JPH0236542A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に、インナーリードに
絶縁性樹脂フィルム層を接着する半導体装置に適用して
有効な技術に関するものである。
絶縁性樹脂フィルム層を接着する半導体装置に適用して
有効な技術に関するものである。
本発明者は半導体ペレットを樹脂で封止する樹脂封止型
（レジン封止型）半導体装置の開発を行っている。前記
半導体ペレットは １［Ｍｂｉｔｌ又は４［Ｍｂｉｔｌ
の大容量のＤＲＡＭ（旦ｙｎａｍｉｅ ＲａｎｄｏｍＡ
ｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）である。樹脂封止型半導体
装置はＤＩＰ（旦ｕａｌ上ｎ−１ｉｎｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）、 Ｚ Ｉ Ｐ （Ｚｉｇｚａｇ Ｉ ｎ−１ｉｎ
ｅ Ｐ ａｃｋａｇｅ）等のピン挿入型で構成されてい
る。また、樹脂封止型半導体装置は５ＯＪ（旦ｍａｉｌ
０ｕｔ−１ｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ ｗｉｔｈ Ｊｂ
ｅｎｄ）等の面実装型で構成されている。
（レジン封止型）半導体装置の開発を行っている。前記
半導体ペレットは １［Ｍｂｉｔｌ又は４［Ｍｂｉｔｌ
の大容量のＤＲＡＭ（旦ｙｎａｍｉｅ ＲａｎｄｏｍＡ
ｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）である。樹脂封止型半導体
装置はＤＩＰ（旦ｕａｌ上ｎ−１ｉｎｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）、 Ｚ Ｉ Ｐ （Ｚｉｇｚａｇ Ｉ ｎ−１ｉｎ
ｅ Ｐ ａｃｋａｇｅ）等のピン挿入型で構成されてい
る。また、樹脂封止型半導体装置は５ＯＪ（旦ｍａｉｌ
０ｕｔ−１ｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ ｗｉｔｈ Ｊｂ
ｅｎｄ）等の面実装型で構成されている。
この種の樹脂封止型半導体装置はタブの表面上に搭載さ
れた半導体ペレットの外部端子（ポンディングパッド）
とインナーリードとをボンディングワイヤで接続してい
る。これらの半導体ペレット、インナーリード等は樹脂
封止材（例えばフェノール硬化型エポキシ系樹脂）で封
止されている。
れた半導体ペレットの外部端子（ポンディングパッド）
とインナーリードとをボンディングワイヤで接続してい
る。これらの半導体ペレット、インナーリード等は樹脂
封止材（例えばフェノール硬化型エポキシ系樹脂）で封
止されている。
本発明者が開発中の樹脂封止型半導体装置は統一規格で
例えばリード列ピッチが３００〜４００［ｍｉｌ］のサ
イズで形成されている。これに対して、ＤＲＡＭの大容
量化にともなう半導体ペレットのサイズの大型化によっ
て、半導体ペレットは樹脂封止材の大半の面積を占有し
てしまう、この半導体ペレットの大型化は樹脂封止材で
のリードの保持やインナーリードの引き回しができなく
なる。
例えばリード列ピッチが３００〜４００［ｍｉｌ］のサ
イズで形成されている。これに対して、ＤＲＡＭの大容
量化にともなう半導体ペレットのサイズの大型化によっ
て、半導体ペレットは樹脂封止材の大半の面積を占有し
てしまう、この半導体ペレットの大型化は樹脂封止材で
のリードの保持やインナーリードの引き回しができなく
なる。
このような問題点を解決する技術として、例えば特開昭
６１−２１８１３９号公報に記載される所謂タブレス構
造を採用することが有利である。
６１−２１８１３９号公報に記載される所謂タブレス構
造を採用することが有利である。
タブレス構造の樹脂封止型半導体装置は、半導体ペレッ
トの搭載位置にインナーリードを引き回し、このインナ
ーリードで半導体ペレットを支持している。つまり、タ
ブレス構造の樹脂封止型半導体装置はタブを廃止してい
る。半導体ペレットとインナーリードとの間には絶縁性
樹脂フィルム層を介在させ、両者は電気的に分離されて
いる。
トの搭載位置にインナーリードを引き回し、このインナ
ーリードで半導体ペレットを支持している。つまり、タ
ブレス構造の樹脂封止型半導体装置はタブを廃止してい
る。半導体ペレットとインナーリードとの間には絶縁性
樹脂フィルム層を介在させ、両者は電気的に分離されて
いる。
前記絶縁性樹脂フィルム層はポリイミド樹脂が多く使用
されている。絶縁性樹脂フィルム層は。
されている。絶縁性樹脂フィルム層は。
直接、インナーリードの表面や半導体ペレットに接着で
きないので、接着層を介在させてそれらに接着している
。接着層はエポキシ樹脂やアクリル樹脂等の熱硬化性樹
脂を使用し、絶縁性樹脂フィルム層は熱圧着によって接
着され、さらに必要に応じて後ベークされる。
きないので、接着層を介在させてそれらに接着している
。接着層はエポキシ樹脂やアクリル樹脂等の熱硬化性樹
脂を使用し、絶縁性樹脂フィルム層は熱圧着によって接
着され、さらに必要に応じて後ベークされる。
本発明者は、前述のタブレス構造の樹脂封止型半導体装
置の開発中にともなう耐湿特性試験の結果、インナーリ
ード間に電流のリークが多発する事実を確認した。本発
明者は、絶縁性樹脂フィルム層の表面の接着層（熱硬化
性樹脂）と前記樹脂封止材（フェノール硬化型エポキシ
系樹脂）との接着性が悪く、両者の接着界面に剥離が生
じるため、剥離された接着界面に水が結露し、結露した
水で電流のリークが発生することが原因であると考えて
いる。また、本発明者は、絶縁性樹脂フィルム層と接着
層との接着性が悪いのでその接着界面に結露した水を介
して、さらに接着層の内部に拡散する水を介して、前述
の電流のリークが発生すると考えている。
置の開発中にともなう耐湿特性試験の結果、インナーリ
ード間に電流のリークが多発する事実を確認した。本発
明者は、絶縁性樹脂フィルム層の表面の接着層（熱硬化
性樹脂）と前記樹脂封止材（フェノール硬化型エポキシ
系樹脂）との接着性が悪く、両者の接着界面に剥離が生
じるため、剥離された接着界面に水が結露し、結露した
水で電流のリークが発生することが原因であると考えて
いる。また、本発明者は、絶縁性樹脂フィルム層と接着
層との接着性が悪いのでその接着界面に結露した水を介
して、さらに接着層の内部に拡散する水を介して、前述
の電流のリークが発生すると考えている。
本発明の目的は、タブレス構造の樹脂封止型半導体装置
において、インナーリード間の電流のリークを低減し、
電気的信頼性を向上することが可能な技術を提供するこ
とにある。
において、インナーリード間の電流のリークを低減し、
電気的信頼性を向上することが可能な技術を提供するこ
とにある。
本発明の他の目的は、前記タブレス構造の樹脂封止型半
導体装置において、絶縁性樹脂フィルム層と接着層との
接着強度を向上し、前記目的を達成することが可能な技
術を提供することにある。
導体装置において、絶縁性樹脂フィルム層と接着層との
接着強度を向上し、前記目的を達成することが可能な技
術を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記タブレス構造の樹脂封止型半
導体装置の製造工程の作業性を向上することが可能な技
術を提供することにある。
導体装置の製造工程の作業性を向上することが可能な技
術を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記タブレス構造の樹脂封止型半
導体装置において、絶縁性樹脂フィルム層を熱圧着する
工程の際に空気の巻込みによる接着層の接着性の低下を
防止し、製造上の歩留りを向上することが可能な技術を
提供することにある。
導体装置において、絶縁性樹脂フィルム層を熱圧着する
工程の際に空気の巻込みによる接着層の接着性の低下を
防止し、製造上の歩留りを向上することが可能な技術を
提供することにある。
本発明の他の目的は、前記タブレス構造の樹脂封止型半
導体装置において、絶縁性樹脂フィルム層を熱圧着する
工程の際に接着層に残存した溶媒の発泡による接着層の
接着性の低下を防止し、製造上の歩留りを向上すること
が可能な技術を提供することにある。
導体装置において、絶縁性樹脂フィルム層を熱圧着する
工程の際に接着層に残存した溶媒の発泡による接着層の
接着性の低下を防止し、製造上の歩留りを向上すること
が可能な技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記タブレス構造の樹脂封止型半
導体装置において、前記製造上の歩留りを向上すると共
に、接着層の接着強度をさらに向上することが可能な技
術を提供することにある。
導体装置において、前記製造上の歩留りを向上すると共
に、接着層の接着強度をさらに向上することが可能な技
術を提供することにある。
本発明の他の目的は、インナーリードに絶縁性樹脂フィ
ルム層を接着する、タブレス構造以外の樹脂封止型半導
体装置において、前記目的を達成することが可能な技術
を提供することにある。
ルム層を接着する、タブレス構造以外の樹脂封止型半導
体装置において、前記目的を達成することが可能な技術
を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち１代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）インナーリードに絶縁性樹脂フィルム層を接着す
る部分が少なくとも樹脂封止材で封止される半導体装置
において、前記絶縁性樹脂フィルム層とインナーリード
との間にガラス転移温度が１７０〜２６０ ［℃］の範
囲のポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド
層を設ける。
る部分が少なくとも樹脂封止材で封止される半導体装置
において、前記絶縁性樹脂フィルム層とインナーリード
との間にガラス転移温度が１７０〜２６０ ［℃］の範
囲のポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド
層を設ける。
（２）前記半導体装置の絶縁性樹脂フィルム層のインナ
ーリードに接着される側の表面をブラスト法で粗面化す
る。
ーリードに接着される側の表面をブラスト法で粗面化す
る。
（３）前記半導体装置の製造方法において、前記絶縁性
樹脂フィルム層のインナーリードに接着される側の表面
に接着層として溶媒を若干量残存させたガラス転移温度
が約２００〜２６０［℃］の範囲のポリエーテルアミド
又はポリエーテルアミドイミド層を形成する工程と、前
記インナーリードに前記ポリエーテルアミド又はポリエ
ーテルアミドイミド層を介在させて前記絶縁性樹脂フィ
ルム層を熱圧着で接着する工程とを備える。
樹脂フィルム層のインナーリードに接着される側の表面
に接着層として溶媒を若干量残存させたガラス転移温度
が約２００〜２６０［℃］の範囲のポリエーテルアミド
又はポリエーテルアミドイミド層を形成する工程と、前
記インナーリードに前記ポリエーテルアミド又はポリエ
ーテルアミドイミド層を介在させて前記絶縁性樹脂フィ
ルム層を熱圧着で接着する工程とを備える。
（４）前記半導体装置の製造方法において、前記絶縁性
樹脂フィルム層のインナーリードに接着される側の表面
に接着層としてガラス転移温度が約１７０〜２６０ ［
℃］の範囲のポリエーテルアミド又はポリエーテルアミ
ドイミド層を形成する工程と、前記インナーリードに前
記ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層
を介在させて前記絶縁性樹脂フィルム層を部分的に熱圧
着で仮付けする工程と、前記インナーリードに仮付けさ
れた絶縁性樹脂フィルム層を熱圧着で本付けする工程と
を備える。
樹脂フィルム層のインナーリードに接着される側の表面
に接着層としてガラス転移温度が約１７０〜２６０ ［
℃］の範囲のポリエーテルアミド又はポリエーテルアミ
ドイミド層を形成する工程と、前記インナーリードに前
記ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層
を介在させて前記絶縁性樹脂フィルム層を部分的に熱圧
着で仮付けする工程と、前記インナーリードに仮付けさ
れた絶縁性樹脂フィルム層を熱圧着で本付けする工程と
