JPH0244786B2 - - Google Patents
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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Description
本発明は、窒化ケイ素を主成分とするセラミツ
クス焼結体及びその製造方法に関し、更に詳しく
は、高密度で、耐熱衝撃性が優れ、高温酸化性雰
囲気下にあつても機械的強度の低下が小さいセラ
ミツクス焼結体及びその製造方法に関する。 セラミツクス焼結体は、熱的性質が優れ、且つ
高密度を有していることから、各種構造材料の先
端にあるものとして各産業分野で広く注目を集め
ているが、その代表的なものとして窒化ケイ素の
焼結体がある。 従来から、窒化ケイ素焼結体の製造において
は、反応焼結法、ホツトプレス法及び普通焼結法
が一般に採用されている。 このうち、反応焼結法は、金属ケイ素（Si）の
粉末で予め必要とする形を成形し、これを窒素又
はアンモニアガス雰囲気中で徐々に加熱して窒化
と同時に焼結するという方法である。 また、ホツトプレス法は、窒化ケイ素
（Si3N4）の粉末に、焼結助剤（例えば、Y2O3、
MgO、Al2O3）を添加し、これを所定の型（例え
ば黒鉛の型）の中で1700〜1800℃の高温下、150
〜500Kg／cm2の圧力を印加して焼結する方法であ
る。この方法によれば、高密度で機械的強度も大
きく、かつ耐熱衝撃性又は高温酸化雰囲気下での
機械的強度の低下が小さい等の優れた熱的性質を
有する焼結体を得ることができる。しかし、一方
で、この方法は複雑で大型形状の焼結体を得るこ
とが困難で、しかも量産性に劣るという欠点を有
する。 他方、普通焼結法は、Si3N4粉末と焼結助剤を
パラフインのような粘結剤で予め成形し、これを
非酸化性雰囲気下でホツトプレスすることなくそ
のまま加熱して焼結する方法である。しかし、こ
の方法では、高密度で機械的強度の大きい焼結
体、とりわけ高温酸化雰囲気下での機械的強度の
低下が小さい焼結体を得ることは困難である。 そのため、本発明者らは、上記普通焼結法に関
し種々の検討を加えた結果、ホツトプレス法に匹
敵して、機械的強度・耐熱衝撃性にすぐれた高密
度焼結体を製造できる普通焼結法を提案した（特
開昭55−113674号、特開昭55−116670号）。 しかしながら、これらの方法で得られた窒化ケ
イ素焼結体の高温酸化雰囲気下における機械的強
度の低下に対する抵抗性は必ずしも満足のいくも
のではなかつた。 本発明者らは、更に上記の点に関し、鋭意研究
を重ねた結果、本発明を完成するに到つた。 本発明の目的は、普通焼結法によつて、高密度
で耐熱衝撃性にすぐれ、しかも高温酸化雰囲気下
にあつても機械的強度の低下が小さいセラミツク
ス焼結体、とりわけ窒化ケイ素を主成分とするセ
ラミツクス焼結体及びその製造方法を提供するこ
とである。 即ち、本発明のセラミツクス焼結体は、酸化イ
ツトリウム（Y2O3）0.1〜10重量％；酸化アルミ
ニウム（Al2O3）0.1〜10重量％；窒化アルミニウ
ム（AlN）0.1〜10重量％；珪化マグネシウム
（Mg2Si）、珪化カルシウム（CaSi2）、珪化チタン
（TiSi2）、珪化バナジウム（VSi2）、珪化クロム
（CrSi2）、珪化マンガン（MnSi）、珪化ジルコニ
ウム（ZrSi2）、珪化ニオブ（NbSi2）、珪化モリ
ブデン（MoSi2）、珪化タンタル（TaSi2）、及び
珪化タングステン（WSi2）のそれぞれの珪化物
から成る群より選ばれる少なくとも１種の珪化物
0.1〜５重量％；及び残部は窒化ケイ素（Si3N4）
から成ることを特徴とするものである。 本発明のセラミツクス焼結体は、Si3N4を主成
分とするものであり、Si3N4は70重量％以上の配
合比で用いられることが好ましい。使用される
Si3N4は、α相型、β相型のいずれであつてもよ
いが、α相型が好んで用いられる。 Y2O3及びAl2O3はいずれも焼結促進剤として機
能する。これら成分は、その配合比がそれぞれ10
重量％を超えると、得られた焼結体の機械的強度
及び耐熱衝撃性が低下して好ましくない。これら
の成分は、通常、両者を合わせて３〜15重量％の
配合比にあることが好ましい。 AlNは、主成分であるSi3N4の焼結過程におけ
る蒸発を抑制する機能のほか、他の成分と反応し
て焼結に資する液相を生成して全体の焼結促進に
寄与する。その配合比が10重量％を超えると、得
られた焼結体の機械的強度及び耐熱衝撃性を低下
せしめるため好ましくない。 また、Mg2Si、CaSi2、TiSi2、VSi2、CrSi2、
MnSi、ZrSi2、NbSi2、MoSi2、TaSi2、WSi2な
