JPH0243749A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、フィルムキャリアを用いた半導体装置及びそ
の製造方法に関するものである。

［従来の技術］ 半導体装置は、一般にリードフレームに設けたダイパッ
ドに半導体チップを取付け、半導体チップの外部電極と
リードフレームの端子とをそれぞれワイヤで接続し、こ
れをエポキシ樹脂の如き熱硬化性樹脂でパッケージした
のち各端子を切断し、製造している。

ところで、最近では電子機器の小形化に伴ない、これに
使用する半導体装置も高密度実装するため、厚くかつ比
較的大形な従来の半導体装置に代えて、薄くかつ小形の
半導体装置の出現が望まれている。

このような要請に応えるべく、フィルムキャリアのデバ
イスホールに半導体チップを配設し、半導体チップの外
部電極をフィルムキャリアのフィンガーに直接々続し、
これに液状の樹脂（例えば工ボキシ樹脂）からなる封止
材料を印刷あるいはボッティングしてパッケージしたＴ
ＡＢ　　（テープ・オートメデッド・ボンディング）方
式の半導体装置が使用されるようになった。

しかしながら、このようなＴＡＢ方式の半導体装置は、
耐湿性や耐熱衝撃性の面で前記通常の半導体装置に比べ
て劣るため、必ずしも満足できるものではなかった。

そこで、前記通常の半導体装置と同様に成型機により薄
いパッケージを形成する方法が試みられている。しかし
、この方法では熱硬化性樹脂を使用するため、成型後約
２０時間程度の硬化工程が必要であり、このため生産性
が低いこと、成型後パリ処理が必要であること、成型の
際パッケージの外に流れ出した樹脂（通常２０〜３０％
ある）の再生ができないため、材料費が高くなりコスト
アップこなることなどの問題がある。

このようなことから、上記のような聞届が発生しない熱
可塑性樹脂によるパッケージ方式（以下射出成型方式と
いう）が実施化されている。

第４図（ａ）は従来の射出成型方式によるパッケージを
説明するための平面図、（ｂ）はその断面図である。図
において、１は長さ方向に等間隔に、後述の半導体チッ
プ６の表面積より若干大きい面積のデバイスホール２が
設けられたポリイミドフィルムからなるフィルムキャリ
ア（以下フィルムという）である。３はデバイスホール
２の周囲に設けられたスリット、４はフィルム１に設け
られた銅の如き導電率の高い金属からなる多数のフィン
ガーで、スリット３を通り先端部はデバイスホール２内
に突出して自由端となっている。５はフィルム１を搬送
するためのスプロケット穴である。

上記のようなフィルム１を使用して射出成型方式により
パッケージして半導体装置を製造するには、デバイスホ
ール２内に半導体チップ６を配設してその外部電極をそ
れぞれフィンガー４に接続する。ついで、第５図に示す
ようにこれを射出成型機７の上型８と下型９との間に挿
入し、注入穴１０．１０から半導体チップ６及びその周
辺に熱可塑性樹脂を高圧で圧入し、パッケージ１１を成
型する。

次に、上型８を開いてこれらを射出成型機７から取出し
、第４図の１点鎖線１２の位置でフィンガー４を切断す
れば半導体装置は完成する。

［発明が解決しようとする課題］ 上記のような従来の製造方法においては、射出成型機７
のパッケージ型内にフィルム１を位置させ、フィルム１
と共に半導体チップ６をパッケージ１１するため、樹脂
が型内に圧入される際フィルム１が圧力で一方の型側に
押圧され、フィルム１がパッケージ１１からはみ出した
りフィンガー４が変形することがあり、場合によっては
フィンガー４か断線することもあるため、成型不良品が
多発するという問題があった。

本発明は、上記のような課題を解決するためになされた
もので、半導体チップとフィンガーの一部のみをパッケ
ージすることにより、フィンガーの変形や切断あるいは
フィルムがパッケージからはみ出したりすることのない
半導体装置及びその製造方法を１することを目的とした
ものである。

［課題を解決するための手段］ 本発明に係る半導体装置は、フィルムキャリアのデバイ
スホールの面積を、これに配設される半導体チップの表
面積の１．２〜１．５倍に形成したものである。

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記デバ
イスホール内に半導体チップを配設してフィンガーと接
続したのち、半導体チップとフィンガーの一部のみを射
出成型機により熱可塑性樹脂でパッケージするようにし
たものである。

