JPH0246026B2 - Shianobishikurohekisan - Google Patents
ShianobishikurohekisanInfo
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- JPH0246026B2 JPH0246026B2 JP20910282A JP20910282A JPH0246026B2 JP H0246026 B2 JPH0246026 B2 JP H0246026B2 JP 20910282 A JP20910282 A JP 20910282A JP 20910282 A JP20910282 A JP 20910282A JP H0246026 B2 JPH0246026 B2 JP H0246026B2
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Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は正の誘電異方性を有する低粘性な新規
液晶物質及びそれを含有する液晶組成物に関す
る。
液晶物質及びそれを含有する液晶組成物に関す
る。
液晶表示素子は液晶物質が有する光学異方性及
び誘電異方性を利用したものであるが、その表示
方式にはTN型(ねじれネマチツク型)、DS型
(動的散乱型)、ゲスト・ホスト型、DAP型、ホ
ワイト・テイラー型など各種の方式であり、それ
ぞれの方式により使用される液晶物質に要求され
る性質も異る。例えば表示素子の種類によつて、
液晶物質として誘電異方性値△εが正のものを必
要としたり、負のものを必要としたり、或はその
中間的な値のものが適したりする。しかしいずれ
にしても使用される液晶物質はできるだけ広い温
度範囲で液晶相を示し、又水分、熱、空気、光な
どに対して安定である必要がある。現在のところ
単一化合物でこの様な条件をすべて満たすものは
なく、数種の液晶化合物や非液晶化合物を混合し
て一応実用に耐えもるのを得ているのが現状であ
る。
び誘電異方性を利用したものであるが、その表示
方式にはTN型(ねじれネマチツク型)、DS型
(動的散乱型)、ゲスト・ホスト型、DAP型、ホ
ワイト・テイラー型など各種の方式であり、それ
ぞれの方式により使用される液晶物質に要求され
る性質も異る。例えば表示素子の種類によつて、
液晶物質として誘電異方性値△εが正のものを必
要としたり、負のものを必要としたり、或はその
中間的な値のものが適したりする。しかしいずれ
にしても使用される液晶物質はできるだけ広い温
度範囲で液晶相を示し、又水分、熱、空気、光な
どに対して安定である必要がある。現在のところ
単一化合物でこの様な条件をすべて満たすものは
なく、数種の液晶化合物や非液晶化合物を混合し
て一応実用に耐えもるのを得ているのが現状であ
る。
一般に任意の△ε値を持つ液晶化合物は△ε値
が正のものと負のものを適宜混合することによつ
て得られる。従つて△ε値が負の組成物から△ε
値が正の組成物を得るには△ε値の正の成分を加
えればよい訳であるが、その場合△εが正の化合
物は他の成分との相溶性が良くなければいけな
い。
が正のものと負のものを適宜混合することによつ
て得られる。従つて△ε値が負の組成物から△ε
値が正の組成物を得るには△ε値の正の成分を加
えればよい訳であるが、その場合△εが正の化合
物は他の成分との相溶性が良くなければいけな
い。
この様な要望をみたす化合物の1つとして既に
特開昭52−11677号などによつて4―アルキル安
息香酸―4―シアノフエニルエステルが知られて
利用されているが、その溶解性及び安定性の点で
充分満足なものではなかつた。本発明の化合物は
液晶化合物で、かつ低粘性で、他の液晶との相溶
性がよく、上記の様な目的に使用して有用な正の
誘電異方性値を持つ低粘性な新規な有機化合物で
ある。
特開昭52−11677号などによつて4―アルキル安
息香酸―4―シアノフエニルエステルが知られて
利用されているが、その溶解性及び安定性の点で
充分満足なものではなかつた。本発明の化合物は
液晶化合物で、かつ低粘性で、他の液晶との相溶
性がよく、上記の様な目的に使用して有用な正の
誘電異方性値を持つ低粘性な新規な有機化合物で
ある。
即ち、本発明は一般式
(上式中Rは炭素数1〜4のアルキル基を示
す) で表わされるトランス―4―アルコキシメチル―
トランス―4′―シアノビシクロヘキサン及びこれ
を少なくとも一種含有することを特徴とする液晶
組成物に関するものである。
す) で表わされるトランス―4―アルコキシメチル―
トランス―4′―シアノビシクロヘキサン及びこれ
を少なくとも一種含有することを特徴とする液晶
組成物に関するものである。
本発明の化合物は低粘性で熱、光、水分、空気
に対し安定で、しかも△ε値が+4程度であり、
他の液晶との相溶性も良く、△ε値の負の液晶組
成物と混合して△ε値の正の低粘性の組成物をつ
くることが出来る。
に対し安定で、しかも△ε値が+4程度であり、
他の液晶との相溶性も良く、△ε値の負の液晶組
成物と混合して△ε値の正の低粘性の組成物をつ
くることが出来る。
つぎに本発明の化合物の製造法を示す。4―
(トランス―4―アルコキシメチル)安息香酸
(特願昭56−159593号の方法による)をイソアミ
ルアルコール中、金属ナトリウムで還元してトラ
ンス―4―(トランス―4―アルコキシメチルシ
クロヘキシル)シクロヘキサンカルボン酸とし、