どの珪化物は、いずれも、上記したY2O3、Al2O3
などの焼結促進剤の機能を助長するだけでなく、
得られた焼結体の高温酸化雰囲気下における機械
的強度の低下を防止する機能を有する。特に、
MoSi2、CrSi2、ZrSi2、TiSi2はその効果に資す
ること大である。しかしながら、それらの配合比
が５重量％を超えると、かえつて焼結体の機械的
強度及び耐熱衝撃性を低下せしめるため好ましく
ない。 本発明のセラミツクス焼結体の製造方法は、酸
化イツトリウム（Y2O3）粉末0.1〜10重量％；酸
化アルミニウム（Al2O3）粉末0.1〜10重量％；窒
化アルミニウム（AlN）粉末0.1〜10重量％；珪
化マグネシウム（Mg2Si）、珪化カルシウム
（CaSi2）、珪化チタン（TiSi2）、珪化バナジウム
（VSi2）、珪化クロム（CrSi2）、珪化マンガン
（MnSi）、珪化ジルコニウム（ZrSi2）、珪化ニオ
ブ（NbSi2）、珪化モリブデン（MoSi2）、珪化タ
ンタル（TaSi2）、及び珪化タングステン
（WSi2）のそれぞれの珪化物粉末から成る群より
選ばれる少なくとも１種の珪化物粉末0.1〜５重
量％；及び残部は窒化ケイ素（Si3N4）粉末から
成る混合粉末を成形し、該成形体を非酸化性雰囲
気中で焼結することを特徴とするものである。 本発明方法において、これらの各成分の混合
は、通常のボールミル等の粉砕混合機により、ｎ
−ブチルアルコール等の溶媒を用いて行なうこと
ができる。 このように調製された混合粉末に、パラフイン
等の粘結剤を添加して適宜な圧力を印加し、所定
形状の成形体とする。 この成形体を非酸化性雰囲気中、1500〜1900
℃、好ましくは1600〜1800℃で加熱して焼結せし
め、焼結体とする。非酸化性雰囲気としては、窒
素、アルゴン等があげられる。酸化性雰囲気では
Si3N4が酸化してSiO2になるため不可である。な
お、この焼結時に、50〜500Kg／cm2の圧力を印加
したホツトプレス状態、または、非酸化性ガス雰
囲気中、加圧状態で焼結してもよい。或いは、普
通焼結法による焼結を行なつた後に、更に加圧雰
囲気中で焼結を行なつたものであつても焼結体の
特性は何ら損なわれるものではない。 以下において、本発明を、実施例及び参考例を
掲げて更に詳細に説明する。 実施例及び参考例 表に示したように、各成分を所定の配合比（重
量％）で配合し、ここにｎ−ブチルアルコールを
適量添加した後、ゴムライニングボールミルで24
時間それぞれ混合して、本発明に係る実施例とし
て20種類、並びに参考例として11種類、計31種類
の混合粉末を調製した。なお、Si3N4の粉末は、
α相型Si3N485％を含む平均粒径1.2μの粉末であ
る。また、Y2O3粉末の平均粒径は1.0μ、Al2O3粉
末の平均粒径は0.5μ、AlNの平均粒径は1.5μ、各
種の珪化物の平均粒径は1.0μであつた。 得られた混合粉末に、更にパラフインを７重量
％添加した後、室温下、700Kg／cm2の成形圧で長
さ60mm、幅40mm、及び厚さ10mmの板状体を成形し
た。得られた各成形体を、まず700℃で加熱処理
してパラフインを熱分解除去し、ついで窒素ガス
を通流（３／min）しながら1750℃で焼結し
た。 得られた各焼結体につき、相対密度、室温下で
の抗折強度、空気中、1000℃で1000時間酸化処理
した後の室温下での抗折強度、空気中1200℃で
1000時間酸化処理した後の室温下での抗折強度及
び耐熱衝撃性を測定した。 それらの結果を、実施例１〜20及び参考例１〜
11として表に示した。それぞれの測定項目は以下
の仕様に従つた。 相対密度：組成比から算出した理論密度に対する
相対比（％）で示した。 抗折強度：３点曲げ強度試験によるもので、試片
のサイズ３×３×30mm、クロスヘツドスピード
0.5mm／min、スパン20mm、温度室温。測定は
各試片４枚につき行ないその平均値で示した。 耐熱衝撃性：抗折強度測定用試験片と同一形状の
試験片をある温度に加熱した後、水中に投入し
て急冷し、試験片へのクラツク発生の有無を蛍
光探傷法で観察し、クラツク発生時における加
熱温度と水温との差ΔTをもつて表示した。 表から明らかなように、本発明方法によつて得
られた焼結体（実施例１〜20）は、相対密度が理
論密度の95％以上と高密度であり、またその抗折
強度も85Kg／mm2以上と大きく、耐熱衝撃性もΔT
で表わしてほぼ700℃以上である。とりわけ、
1000℃及び1200℃で1000時間の酸化処理後にあつ
てもその抗折強度の低下の小さいことが判明し
た。 以上詳述したように、本発明方法はホツトプレ
スすることを必要としないので大量生産に適合
し、得られた焼結体は、高密度で耐熱衝撃性に優
れ、かつ高温酸化雰囲気下における機械的強度の