を備える。
（５）前記半導体装置の製造方法において、前記絶縁性
樹脂フィルム層のインナーリードに接着される側の表面
に接着層として溶媒を若干量残存させたガラス転移温度
が約２００〜２６０ ［”Ｃ］の範囲のポリエーテルア
ミド又はポリエーテルアミドイミド層を形成する工程と
、前記インナーリードに前記ポリエーテルアミド又はポ
リエーテルアミドイミド層を介在させて前記絶縁性樹脂
フィルム層を部分的に熱圧着で仮付けする工程と、前記
ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層の
溶媒の残存量をベーキングによって低減する工程と、前
記インナーリードに仮付けされた絶縁性樹脂フィルム層
を熱圧着で本付けする工程とを備える。
樹脂フィルム層のインナーリードに接着される側の表面
に接着層として溶媒を若干量残存させたガラス転移温度
が約２００〜２６０ ［”Ｃ］の範囲のポリエーテルア
ミド又はポリエーテルアミドイミド層を形成する工程と
、前記インナーリードに前記ポリエーテルアミド又はポ
リエーテルアミドイミド層を介在させて前記絶縁性樹脂
フィルム層を部分的に熱圧着で仮付けする工程と、前記
ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層の
溶媒の残存量をベーキングによって低減する工程と、前
記インナーリードに仮付けされた絶縁性樹脂フィルム層
を熱圧着で本付けする工程とを備える。
上述した手段（１）によれば、前記インナーリード、樹
脂封圧材の夫々とポリエーテルアミド又はポリエーテル
アミドイミド層との接着強度を向上し、両者間の接着界
面の剥離及びその剥離された部分への水の結露を防止で
きるので（耐湿性向上）、インナーリード間の電流のリ
ークを防止し。
脂封圧材の夫々とポリエーテルアミド又はポリエーテル
アミドイミド層との接着強度を向上し、両者間の接着界
面の剥離及びその剥離された部分への水の結露を防止で
きるので（耐湿性向上）、インナーリード間の電流のリ
ークを防止し。
半導体装置の電気的信頼性を向上することができる。
前述の手段（２）によれば、前記手段（１）の効果の他
に、前記絶縁性樹脂フィルム層の表面にポリエーテルア
ミド又はポリエーテルアミドイミド層を食い込ませるこ
とができるので、両者の接着性をより向上し、半導体装
置の電気的信頼性を向上することができる。
に、前記絶縁性樹脂フィルム層の表面にポリエーテルア
ミド又はポリエーテルアミドイミド層を食い込ませるこ
とができるので、両者の接着性をより向上し、半導体装
置の電気的信頼性を向上することができる。
前述の手段（３）によれば、前記ポリエーテルアミド又
はポリエーテルアミドイミド層の高温軟化流動性を改善
し、インナーリードに絶縁性樹脂フィルム層を接着する
熱圧着温度を約２０〜５゜［℃］低減することができる
ので、半導体装置の製造工程における作業性を向上する
ことができる。
はポリエーテルアミドイミド層の高温軟化流動性を改善
し、インナーリードに絶縁性樹脂フィルム層を接着する
熱圧着温度を約２０〜５゜［℃］低減することができる
ので、半導体装置の製造工程における作業性を向上する
ことができる。
また、低温度での熱圧着が行えるので、半導体装置の製
造工程時間を短縮することができる。
造工程時間を短縮することができる。
前述の手段（４）によれば、前記インナーリードに複数
回の熱圧着で絶縁性樹脂フィルム層を接着し、前記イン
ナーリードとポリエーテルアミド又はポリエーテルアミ
ドイミド層との接着界面に熱圧着時に生じる空気の巻込
みを低減することができるので、インナーリードと絶縁
性樹脂フィルム層との接着強度を高め、半導体装置の製
造上の歩留りを向上することができる。
回の熱圧着で絶縁性樹脂フィルム層を接着し、前記イン
ナーリードとポリエーテルアミド又はポリエーテルアミ
ドイミド層との接着界面に熱圧着時に生じる空気の巻込
みを低減することができるので、インナーリードと絶縁
性樹脂フィルム層との接着強度を高め、半導体装置の製
造上の歩留りを向上することができる。
前述の手段（５）によれば、前記ポリエーテルアミド又
はポリエーテルアミドイミド層の高温軟化流動性を改善
して、作業性の高い低温度の熱圧着でインナーリードに
絶縁性樹脂フィルム層を仮付けすることができると共に
、前記ベーキングで絶縁性樹脂フィルム層の脱湿及びポ
リエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層の余
分な溶媒を気化させ、インナーリードに絶縁性樹脂フィ
ルム層を本付けする際に生じる発泡を低減することがで
きるので、接着強度を高め、半導体装置の製造上の歩留
りを向上することができる。また、前記ベーキングでポ
リエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層から
気化された溶媒をインナーリードの被接着面に吸着させ
、インナーリードとポリエーテルアミド又はポリエーテ
ルアミドイミド層との濡れ性を向上することができるの
で、接着強度をさらに高めることができる。
はポリエーテルアミドイミド層の高温軟化流動性を改善
して、作業性の高い低温度の熱圧着でインナーリードに
絶縁性樹脂フィルム層を仮付けすることができると共に
、前記ベーキングで絶縁性樹脂フィルム層の脱湿及びポ
リエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層の余
分な溶媒を気化させ、インナーリードに絶縁性樹脂フィ
ルム層を本付けする際に生じる発泡を低減することがで
きるので、接着強度を高め、半導体装置の製造上の歩留
りを向上することができる。また、前記ベーキングでポ
リエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層から
気化された溶媒をインナーリードの被接着面に吸着させ
、インナーリードとポリエーテルアミド又はポリエーテ
ルアミドイミド層との濡れ性を向上することができるの
で、接着強度をさらに高めることができる。
以下、本発明の構成について、タブレス構造の樹脂封止
型半導体装置に本発明を適用した一実施例とともに説明
する。
型半導体装置に本発明を適用した一実施例とともに説明
する。
なお、実施例を説明するための全回において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その操り返しの説明は
省略する。
を有するものは同一符号を付け、その操り返しの説明は
省略する。
本発明の一実施例であるタブレス構造の樹脂封止型半導
体装置の基本的構造を第１図（要部断面図）及び第２図
（平面図）で示す。第１図は第２図をＩ−Ｉ切断線で切
った断面図である。
体装置の基本的構造を第１図（要部断面図）及び第２図
（平面図）で示す。第１図は第２図をＩ−Ｉ切断線で切
った断面図である。
第１図及び第２図に示すタブレス構造の樹脂封止型半導
体装置１はＤＩＰ型で形成されたピン挿入型である。樹
脂封止型半導体装置１は、インナーリード２Ａの表面上
に順次！ｉ層された接着Ｍ３Ａ、絶縁性樹脂フィルム層
３Ｂ、ダイボンド材層３Ｃの夫々を介在させて半導体ペ
レット４を搭載している。半導体ペレット４、インナー
リード２Ａの夫々は樹脂封止材６によって封止されてい
る。
体装置１はＤＩＰ型で形成されたピン挿入型である。樹
脂封止型半導体装置１は、インナーリード２Ａの表面上
に順次！ｉ層された接着Ｍ３Ａ、絶縁性樹脂フィルム層
３Ｂ、ダイボンド材層３Ｃの夫々を介在させて半導体ペ
レット４を搭載している。半導体ペレット４、インナー
リード２Ａの夫々は樹脂封止材６によって封止されてい
る。
前記インナーリード２Ａの内その複数本は、半導体ペレ
ット４の搭載位置の下側を横切り、半導体ペレット４の
外部端子（ポンディングパッドＰ）４Ａの近傍まで延在
している。第２図に示すように、樹脂封止材６の平面形
状及び半導体ペレット４の平面形状は長方形状で構成さ
れている。また、アウターリード２Ｂは樹脂封止材６の
長方形状の長辺に沿って配列され、半導体ペレット４の
外部端子４Ａは長方形状の短辺に沿って配列されている
。したがって、インナーリード２Ａの一端側は平面形状
がＬ字型で構成されている。インナーリード２Ａの他端
側は前記アウターリード２Ｂに一体に構成（電気的に接
続）されている。
ット４の搭載位置の下側を横切り、半導体ペレット４の
外部端子（ポンディングパッドＰ）４Ａの近傍まで延在
している。第２図に示すように、樹脂封止材６の平面形
状及び半導体ペレット４の平面形状は長方形状で構成さ
れている。また、アウターリード２Ｂは樹脂封止材６の
長方形状の長辺に沿って配列され、半導体ペレット４の
外部端子４Ａは長方形状の短辺に沿って配列されている
。したがって、インナーリード２Ａの一端側は平面形状
がＬ字型で構成されている。インナーリード２Ａの他端
側は前記アウターリード２Ｂに一体に構成（電気的に接
続）されている。
インナーリード２Ａ及びアウターリード２Ｂは鉄−ニッ
ケル合金材料（例えばニッケルの含有量は５０［％コ）
で形成されている。インナーリード２Ａ及びアウターリ
ード２Ｂの厚さは例えば０゜１５〜０ 、３０ ［ｍｍ
］の範囲で形成されている。樹脂封止型半導体装置１を
ＤＩＰ型（Ｚ Ｉ Ｐ型も同様）で形成する本実施例に
おいて、インナーリード２Ａ及びアウターリード２Ｂの
厚さは０．２５［ｍｍ］で形成されている。後述するＳ
ＯＪ型の面実装型の樹脂封止型半導体装置１においては
、アウターリード２Ｂの曲げ加工性を良くするためにイ
ンナーリード２Ａ等は約０．２０［ｍｍ］程度の厚さで
形成されている。なお、インナーリード２Ａ及びアウタ
ーリード２Ｂは銅（Ｃｕ）系材料で形成してもよい。
ケル合金材料（例えばニッケルの含有量は５０［％コ）
で形成されている。インナーリード２Ａ及びアウターリ
ード２Ｂの厚さは例えば０゜１５〜０ 、３０ ［ｍｍ
］の範囲で形成されている。樹脂封止型半導体装置１を
ＤＩＰ型（Ｚ Ｉ Ｐ型も同様）で形成する本実施例に
おいて、インナーリード２Ａ及びアウターリード２Ｂの
厚さは０．２５［ｍｍ］で形成されている。後述するＳ
ＯＪ型の面実装型の樹脂封止型半導体装置１においては
、アウターリード２Ｂの曲げ加工性を良くするためにイ
ンナーリード２Ａ等は約０．２０［ｍｍ］程度の厚さで
形成されている。なお、インナーリード２Ａ及びアウタ
ーリード２Ｂは銅（Ｃｕ）系材料で形成してもよい。
前記半導体ペレット４は単結晶珪素基板で形成されてい
る。半導体ペレット４の表面（インナーリード２Ａに対
向する面と反対側の面）には複数の半導体素子が集積さ
れている。本実施例の半導体ペレット４はＤＲＡ層を内
蔵している。半導体ペレット４は前述のようにその下面
を横切るインナーリード２Ａの表面上に絶縁性樹脂フィ
ルム層３Ｂ等を介在させて搭載されている。つまり、こ
の種の樹脂封止型半導体装置１は半導体ペレット４を搭
載するタブが存在しない所謂タブレス構造で構成されて
いる。
る。半導体ペレット４の表面（インナーリード２Ａに対
向する面と反対側の面）には複数の半導体素子が集積さ
れている。本実施例の半導体ペレット４はＤＲＡ層を内
蔵している。半導体ペレット４は前述のようにその下面
を横切るインナーリード２Ａの表面上に絶縁性樹脂フィ
ルム層３Ｂ等を介在させて搭載されている。つまり、こ
の種の樹脂封止型半導体装置１は半導体ペレット４を搭
載するタブが存在しない所謂タブレス構造で構成されて
いる。
半導体ペレット４の長方形状の短辺に沿って配列された
外部端子４Ａはボンディングワイヤ５を介在させてイン
ナーリード２Ａに電気的に接続されている。外部端子４
Ａは、第１図及び第２図に簡略的に示しているが、実際
には半導体素子を覆う層間絶縁膜の表面上に形成され、
ファイナルパッシベーション膜に形成された開口を通し
て表面が露出されている。外部端子４Ａは半導体素子間
を接続する配線と同一製造工程で形成される。外部端子
４Ａは例えばＣｕ、Ｓｉが添加されたアルミニウム合金
で形成されている。
外部端子４Ａはボンディングワイヤ５を介在させてイン
ナーリード２Ａに電気的に接続されている。外部端子４
Ａは、第１図及び第２図に簡略的に示しているが、実際
には半導体素子を覆う層間絶縁膜の表面上に形成され、
ファイナルパッシベーション膜に形成された開口を通し