ついで塩化チオニルで酸クロリドとし、さらにア
ンモニア水と反応し、酸アミドとする。次にこの
酸アミドを塩化チオニル又は五酸化リン又は五塩
化リンの作用により脱水して目的のトランス―4
―アルコキシメチル―トランス―4′―シアノビシ
クロヘキサンを製造した。以上を化学式で示す
と、 (上式中Rは前記と同じ) 以下実施励により本発明を更に詳細に説明す
る。
(トランス―4―アルコキシメチル)安息香酸
(特願昭56−159593号の方法による)をイソアミ
ルアルコール中、金属ナトリウムで還元してトラ
ンス―4―(トランス―4―アルコキシメチルシ
クロヘキシル)シクロヘキサンカルボン酸とし、
ついで塩化チオニルで酸クロリドとし、さらにア
ンモニア水と反応し、酸アミドとする。次にこの
酸アミドを塩化チオニル又は五酸化リン又は五塩
化リンの作用により脱水して目的のトランス―4
―アルコキシメチル―トランス―4′―シアノビシ
クロヘキサンを製造した。以上を化学式で示す
と、 (上式中Rは前記と同じ) 以下実施励により本発明を更に詳細に説明す
る。
実施例 1
〔トランス―4―メトキシメチル―トランス―
4′―シアノビシクロヘキサンの製造〕 (i) トランス―4―(トランス―4―メトキシメ
チルシクロヘキシル)シクロヘキサンカルボン
酸の製造 4―(トランス―4―メトキシメチルシクロヘ
キシル)安息香酸10gをイソアミルアルコール
2500mlと共に撹拌し、90℃まで加熱する。そこへ
金属ナトリウム30gを加えると激しく反応しはじ
める。そのまま環流をつづけながら3時間で金属
ナトリウムを更に180g加えると反応液はしだい
に均一になる。反応終了後、放冷して100℃にす
る。次に水を加えながらイソアミルアルコールを
留去する。水は2000ml加えた。次いで12N塩酸を
1.5加えて完全に酸性にし、析出した沈澱を
過、水洗する。これをよく乾燥し、このままつぎ
の反応に使用した。収量7.5g。
4′―シアノビシクロヘキサンの製造〕 (i) トランス―4―(トランス―4―メトキシメ
チルシクロヘキシル)シクロヘキサンカルボン
酸の製造 4―(トランス―4―メトキシメチルシクロヘ
キシル)安息香酸10gをイソアミルアルコール
2500mlと共に撹拌し、90℃まで加熱する。そこへ
金属ナトリウム30gを加えると激しく反応しはじ
める。そのまま環流をつづけながら3時間で金属
ナトリウムを更に180g加えると反応液はしだい
に均一になる。反応終了後、放冷して100℃にす
る。次に水を加えながらイソアミルアルコールを
留去する。水は2000ml加えた。次いで12N塩酸を
1.5加えて完全に酸性にし、析出した沈澱を
過、水洗する。これをよく乾燥し、このままつぎ
の反応に使用した。収量7.5g。
(ii) トランス―4―メトキシメチル―トランス―
4′―シアノビシクロヘキサンの製造 トランス―4―(トランス―4―メトキシメチ
ルシクロヘキシル)シクロヘキサンカルボン酸
2gをフラスコ中で塩化チオニル30mlと共に加熱
還流する。反応液は2〜3時間で均一になる。更
に1時間還流をつづけた後、減圧にて過剰の塩化
チオニルを留去する。残つた油状物を100mlの濃
アンモニア水に激しく撹拌しながら加える。1時
間撹拌した後、生じた沈澱を過する。固型物を
風乾し、全量をフラスコに入れ塩化チオニル100
mlと共に加熱還流する。4〜5時間で殆ど均一に
なる。ついで過剰の塩化チオニルを減圧で留去す
る。残つた油状物をトルエン100mlに溶かし、ト
ルエン層を2N―NaOHで3回洗い、更に中性に
なるまで水で洗う。無水硫酸ナトリウムで乾燥
後、活性アルミナのカラムを通す。溶出液を濃縮
後、残つた油状物をメタノールで再結晶すれば目
的のトランス―4―メトキシメチル―トランス―
4―シアノビシクロヘキサンが得られた。収量
0.5g。収率27%、C―N点53.9〜56.4℃,N―I
点61.2℃。尚この化合物が目的の化合物であるこ
とはNMR,IRスペクトルにより確認した。
4′―シアノビシクロヘキサンの製造 トランス―4―(トランス―4―メトキシメチ
ルシクロヘキシル)シクロヘキサンカルボン酸
2gをフラスコ中で塩化チオニル30mlと共に加熱
還流する。反応液は2〜3時間で均一になる。更
に1時間還流をつづけた後、減圧にて過剰の塩化
チオニルを留去する。残つた油状物を100mlの濃
アンモニア水に激しく撹拌しながら加える。1時
間撹拌した後、生じた沈澱を過する。固型物を
風乾し、全量をフラスコに入れ塩化チオニル100
mlと共に加熱還流する。4〜5時間で殆ど均一に
なる。ついで過剰の塩化チオニルを減圧で留去す
る。残つた油状物をトルエン100mlに溶かし、ト
ルエン層を2N―NaOHで3回洗い、更に中性に
なるまで水で洗う。無水硫酸ナトリウムで乾燥
後、活性アルミナのカラムを通す。溶出液を濃縮
後、残つた油状物をメタノールで再結晶すれば目
的のトランス―4―メトキシメチル―トランス―
4―シアノビシクロヘキサンが得られた。収量
0.5g。収率27%、C―N点53.9〜56.4℃,N―I
点61.2℃。尚この化合物が目的の化合物であるこ
とはNMR,IRスペクトルにより確認した。
同様にして4―(トランス―4―メトキシメチ
ルシクロヘキシル)安息香酸の代りにアルキル基
の異る4―(トランス―4―アルコキシメチルシ
クロヘキシル)安息香酸を用いて他のトランス―
4―アルコキシメチル―トランス―4―シアノビ
シクロヘキサンが製造できる。
ルシクロヘキシル)安息香酸の代りにアルキル基