低下の小さいものであり、その工業的有用性は大
である。
クス焼結体及びその製造方法に関し、更に詳しく
は、高密度で、耐熱衝撃性が優れ、高温酸化性雰
囲気下にあつても機械的強度の低下が小さいセラ
ミツクス焼結体及びその製造方法に関する。 セラミツクス焼結体は、熱的性質が優れ、且つ
高密度を有していることから、各種構造材料の先
端にあるものとして各産業分野で広く注目を集め
ているが、その代表的なものとして窒化ケイ素の
焼結体がある。 従来から、窒化ケイ素焼結体の製造において
は、反応焼結法、ホツトプレス法及び普通焼結法
が一般に採用されている。 このうち、反応焼結法は、金属ケイ素（Si）の
粉末で予め必要とする形を成形し、これを窒素又
はアンモニアガス雰囲気中で徐々に加熱して窒化
と同時に焼結するという方法である。 また、ホツトプレス法は、窒化ケイ素
（Si3N4）の粉末に、焼結助剤（例えば、Y2O3、
MgO、Al2O3）を添加し、これを所定の型（例え
ば黒鉛の型）の中で1700〜1800℃の高温下、150
〜500Kg／cm2の圧力を印加して焼結する方法であ
る。この方法によれば、高密度で機械的強度も大
きく、かつ耐熱衝撃性又は高温酸化雰囲気下での
機械的強度の低下が小さい等の優れた熱的性質を
有する焼結体を得ることができる。しかし、一方
で、この方法は複雑で大型形状の焼結体を得るこ
とが困難で、しかも量産性に劣るという欠点を有
する。 他方、普通焼結法は、Si3N4粉末と焼結助剤を
パラフインのような粘結剤で予め成形し、これを
非酸化性雰囲気下でホツトプレスすることなくそ
のまま加熱して焼結する方法である。しかし、こ
の方法では、高密度で機械的強度の大きい焼結
体、とりわけ高温酸化雰囲気下での機械的強度の
低下が小さい焼結体を得ることは困難である。 そのため、本発明者らは、上記普通焼結法に関
し種々の検討を加えた結果、ホツトプレス法に匹
敵して、機械的強度・耐熱衝撃性にすぐれた高密
度焼結体を製造できる普通焼結法を提案した（特
開昭55−113674号、特開昭55−116670号）。 しかしながら、これらの方法で得られた窒化ケ
イ素焼結体の高温酸化雰囲気下における機械的強
度の低下に対する抵抗性は必ずしも満足のいくも
のではなかつた。 本発明者らは、更に上記の点に関し、鋭意研究
を重ねた結果、本発明を完成するに到つた。 本発明の目的は、普通焼結法によつて、高密度
で耐熱衝撃性にすぐれ、しかも高温酸化雰囲気下
にあつても機械的強度の低下が小さいセラミツク
ス焼結体、とりわけ窒化ケイ素を主成分とするセ
ラミツクス焼結体及びその製造方法を提供するこ
とである。 即ち、本発明のセラミツクス焼結体は、酸化イ
ツトリウム（Y2O3）0.1〜10重量％；酸化アルミ
ニウム（Al2O3）0.1〜10重量％；窒化アルミニウ
ム（AlN）0.1〜10重量％；珪化マグネシウム
（Mg2Si）、珪化カルシウム（CaSi2）、珪化チタン
（TiSi2）、珪化バナジウム（VSi2）、珪化クロム
（CrSi2）、珪化マンガン（MnSi）、珪化ジルコニ
ウム（ZrSi2）、珪化ニオブ（NbSi2）、珪化モリ
ブデン（MoSi2）、珪化タンタル（TaSi2）、及び
珪化タングステン（WSi2）のそれぞれの珪化物
から成る群より選ばれる少なくとも１種の珪化物
0.1〜５重量％；及び残部は窒化ケイ素（Si3N4）
から成ることを特徴とするものである。 本発明のセラミツクス焼結体は、Si3N4を主成
分とするものであり、Si3N4は70重量％以上の配
合比で用いられることが好ましい。使用される
Si3N4は、α相型、β相型のいずれであつてもよ
いが、α相型が好んで用いられる。 Y2O3及びAl2O3はいずれも焼結促進剤として機
能する。これら成分は、その配合比がそれぞれ10
重量％を超えると、得られた焼結体の機械的強度
及び耐熱衝撃性が低下して好ましくない。これら
の成分は、通常、両者を合わせて３〜15重量％の
配合比にあることが好ましい。 AlNは、主成分であるSi3N4の焼結過程におけ
る蒸発を抑制する機能のほか、他の成分と反応し
て焼結に資する液相を生成して全体の焼結促進に
寄与する。その配合比が10重量％を超えると、得
られた焼結体の機械的強度及び耐熱衝撃性を低下
せしめるため好ましくない。 また、Mg2Si、CaSi2、TiSi2、VSi2、CrSi2、
MnSi、ZrSi2、NbSi2、MoSi2、TaSi2、WSi2な
どの珪化物は、いずれも、上記したY2O3、Al2O3
などの焼結促進剤の機能を助長するだけでなく、
得られた焼結体の高温酸化雰囲気下における機械
的強度の低下を防止する機能を有する。特に、
MoSi2、CrSi2、ZrSi2、TiSi2はその効果に資す
ること大である。しかしながら、それらの配合比
