JPH0239814B2 - - Google Patents

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JPH0239814B2
JPH0239814B2 JP58204014A JP20401483A JPH0239814B2 JP H0239814 B2 JPH0239814 B2 JP H0239814B2 JP 58204014 A JP58204014 A JP 58204014A JP 20401483 A JP20401483 A JP 20401483A JP H0239814 B2 JPH0239814 B2 JP H0239814B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory card
capacity
memory
address
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP58204014A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6097450A (ja
Inventor
Tadashi Kaneko
Tooru Ootsu
Toshihiro Sakai
Kyoshi Sudo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to JP58204014A priority Critical patent/JPS6097450A/ja
Publication of JPS6097450A publication Critical patent/JPS6097450A/ja
Publication of JPH0239814B2 publication Critical patent/JPH0239814B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/44Indication or identification of errors, e.g. for repair
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C2029/4402Internal storage of test result, quality data, chip identification, repair information
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/04Supports for storage elements, e.g. memory modules; Mounting or fixing of storage elements on such supports

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Debugging And Monitoring (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (a) 発明の技術分野 本発明は中央処理装置に接続され、所定のデー
タが入出力される複数のメモリカードより不良カ
ードをエラーデータのアドレスより検出する不良
カード検出方法に関する。
(b) 従来技術と問題点 一般的に中央処理装置に接続された複数のメモ
リカードによつて形成されたメモリシステム第1
図に示すように構成されている第1図は従来のメ
モリシステムの回路構成図である。
中央処理装置1には複数のメモリカード2−
1,2−2〜がデータバス11、アドレスバス1
2、および信号線13によつて接続されている。
それぞれのメモリカード2−1,2−2〜にはメ
モリ素子21とメモリ素子21のリードライトを
制御するリードライト制御回路22とアドレス情
報を確認するコンベア回路23とカード容量設定
部25と上位のメモリカードと自身のメモリカー
ドの容量を加算して下位のメモリカードに割付け
アドレスを出力するアダー回路24とアドレスバ
ス12からのアドレス情報を受けるレシーバ回路
26とデータバス11にデータを送受するレシー
バ回路27とドライバ回路28とが設けられてい
る。
そこで、リードライトタイミング制御回路22
はレシーバ回路26を介して入力された所定のア
ドレス情報に従つて割付けアドレスに該当するコ
ンベア回路23からの信号と信号線13のリード
ライト信号とによつてメモリ素子21をアクセス
し、メモリ素子21にレシーバ回路27を介して
データバス11からのデータが入力されるか、ま
たはメモリ素子21からドライバ回路28を介し
てデータバス11にデータが出力されるよう行な
われる。
このようなメモリシステムでは、一般的に、メ
モリ素子21の異状によりエラーデータの障害が
発生した場合はその不良メモリ素子を有する不良
メモリカードを取り外し、新たなメモリカードと
交換することが行なわれる。
しかし、このような構成ではエラーデータから
該当する不良メモリカードを中央処理装置1によ
り割り出すことができない欠点を有していた。そ
こで不良メモリカードの割出しは、オペレータが
それぞれのメモリカード2−1,2−2〜の割付
けアドレスを調査し、エラーデータのアドレスと
照合して行なわれる。したがつて、不良メモリカ
ードの割り出しには多くの工数を費する問題を有
していた。
(c) 発明の目的 本発明の目的はメモリカードの容量および実装
位置を読み出し、それぞれのメモリカードに対し
て割付けアドレスを記憶させることでエラーデー
タのアドレスにより不良となつた該当メモリカー
ドを割り出すことにより前述の問題点を除去した
ものを提供するものである。
(d) 発明の構成 本発明の目的は、かゝる不良メモリカードの検
出方法において、メモリカードには自身のメモリ
素子の容量を設定する容量設定部と、該容量設定
部および該メモリ素子のいづれかを読み出す切替
回路とを設け、中央処理装置が該切替回路を介し
て該容量設定部の容量を読み取り、該容量により
割付けアドレスのテーブルを作成し、エラーデー
タが生じた時は、該エラーデータのアドレスを該
テーブルに照会することで不良メモリカードの検
出を行うように構成することによつて達成され
る。