て表面が露出されている。外部端子４Ａは半導体素子間
を接続する配線と同一製造工程で形成される。外部端子
４Ａは例えばＣｕ、Ｓｉが添加されたアルミニウム合金
で形成されている。
ボンディングワイヤ５はＡｕワイヤを使用している。ボ
ンディングワイヤ５は例えばボール・ボンディング法で
ボンディングされている。ボール・ボンディング法は、
ボンディングワイヤ５の一端側に金属ボールを形成し、
この金属ボールを熱圧着に超音波振動を併用して外部端
子４Ａにボンディングするようになっている。ボンディ
ングワイヤ５の他端側は同様に熱圧着に超音波振動を併
用してインナーリード２Ａの表面にボンディングするよ
うになっている。また、前記ボンディングワイヤ５とし
てはＣｕワイヤやアルミニウムワイヤを使用してもよい
。
ンディングワイヤ５は例えばボール・ボンディング法で
ボンディングされている。ボール・ボンディング法は、
ボンディングワイヤ５の一端側に金属ボールを形成し、
この金属ボールを熱圧着に超音波振動を併用して外部端
子４Ａにボンディングするようになっている。ボンディ
ングワイヤ５の他端側は同様に熱圧着に超音波振動を併
用してインナーリード２Ａの表面にボンディングするよ
うになっている。また、前記ボンディングワイヤ５とし
てはＣｕワイヤやアルミニウムワイヤを使用してもよい
。
前記樹脂封止材６は例えば低応力化を図るシリコーンゴ
ム及びフィラーを添加したフェノール硬化型エポキシ系
樹脂で形成されている。前記シリコーンゴムは、若干量
添加されおり、フェノール硬化型エポキシ系樹脂の弾性
率を低下させる作用がある。フィラーは、球形の酸化珪
素粒で形成され、熱膨張率を低下させる作用がある。フ
ィラーは例えば７０〜７５［重量％］程度フェノール硬
化型エポキシ系樹脂内に添加されている。
ム及びフィラーを添加したフェノール硬化型エポキシ系
樹脂で形成されている。前記シリコーンゴムは、若干量
添加されおり、フェノール硬化型エポキシ系樹脂の弾性
率を低下させる作用がある。フィラーは、球形の酸化珪
素粒で形成され、熱膨張率を低下させる作用がある。フ
ィラーは例えば７０〜７５［重量％］程度フェノール硬
化型エポキシ系樹脂内に添加されている。
前記インナーリード２Ａと半導体ペレット４との間に設
けられた絶縁性樹脂フィルム層３Ｂは熱硬化性樹脂であ
るポリイミド樹脂層で形成されている。絶縁性樹脂フィ
ルム層３Ｂであるポリイミド樹脂層は、本実施例の樹脂
封止型半導体装置１において２５〜３００［μｍ］程度
の範囲の厚さで形成されている。絶縁性樹脂フィルム層
３Ｂは、機械的強度の確保、インナーリード２と半導体
ペレット４との間の絶縁耐圧の確保や両者間に作用する
電気的容量の低減を図るため、前記２５［μｍ１以上の
厚さで形成されている。また、絶縁性樹脂フィルム層３
Ｂは、基本的に厚くてもよいが。
けられた絶縁性樹脂フィルム層３Ｂは熱硬化性樹脂であ
るポリイミド樹脂層で形成されている。絶縁性樹脂フィ
ルム層３Ｂであるポリイミド樹脂層は、本実施例の樹脂
封止型半導体装置１において２５〜３００［μｍ］程度
の範囲の厚さで形成されている。絶縁性樹脂フィルム層
３Ｂは、機械的強度の確保、インナーリード２と半導体
ペレット４との間の絶縁耐圧の確保や両者間に作用する
電気的容量の低減を図るため、前記２５［μｍ１以上の
厚さで形成されている。また、絶縁性樹脂フィルム層３
Ｂは、基本的に厚くてもよいが。
インナーリード２Ａの位置と半導体ペレット４の外部端
子４Ａの位置との高低差が大きくなり、ボンディングし
ずらくなるので、前記３００［μｍ］以下の厚さで形成
されている０本実施例の樹脂封止型半導体装置１におい
ては絶縁性樹脂フィルム層３Ｂは約１２５［μｍ］の厚
さで形成している。
子４Ａの位置との高低差が大きくなり、ボンディングし
ずらくなるので、前記３００［μｍ］以下の厚さで形成
されている０本実施例の樹脂封止型半導体装置１におい
ては絶縁性樹脂フィルム層３Ｂは約１２５［μｍ］の厚
さで形成している。
前記絶縁性樹脂フィルム層３Ｂであるポリイミド樹脂層
は約５ Ｘ １０−＠〜３０ Ｘ １０−６［：℃−１
コの範囲の線熱膨張係数（α）のものを使用する。イン
ナーリード２Ａ及びアウターリード２Ｂが鉄−ニッケル
合金材料で形成される本実施例の場合、鉄ニツケル合金
材料の線熱膨張係数が約５×１０−＠〜１０ Ｘ １０
−”［℃”１コであるので、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂ
は約１２ Ｘ ｉ Ｏ−６［℃−１］程度の低い範囲の
線熱膨張係数のポリイミド樹脂層を使用するのが好まし
い。つまり、絶縁性樹脂フィルムｙＰＪ３Ｂは、インナ
ーリード２Ａ及びアウターリード２Ｂの線熱膨張係数に
比較的近い低熱膨張のポリイミド樹脂層で形成し、特に
インナーリード２Ａの反りを低減するように構成されて
いる。同様に、インナーリード２Ａ及びアウターリード
２Ｂが銅系材料で形成される場合、銅系材料の線熱膨張
係数が約１７ Ｘ １０−６［℃−”Ｉテあるノテ、絶
縁性樹脂フィルム層３Ｂは約２０ Ｘ １０−℃℃’−
’コ程度の高い範囲の線熱膨張係数のポリイミド樹脂層
を使用するのが好ましい。
は約５ Ｘ １０−＠〜３０ Ｘ １０−６［：℃−１
コの範囲の線熱膨張係数（α）のものを使用する。イン
ナーリード２Ａ及びアウターリード２Ｂが鉄−ニッケル
合金材料で形成される本実施例の場合、鉄ニツケル合金
材料の線熱膨張係数が約５×１０−＠〜１０ Ｘ １０
−”［℃”１コであるので、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂ
は約１２ Ｘ ｉ Ｏ−６［℃−１］程度の低い範囲の
線熱膨張係数のポリイミド樹脂層を使用するのが好まし
い。つまり、絶縁性樹脂フィルムｙＰＪ３Ｂは、インナ
ーリード２Ａ及びアウターリード２Ｂの線熱膨張係数に
比較的近い低熱膨張のポリイミド樹脂層で形成し、特に
インナーリード２Ａの反りを低減するように構成されて
いる。同様に、インナーリード２Ａ及びアウターリード
２Ｂが銅系材料で形成される場合、銅系材料の線熱膨張
係数が約１７ Ｘ １０−６［℃−”Ｉテあるノテ、絶
縁性樹脂フィルム層３Ｂは約２０ Ｘ １０−℃℃’−
’コ程度の高い範囲の線熱膨張係数のポリイミド樹脂層
を使用するのが好ましい。
前記絶縁性樹脂フィルム！３Ｂと半導体ペレット４の裏
面（又は搭載面）との間に設けられたダイボンド材層３
Ｃは熱硬化性樹脂であるポリイミド系樹脂ペースト層で
形成されている。ダイボンド材Ｗｊ３Ｃであるポリイミ
ド系樹脂ペースト層は、ポリイミド系樹脂にフィラー（
酸化珪素粒）及び溶媒を添加した、塗布型の絶縁性接若
剤である。ポリイミド系樹脂ペースト層は、本実施例の
樹脂封止型半導体装置１において１０〜２５［μｍ］程
度の範囲の厚さで絶縁性樹脂フィルム層３Ｂの表面に形
成されている。つまり、ポリイミド系樹脂ペースト層は
、半導体ペレット４を充分な接着強度で絶縁性樹脂フィ
ルム層３Ｂの表面に接着し、しかもそれ自体の線熱膨張
係数が絶縁性樹脂フィルムＭ３Ｂに影響しない程度に、
前記厚さの範囲で形成されている。
面（又は搭載面）との間に設けられたダイボンド材層３
Ｃは熱硬化性樹脂であるポリイミド系樹脂ペースト層で
形成されている。ダイボンド材Ｗｊ３Ｃであるポリイミ
ド系樹脂ペースト層は、ポリイミド系樹脂にフィラー（
酸化珪素粒）及び溶媒を添加した、塗布型の絶縁性接若
剤である。ポリイミド系樹脂ペースト層は、本実施例の
樹脂封止型半導体装置１において１０〜２５［μｍ］程
度の範囲の厚さで絶縁性樹脂フィルム層３Ｂの表面に形
成されている。つまり、ポリイミド系樹脂ペースト層は
、半導体ペレット４を充分な接着強度で絶縁性樹脂フィ
ルム層３Ｂの表面に接着し、しかもそれ自体の線熱膨張
係数が絶縁性樹脂フィルムＭ３Ｂに影響しない程度に、
前記厚さの範囲で形成されている。
ダイボンド材層３Ｃであるポリイミド系樹脂ペースト層
は、インナーリード２Ａに接着層３Ａを介在させて絶縁
性樹脂フィルム層３Ｂを接着した後、半導体ペレット４
を搭載する前に絶縁性樹脂フィルム層３Ｂの表面に塗布
される。したがって、ダイボンド材層３Ｃが塗布作業で
形成されることによって、インナーリード２Ａの表面に
絶縁性樹脂フィルム層３Ｂを接着する際に、絶縁性樹脂
フィルムＭＩ３Ｂがフィルム貼付装置やボンディング装
置に不必要に接着されないので、製造上の作業性を向上
することができる。なお、ダイボンド材層３Ｃとしては
前述のポリイミド系樹脂ペースト層以外に塗布型のエポ
キシ系樹脂ペースト層（熱硬化性樹脂）を使用してもよ
い。
は、インナーリード２Ａに接着層３Ａを介在させて絶縁
性樹脂フィルム層３Ｂを接着した後、半導体ペレット４
を搭載する前に絶縁性樹脂フィルム層３Ｂの表面に塗布
される。したがって、ダイボンド材層３Ｃが塗布作業で
形成されることによって、インナーリード２Ａの表面に
絶縁性樹脂フィルム層３Ｂを接着する際に、絶縁性樹脂
フィルムＭＩ３Ｂがフィルム貼付装置やボンディング装
置に不必要に接着されないので、製造上の作業性を向上
することができる。なお、ダイボンド材層３Ｃとしては
前述のポリイミド系樹脂ペースト層以外に塗布型のエポ
キシ系樹脂ペースト層（熱硬化性樹脂）を使用してもよ
い。
前記絶縁性樹脂フィルム層３Ｂとインナーリード２Ａと
の間に設けられた接着層３Ａは熱可塑性樹脂であるポリ
エーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層で形成
されている。ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミ
ドイミド層は、本実施例の樹脂封止型半導体装置１にお
いて１０〜５０［μｍ］程度の範囲の厚さで絶縁性樹脂
フィルム層３Ｂのインナーリード２Ａ側の表面に接着さ
れている。ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミド
イミド層は、絶縁性樹脂フィルムＭ３Ｂとインナーリー
ド２Ａとの接着性を確保し、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂ
の表面に均一に塗布できるように、前記１０［μｍ３以
上の厚さで形成されている。
の間に設けられた接着層３Ａは熱可塑性樹脂であるポリ
エーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層で形成
されている。ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミ
ドイミド層は、本実施例の樹脂封止型半導体装置１にお
いて１０〜５０［μｍ］程度の範囲の厚さで絶縁性樹脂
フィルム層３Ｂのインナーリード２Ａ側の表面に接着さ
れている。ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミド
イミド層は、絶縁性樹脂フィルムＭ３Ｂとインナーリー
ド２Ａとの接着性を確保し、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂ
の表面に均一に塗布できるように、前記１０［μｍ３以
上の厚さで形成されている。
また、ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミ
ド層は、それ自体の線熱膨張係数が絶縁性樹脂フィルム
層３Ｂに影響しない程度にかつその塗布作業が難しくな
らない程度に前記５０［μｍ］以下の厚さで形成されて
いる０本実施例の樹脂封止型半導体装置１の接着層３Ａ
であるポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミ
ド層は２０［μｍｌの膜厚で形成している。
ド層は、それ自体の線熱膨張係数が絶縁性樹脂フィルム
層３Ｂに影響しない程度にかつその塗布作業が難しくな
らない程度に前記５０［μｍ］以下の厚さで形成されて
いる０本実施例の樹脂封止型半導体装置１の接着層３Ａ
であるポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミ
ド層は２０［μｍｌの膜厚で形成している。
前記接着層３Ａは、１７０〜２２０［℃］の低い範囲の
ガラス転移温度（低Ｔｇ）のポリエーテルアミド又はポ
リエーテルアミドイミド層又は２００〜２６０ ［”Ｃ