が５重量％を超えると、かえつて焼結体の機械的
強度及び耐熱衝撃性を低下せしめるため好ましく
ない。 本発明のセラミツクス焼結体の製造方法は、酸
化イツトリウム（Y2O3）粉末0.1〜10重量％；酸
化アルミニウム（Al2O3）粉末0.1〜10重量％；窒
化アルミニウム（AlN）粉末0.1〜10重量％；珪
化マグネシウム（Mg2Si）、珪化カルシウム
（CaSi2）、珪化チタン（TiSi2）、珪化バナジウム
（VSi2）、珪化クロム（CrSi2）、珪化マンガン
（MnSi）、珪化ジルコニウム（ZrSi2）、珪化ニオ
ブ（NbSi2）、珪化モリブデン（MoSi2）、珪化タ
ンタル（TaSi2）、及び珪化タングステン
（WSi2）のそれぞれの珪化物粉末から成る群より
選ばれる少なくとも１種の珪化物粉末0.1〜５重
量％；及び残部は窒化ケイ素（Si3N4）粉末から
成る混合粉末を成形し、該成形体を非酸化性雰囲
気中で焼結することを特徴とするものである。 本発明方法において、これらの各成分の混合
は、通常のボールミル等の粉砕混合機により、ｎ
−ブチルアルコール等の溶媒を用いて行なうこと
ができる。 このように調製された混合粉末に、パラフイン
等の粘結剤を添加して適宜な圧力を印加し、所定
形状の成形体とする。 この成形体を非酸化性雰囲気中、1500〜1900
℃、好ましくは1600〜1800℃で加熱して焼結せし
め、焼結体とする。非酸化性雰囲気としては、窒
素、アルゴン等があげられる。酸化性雰囲気では
Si3N4が酸化してSiO2になるため不可である。な
お、この焼結時に、50〜500Kg／cm2の圧力を印加
したホツトプレス状態、または、非酸化性ガス雰
囲気中、加圧状態で焼結してもよい。或いは、普
通焼結法による焼結を行なつた後に、更に加圧雰
囲気中で焼結を行なつたものであつても焼結体の
特性は何ら損なわれるものではない。 以下において、本発明を、実施例及び参考例を
掲げて更に詳細に説明する。 実施例及び参考例 表に示したように、各成分を所定の配合比（重
量％）で配合し、ここにｎ−ブチルアルコールを
適量添加した後、ゴムライニングボールミルで24
時間それぞれ混合して、本発明に係る実施例とし
て20種類、並びに参考例として11種類、計31種類
の混合粉末を調製した。なお、Si3N4の粉末は、
α相型Si3N485％を含む平均粒径1.2μの粉末であ
る。また、Y2O3粉末の平均粒径は1.0μ、Al2O3粉
末の平均粒径は0.5μ、AlNの平均粒径は1.5μ、各
種の珪化物の平均粒径は1.0μであつた。 得られた混合粉末に、更にパラフインを７重量
％添加した後、室温下、700Kg／cm2の成形圧で長
さ60mm、幅40mm、及び厚さ10mmの板状体を成形し
た。得られた各成形体を、まず700℃で加熱処理
してパラフインを熱分解除去し、ついで窒素ガス
を通流（３／min）しながら1750℃で焼結し
た。 得られた各焼結体につき、相対密度、室温下で
の抗折強度、空気中、1000℃で1000時間酸化処理
した後の室温下での抗折強度、空気中1200℃で
1000時間酸化処理した後の室温下での抗折強度及
び耐熱衝撃性を測定した。 それらの結果を、実施例１〜20及び参考例１〜
11として表に示した。それぞれの測定項目は以下
の仕様に従つた。 相対密度：組成比から算出した理論密度に対する
相対比（％）で示した。 抗折強度：３点曲げ強度試験によるもので、試片
のサイズ３×３×30mm、クロスヘツドスピード
0.5mm／min、スパン20mm、温度室温。測定は
各試片４枚につき行ないその平均値で示した。 耐熱衝撃性：抗折強度測定用試験片と同一形状の
試験片をある温度に加熱した後、水中に投入し
て急冷し、試験片へのクラツク発生の有無を蛍
光探傷法で観察し、クラツク発生時における加
熱温度と水温との差ΔTをもつて表示した。 表から明らかなように、本発明方法によつて得
られた焼結体（実施例１〜20）は、相対密度が理
論密度の95％以上と高密度であり、またその抗折
強度も85Kg／mm2以上と大きく、耐熱衝撃性もΔT
で表わしてほぼ700℃以上である。とりわけ、
1000℃及び1200℃で1000時間の酸化処理後にあつ
てもその抗折強度の低下の小さいことが判明し
た。 以上詳述したように、本発明方法はホツトプレ
スすることを必要としないので大量生産に適合
し、得られた焼結体は、高密度で耐熱衝撃性に優
れ、かつ高温酸化雰囲気下における機械的強度の
低下の小さいものであり、その工業的有用性は大
である。
【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化イツトリウム0.1〜10重量％；酸化アル
ミニウム0.1〜10重量％；窒化アルミニウム0.1〜
10重量％；珪化マグネシウム、珪化カルシウム、
