JPH01131086A - 導電性被膜をもつ窒化珪素焼結体及びその製造方法 - Google Patents

導電性被膜をもつ窒化珪素焼結体及びその製造方法

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JPH01131086A
JPH01131086A JP62288345A JP28834587A JPH01131086A JP H01131086 A JPH01131086 A JP H01131086A JP 62288345 A JP62288345 A JP 62288345A JP 28834587 A JP28834587 A JP 28834587A JP H01131086 A JPH01131086 A JP H01131086A
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silicon nitride
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nitride
sintering
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Goro Saiki
斎木 五郎
Shigeharu Matsubayashi
重治 松林
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5053Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
    • C04B41/5062Borides, Nitrides or Silicides

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  • Materials Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、導電性被膜を有する窒化珪素を主成分とする
セラミックス焼結体及びその製造方法に関するもので、
焼結体製造後、特に導電性被膜を付与する処理をせずに
、単に原料粉末の混合段階で導電性を付与できる粉末を
添加するだけで、焼結時に焼結体表面に電気接合可能な
だけの導電性被膜を形成することができる焼結体の製造
方法に関するものである。
(従来の技術) セラミックス焼結体の中でも、窒化珪素セラミックスは
、高温高強度部材としてその用途が広い。
しかし、セラミックス単味での設計は難しく、金属材料
との接合や、同種または異種のセラミックスとの接合が
必要となっている。
接合方法には、接着材法、固相接合法、ろう接合法、メ
タライズ法等があるが、−旦できあがったセラミックス
焼結体にさらに多くの処理プロセスを付加する必要があ
り、また材質の点でも問題点が多い。そこで、精度が高
(、操作が簡便な点から電気接合法が有力視されている
。しかしながら、非導電性のセラミックスでは、焼結後
導電膜を形成させるという余分な工程が必要となってい
る。蒸着、塗布、メツキ等により導電性被膜形成がなさ
れているが、いずれも膜と母材の密着性が低く、問題が
多い。
従来の接合方法のほとんどは、雰囲気加熱炉を使用する
。これには、以下の問題点がある。接合に時間がかかり
、炉の大きさに合わせ接合材の寸法が制限され、さらに
接合時の材料保持が難しいため精度良い接合品が得にく
く、後工程で機械加工が必要なことなどがある。また、
ろう接合法やメタライズ法は、接合前工程で接合表面処
理を施す必要があり、複雑なプロセスを経なければ接合
できない問題点もある。これらの問題点を解決できる方
法として、電気接合法が考えられる。
電気接合に用いられる材料には、導電性が必要である。
多くのセラミックス(^l−203,SiC。
5i3N6等)は、絶縁性を有する。これらのセラミッ
クスに導電性を付与するには、一般にセラミックス焼結
体上に、モリブデン粉末とマンガン粉末とを主成分とす
るモリブデン−マンガンメクライズペーストを塗布し、
還元雰囲気中で焼成して、金属化被膜を形成する方法が
行なわれている。しかしながら、このような工程では膜
の密着性やコストの点で問題である。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は、窒化珪素系セラミックスの導電性被膜を有す