(e) 発明の実施例 以下本発明を第2図を参考に詳細に説明する。
第2図は本発明による不良メモリカード検出方法
の一実施例を示す回路構成図である。
メモリカード3にはカード容量およびメモリ素
子の実装位置を設定する容量設定部32と、カー
ドアドレスを照合するコンペア回路29と、レジ
スタ部31に格納された割付けアドレスによつて
照合するコンペア回路23と、コンペア回路23
の出力によつて駆動されるリードライトタイミン
グ制御回路22の信号とコンペア回路29の信号
とを受けるマルチプレクサ34と、マルチプレク
サ34の出力と信号線35の信号とによつてデー
タバス11にデータを出力する切替回路33とを
設けて形成され、その他は前述と同じ構成であ
る。
そこで、信号線14の容量リード信号によつて
所定のカードアドレスの容量設定部32の容量お
よび実装位置が切替回路33を介して順次読み出
され、更に、中央処理装置1により割付けアドレ
スが算出され、レジスタライト信号によつてそれ
ぞれレジスタ回路31に割付けアドレスが格納さ
れる。メモリ素子21のデータの入出力はアドレ
スバス12よりレシーバ回路26を介して受けた
アドレスがコンベア回路23でレジスタ回路31
の割付けアドレスに照合され、更に、信号線13
のリードライト信号によりリードライトタイミン
グ制御回路22の制御によりレシーバ回路27ま
たは切替回路33を介してデータバス11に行な
われる。
このように構成すると、エラーデータが発生し
た場合、そのエラーデータのアドレスを前述の中
央処理装置の割付けアドレスを決定するテーブル
に照会することで異状のメモリ素子21を有する
メモリカード3の検出を行うことができる。
(f) 発明の効果 以上説明したように本発明はそれぞれのメモリ
カード3に設けた容量設定部32の容量を読み出
し、割付けアドレスを算出し、それぞれのレジス
タ回路31に割付けアドレスを格納すると共に、
エラーデータが発生した場合はエラーデータのア
ドレスを割付けアドレスの算出テーブルに照会し
てエラーデータの発生したメモリカード3を検出
するようにしたものである。
これにより、不良メモリカードは従来のように
人手による検出は不要となり、敏速に行なえ、し
たがつて、検出作業の工数の削減が図れ、実用効
果は大である。また本発明を利用すれば、カード
内のメモリ素子のアドレスとビツト位置およびメ
モリ素子の実装位置がわかつていれば、メモリ素
子単位でエラー素子を検出することも可能であ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のメモリカードの回路構成図、第
2図は本発明による不良メモリカード検出方法の
一実施例を示す回路構成図を示す。 図中において、1は中央処理装置、2,3はメ
モリカード、11はデータバス、12はアドレス
バス、13,14は信号線、21はメモリ素子、
22はリードライトタイミング制御回路、23,
29はコンペア回路、24はアダー回路、25,
32はカード容量設定部、26,27はレシーバ
回路、28はドライバ回路、30はカードアドレ
ス設定部、31はレジスタ回路、33は切替回
路、34はマルチプレクサを示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 中央処理装置と、該中央処理装置に接続さ
    れ、所定のデータが入出力されるメモリ素子を有
    する複数のメモリカードとを備え、該メモリ素子
    に異状が生じた際、異状の該メモリ素子が位置さ
    れた該メモリカードを検出する不良メモリカード
    検出方法であつて、 前記メモリカードには自身の前記メモリ素子の
    容量を設定する容量設定部と、該容量設定部およ
    び該メモリ素子のいづれかを読み出す切替回路と
    を設け、前記中央処理装置が該切替回路を介して
    該容量設定部の容量を読み取り、該容量により割
    付けアドレスのテーブルを作成し、エラーデータ
    が生じた時は、該エラーデータのアドレスを該テ
    ーブルに照会することで不良メモリカードの検出
    を行うことを特徴とする不良メモリカード検出方
    法。
JP58204014A 1983-10-31 1983-10-31 不良メモリカ−ド検出方法 Granted JPS6097450A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58204014A JPS6097450A (ja) 1983-10-31 1983-10-31 不良メモリカ−ド検出方法

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JP58204014A JPS6097450A (ja) 1983-10-31 1983-10-31 不良メモリカ−ド検出方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6097450A JPS6097450A (ja) 1985-05-31
JPH0239814B2 true JPH0239814B2 (ja) 1990-09-07

Family

ID=16483337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58204014A Granted JPS6097450A (ja) 1983-10-31 1983-10-31 不良メモリカ−ド検出方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05337719A (ja) * 1992-05-30 1993-12-21 Hitachi Tool Eng Ltd エンドミル

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JPS5529520A (en) * 1978-08-22 1980-03-01 Yokohama Rubber Co Ltd:The Rubber composition

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JPS6097450A (ja) 1985-05-31

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