珪化チタン、珪化バナジウム、珪化クロム、珪化
マンガン、珪化ジルコニウム、珪化ニオブ、珪化
モリブデン、珪化タンタル、及び珪化タングステ
ンのそれぞれの珪化物から成る群より選ばれる少
なくとも１種の珪化物0.1〜５重量％；及び残部
は窒化ケイ素から成ることを特徴とするセラミツ
クス焼結体。 ２ 酸化イツトリウム粉末0.1〜10重量％；酸化
アルミニウム粉末0.1〜10重量％；窒化アルミニ
ウム粉末0.1〜10重量％；珪化マグネシウム、珪
化カルシウム、珪化チタン、珪化バナジウム、珪
化クロム、珪化マンガン、珪化ジルコニウム、珪
化ニオブ、珪化モリブデン、珪化タンタル、及び
珪化タングステンのそれぞれの珪化物粉末から成
る群より選ばれる少なくとも１種の珪化物粉末
0.1〜５重量％；及び残部が窒化ケイ素粉末から
成る混合粉末を成形し、該成形体を非酸化性雰囲
気中で焼結することを特徴とするセラミツクス焼
結体の製造方法。
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|---|---|---|---|---|
| US5178647A (en) * | 1983-07-29 | 1993-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wear-resistant member |
| JPS6051668A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-03-23 | 株式会社東芝 | 耐摩耗性部材 |
| JPS6054976A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-29 | 日本碍子株式会社 | 窒化珪素焼結体 |
| EP0171444B1 (de) * | 1984-08-11 | 1988-06-01 | Hutschenreuther AG | Verfahren zur Herstellung eines vollkristallinen Sinterkörpers aus Siliciumnitrid |
| JPS6153167A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-17 | 株式会社日立製作所 | 高靭性窒化珪素焼結体およびその製造方法 |
| JPS61158868A (ja) * | 1984-12-29 | 1986-07-18 | 株式会社東芝 | セラミツクス焼結体の製造方法 |
| JPS61158870A (ja) * | 1984-12-29 | 1986-07-18 | 株式会社東芝 | セラミツクス焼結体およびその製造方法 |
| US5324694A (en) * | 1985-06-26 | 1994-06-28 | The Babcock & Wilcox Company | Silicon nitride/boron nitride composite with enhanced fracture toughness |
| JPS62153169A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-08 | 株式会社東芝 | 窒化ケイ素セラミツクス焼結体 |
| JPH01131086A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Nippon Steel Corp | 導電性被膜をもつ窒化珪素焼結体及びその製造方法 |
| US5094986A (en) * | 1989-04-11 | 1992-03-10 | Hercules Incorporated | Wear resistant ceramic with a high alpha-content silicon nitride phase |
| US5238882A (en) * | 1989-05-10 | 1993-08-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of manufacturing silicon nitride sintered bodies |
| JP2755702B2 (ja) * | 1989-07-27 | 1998-05-25 | 株式会社東芝 | 耐摩耗性部材 |
| JP2742621B2 (ja) * | 1989-12-22 | 1998-04-22 | 京セラ株式会社 | 高靭性窒化珪素質焼結体 |
| US4983554A (en) * | 1990-01-02 | 1991-01-08 | Gte Products Corporation | Silicon nitride ceramic containing molybdenum disilicide |
