を1時間かけてかつ最高60℃の温度を
保持しなから配量添加し、続いて40℃でさらに30分
間攪拌する。TCD−シアルのジアゾメチンを含有する
反応生成物(ロジウム含量18.5!量ppm )を、
固定層として配置したNi−触媒上でアンモニアおよび
水素と共に連続的に水素化する。反応は反応温度160
℃1水素圧8 MPa s NH3/ジアゾメチンのモ
ル比50:1および触媒1容量当り生成混合物毎時0.
4容量の空間速度の際に行なわれる。
NH3の分離後、反応生成物はTCD−ジアミン27i
[量%、n−ブチルアミン44重量%、トルエン16i
n量%を含有し、残りは異性体および後留出物である。
[量%、n−ブチルアミン44重量%、トルエン16i
n量%を含有し、残りは異性体および後留出物である。
次に純粋な製品を得るために蒸留による後処理を行なう
。水素化反応器から排出されるロジウムは0.01重量
ppmであシすなわち使用したロジウムの99.95%
が触媒上に残存する。
。水素化反応器から排出されるロジウムは0.01重量
ppmであシすなわち使用したロジウムの99.95%
が触媒上に残存する。
例2
ジシクロペンタジェンのヒドロホルミル化は、例1と同
様に実施する。前留分を薄層蒸発器によって分離した後
、ヒドロホルミル化生成物はTCD−シアルを74重量
%およびRh 37〜/生成物時を含有する。
様に実施する。前留分を薄層蒸発器によって分離した後
、ヒドロホルミル化生成物はTCD−シアルを74重量
%およびRh 37〜/生成物時を含有する。
反応管中で40℃において、ヒドロホルミル化生成物6
0重量部をn−ブチルアミン60重量と連続的に反応さ
せ、ジアゾメチンを生成するが、この際反応器1容量当
り生成物毎時0.2容量の通過量で行なう。次に160
℃、水素圧8 MPaで、NH3/ジアゾメチンのモル
比が10:1ならひに空間速度が触媒1答量当り生成混
合物毎時0.6容量である際に、N1−触媒上で連続的
にTCD−ジアミンに変換させる。反応生成物中のロジ
ウム含量は0.11量ppmよシ少ない。
0重量部をn−ブチルアミン60重量と連続的に反応さ
せ、ジアゾメチンを生成するが、この際反応器1容量当
り生成物毎時0.2容量の通過量で行なう。次に160
℃、水素圧8 MPaで、NH3/ジアゾメチンのモル
比が10:1ならひに空間速度が触媒1答量当り生成混
合物毎時0.6容量である際に、N1−触媒上で連続的
にTCD−ジアミンに変換させる。反応生成物中のロジ
ウム含量は0.11量ppmよシ少ない。
精製のためにTCD−ジアミンを蒸留する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ロジウム触媒の存在下におけるジシクロペンタジエ
ンのヒドロホルミル化、および引き続く得られたトリシ
クロデカンジアルデヒドの還元アミン化による3(4)
,8(9)−ビス(アミノ−メチル)−トリシクロ〔5
.2.1.0^2^,^6〕−デカンの製法において、
ヒドロホルミル化生成物を予め精製せず、殊にロジウム
触媒を分離せずに、場合によつては一級アミンとの反応
後に、還元アミン化することを特徴とする3(4),8
(9)−ビス(アミノ−メチル)−トリシクロ〔5.2
.1.0^2^,^6〕−デカンの製法。 2、ジシクロペンタジエンのヒドロホルミル化を、10
0〜200℃の温度および20−30MPaの圧力で、
溶剤の存在下または不在下に行なう請求項1記載の方法
。 3、ロジウムを20〜100mg/ジシクロペンタジエ
ンkgの濃度で使用する請求項1又は2記載の方法。 4、ヒドロホルミル化生成物中に含有されているトリシ
クロデカンジアルデヒド1モル当り1級アミンを2〜6
モル使用する請求項1から3までのいずれか1項記載の
方法。 5、1級アミンは1分子中に炭素原子を2〜10個有す
る請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。 6、トリシクロデカンジアルデヒドとアミンの反応を2
0〜60℃で行なう請求項1から5までのいずれか1項
記載の方法。 7、トリシクロデカンジアルデヒドの還元アミン化を8
0〜150℃および圧力5〜12 MPaで実施する請求項1から6までのいずれか1項記
載の方法。 8、還元アミン化の際に、ホルミル基もしくはジアゾメ
チ基1モル当りアンモニアを少な くとも2モル使用する請求項1から7までのいずれか1
項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3822038A DE3822038A1 (de) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | Verfahren zur herstellung von 3(4),8(9)-bis-(aminomethyl)-tricyclo (5.2.1.0(pfeil hoch)2(pfeil hoch)(pfeil hoch),(pfeil hoch)(pfeil hoch)6(pfeil hoch))-decan |
DE3822038.5 | 1988-06-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0248556A true JPH0248556A (ja) | 1990-02-19 |
JPH0662513B2 JPH0662513B2 (ja) | 1994-08-17 |
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---|---|---|---|
JP1167173A Expired - Lifetime JPH0662513B2 (ja) | 1988-06-30 | 1989-06-30 | 3(4),8(9)―ビス(アミノ‐メチル)‐トリシクロ〔5.2.1.0▲上2▼▲’▼▲上6▼〕‐デカンの製法 |
Country Status (10)
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EP (1) | EP0348832B1 (ja) |
JP (1) | JPH0662513B2 (ja) |
KR (1) | KR920001988B1 (ja) |
AT (1) | ATE79860T1 (ja) |
AU (1) | AU610002B2 (ja) |
CA (1) | CA1321796C (ja) |
DE (2) | DE3822038A1 (ja) |
ES (1) | ES2043966T3 (ja) |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015524829A (ja) * | 2012-08-17 | 2015-08-27 | オクセア・ゲゼルシャフト・ミト・べシュレンクテル・ハフツング | アルデヒドから第一級脂肪族アミンを製造するための連続方法 |