］の高い範囲のガラス転移温度（高Ｔｇ）のポリエーテ
ルアミド又はポリエーテルアミドイミド層を使用する。
ガラス転移温度（低Ｔｇ）のポリエーテルアミド又はポ
リエーテルアミドイミド層又は２００〜２６０ ［”Ｃ
］の高い範囲のガラス転移温度（高Ｔｇ）のポリエーテ
ルアミド又はポリエーテルアミドイミド層を使用する。
前者のポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミ
ド層は軟化温度が約２３０［℃］以上、２７０［℃］で
の溶融粘度が１０５〜１０℃Ｐ］である。後者のポリエ
ーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層は軟化温
度が約２５０［℃］以上、３２０ ［℃］時の溶融粘度
が１０５〜１０６［Ｐ］である。つまり、本実施例の樹
脂封止型半導体装置１は１７０〜２６０［℃］の範囲の
ガラス転移温度のポリエーテルアミド又はポリエーテル
アミドイミド層を使用している。
ド層は軟化温度が約２３０［℃］以上、２７０［℃］で
の溶融粘度が１０５〜１０℃Ｐ］である。後者のポリエ
ーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層は軟化温
度が約２５０［℃］以上、３２０ ［℃］時の溶融粘度
が１０５〜１０６［Ｐ］である。つまり、本実施例の樹
脂封止型半導体装置１は１７０〜２６０［℃］の範囲の
ガラス転移温度のポリエーテルアミド又はポリエーテル
アミドイミド層を使用している。
前記２００〜２６０ ［℃］の高い範囲のガラス転移温
度（高Ｔｇ）のポリエーテルアミド又はポリエーテルア
ミドイミド層は下記の一般式＜Ｉ＞で表される繰返し単
位“を有する重合体である。
度（高Ｔｇ）のポリエーテルアミド又はポリエーテルア
ミドイミド層は下記の一般式＜Ｉ＞で表される繰返し単
位“を有する重合体である。
Ｒ，Ｒ。
前記一般式＜１＞中、Ｒ工、Ｒ２、Ｒ１及びＲ４は夫々
独立に水素、低級アルキル店、低級アルコキシ基又はハ
ロゲン基を表している。Ｘは穐 のいずれかである。ここで、Ｒ６、Ｒ８の夫々は独立し
て水素、低級アルキル基、トリフルオロメチル基、トリ
クロロメチル基又はフェニル基を表している。Ｙは、 を重縮合させることで形成することができる。ここで、
下記一般式＜ｎ＞中、ＲＬ、 Ｒ，、Ｒ，、Ｒ４及び又
は前記一般式＜１＞と同意義である。
独立に水素、低級アルキル店、低級アルコキシ基又はハ
ロゲン基を表している。Ｘは穐 のいずれかである。ここで、Ｒ６、Ｒ８の夫々は独立し
て水素、低級アルキル基、トリフルオロメチル基、トリ
クロロメチル基又はフェニル基を表している。Ｙは、 を重縮合させることで形成することができる。ここで、
下記一般式＜ｎ＞中、ＲＬ、 Ｒ，、Ｒ，、Ｒ４及び又
は前記一般式＜１＞と同意義である。
である。ここで、Ａｒは芳香族の二価の基である。
Ａｒ’ は芳香族の二価の基である。
好ましい重合体は、前述の一般式＜Ｉ＞が。
○
のいずれかで表される場合である。
前記高い範囲のガラス転移温度を有するポリエーテルア
ミド又はポリエーテルアミドイミド層は。
ミド又はポリエーテルアミドイミド層は。
芳香族ジカルボン酸又はその反応性誘導体及び又は芳香
族トリカルボン酸又はその反応性誘導体と下記の一般式
く■〉とで表される芳香族ジアミン２Ｒ４ 前記芳香族ジカルボン酸は芳香核に２つのカルボキシル
基を結合している。この芳香環は、ペテロ環の導入され
たもの、又は芳香環同志がアルキレン、酸素、カルボニ
ル基等と結合されていてもよい。さらに、前記芳香環は
、例えばアルコキシ、アリルオキシ、アルキルアミノ、
ハロゲン等の縮合反応に関与しない置換基が導入されて
いてもよい。
族トリカルボン酸又はその反応性誘導体と下記の一般式
く■〉とで表される芳香族ジアミン２Ｒ４ 前記芳香族ジカルボン酸は芳香核に２つのカルボキシル
基を結合している。この芳香環は、ペテロ環の導入され
たもの、又は芳香環同志がアルキレン、酸素、カルボニ
ル基等と結合されていてもよい。さらに、前記芳香環は
、例えばアルコキシ、アリルオキシ、アルキルアミノ、
ハロゲン等の縮合反応に関与しない置換基が導入されて
いてもよい。
前記芳香族ジカルボン酸としては、テレフタル酸、イソ
フタル酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸−４，４′
、ジフェニルスルホンジカルボン酸−４゜４Ｉ、ジフェ
ニルジカルボン酸−４，４′及びナフタレンジカルボン
酸−１，５等がある。このうち、テレフタル酸及びイソ
フタル酸は一般的に入手し易い。
フタル酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸−４，４′
、ジフェニルスルホンジカルボン酸−４゜４Ｉ、ジフェ
ニルジカルボン酸−４，４′及びナフタレンジカルボン
酸−１，５等がある。このうち、テレフタル酸及びイソ
フタル酸は一般的に入手し易い。
また、前記芳香族ジカルボン酸の反応性誘導体としては
、芳香族ジカルボン酸のジクロライド。
、芳香族ジカルボン酸のジクロライド。
ジブロマイド、ジエステル等がある。
前記芳香族トリカルボン酸は、芳香核に３つのカルボキ
シル基が結合され、かつ３つのカルボキシル基のうちの
２つは隣接炭素に結合している。
シル基が結合され、かつ３つのカルボキシル基のうちの
２つは隣接炭素に結合している。
この芳香環は、ペテロ環の導入されたもの、又芳香環同
志がアルキレン、酸素、カルボニル基等と結合されてい
てもよい。さらに、芳香環は、例えばアルコキシ、アリ
ルオキシ、アルキルアミノ。
志がアルキレン、酸素、カルボニル基等と結合されてい
てもよい。さらに、芳香環は、例えばアルコキシ、アリ
ルオキシ、アルキルアミノ。
ハロゲン等の縮合反応に関与しない置換基が導入されて
いてもよい。
いてもよい。
前記芳香族トリカルボン酸としては１例えばトリメリッ
ト酸、 ３，３．４’−ベンゾフェノントリカルボン酸
、 ２，３．４’−ジフェニルトリカルボン酸、２，３
゜６−ヒリジントリカルボン酸、３，４，４’−ベンツ
アニリドトリカルボン酸、１，４．５−ナフタリントリ
カルボン酸、２′−メトキシ−３，４，４’−ジフェニ
ルエーテルトリカルボン酸、２′−クロロベンツアニリ
ド−３゜４．４’−トリカルボン酸等がある。
ト酸、 ３，３．４’−ベンゾフェノントリカルボン酸
、 ２，３．４’−ジフェニルトリカルボン酸、２，３
゜６−ヒリジントリカルボン酸、３，４，４’−ベンツ
アニリドトリカルボン酸、１，４．５−ナフタリントリ
カルボン酸、２′−メトキシ−３，４，４’−ジフェニ
ルエーテルトリカルボン酸、２′−クロロベンツアニリ
ド−３゜４．４’−トリカルボン酸等がある。
また、前記芳香族トリカルボン酸の反応性誘導体として
は、芳香族トリカルボン酸の酸無水物、ハライド、エス
テル、アミド、アンモニウム塩等がある。これらの例と
しては、トリメリット酸無水物、トリメリット酸無水物
モノクロライド、１゜４−ジカルボキシ−３−Ｎ 、
Ｎ−ジメチルカルバモイルベンゼン ベンゼン、１，４−ジカルボキシ−３−カルボフェノキ
シベンゼン、２．６−ジカルポキシー３−カルボメトキ
シピリジン、１，６−ジカルポキシー５−カルバモイル
ナフタリン、上記芳香族トリカルボン酸類とアンモニア
、ジメチルアミン、トリチルアミン等からなるアンモニ
ウム塩類等がある。このうち、トリメリット酸無水物，
トリメリット酸無水物モノクロライドが好ましい。
は、芳香族トリカルボン酸の酸無水物、ハライド、エス
テル、アミド、アンモニウム塩等がある。これらの例と
しては、トリメリット酸無水物、トリメリット酸無水物
モノクロライド、１゜４−ジカルボキシ−３−Ｎ 、
Ｎ−ジメチルカルバモイルベンゼン ベンゼン、１，４−ジカルボキシ−３−カルボフェノキ
シベンゼン、２．６−ジカルポキシー３−カルボメトキ
シピリジン、１，６−ジカルポキシー５−カルバモイル
ナフタリン、上記芳香族トリカルボン酸類とアンモニア
、ジメチルアミン、トリチルアミン等からなるアンモニ
ウム塩類等がある。このうち、トリメリット酸無水物，
トリメリット酸無水物モノクロライドが好ましい。
前記一般式＜ｎ＞で表される芳香族ジアミンは、２、２
−ビス（４− （４−アミノフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン、２，２−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス（４−
（４−アミノフェノキシ）フェニルコブタン、２，２−
ビス〔３−メチルー４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニルコブタン、２，２−ビス〔３，５−ジメチル−４−
（４−アミノフェノキシ）フェニルコブタン、２，２−
ビス〔３，５−ジブロモ−４−（４−アミノフェノキシ
）フェニルコブタン、１，１，１，３，３，３−ヘキサ
フルオロ−２，２−ビス〔３−メチル−４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１−ビス（４
−（４−アミノフェノキシ）フェニルコシクロヘキサン
、■、１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ルコシクロペンタン、ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニルスルホン〕、ビス（４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニルエーテル〕、ビス（４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニルスルホン〕、４，４′−カルボニ
ルビス（Ｐ−フェニレンオキシ）ジアミン、４，４′−
ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル等がある。こ
のうち、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル〕プロパンが好ましい。また、必要に応じて、
前述のジアミン混合物を使用することができる。
−ビス（４− （４−アミノフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン、２，２−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス（４−
（４−アミノフェノキシ）フェニルコブタン、２，２−
ビス〔３−メチルー４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニルコブタン、２，２−ビス〔３，５−ジメチル−４−
（４−アミノフェノキシ）フェニルコブタン、２，２−
ビス〔３，５−ジブロモ−４−（４−アミノフェノキシ
）フェニルコブタン、１，１，１，３，３，３−ヘキサ
フルオロ−２，２−ビス〔３−メチル−４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１−ビス（４
−（４−アミノフェノキシ）フェニルコシクロヘキサン
、■、１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ルコシクロペンタン、ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニルスルホン〕、ビス（４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニルエーテル〕、ビス（４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニルスルホン〕、４，４′−カルボニ
ルビス（Ｐ−フェニレンオキシ）ジアミン、４，４′−
ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル等がある。こ
のうち、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル〕プロパンが好ましい。また、必要に応じて、
前述のジアミン混合物を使用することができる。
また、前記芳香族ジアミンは、既知のジアミン例えば、