［作　用］ デバイスホールは半導体チップに比べてト目当大きく形
成されており、半導体チップの周縁とデバイスホールの
内縁との間には大きな隙間が形成されるので、半導体チ
ップとフィンガーの一部のみをパッケージすることがで
きる。したがって、射出成型機のパッケージで型内には
フィルムが存在しないので、樹脂の注入圧によってフィ
ルムが押圧され、フィンガーが変形や断線を生じたり、
フィルムがパッケージからはみ出したりすることがない
。

［発明の実施例］ 第１図（ａ）は本発明実施例の説明図、（ｂ）はその断
面図である。なお、第４図の従来例と同−又はｔ目当部
分には同じ符号を付し、説明を省略する。

２ａはパッケージ１１の表面積より相当大きい面積のデ
バイスホールで、その両側にフィルム１の長さ方向と平
行にスリット３ａを設けたものである。

デバイスホール２ａの大きさは、半導体チップ６の表面
積の１．１〜１．５倍にした。デバイスホール２ａの大
きさが半導体チップ６の表面積の１．１倍より小さいと
、成形型とのクリアランスが小さくなりすぎて成型時に
おける樹脂の流動が不安定になり、成型不良が多発する
ので好ましくない。

また、１．５倍より大きくなると、半導体チップ６の周
縁とデバイスホール２ａの内縁とのすき間が大きくなり
すぎて、その部分のフィンガー４が変形し易くなり、断
線を生じたりする。

また、本発明においては、射出成型機でパッケージ１．
１を成型する際、第１図の破線１１ａの範囲、即ち、半
導体チップ６及びフィンガー４の一部のみをパッケージ
するように、上型８及び下型９のパッケージ型を形成し
である。したがって、フィルム１を射出成型機７の上型
８と下型９との間に挿入したときは、半導体チップ６と
フィンガー４の一部のみがパッケージ型内に位置し、フ
ィルム１を含むその他の部分はパッケージ型の外にある
。

本発明においても、半導体チップ６とフィンガー４との
接続、射出成型機７によるパッケージ１．１の成型等は
従来と同様である。しかしながら、射出成型機７のパッ
ケージ型内にはフィルム１は介在しないので、樹脂の注
入圧力によってフィルム１が変形したり、パッケージ１
１からはみ出したりすることがなく、したがってフィン
ガー４が断線することもない。このため、成型不良品が
激減した。

第４図に示した従来のフィルムと、本発明に係るフィル
ムとによって射出成型機でパッケージを成型し、樹脂の
注入圧力を変化して不良品の発生（フィンガーの切断）
状況を調査した結果は、第１表の通りであった（なお、
第１表中分母は検査数、分子は不良品数である）。

第１表 本発明においては、デバイスホール２ａを大きく形成し
たので、フィンガー４の自由端が長くなり弱くなること
が考えられる。そこで、フィンガー４の強度を高めるた
めにフィンガー４を従来より厚くしてもよく、あるいは
第３図に示すように、フィンガー４の幅を広くしてもよ
い。

［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明はデバイスホー
ルを大きく形成して半導体チップ及びフィンガーの一部
のみを射出成型機により熱可塑性樹脂でパッケージする
ようにしたので、成型に際してフィンガーが変形したり
断線したりするおそれがなく、またフィルムがパッケー
ジから露出することもない。このため高品質の半導体装
置を高歩留りで生産することができ、生産性を大幅に向
上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明実施例の平面図、（ｂ）はその断
面図第２図は本発明に係るパッケージの成型例を示す模
式図、第３図は本発明に係るフィンガーの実施例の模式
図、第４図（ａ）は従来のフィルムキャリアの一例の平
面図、（ｂ）はその断面図、第５図は従来のパッケージ
の成型例を示す模式図である。 １：フィルムキャリア、２ａ：デバイスホール、４：フ
ィンガー　６二半導体チップ、７二射出成型機、ｌＯ：
注入穴、１１：パッケージ。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）フィルムキャリアに設けたデバイスホールに半導
   体チップを配設し、該半導体チップとフィンガーとをそ
   れぞれ接続して前記半導体チップとフィンガーとを樹脂
   でパッケージしてなる半導体装置において、 前記デバイスホールの面積をこれに配設される半導体チ
   ップの表面積の１．２〜１．５倍に形成したことを特徴
   とする半導体装置。
2. （２）フィルムキャリアに設けたデバイスホールに半導
   体チップを配設し、該半導体チップとフィンガーとをそ
   れぞれ接続したのち前記半導体チップとフィンガーとを
   樹脂でパッケージする半導体装置の製造方法において、 前記デバイスホール内において前記半導体チップとフィ
   ンガーの一部のみを射出成型機により熱可塑性樹脂でパ
   ッケージすることを特徴とする半導体装置の製造方法。