るセラミックス焼結体及びその製造方法を提供し、強固
で信頼性の高い電気接合を簡便に行なえるようにするこ
とを目的とする。
(問題点を解決するだめの手段) 本発明の要旨とするところは、下記の通りである。
(1)希土類酸化物の中から選ばれる少なくとも1種以
上を0.1〜10重量%、酸化アルミニウム0.1〜5
重量%、珪化ジルコニウム0.1〜50重量%及び残部
が窒化珪素からなり、焼結体表面にZrNの導電性被膜
を有することを特徴とする窒化珪素焼結体。
(2)希土類酸化物の中から選ばれる少くとも1種以上
を0.1〜10重量%、酸化アルミニウム0.1〜5重
量%、珪化ジルコニウム0.1〜50重量%、さらに窒
化ジルコニウム0.1〜5重量%あるいは窒化アルミニ
ウム0.1〜10重量%のいずれか1種もしくは2種、
および残部が窒化珪素からなり、焼結体表面にZrNの
導電性被膜を有することを特徴とする窒化珪素焼結体。
(3)希土類酸化物の中から選ばれる少なくとも1種以
上を0.1〜10重量%、酸化アルミニウム0.1〜5
重量%、珪化ジルコニウム0.1〜50重量%及び残部
が窒化珪素からなる混合粉末を成形し、該成形体を窒素
ガスを含む非酸化性常圧雰囲気中で1600〜1780
℃で1時間以上保持し、焼結することを特徴とする導電
性被膜をもつ窒化珪素焼結体の製造方法。
(4)希土類酸化物の中から選ばれる少なくとも1種以
上を0.1〜10重量%、酸化アルミニウム0.1〜5
重量%、珪化ジルコニウム0.1〜50重景%重量残部
が窒化珪素からなる混合粉末を成形し、該成形体を窒素
ガス加圧雰囲気下で窒化珪素が分解しない温度以下で3
0分以上保持し、焼結することを特徴とする導電性被膜
をもつ窒化珪素焼結体の製造方法。
(5)希土類酸化物の中から選ばれる少なくとも1種以
上を0.1〜10重量%、酸化アルミニウム0.1〜5
重量%、珪化ジルコニウム0.1〜50重量%、さらに
窒化ジルコニウム0.1〜5重量%あるいは窒化アルミ
ニウム0.1〜10重量%のいずれか1種もしくは2種
、及び残部が窒化珪素から成る混合粉末を成形し、該成
形体を窒素ガスを含む非酸化性常圧雰囲気下で1600
〜1780℃で1時間以上保持し、焼結することを特徴
とする導電性被膜をもつ窒化珪素焼結体の製造方法。
(6)希土類酸化物の中から選ばれる少なくとも1種以
上を0.1〜10重量%、酸化アルミニウム0.1〜5
重景重量珪化ジルコニウム0.1〜50重量%、さらに
窒化ジルコニウム0.1〜5重量%あるいは窒化アルミ
ニウム0.1〜10重量%のいずれか1種もしくは2種
、及び残部が窒化珪素から成る混合粉末を成形し、該成
形体を窒素ガス加圧雰囲気下で、窒化珪素が分解しない
温度以下で30分以上保持し、焼結することを特徴とす
る導電性被膜をもつ窒化珪素焼結体の製造方法。
以下に本発明について詳述する。
本発明は、導電性被膜を有する窒化珪素焼結体及びその
製造方法を提供するものである。
本発明者らは、窒化珪素の焼結時に珪化ジルコニウムを
添加して、窒素雰囲気炉中で焼結すると、Zr5iz 
+11/6 N2 →2/3 Si3N4+ZrNなる
反応を生じ、焼結体の表面にZrNが濃化して、導電性
の被膜を形成するのを見出した。この被膜は、添加する
Zr5iz量および焼結処理時間によって増減する。例
えばZrSi2添加が2重量%、焼結時間が1時間のも
のについて、X線回折法によって分析した結果、表面の
約10μmにわたってZrNの濃化層が認められ、表面
から、内部に向って、濃度が漸減しているのが認められ
た。また表面の導電性を測定した結果、比抵抗は10−
1Ω・cm以下の値と示した。
ZrSi、は、0.1重量%以上であれば導電性の被膜
を形成する。しかし、50重量%を超えると焼結体の耐
酸化性を劣化させるので好ましくない。
希土類酸化物および酸化アルミニウムは、いずれも窒化
珪素の焼結時にα相からβ相への結晶相転移をその融液
中で促進させる機能をもつ。希土類酸化物としては、Y
zO3+ Lag’3. CeO2をはじめとする化合
物を用い、配合量としては0.1〜10重量%と限定す
る。重量で0.1%以上の添加で効果を示すが10%を
超えると過剰な液相が粒界での強度劣化を起こすので好
ましくない。
酸化アルミニウムは0.1重量%以上で効果があり、5
重量%を超えると希土類酸化物と同様強度劣化を起こす
ので好ましくない。窒化アルミニウムは、窒化珪素の焼
結時にα相からβ相への結晶相転移をその融液中で促進