４．４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−
ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェ
ニルスルホン、メタフェニレンジアミン、ピペラジン、
ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、テ
トラメチレンジアミン、Ｐ−キシリレンジアミン、ｍ−
キシリレンジアミン、３−メチルへブタメチレンジアミ
ン、１．３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチル
ジシロキサン等を併用することができる。これらのジア
ミン類のジアミン全体に対する割合は３０ ［ｍｏ１％
］以下であることが好ましい。前記割合が３０ ［ｍｏ
１％コを越えた場合は熱安定性や熱溶融性が劣化する傾
向がある。
４．４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−
ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェ
ニルスルホン、メタフェニレンジアミン、ピペラジン、
ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、テ
トラメチレンジアミン、Ｐ−キシリレンジアミン、ｍ−
キシリレンジアミン、３−メチルへブタメチレンジアミ
ン、１．３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチル
ジシロキサン等を併用することができる。これらのジア
ミン類のジアミン全体に対する割合は３０ ［ｍｏ１％
］以下であることが好ましい。前記割合が３０ ［ｍｏ
１％コを越えた場合は熱安定性や熱溶融性が劣化する傾
向がある。
前記芳香族ジカルボン酸、芳香族ジカルボン酸の反応性
誘導体、芳香族トリカルボン酸、芳香族トリカルボン酸
の反応性誘導体等の酸成分は、ジアミンの総量に対して
８０〜１２０ ［ｍｏ１％］の範囲を使用し、特に９５
〜１０５ ［ｍｏ１％］の範囲が好ましい。これらを等
モル使用した場合には最つども高分子量のものを得るこ
とができる。ジアミンに対する前述の酸成分は多すぎて
も少なすぎても分子量を低下させ、機械的強度、耐熱性
等が劣下する傾向がある。前述のアミンと酸との反応は
公知の方法をそのまま適用することができ、その反応の
際の諸条件等については特に限定されるものではない。
誘導体、芳香族トリカルボン酸、芳香族トリカルボン酸
の反応性誘導体等の酸成分は、ジアミンの総量に対して
８０〜１２０ ［ｍｏ１％］の範囲を使用し、特に９５
〜１０５ ［ｍｏ１％］の範囲が好ましい。これらを等
モル使用した場合には最つども高分子量のものを得るこ
とができる。ジアミンに対する前述の酸成分は多すぎて
も少なすぎても分子量を低下させ、機械的強度、耐熱性
等が劣下する傾向がある。前述のアミンと酸との反応は
公知の方法をそのまま適用することができ、その反応の
際の諸条件等については特に限定されるものではない。
また、前記芳香族ジカルボン酸又は芳香族ジカルボン酸
の反応性誘導体とジアミンとの重縮合反応については公
知の方法を利用する。また、芳香族トリカルボン酸又は
芳香族トリカルボン酸の反応性誘導体とジアミンとの重
縮合反応についても同様に公知の方法を利用する。
の反応性誘導体とジアミンとの重縮合反応については公
知の方法を利用する。また、芳香族トリカルボン酸又は
芳香族トリカルボン酸の反応性誘導体とジアミンとの重
縮合反応についても同様に公知の方法を利用する。
前述の重合体は、ジメチルホルムアミド０．２［重量％
］の溶液において、３０［℃］の還元粘度が０．２〜２
、 Ｏ［ｄＱ／ｇ］であることが好ましい。この還元
粘度が小さすぎると機械的強度や耐熱性が劣化し、大き
すぎると熱溶融性が劣化する傾向にある。
］の溶液において、３０［℃］の還元粘度が０．２〜２
、 Ｏ［ｄＱ／ｇ］であることが好ましい。この還元
粘度が小さすぎると機械的強度や耐熱性が劣化し、大き
すぎると熱溶融性が劣化する傾向にある。
次に、前述の重合体のいくつかの形成方法について説明
する。
する。
（形成方法１）
温度計、攪拌機、窒素導入管１分留頭を取り付けた４つ
ロフラスコに、窒素下、２，２−ビスＣ４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕プロパン２０５［ｇｌ（０、
５［ｍｏｌｌ）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン７
０５［ｇコに溶解する。
ロフラスコに、窒素下、２，２−ビスＣ４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕プロパン２０５［ｇｌ（０、
５［ｍｏｌｌ）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン７
０５［ｇコに溶解する。
次に、この溶液を−１０［℃］の温度に冷却し、この温
度でトリメリット酸無水物モノクロライト１０５．３［
ｇｌ（０，５［ｍｏｌコ）を−５［℃］の温度を越えな
いように添加する。
度でトリメリット酸無水物モノクロライト１０５．３［
ｇｌ（０，５［ｍｏｌコ）を−５［℃］の温度を越えな
いように添加する。
次に、トリメリット酸無水物モノクロライドが溶解した
後、トリエチルアミン７６［ｇｌを５［℃］の温度を越
えないように添加し、これにＮ−メチル−２−ピロリド
ン５０３［ｇｌを追加する。
後、トリエチルアミン７６［ｇｌを５［℃］の温度を越
えないように添加し、これにＮ−メチル−２−ピロリド
ン５０３［ｇｌを追加する。
次に、室温で約１時間攪拌後、１９０［”Ｃ１の温度で
９時間反応させ、イミド化を完結させる。
９時間反応させ、イミド化を完結させる。
次に、この反応液をメタノール中に投入して、重合体を
単離させる。これを乾燥した後、再度Ｎ。
単離させる。これを乾燥した後、再度Ｎ。
Ｎ−ジメチルホルムアミドに溶解し、メタノール中に投
入してポリエーテルアミドイミド重合体を精製し、減圧
乾燥させる。
入してポリエーテルアミドイミド重合体を精製し、減圧
乾燥させる。
このようにして得られたポリエーテルアミドイミド重合
体の還元粘度［η、、／Ｃ］は、Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド０．２［重量％コの溶液中、３０［℃］で測定
した結果（以下に説明する形成方法においても同様）、
０．８９［准／ｇｌであった。
体の還元粘度［η、、／Ｃ］は、Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド０．２［重量％コの溶液中、３０［℃］で測定
した結果（以下に説明する形成方法においても同様）、
０．８９［准／ｇｌであった。
（形成方法２）
温度計、攪拌機、窒素導入管、冷却管を取り付けた４つ
ロフラスコに、窒素下、２，２−ビス（４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕プロパン１４７．６［ｇコ（
０、３６［ｍａｌｌ）、■、３−ビス（アミノプロピル
）テトラメチルジシロキサン９．９２［ｇｌ（０，０４
［ｍｏｌコ）及びプロピレンオキサイド３４．８［ｇｌ
（０゜６ ［ｍａｌｌ）を入れ、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセ
トアミド５６４［ｇｌに溶解する。
ロフラスコに、窒素下、２，２−ビス（４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕プロパン１４７．６［ｇコ（
０、３６［ｍａｌｌ）、■、３−ビス（アミノプロピル
）テトラメチルジシロキサン９．９２［ｇｌ（０，０４
［ｍｏｌコ）及びプロピレンオキサイド３４．８［ｇｌ
（０゜６ ［ｍａｌｌ）を入れ、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセ
トアミド５６４［ｇｌに溶解する。
次に、この溶液をＯ［℃］の温度に冷却し、この温度で
トリメリット酸無水物モノクロライド８４゜２［ｇｌ（
０，４［ｍｏｌｌ）を５［℃］の温度を越えないように
添加する。
トリメリット酸無水物モノクロライド８４゜２［ｇｌ（
０，４［ｍｏｌｌ）を５［℃］の温度を越えないように
添加する。
次に、室温で約３時間攪拌後、無水酢酸２００［ｇｌ及
びピリジン５０［ｇｌを加え、６０［℃］の温度で１昼
夜攪拌を続ける。
びピリジン５０［ｇｌを加え、６０［℃］の温度で１昼
夜攪拌を続ける。
次に、この反応液を前述の形成方法１と同様に単離及び
精製し、ポリエーテルアミドイミド重合体を得る。
精製し、ポリエーテルアミドイミド重合体を得る。
このようにして得ら九たポリエーテルアミドイミド重合
体の還元粘度［ηｊｐ／Ｃ］は０．７３［准／ｇ］であ
った。
体の還元粘度［ηｊｐ／Ｃ］は０．７３［准／ｇ］であ
った。
（形成方法３）
温度計、攪拌機、窒素導入管、冷却管を取り付けた４つ
ロフラスコに、窒素下、２，２−ビス［４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル］プロパン２０５［ｇｌ（０、
５［ｍａｌｌ）及びプロピレンオキサイド６９．６［ｇ
コ（１、２［ｍａｌｌ）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン１２００［ｇｌに溶解する。
ロフラスコに、窒素下、２，２−ビス［４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル］プロパン２０５［ｇｌ（０、
５［ｍａｌｌ）及びプロピレンオキサイド６９．６［ｇ
コ（１、２［ｍａｌｌ）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン１２００［ｇｌに溶解する。
次に、この溶液を−５［℃］の温度に冷却し、この温度
でイソフタル酸ジクロライド１０１．５［ｇｌ（０、５
［ｍｏｌｌ）を２０［℃］の温度を越えないように添加
する。
でイソフタル酸ジクロライド１０１．５［ｇｌ（０、５
［ｍｏｌｌ）を２０［℃］の温度を越えないように添加
する。
次に、室温で約３時間攪拌後、得られた反応液を前述の
形成方法１と同様に単離及び精製し、ポリエーテルアミ
ドイミド重合体を形成する。
形成方法１と同様に単離及び精製し、ポリエーテルアミ
ドイミド重合体を形成する。
このようにして得られたポリエーテルアミドイミド重合
体の還元粘度［ηｇ、／ｃｌは１ 、０ ［ｄｌｌ／ｇ
］であった。
体の還元粘度［ηｇ、／ｃｌは１ 、０ ［ｄｌｌ／ｇ
］であった。
（形成方法４）
温度計、攪拌機、窒素導入管、分留類を取り付けた４つ
ロフラスコに、窒素下、ビスＣ４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル〕スルホン２１６［ｇｌ（０゜５ ［ｍ
ｏｌｌ）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン７０５［
ｇコに溶解する。
ロフラスコに、窒素下、ビスＣ４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル〕スルホン２１６［ｇｌ（０゜５ ［ｍ
ｏｌｌ）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン７０５［
ｇコに溶解する。
次に、前記形成方法１と同様の方法を行い、ポリエーテ
ルアミドイミド重合体を形成する。このようにして得ら
れたポリエーテルアミドイミド重合体の還元粘度［ηｓ
Ｐ／Ｃ］は０ 、６６ ［ｄｌｌ／ｇ］であった。この
後、前記１７０〜２２０ ［℃］の低い範囲のガラス転
移温度（低Ｔｇ）のポリエーテルアミド又はポリエーテ
ルアミドイミド層について説明する。このポリエーテル
アミド又はポリエーテルアミドイミド層は下記の一般式
＜ｍ＞で表される繰返し単位を有する重合体である。
ルアミドイミド重合体を形成する。このようにして得ら
れたポリエーテルアミドイミド重合体の還元粘度［ηｓ
Ｐ／Ｃ］は０ 、６６ ［ｄｌｌ／ｇ］であった。この
後、前記１７０〜２２０ ［℃］の低い範囲のガラス転
移温度（低Ｔｇ）のポリエーテルアミド又はポリエーテ