| US5145620A (en) * | 1990-02-09 | 1992-09-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of producing a silicon nitride sintered body |
| US5096859A (en) * | 1990-02-09 | 1992-03-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon nitride sintered body and method of producing the same |
| US5110772A (en) * | 1990-08-30 | 1992-05-05 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Fabrication of dense SI3 N4 ceramics using CaO-TiO2 SiO.sub.2 |
| US5063182A (en) * | 1990-08-31 | 1991-11-05 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Zirconia-molybdenum disilicide composites |
| DE4038003C2 (de) * | 1990-11-29 | 1997-01-02 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Sinterwerkstoffen auf Si¶3¶N¶4¶-Basis |
| CA2068979A1 (en) * | 1991-06-24 | 1992-12-25 | Allan B. Rosenthal | Silicon nitride ceramics containing a dispersed pentamolybdenum trisilicide base |
| US5445887A (en) * | 1991-12-27 | 1995-08-29 | Casti; Thomas E. | Diamond coated microcomposite sintered body |
| US5234643A (en) * | 1992-01-27 | 1993-08-10 | Matsumoto Roger L K | Silicon nitride ceramics containing crystallized grain boundary phases |
| US5498855A (en) * | 1992-09-11 | 1996-03-12 | Philip Morris Incorporated | Electrically powered ceramic composite heater |
| DE59402156D1 (de) * | 1993-05-07 | 1997-04-24 | Kennametal Hertel Ag | Keramischer werkstoff und eine aus diesem werkstoff hergestellte panzerplatte |
| JPH07187788A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-25 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
| DE69524352T2 (de) * | 1994-09-16 | 2002-05-23 | Honda Motor Co Ltd | Siliciumnitrid-Sinterkörper zur Verwendung als Gleitlagerbauteil |
| WO1996014202A2 (de) * | 1994-11-07 | 1996-05-17 | Walter Herrmann Ultraschalltechnik Gmbh | Vorrichtung und verfahren zum fortlaufenden ultraschallbearbeiten einer materialbahn |
| DE19500832C2 (de) * | 1995-01-13 | 1998-09-17 | Fraunhofer Ges Forschung | Dichter Siliziumnitrid-Kompositwerkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US5948717A (en) * | 1995-01-13 | 1999-09-07 | Fraunhofer-Gesellschaft | Dense silicon nitride composite material |