させる機能を持つとともに、焼結体の高温強度付与の効
果も有する。
0.1%以上の添加で効果を示すが、10重量%を超え
ると強度劣化を起こすので好ましくない。さらに、窒化
ジルコニウムは、強度を向上させる効果が高い添加量と
して0.1〜5重量%を選定した。
窒化ジルコニウムは5重量%を超えると耐酸化性が劣化
し、好ましくない。
粉体の成形方法としては、1軸成形の後、静水圧成形を
行なう常用の方法による。窒素雰囲気を用いるのは、表
面のZrを窒化することと窒化珪素の分解をおさえるた
めである。焼結は、窒素ガスを含む非酸化性常圧雰囲気
中で1600〜1780℃の温度に1時間以上保持する
か、或いは窒素ガス加圧雰囲気下で窒化珪素が分解しな
い温度以下で30分以上行なうかである。1600℃未
満では酸化物の融液の形成が不充分で焼結が行なわれな
い。また、1780℃超では窒化珪素が常圧では分解し
、窒素を含む雰囲気中で加圧焼成を行なう必要があるた
めである。焼結時間は、常圧下で前述したようにZrN
導電性被膜の形成には1600〜1780℃で1時間以
上が必要であり、また窒素ガス加圧雰囲気下では30分
以上必要である。
以上のように、本発明により得られた焼結体は、相対密
度が98%以上、抗折強度が85kgf/−以上、導電
性被膜の膜厚10μm以上、比抵抗10月Ω・cm以下
なる特徴をもつ。これら特性は、窒素を含む非酸化性雰
囲気中の常圧もしくは雰囲気加圧下で容易に得られ、大
量に窒化珪素系セラミックスの製造を可能とする。
以下、本発明の詳細な説明する。
(実施例) 第1表に示した配合比で、各成分を所定の配合比(重量
%)で配合しアセトンを適量添加後、窒化珪素質ボール
ミルで24時間それぞれ混合した。
これを蒸発乾燥させ、混合粉末を得て50mm X 5
0肝X 10mn1平板に成形した。酸化インドリウム
は日本イツトリウム社製の0.3μm平均粒径、酸化ア
ルミニウムは住友化学製0.28m平均粒径、珪化ジル
コニウムは共立窯業製1.0μm平均粒径、及び窒化ジ
ルコニウムは3μm平均粒径である。焼成方法としては
、1600℃まで毎分10度で昇温し、ここで2時間保
持した後、毎分50度にて1750℃に昇温、ここで5
時間保持した。これを毎分10度で降温し、得られた各
焼結体についてその密度、抗折強度、導電膜の膜厚、導
電膜の表面での端子間距離10mmの直流四端子法によ
る比抵抗値を測定した。
その結果を第1表に示す。
第1表より明らかなように、本発明によって得られた焼
結体は、相対密度が98%以上と高く、その抗折強度が
85kgf/−以上と大きく、ZrNを主体とする導電
膜を形成した。
また、第1表の試料No、 2の成分系についてN2の
40気圧、2000℃で1時間焼成した結果を次に示す
。即ち、密度3.29g/cffl (98,7%)、
抗折強度105 kgf/mn、膜厚20μm、比抵抗
8.5×10−2Ω・cmなる値を得た。
(発明の効果) 以上の実施例からも明らかなように、本発明によれば、
相対密度が98%以上、抗折強度が85kgf/−以上
、導電性被膜の膜厚10μm以上、比抵抗10−’Ω・
cn+以下なる特徴を持ちかつ強固で信頼性の高い電気
接合を簡便に行なえる窒化珪素系セラミックスを、窒素
を含む非酸化性雰囲気中の常圧もしくは窒素雰囲気加圧
下で容易に得られるので産業界に稗益するところが極め
て大であり、特に非酸化物系セラミックスについて従来
より密着性が高いことより電気接合技術にその応用が期
待される。
特許出願人 新日本製鐵株式會社 手続補正書(自発) 昭和63年2月8日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 1、事件の表示 昭和62年特許願第288345号 2、発明の名称 導電性被膜をもつ窒化珪素焼結体及びその製造方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都千代田区大手町二丁目6番3号 (665)新日本製鐵株式會社 代表者 齋  藤    裕 4、代理人〒100 東京都千代田区丸の内二丁目4番1号 6、補正の対象 (1)明細書4頁1〜2行[単に原料粉末の混合段階で
導電性を付与できる粉末を添加するだけで、」を「単に
、原料粉末の混合段階で、導電性を付与できる粉末を添
加するだけで、」に補正する。
(2)同5頁1行「いずれも膜と母材の密着性が」を1
いずれも膜と母材との密着性が」に補正する。