ルアミドイミド層について説明する。このポリエーテル
アミド又はポリエーテルアミドイミド層は下記の一般式
＜ｍ＞で表される繰返し単位を有する重合体である。
前記一般式＜ｍ＞中、ｍは０，１，２．３又は４を表し
ている。Ｒ□は低級アルキル基、Ｒ２は低級アルキル基
又はハロゲン基を表している。又は結合であり。
ている。Ｒ□は低級アルキル基、Ｒ２は低級アルキル基
又はハロゲン基を表している。又は結合であり。
一〇−又は〜
である。ここで、Ｒ１、Ｒ４の夫々は独立した水素、低
級アルキル基、トリフルオロメチル基又はフェニル基を
表している。Ｒ３、Ｒ４の夫々は同一であっても異なっ
ていてもよい、Ｙは。
級アルキル基、トリフルオロメチル基又はフェニル基を
表している。Ｒ３、Ｒ４の夫々は同一であっても異なっ
ていてもよい、Ｙは。
す
である。ここで、Ａｒは芳香族の二価の基である。
Ａｒ’は芳香族の二価の基である。
好ましい重合体は、前述の一般式＜ｍ＞が、（Ｒ，）ｍ
（Ｒ，）ｍ （Ｒ，）ｍのいずれかで表される場
合である。
（Ｒ，）ｍ （Ｒ，）ｍのいずれかで表される場
合である。
前記低い範囲のガラス転移温度を有するポリエーテルア
ミド又はポリエーテルアミドイミド層は、芳香族ジカル
ボン酸又はその反応性誘導体及び又は芳香族トリカルボ
ン酸又はその反応性誘導体と下記の一般式〈■〉とで表
される芳香族ジアミンを重縮合させることで形成するこ
とができる。ここで、下記一般式〈■〉中、ｍ、Ｒ，、
Ｒ２及びＸは前記一般式＜ｍ＞と同意義である。
ミド又はポリエーテルアミドイミド層は、芳香族ジカル
ボン酸又はその反応性誘導体及び又は芳香族トリカルボ
ン酸又はその反応性誘導体と下記の一般式〈■〉とで表
される芳香族ジアミンを重縮合させることで形成するこ
とができる。ここで、下記一般式〈■〉中、ｍ、Ｒ，、
Ｒ２及びＸは前記一般式＜ｍ＞と同意義である。
前記一般式＜ＩＶ＞で表わされる芳香族ジアミンとして
は、■、３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、
１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、Ｉ。
は、■、３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、
１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、Ｉ。
４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４．４’
−（Ｌ。
−（Ｌ。
３−フェニレンビス（１−メチルエチリデン）〕ヒスア
ニリン、４．４’−（１，４−フェニレンビス（１−メ
チルエチリデン）〕ビスアニリン、３．３’−（１，３
−）二二しンビス（１−メチルエチリデン）〕ビスアニ
リン等がある。
ニリン、４．４’−（１，４−フェニレンビス（１−メ
チルエチリデン）〕ビスアニリン、３．３’−（１，３
−）二二しンビス（１−メチルエチリデン）〕ビスアニ
リン等がある。
前記２００〜２６０［℃］の高い範囲のガラス転移温度
を有するポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイ
ミド層（接着層３Ａ）はインナーリード２Ａの表面に接
着する際に０．１〜１０［重量％コ程度の溶媒が残存す
るように処理されている６本実施例の樹脂封止型半導体
装置１においては高い範囲のガラス転移温度を有するポ
リエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層に１
［重量％］径程度溶媒が残存するように処理されている
。ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層
に残存させる溶媒はＮ−メチル−２−ピロリドン、ブチ
ルセロソルブアセテート等である。この溶媒は、ポリエ
ーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層の高温軟
化流動性を改善し、インナーリード２Ａに絶縁性樹脂フ
ィルム層３Ｂを接着する際の熱圧着温度を約２０〜５０
［℃］低減することができる。
を有するポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイ
ミド層（接着層３Ａ）はインナーリード２Ａの表面に接
着する際に０．１〜１０［重量％コ程度の溶媒が残存す
るように処理されている６本実施例の樹脂封止型半導体
装置１においては高い範囲のガラス転移温度を有するポ
リエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層に１
［重量％］径程度溶媒が残存するように処理されている
。ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層
に残存させる溶媒はＮ−メチル−２−ピロリドン、ブチ
ルセロソルブアセテート等である。この溶媒は、ポリエ
ーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層の高温軟
化流動性を改善し、インナーリード２Ａに絶縁性樹脂フ
ィルム層３Ｂを接着する際の熱圧着温度を約２０〜５０
［℃］低減することができる。
前記１７０〜２２０［℃］の低い範囲のガラス転移温度
を有するポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイ
ミド層（接着層３Ａ）は、前述のように軟化温度そのも
のが低いので、本実施例においては接着時に前記溶媒を
残存させていない。
を有するポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイ
ミド層（接着層３Ａ）は、前述のように軟化温度そのも
のが低いので、本実施例においては接着時に前記溶媒を
残存させていない。
このように、タブレス構造の樹脂封止型半導体装置１に
おいて、前記絶縁性樹脂フィルム層３Ｂとインナーリー
ド２Ａとの間に接着層３Ａとしてガラス転移温度が１７
０〜２６０［℃］の範囲のポリエーテルアミド又はポリ
エーテルアミドイミド層を設ける（絶縁性樹脂フィルム
３Ｂ及び接着層３Ａで形成される２層構造の絶縁フィル
ムをインナーリード２Ａの表面に接着する）ことにより
。
おいて、前記絶縁性樹脂フィルム層３Ｂとインナーリー
ド２Ａとの間に接着層３Ａとしてガラス転移温度が１７
０〜２６０［℃］の範囲のポリエーテルアミド又はポリ
エーテルアミドイミド層を設ける（絶縁性樹脂フィルム
３Ｂ及び接着層３Ａで形成される２層構造の絶縁フィル
ムをインナーリード２Ａの表面に接着する）ことにより
。
前記インナーリード２Ａ、樹脂封止材６の夫々とポリエ
ーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層との接着
強度を向上し、両者間の接着界面の剥離及びその剥離さ
れた部分に水が結露するのを防止することができるので
（耐湿性向上）、インナ−リード２Ａ間の電流のリーク
を低減することができる。この結果、タブレス構造の樹
脂封止型半導体装置１は電気的信頼性を向上することが
できる。また、前記接着層３Ａをポリエーテルアミド又
はポリエーテルアミドイミド層で形成することにより、
接着層３Ａと絶縁性樹脂フィルム層３Ｂとの接着強度を
向上して接着界面の剥離を防止することができ、かつ接
着層３Ａ内に拡散する水を低減することができるので、
前述のインナ−リード２Ａ間の電流のリークを低減する
ことができる。
ーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層との接着
強度を向上し、両者間の接着界面の剥離及びその剥離さ
れた部分に水が結露するのを防止することができるので
（耐湿性向上）、インナ−リード２Ａ間の電流のリーク
を低減することができる。この結果、タブレス構造の樹
脂封止型半導体装置１は電気的信頼性を向上することが
できる。また、前記接着層３Ａをポリエーテルアミド又
はポリエーテルアミドイミド層で形成することにより、
接着層３Ａと絶縁性樹脂フィルム層３Ｂとの接着強度を
向上して接着界面の剥離を防止することができ、かつ接
着層３Ａ内に拡散する水を低減することができるので、
前述のインナ−リード２Ａ間の電流のリークを低減する
ことができる。
本発明者が行った特性試験によれば、本発明を適用した
タブレス構造の樹脂封止型半導体装置１で発生するリー
ク電流（Ａ）は第３図（リーク電流の発生頻度を示す図
）に示すように従来の樹脂封止型半導体装置のリーク電
流（Ｂ）に比べて３桁近く低減できる結果を得ることが
できた。
タブレス構造の樹脂封止型半導体装置１で発生するリー
ク電流（Ａ）は第３図（リーク電流の発生頻度を示す図
）に示すように従来の樹脂封止型半導体装置のリーク電
流（Ｂ）に比べて３桁近く低減できる結果を得ることが
できた。
また、タブレス構造の樹脂封止型半導体装置１の絶縁性
樹脂フィルム層３Ｂの少なくともインナ−リード２Ａに
接着される側の表面（接着層３Ａが塗布される側）には
゛ブラスト法による粗面化処理が施されている。この粗
面化処理は、例えば絶縁性樹脂フィルム層３Ｂの表面に
深さが約１．０〜２．５［μｍ］の凹凸を有するように
行われる。
樹脂フィルム層３Ｂの少なくともインナ−リード２Ａに
接着される側の表面（接着層３Ａが塗布される側）には
゛ブラスト法による粗面化処理が施されている。この粗
面化処理は、例えば絶縁性樹脂フィルム層３Ｂの表面に
深さが約１．０〜２．５［μｍ］の凹凸を有するように
行われる。
接着層３Ａであるポリエーテルアミド又はポリエーテル
アミドイミド層は粗面化処理が施された絶縁性樹脂フィ
ルム層３Ｂの表面の凹凸形状に沿うように塗布されてい
る。
アミドイミド層は粗面化処理が施された絶縁性樹脂フィ
ルム層３Ｂの表面の凹凸形状に沿うように塗布されてい
る。
このように、タブレス構造の樹脂封止型半導体装置１に
おいて、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂのインナーリード２
Ａ側の表面をブラスト法で粗面化することにより、前記
絶縁性樹脂フィルム層３Ｂの表面に接着層３Ａであるポ
リエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層を食
い込ませることができるので、絶縁性樹脂フィルム層３
Ｂと接着層３Ａとの接着強度を向上することができる。
おいて、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂのインナーリード２
Ａ側の表面をブラスト法で粗面化することにより、前記
絶縁性樹脂フィルム層３Ｂの表面に接着層３Ａであるポ
リエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層を食
い込ませることができるので、絶縁性樹脂フィルム層３
Ｂと接着層３Ａとの接着強度を向上することができる。
この結果、接着層３Ａとしてポリエーテルアミド又はポ
リエーテルアミドイミド層を使用したことにより絶縁性
樹脂フィルム層３Ｂと接着層３Ａとの接着強度を向上す
ることができると共に、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂの表
面に粗面化処理を施したことにより両者の接着強度をよ
り一層向上することができる。したがって、タブレス構
造の樹脂封止型半導体装置１は、前述のインナ−リード
２Ａ間の電流のリークをより低減することができる。
リエーテルアミドイミド層を使用したことにより絶縁性
樹脂フィルム層３Ｂと接着層３Ａとの接着強度を向上す
ることができると共に、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂの表
面に粗面化処理を施したことにより両者の接着強度をよ
り一層向上することができる。したがって、タブレス構
造の樹脂封止型半導体装置１は、前述のインナ−リード
２Ａ間の電流のリークをより低減することができる。
本発明者が行ったビール強度試験によれば、絶縁性樹脂
フィルム層３Ｂの表面に粗面化処理を施さない場合、幅
１［ａｎ］当り約１０［ｇｌの剥離力によって接着層３