| JPH0987036A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-03-31 | Isuzu Ceramics Kenkyusho:Kk | 窒化ケイ素焼結体とその製造方法 |
| US5880439A (en) * | 1996-03-12 | 1999-03-09 | Philip Morris Incorporated | Functionally stepped, resistive ceramic |
| JP3411498B2 (ja) * | 1997-04-23 | 2003-06-03 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックヒータ、その製造方法、及びセラミックグロープラグ |
| DE10007780B4 (de) * | 1999-02-22 | 2009-01-15 | Kyocera Corp. | Gesintertes Produkt auf Basis von Siliciumnitrid und dessen Verwendung |
| DE10044605A1 (de) * | 2000-09-08 | 2002-04-04 | Karlsruhe Forschzent | Formmasse, deren Verwendung und Verfahren zur Herstellung eines oxidkeramischen Sinterkörpers |
| CN1842506B (zh) * | 2004-05-20 | 2010-06-16 | 株式会社东芝 | 具有高导热性的氮化硅烧结体及氮化硅结构部件 |
| EP2100525A1 (en) | 2008-03-14 | 2009-09-16 | Philip Morris Products S.A. | Electrically heated aerosol generating system and method |
| EP2110034A1 (en) | 2008-04-17 | 2009-10-21 | Philip Morris Products S.A. | An electrically heated smoking system |
| EP2113178A1 (en) | 2008-04-30 | 2009-11-04 | Philip Morris Products S.A. | An electrically heated smoking system having a liquid storage portion |
| EP2253233A1 (en) | 2009-05-21 | 2010-11-24 | Philip Morris Products S.A. | An electrically heated smoking system |
| EP2319334A1 (en) | 2009-10-27 | 2011-05-11 | Philip Morris Products S.A. | A smoking system having a liquid storage portion |
| EP2327318A1 (en) | 2009-11-27 | 2011-06-01 | Philip Morris Products S.A. | An electrically heated smoking system with internal or external heater |
| US9854839B2 (en) | 2012-01-31 | 2018-01-02 | Altria Client Services Llc | Electronic vaping device and method |
| ITUB20156091A1 (it) * | 2015-12-02 | 2017-06-02 | Nuovo Pignone Tecnologie Srl | Metodo per produrre un componente di una macchina rotante |
| CN109627009B (zh) * | 2019-02-26 | 2022-01-04 | 武汉理工大学 | 一种SiC陶瓷及其制备方法 |
| CN110698207A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-01-17 | 陕西科技大学 | 一种基于氮化硅的层状陶瓷复合材料及其制备方法 |