の異る4―(トランス―4―アルコキシメチルシ
クロヘキシル)安息香酸を用いて他のトランス―
4―アルコキシメチル―トランス―4―シアノビ
シクロヘキサンが製造できる。
実施例2(応用例)
トランス―4―プロピルシクロヘキサンカルボ
ン酸―4―ブトキシフエニルエステル 12部 トランス―4―プロピルシクロヘキサンカルボ
ン酸―4―ペンチルオキシフエニルエステル
12部 トランス―4―ブチルシクロヘキサンカルボン
酸―4―エトキシフエニルエステル 12部 トランス―4―ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸―4―エトキシフエニルエステル 10部 なる組成のN―I点は73℃、誘電異方性値は−
1.3、20℃での粘度は25.7cpである。
ン酸―4―ブトキシフエニルエステル 12部 トランス―4―プロピルシクロヘキサンカルボ
ン酸―4―ペンチルオキシフエニルエステル
12部 トランス―4―ブチルシクロヘキサンカルボン
酸―4―エトキシフエニルエステル 12部 トランス―4―ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸―4―エトキシフエニルエステル 10部 なる組成のN―I点は73℃、誘電異方性値は−
1.3、20℃での粘度は25.7cpである。
この組成物85部に本発明の実施例1のトランス
―4―メトキシメチル―トランス―4′―シアノビ
シクロヘキサン15部を加えて得られる液晶組成物
のN―I点は71℃、誘電異方性値は+0.9と正と
なり、20℃での粘度は24.5cpである。これをを
TNセルにつめ測定したところ、しきい値電圧は
3.3V、飽和電圧は4.5Vで、TNセルとして作動し
た。
―4―メトキシメチル―トランス―4′―シアノビ
シクロヘキサン15部を加えて得られる液晶組成物
のN―I点は71℃、誘電異方性値は+0.9と正と
なり、20℃での粘度は24.5cpである。これをを
TNセルにつめ測定したところ、しきい値電圧は
3.3V、飽和電圧は4.5Vで、TNセルとして作動し
た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (上式中Rは炭素数1〜4のアルキル基を示
す) で表わされるトランス―4―アルコキシメチル―
トランス―4′―シアノビシクロヘキサン。 2 一般式 (上式中Rは炭素数1〜4のアルキル基を示
す) で表わされるトランス―4―アルコキシメチル―
トランス―4′―シアノビシクロヘキサンを少なく
とも一種含有することを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20910282A JPH0246026B2 (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | Shianobishikurohekisan |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20910282A JPH0246026B2 (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | Shianobishikurohekisan |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5998053A JPS5998053A (ja) | 1984-06-06 |
JPH0246026B2 true JPH0246026B2 (ja) | 1990-10-12 |
Family
ID=16567315
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20910282A Expired - Lifetime JPH0246026B2 (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | Shianobishikurohekisan |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0246026B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5102578A (en) * | 1988-08-15 | 1992-04-07 | Hoffmann-La Roche Inc. | Liquid crystalline mixtures and method of making same |
-
1982
- 1982-11-29 JP JP20910282A patent/JPH0246026B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5998053A (ja) | 1984-06-06 |
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JPH0239497B2 (ja) | 44*toransuu4**arukirushikurohekishiru*ansokukosan2*44jiharogenofueniruesuteru | |
JPS58121272A (ja) | 3−クロロ−6−ヒドロキシピリジンのエステル誘導体 | |
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