Ａは剥がれてしまうが、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂの表
面に粗面化処理を施した場合、絶縁性樹脂フィルム層３
Ｂから接着層３Ａが剥がれず、接着層３Ａが剥がれる前
に接着層３Ａ自体が破断してしまう結果を得ることがで
きた。
フィルム層３Ｂの表面に粗面化処理を施さない場合、幅
１［ａｎ］当り約１０［ｇｌの剥離力によって接着層３
Ａは剥がれてしまうが、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂの表
面に粗面化処理を施した場合、絶縁性樹脂フィルム層３
Ｂから接着層３Ａが剥がれず、接着層３Ａが剥がれる前
に接着層３Ａ自体が破断してしまう結果を得ることがで
きた。
また、前述の粗面化処理は、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂ
の半導体ペレット４側の表面に行ってもよい。
の半導体ペレット４側の表面に行ってもよい。
次に、本発明者が開発中のＤＩＰ型の・タブレス構造の
樹脂封止型半導体装置１の具体的な構造について、第４
図（部分断面平面図）を用いて説明する。
樹脂封止型半導体装置１の具体的な構造について、第４
図（部分断面平面図）を用いて説明する。
第４図に示す樹脂封止型半導体装置１は１８本のアウタ
リード２Ｂを有するＤＩＰ型で構成されている。つまり
、この樹脂封止型半導体装置１はピン挿入型である。ア
ウターリード２Ｂは夫々印加される信号名が規定されて
いる。Ｄｉｎはデータ入力信号、Ｄ ｏｕｔはデータ出
力信号である。ＷＥはライト・イネーブル信号、ＲＡＳ
はロウ・アドレス・ストローブ信号、ＣＡＳはカラム・
アドレス・ストローブ信号である。ＮＣは空ピン、ＡＯ
〜Ａ９はアドレス信号である。Ｖｃｃは電源電圧例えば
回路の動作電圧５ ［Ｖ］、Ｖｓｓは基準電圧例えば回
路の接地電圧０ ［Ｖ］である。
リード２Ｂを有するＤＩＰ型で構成されている。つまり
、この樹脂封止型半導体装置１はピン挿入型である。ア
ウターリード２Ｂは夫々印加される信号名が規定されて
いる。Ｄｉｎはデータ入力信号、Ｄ ｏｕｔはデータ出
力信号である。ＷＥはライト・イネーブル信号、ＲＡＳ
はロウ・アドレス・ストローブ信号、ＣＡＳはカラム・
アドレス・ストローブ信号である。ＮＣは空ピン、ＡＯ
〜Ａ９はアドレス信号である。Ｖｃｃは電源電圧例えば
回路の動作電圧５ ［Ｖ］、Ｖｓｓは基準電圧例えば回
路の接地電圧０ ［Ｖ］である。
前記第１図及び第２図に示す樹脂封止型半導体装置１と
同様に、第４図に示す樹脂封止型半導体装置１は、イン
ナーリード２Ａ上に順次積層された接着層３Ａ、絶縁性
樹脂フィルム層３Ｂ及びダイボンド材層３Ｃを介在させ
て半導体ペレット４を搭載している。半導体ペレット４
は４［Ｍｂｉｔｌの大容敬を有するＤＲＡＭで構成され
ている。
同様に、第４図に示す樹脂封止型半導体装置１は、イン
ナーリード２Ａ上に順次積層された接着層３Ａ、絶縁性
樹脂フィルム層３Ｂ及びダイボンド材層３Ｃを介在させ
て半導体ペレット４を搭載している。半導体ペレット４
は４［Ｍｂｉｔｌの大容敬を有するＤＲＡＭで構成され
ている。
このＤＲＡ層を内蔵する半導体ペレット４は第５図（チ
ップレイアウト図）に示すように平面が長方形状で構成
されている。この半導体ペレット４は、長辺方向の寸法
が１５．２［ｍｍ］、短辺方向の寸法が５ 、９ ［ｍ
ｍ］のサイズで形成されている。
ップレイアウト図）に示すように平面が長方形状で構成
されている。この半導体ペレット４は、長辺方向の寸法
が１５．２［ｍｍ］、短辺方向の寸法が５ 、９ ［ｍ
ｍ］のサイズで形成されている。
半導体ペレット４の中央部分には １［Ｍｂｉｔｌの容
量のメモリセルアレイ（Ｍ−ＡＲＹ）４Ｂが４マツト配
置されている。メモリセルアレイ４Ｂは、図中上下にワ
ード線を延在させ１図中左右に相補性データ線を延在さ
せている。ワード線と相補性データ線との交差部には
１ ［ｂＬｔ］の情報を記憶するメモリセルが配置され
ている。メモリセルは。
量のメモリセルアレイ（Ｍ−ＡＲＹ）４Ｂが４マツト配
置されている。メモリセルアレイ４Ｂは、図中上下にワ
ード線を延在させ１図中左右に相補性データ線を延在さ
せている。ワード線と相補性データ線との交差部には
１ ［ｂＬｔ］の情報を記憶するメモリセルが配置され
ている。メモリセルは。
メモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴと情報蓄積用容量素子と
の直列回路で構成されている。
の直列回路で構成されている。
図中上下に配置された２個のメモリセルアレイ４Ｂ間に
はＸデコーダ回路４Ｃ及びワードドライバ回路４Ｄが配
置されている。図中左右に配置された２個のメモリセル
アレイ４Ｂ間にはＹデコーダ回路４Ｅが配置されている
。図中右側のメモリセルアレイ４Ｂの一端にはセンスア
ンプ回路・共通入出力信号線・共通接地線４Ｆが配置さ
れている。
はＸデコーダ回路４Ｃ及びワードドライバ回路４Ｄが配
置されている。図中左右に配置された２個のメモリセル
アレイ４Ｂ間にはＹデコーダ回路４Ｅが配置されている
。図中右側のメモリセルアレイ４Ｂの一端にはセンスア
ンプ回路・共通入出力信号線・共通接地線４Ｆが配置さ
れている。
図中、上側のメモリセルアレイ４Ｂの周囲には、データ
出力バッファ回路４Ｇ及び４工、ＣＡＳ・ＷＥ系回路４
Ｈ，Ｘ、Ｙアドレスバラフッ回路４Ｊ、メインアンプ４
にの夫々が配置されている。
出力バッファ回路４Ｇ及び４工、ＣＡＳ・ＷＥ系回路４
Ｈ，Ｘ、Ｙアドレスバラフッ回路４Ｊ、メインアンプ４
にの夫々が配置されている。
図中、下側のメモリセルアレイ４Ｂの周囲には、ＲＡＳ
系回路４Ｌ、Ｘアドレスバッファ回路４Ｍ、Ｙアドレス
バラフッ回路４Ｐ、Ｘ、Ｙジェネレータ４Ｎ、Ｘジェネ
レータ４０．５ＨＲ−ＰＣジェネレータ４Ｑが配置され
ている。
系回路４Ｌ、Ｘアドレスバッファ回路４Ｍ、Ｙアドレス
バラフッ回路４Ｐ、Ｘ、Ｙジェネレータ４Ｎ、Ｘジェネ
レータ４０．５ＨＲ−ＰＣジェネレータ４Ｑが配置され
ている。
このように構成される樹脂封止型半導体装置１は平面が
長方形状の樹脂封止材６の短辺方向の寸法が７ 、３
［ｍｍｌ、長辺方向の寸法が２２ 、８６ ［ｍｍ１（
９００［ｍｉｌ］） テ構成されている。
長方形状の樹脂封止材６の短辺方向の寸法が７ 、３
［ｍｍｌ、長辺方向の寸法が２２ 、８６ ［ｍｍ１（
９００［ｍｉｌ］） テ構成されている。
前記樹脂封止型半導体装置１は第６図（要部拡大平面図
）に示すリードフレーム２を使用することにより形成さ
れている。このリードフレーム２は、第７図（平面図）
に示すように切断工程及び成型工程前まで複数個直列に
連結され、リードフレームユニット（多連リードフレー
ム）を構成している。本実施例のリードフレームユニッ
トはこれに限定されないが６個のリードフレーム２を直
列に連結している。
）に示すリードフレーム２を使用することにより形成さ
れている。このリードフレーム２は、第７図（平面図）
に示すように切断工程及び成型工程前まで複数個直列に
連結され、リードフレームユニット（多連リードフレー
ム）を構成している。本実施例のリードフレームユニッ
トはこれに限定されないが６個のリードフレーム２を直
列に連結している。
第６図及び第７図に示すように、インナーリード２Ａ及
びアウターリード２Ｂの一端側はタイバー２Ｄを介して
外枠２Ｆで支持されている。インナーリード２Ａのタイ
バー２Ｄで支持される部分の近傍には貫通孔２Ｃが設け
られている。貫通孔２Ｃは、その内側に樹脂封止材６を
食い込ませ。
びアウターリード２Ｂの一端側はタイバー２Ｄを介して
外枠２Ｆで支持されている。インナーリード２Ａのタイ
バー２Ｄで支持される部分の近傍には貫通孔２Ｃが設け
られている。貫通孔２Ｃは、その内側に樹脂封止材６を
食い込ませ。
インナーリード２Ａ及びアウターリード２Ｂを樹脂封止
材６で確実に保持できるように構成されている。アウタ
ーリード２Ｂの他端側は内枠２Ｅを介して外枠２Ｆに支
持されている。図中、符号４を付けて二点鎖線で囲まれ
た領域内は半導体ペレット４が搭載される領域である。
材６で確実に保持できるように構成されている。アウタ
ーリード２Ｂの他端側は内枠２Ｅを介して外枠２Ｆに支
持されている。図中、符号４を付けて二点鎖線で囲まれ
た領域内は半導体ペレット４が搭載される領域である。
前記リードフレーム２の一端側の外枠２Ｆ（図中上側）
には組立用位置合せ孔（パイロットホール）２Ｇが設け
られている。この組立用位置合せ孔２Ｇは、リードフレ
ーム２に前述の絶縁性樹脂フィルム層３Ｂを接着Ｍ３Ａ
を介して接着する際やこの絶縁性樹脂フィルム層３Ｂ上
にダイボンド材層３Ｃを介して半導体ペレット４を搭載
する際の位置合せに使用されている。また、リードフレ
ーム２の他端側の外枠２Ｆ（図中下側）には封止用位置
合せ孔２Ｈが設けられている。封止用位置合せ孔２Ｈは
、リードフレーム２に搭載された半導体ペレット４を樹
脂封止材６で封止する際の位置合せに使用されている。
には組立用位置合せ孔（パイロットホール）２Ｇが設け
られている。この組立用位置合せ孔２Ｇは、リードフレ
ーム２に前述の絶縁性樹脂フィルム層３Ｂを接着Ｍ３Ａ
を介して接着する際やこの絶縁性樹脂フィルム層３Ｂ上
にダイボンド材層３Ｃを介して半導体ペレット４を搭載
する際の位置合せに使用されている。また、リードフレ
ーム２の他端側の外枠２Ｆ（図中下側）には封止用位置
合せ孔２Ｈが設けられている。封止用位置合せ孔２Ｈは
、リードフレーム２に搭載された半導体ペレット４を樹
脂封止材６で封止する際の位置合せに使用されている。
次に１本発明者が開発中のＺＩＰ型の樹脂封止型半導体
装置１の具体的な構造について、第８図（半導体ペレッ
ト搭載時の部分断面平面図）及び第９図（半導体ペレッ
ト非搭載時の部分断面平面図）を用いて説明する。
装置１の具体的な構造について、第８図（半導体ペレッ
ト搭載時の部分断面平面図）及び第９図（半導体ペレッ
ト非搭載時の部分断面平面図）を用いて説明する。
第８図及び第９図に示す樹脂封止型半導体装置１は２０
本のアウタリード２Ｂを有するＺＩＰ型で構成されてい
る。この樹脂封止型半導体装置１はピン挿入型である。
本のアウタリード２Ｂを有するＺＩＰ型で構成されてい
る。この樹脂封止型半導体装置１はピン挿入型である。
アウターリード２Ｂに夫々印加される信号名は前記第４
図に示すＤＩＰ型の樹脂封止型半導体装ｒｎ１のそれと
実質的に同等であるのでここでの説明は省略する。また
、ＺＩＰ型の樹脂封止型半導体装置１の半導体ペレット
４は、前記第４図に示すＤＩＰ型の樹脂封止型半導体装
に１の半導体ペレット４と実質的に同様の４［Ｍｂｉｔ
］の大容量を有するＤＲＡＭで構成されているのでここ
での説明は省略する。なお、第８図中、半導体ペレット
４上のＰＣはＤＲＡＭの周辺回路であり、前記第５図に
示すＤＲＡＭの周辺回路を総称して示している。
図に示すＤＩＰ型の樹脂封止型半導体装ｒｎ１のそれと
実質的に同等であるのでここでの説明は省略する。また
、ＺＩＰ型の樹脂封止型半導体装置１の半導体ペレット
４は、前記第４図に示すＤＩＰ型の樹脂封止型半導体装
に１の半導体ペレット４と実質的に同様の４［Ｍｂｉｔ
］の大容量を有するＤＲＡＭで構成されているのでここ
での説明は省略する。なお、第８図中、半導体ペレット
４上のＰＣはＤＲＡＭの周辺回路であり、前記第５図に
示すＤＲＡＭの周辺回路を総称して示している。
また、半導体ペレット４の外部端子４Ａはその配置数を
示すために符号Ｐ□〜ＰＪｓを付けている。
示すために符号Ｐ□〜ＰＪｓを付けている。
同様に、樹脂封止型半導体装置１のアウターリード２Ｂ
はその本数を示すために符号Ｌ工〜Ｌ２゜を付けている
。
はその本数を示すために符号Ｌ工〜Ｌ２゜を付けている
。
このＺＩＰ型の樹脂封止型半導体装置１は、第９図に示
すようにタブ２Ｊ及びインナーリード２Ａ上に半導体ペ
レット４を搭載している。つまり、このＺＩＰ型の樹脂
封止型半導体装置１は一部タブレス構造で構成されてい
る。前記第１図、第２図及び第４図に示す樹脂封止型半
導体装置１と同様に、このＺＩＰ型の樹脂封止型半導体
装置１はタブ２Ｊ及びインナーリード２Ａ上と半導体ペ
レット４との間に前者側から順次積層された接着層３Ａ
、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂ及びダイボンド材層３Ｃを