(3)同5頁15〜16行「絶縁性を有する。これらの
セラミックスに導電性を付与するには、」を「電気接合
に充分なだけの導電性を有しない。これらのセラミック
スに条件を満たす導電性を付与するには、」に補正する
(4)同6頁1〜2行「膜の密着性やコストの点で問題
である。」を1膜の密璃性やコストの点か問題である。
」に補正する。
(5)同9頁4〜5行「窒化珪素の焼結時に珪化ジルコ
ニウム」を「窒化珪素と助剤との混練時に珪化ジルコニ
ウム」に補正する。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)希土類酸化物の中から選ばれる少なくとも1種以
    上を0.1〜10重量%、酸化アルミニウム0.1〜5
    重量%、珪化ジルコニウム0.1〜50重量%及び残部
    が窒化珪素からなり、焼結体表面にZrNの導電性被膜
    を有することを特徴とする窒化珪素焼結体。
  2. (2)希土類酸化物の中から選ばれる少くとも1種以上
    を0.1〜10重量%、酸化アルミニウム0.1〜5重
    量%、珪化ジルコニウム0.1〜50重量%、さらに窒
    化ジルコニウム0.1〜5重量%あるいは窒化アルミニ
    ウム0.1〜10重量%のいずれか1種もしくは2種、
    および残部が窒化珪素からなり、焼結体表面にZrNの
    導電性被膜を有することを特徴とする窒化珪素焼結体。
  3. (3)希土類酸化物の中から選ばれる少なくとも1種以
    上を0.1〜10重量%、酸化アルミニウム0.1〜5
    重量%、珪化ジルコニウム0.1〜50重量%及び残部
    が窒化珪素からなる混合粉末を成形し、該成形体を窒素
    ガスを含む非酸化性常圧雰囲気中で1600〜1780
    ℃で1時間以上保持し、焼結することを特徴とする導電
    性被膜をもつ窒化珪素焼結体の製造方法。
  4. (4)希土類酸化物の中から選ばれる少なくとも1種以
    上を0.1〜10重量%、酸化アルミニウム0.1〜5
    重量%、珪化ジルコニウム0.1〜50重量%及び残部
    が窒化珪素からなる混合粉末を成形し、該成形体を窒素
    ガス加圧雰囲気下で窒化珪素が分解しない温度以下で3
    0分以上保持し、焼結することを特徴とする導電性被膜
    をもつ窒化珪素焼結体の製造方法。
  5. (5)希土類酸化物の中から選ばれる少なくとも1種以
    上を0.1〜10重量%、酸化アルミニウム0.1〜5
    重量%、珪化ジルコニウム0.1〜50重量%、さらに
    窒化ジルコニウム0.1〜5重量%あるいは窒化アルミ
    ニウム0.1〜10重量%のいずれか1種もしくは2種
    、及び残部が窒化珪素から成る混合粉末を成形し、該成
    形体を窒素ガスを含む非酸化性常圧雰囲気下で1600
    〜1780℃で1時間以上保持し、焼結することを特徴
    とする導電性被膜をもつ窒化珪素焼結体の製造方法。
  6. (6)希土類酸化物の中から選ばれる少なくとも1種以
    上を0.1〜10重量%、酸化アルミニウム0.1〜5
    重量%、珪化ジルコニウム0.1〜50重量%、さらに
    窒化ジルコニウム0.1〜5重量%あるいは窒化アルミ
    ニウム0.1〜10重量%のいずれか1種もしくは2種
    、及び残部が窒化珪素から成る混合粉末を成形し、該成
    形体を窒素ガス加圧雰囲気下で、窒化珪素が分解しない
    温度以下で30分以上保持し、焼結することを特徴とす
    る導電性被膜をもつ窒化珪素焼結体の製造方法。
JP62288345A 1987-11-17 1987-11-17 導電性被膜をもつ窒化珪素焼結体及びその製造方法 Granted JPH01131086A (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5841770A (ja) * 1981-09-01 1983-03-11 株式会社東芝 セラミツクス焼結体及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5841770A (ja) * 1981-09-01 1983-03-11 株式会社東芝 セラミツクス焼結体及びその製造方法

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