| CN111285692A (zh) * | 2020-02-21 | 2020-06-16 | 武汉理工大学 | 一种高导热Si3N4陶瓷及其制备方法 |
| CN112851366B (zh) * | 2021-02-03 | 2022-05-10 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种Si3N4陶瓷材料及其制备方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1450562A (fr) * | 1964-06-01 | 1966-08-26 | Du Pont | Dispersions réfractaires et leur procédé de préparation |
| US3409416A (en) * | 1966-08-29 | 1968-11-05 | Du Pont | Nitride-refractory metal compositions |
| JPS4921091B1 (ja) * | 1970-08-10 | 1974-05-29 | ||
| US4066468A (en) * | 1971-12-21 | 1978-01-03 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Ceramics of silicon nitride |
| US3991148A (en) * | 1972-11-01 | 1976-11-09 | Joseph Lucas (Industries) Limited | Method of forming ceramic products |
| US3830652A (en) * | 1973-06-28 | 1974-08-20 | Us Army | Hot pressed, high strength silicon nitride |
| US4143107A (en) * | 1974-06-28 | 1979-03-06 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Silicon nitride-based sintered material and method for manufacturing the same |
| US3953221A (en) * | 1975-04-22 | 1976-04-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Fully dense ceramic article and process employing magnesium oxide as a sintering aid |
| GB1573299A (en) * | 1976-06-03 | 1980-08-20 | Lucas Industries Ltd | Method of forming a ceramic product |
| US4127416A (en) * | 1976-07-24 | 1978-11-28 | Lucas Industries Limited | Method of producing a ceramic product |
| US4093687A (en) * | 1977-01-03 | 1978-06-06 | General Electric Company | Hot pressing of silicon nitride using magnesium silicide |
| JPS6028781B2 (ja) * | 1977-08-03 | 1985-07-06 | 財団法人特殊無機材料研究所 | 耐熱性セラミツクス焼結成形体の製造方法 |
| GB2010913B (en) * | 1977-12-23 | 1982-06-23 | Fiat Spa | Process for sintering silicon nitride compacts |
| JPS5823345B2 (ja) * | 1979-02-22 | 1983-05-14 | 株式会社東芝 | セラミックス焼結体の製造方法 |
| US4280973A (en) * | 1979-11-14 | 1981-07-28 | Ford Motor Company | Process for producing Si3 N4 base articles by the cold press sinter method |
-
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