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DE10352258B4 (de) * | 2003-11-08 | 2013-06-13 | Oxea Gmbh | Verfahren zur Herstellung von TCD-Diamin |
DE10352261B4 (de) * | 2003-11-08 | 2006-08-24 | Celanese Chemicals Europe Gmbh | Verfahren zur Herstellung von TCD-Dialdehyd |
DE10352260B3 (de) | 2003-11-08 | 2005-04-14 | Celanese Chemicals Europe Gmbh | Verfahren zur Herstellung von TCD-Alkohol DM |
DE10357718A1 (de) | 2003-12-09 | 2005-07-21 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Tricyclodecandialdehyd |
US7684147B2 (en) * | 2003-12-15 | 2010-03-23 | Univ Bar Ilan | Magnetoelectronic devices based on colossal magnetoresistive thin films |
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DE102006004324A1 (de) * | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Oxea Deutschland Gmbh | 3(4),7(8)-Bis(aminomethyl)-bicyclo[4.3.0]nonan und ein Verfahren zu seiner Herstellung |
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DE102007053385A1 (de) * | 2007-11-09 | 2009-05-20 | Oxea Deutschland Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Aldehyden |
WO2011014747A2 (en) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Dow Global Technologies Inc. | Cycloaliphatic diamines and method of making the same |
CN106966908B (zh) | 2009-07-31 | 2020-07-31 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 用于改进将脂族氰基醛还原胺化为脂族二胺的催化剂体系的催化活性的方法 |
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FR1525149A (fr) * | 1967-03-08 | 1968-05-17 | Melle Usines Sa | Procédé de fabrication d'amines primaires |
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US4317932A (en) * | 1980-02-22 | 1982-03-02 | W. R. Grace & Co. | Preparation of secondary amines |
-
1988
- 1988-06-30 DE DE3822038A patent/DE3822038A1/de not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-05-29 KR KR1019890007191A patent/KR920001988B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-06-23 ES ES89111443T patent/ES2043966T3/es not_active Expired - Lifetime
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- 1989-06-23 HU HU893202A patent/HU202476B/hu not_active IP Right Cessation
- 1989-06-23 EP EP89111443A patent/EP0348832B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-23 DE DE8989111443T patent/DE58902135D1/de not_active Revoked
- 1989-06-29 AU AU37168/89A patent/AU610002B2/en not_active Ceased
- 1989-06-30 JP JP1167173A patent/JPH0662513B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-30 CA CA000604616A patent/CA1321796C/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-08-17 US US07/569,581 patent/US5041675A/en not_active Expired - Fee Related
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ES2043966T3 (es) | 1994-01-01 |
ATE79860T1 (de) | 1992-09-15 |
HUT51231A (en) | 1990-04-28 |
HU202476B (en) | 1991-03-28 |
EP0348832A2 (de) | 1990-01-03 |
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EP0348832A3 (en) | 1990-05-23 |
AU610002B2 (en) | 1991-05-09 |
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CA1321796C (en) | 1993-08-31 |
AU3716889A (en) | 1990-01-04 |
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DE3822038A1 (de) | 1990-03-01 |
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