介在させている。前述のように、絶縁性樹脂フィルム層
３Ｂはポリイミド樹脂層で形成され、接着層３Ａはポリ
エーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層で形成
されている。
すようにタブ２Ｊ及びインナーリード２Ａ上に半導体ペ
レット４を搭載している。つまり、このＺＩＰ型の樹脂
封止型半導体装置１は一部タブレス構造で構成されてい
る。前記第１図、第２図及び第４図に示す樹脂封止型半
導体装置１と同様に、このＺＩＰ型の樹脂封止型半導体
装置１はタブ２Ｊ及びインナーリード２Ａ上と半導体ペ
レット４との間に前者側から順次積層された接着層３Ａ
、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂ及びダイボンド材層３Ｃを
介在させている。前述のように、絶縁性樹脂フィルム層
３Ｂはポリイミド樹脂層で形成され、接着層３Ａはポリ
エーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層で形成
されている。
前記タブは樹脂封止後のリードフレーム（２）の切断工
程及び成型工程前までタブ吊りリード２工を介してリー
ドフレーム（２）の外枠（２Ｆ）に支持されている。
程及び成型工程前までタブ吊りリード２工を介してリー
ドフレーム（２）の外枠（２Ｆ）に支持されている。
ＺＩＰ型の樹脂封止型半導体装置１は、樹脂封止材６の
一側面から全部のアウターリード２Ｂを突出させ、アウ
ターリード２Ｂをジグザグに成型している。この種のＺ
ＩＰ型の樹脂封止型半導体装置１は、前述のＤＩＰ型の
樹脂封止型半導体装置に比べて実装面積を向上すること
ができ、大容量の記憶装置（例えばバイトマシン）を構
成する場合に好適である。
一側面から全部のアウターリード２Ｂを突出させ、アウ
ターリード２Ｂをジグザグに成型している。この種のＺ
ＩＰ型の樹脂封止型半導体装置１は、前述のＤＩＰ型の
樹脂封止型半導体装置に比べて実装面積を向上すること
ができ、大容量の記憶装置（例えばバイトマシン）を構
成する場合に好適である。
次に、本発明者が開発中のＳＯＪ型のタブレス構造の樹
脂封止型半導体装置の具体的な構造について、第１０図
及び第１１図（要部断面図）を用いて説明する。
脂封止型半導体装置の具体的な構造について、第１０図
及び第１１図（要部断面図）を用いて説明する。
第１０図、第１１図の夫々に示すＳＯＪ型の樹脂封止型
半導体装置１は、アウターリード２Ｂの先端側がＪ型形
状に折り曲げられ、樹脂封止材６の底面に形成された凹
部６Ａに挿入されている。
半導体装置１は、アウターリード２Ｂの先端側がＪ型形
状に折り曲げられ、樹脂封止材６の底面に形成された凹
部６Ａに挿入されている。
これらの樹脂封止型半導体装置１は面実装型である。Ｓ
ＯＪ型の樹脂封止型半導体装置１は前述のＤＩＰ型の樹
脂封止型半導体装置１、ＺＩＰ型の樹脂封止型半導体装
置１の夫々と同様にインナーリード２Ａ上に半導体ペレ
ット４を搭載している。
ＯＪ型の樹脂封止型半導体装置１は前述のＤＩＰ型の樹
脂封止型半導体装置１、ＺＩＰ型の樹脂封止型半導体装
置１の夫々と同様にインナーリード２Ａ上に半導体ペレ
ット４を搭載している。
インナーリード２Ａと半導体ペレット４との間には、同
様に、順次積層された接着層３Ａ、絶縁性樹脂フィルム
Ｍ３Ｂ及びダイボンド材層３Ｃが設けられている。
様に、順次積層された接着層３Ａ、絶縁性樹脂フィルム
Ｍ３Ｂ及びダイボンド材層３Ｃが設けられている。
第１０図に示すＳＯＪ型の樹脂封止型半導体装置１は、
前述のＤＩＰ型の樹脂封止型半導体装置１、ＺＩＰ型の
樹脂封止型半導体装［１の夫々と同様に、半導体ペレッ
ト４の外部端子４Ａが存在しない裏面とインナーリード
２Ａの表面とを対向させている。第１１図に示すＳＯＪ
型の樹脂封止型半導体装置１は半導体ペレット４の外部
端子４Ａが存在する表面（素子形成面゛）とインナーリ
ード２Ａの表面とを対向させている。つまり、この樹脂
封止型半導体装置１は、インナーリード２Ａの表面から
接着層３Ａ、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂ、ダイボンド材
層３Ｃの夫々を順次介在させて半導体ペレット４の素子
形成面に接着されている。半導体ペレット４の外部端子
４Ａは略中央部分に配置されている。
前述のＤＩＰ型の樹脂封止型半導体装置１、ＺＩＰ型の
樹脂封止型半導体装［１の夫々と同様に、半導体ペレッ
ト４の外部端子４Ａが存在しない裏面とインナーリード
２Ａの表面とを対向させている。第１１図に示すＳＯＪ
型の樹脂封止型半導体装置１は半導体ペレット４の外部
端子４Ａが存在する表面（素子形成面゛）とインナーリ
ード２Ａの表面とを対向させている。つまり、この樹脂
封止型半導体装置１は、インナーリード２Ａの表面から
接着層３Ａ、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂ、ダイボンド材
層３Ｃの夫々を順次介在させて半導体ペレット４の素子
形成面に接着されている。半導体ペレット４の外部端子
４Ａは略中央部分に配置されている。
次に、前記第４図乃至第７図に示すＤＩＰ型の樹脂封止
型半導体装置１の組立方法について、第１２図（組立フ
ロー図）を用いて説明する。
型半導体装置１の組立方法について、第１２図（組立フ
ロー図）を用いて説明する。
まず、前記第７図に示すリードフレームユニットを第１
３図（貼付装置の概略構成図）に示すフィルム貼付装置
７に供給する＜１０〉。前記リードフレームユニットの
各リードフレーム２は本実施例において鉄−ニッケル合
金で形成されている。各リードフレーム２の形状は通常
プレス加工やエツチング加工によって形成されている。
３図（貼付装置の概略構成図）に示すフィルム貼付装置
７に供給する＜１０〉。前記リードフレームユニットの
各リードフレーム２は本実施例において鉄−ニッケル合
金で形成されている。各リードフレーム２の形状は通常
プレス加工やエツチング加工によって形成されている。
次に、フィルム貼付装置７に供給されたリードフレーム
ユニットはフィルム貼付装置７のヒートブロック７Ａの
フィルム貼付位置に位置合せされると共に固定される〈
１１〉。このリードフレームユニットの位置合せは、各
リードフレーム２の組立用位置合せ孔（パイロットホー
ル）２Ｇを介して行われる。
ユニットはフィルム貼付装置７のヒートブロック７Ａの
フィルム貼付位置に位置合せされると共に固定される〈
１１〉。このリードフレームユニットの位置合せは、各
リードフレーム２の組立用位置合せ孔（パイロットホー
ル）２Ｇを介して行われる。
次に、フィルム貼付装置７のヒートブロック７Ａに対向
する位置に配置されたダイアＢ上に長尺の絶縁フィルム
を供給し、この長尺状の絶縁フィルムをダイアＢ及バン
チガイド７Ｃで挟持する。
する位置に配置されたダイアＢ上に長尺の絶縁フィルム
を供給し、この長尺状の絶縁フィルムをダイアＢ及バン
チガイド７Ｃで挟持する。
この絶縁フィルムは、絶縁性樹脂フィルムＷ３Ｂとその
下面（インナーリード２Ａに接着する側）に塗布された
接着層（ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイ
ミドり３Ａとで形成された複合膜である。リードフレー
ム２は鉄−ニッケル合金材料で形成しているので、絶縁
性樹脂フィルム層３Ｂは好ましくは約１２ Ｘ １０−
”［℃−１１程度の低い範囲の線熱膨張係数を有するポ
リイミド樹脂層を使用する。接着層３Ａであるポリエー
テルアミド又はポリエーテルアミドイミド層は１７０〜
２２０［℃］の低い範囲のガラス転移温度又は２００〜
２６０ ［”Ｃ］の高い範囲のガラス転移温度のものを
使用する。
下面（インナーリード２Ａに接着する側）に塗布された
接着層（ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイ
ミドり３Ａとで形成された複合膜である。リードフレー
ム２は鉄−ニッケル合金材料で形成しているので、絶縁
性樹脂フィルム層３Ｂは好ましくは約１２ Ｘ １０−
”［℃−１１程度の低い範囲の線熱膨張係数を有するポ
リイミド樹脂層を使用する。接着層３Ａであるポリエー
テルアミド又はポリエーテルアミドイミド層は１７０〜
２２０［℃］の低い範囲のガラス転移温度又は２００〜
２６０ ［”Ｃ］の高い範囲のガラス転移温度のものを
使用する。
次に、第１３図に示すように、ダイアＢ及びパンチガイ
ド７Ｃで挟持された絶縁フィルムをパンチ７Ｄで所定の
サイズに打抜＜ ＜１２＞。絶縁フィルムは、前述のＤ
ＩＰ型の樹脂封止型半導体装置１の場合５例えば５．７
［ｍｍ］Ｘ １５．５［ｍｍｌのサイズで打抜かれる。
ド７Ｃで挟持された絶縁フィルムをパンチ７Ｄで所定の
サイズに打抜＜ ＜１２＞。絶縁フィルムは、前述のＤ
ＩＰ型の樹脂封止型半導体装置１の場合５例えば５．７
［ｍｍ］Ｘ １５．５［ｍｍｌのサイズで打抜かれる。
次に、第１４図（フィルム貼付装置の概略構成図）に示
すように、前記打抜かれた絶縁フィルムの絶縁性樹脂フ
ィルム層３Ｂをその下層の接着層３Ａを介してインナー
リード２Ａの表面に仮付けする＜１３〉。この仮付けは
、パンチ７Ｄの内部から突出する押付捧７Ｅを用い、絶
縁フィルムの中心位置近傍において一個所又は複数個所
の点付けで行い、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂが移動しな
い程度に行う。
すように、前記打抜かれた絶縁フィルムの絶縁性樹脂フ
ィルム層３Ｂをその下層の接着層３Ａを介してインナー
リード２Ａの表面に仮付けする＜１３〉。この仮付けは
、パンチ７Ｄの内部から突出する押付捧７Ｅを用い、絶
縁フィルムの中心位置近傍において一個所又は複数個所
の点付けで行い、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂが移動しな
い程度に行う。
２００〜２６０ ［”Ｃ］の高い範囲のガラス転移温度
を有するポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイ
ミド層を接着層３Ａとし、かつ約１［％］程度の溶媒を
残存させた場合、高温軟化流動性が改善され、約２５０
［℃］程度の低温度において仮付けを行うことができ
る。また、仮付けは後述する本圧着と同等或はそれ以下
の極わずかな押付は力で行うことができる。また、１回
の仮付は時間は０．３〜０．５秒程度の短時間である。
を有するポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイ
ミド層を接着層３Ａとし、かつ約１［％］程度の溶媒を
残存させた場合、高温軟化流動性が改善され、約２５０
［℃］程度の低温度において仮付けを行うことができ
る。また、仮付けは後述する本圧着と同等或はそれ以下
の極わずかな押付は力で行うことができる。また、１回
の仮付は時間は０．３〜０．５秒程度の短時間である。
仮付けはリードフレームユニットの各リードフレーム２
毎に行われる。つまり、本実施例において、１個のリー
ドフレームユニット当り６回の仮付けを行う。各リード
フレーム２毎の仮付けは、絶縁フィルムとの位置合せを
行いながら絶縁フィルムをインナーリード２Ａの表面に
接着してゆくので、位置合せ精度の高い仮付けを行うこ
とができる。なお、仮付は不良を生じた場合には、再度
位置合せを行い（１１） 、それ以後の工程を繰返す。
毎に行われる。つまり、本実施例において、１個のリー
ドフレームユニット当り６回の仮付けを行う。各リード
フレーム２毎の仮付けは、絶縁フィルムとの位置合せを
行いながら絶縁フィルムをインナーリード２Ａの表面に
接着してゆくので、位置合せ精度の高い仮付けを行うこ
とができる。なお、仮付は不良を生じた場合には、再度
位置合せを行い（１１） 、それ以後の工程を繰返す。
次に、仮付けされた絶縁フィルムに第１回目のベーキン
グ処理を施す（１４） 、ベーキング処理は、仮付は温
度の範囲内例えば２５０〜３００ ［℃］程度の温度で
約１分間行う。ベーキング処理は、絶縁フィルムの脱湿
を行うことができ、次段工程の本圧着時において発泡の
発生を防止することができる。
グ処理を施す（１４） 、ベーキング処理は、仮付は温
度の範囲内例えば２５０〜３００ ［℃］程度の温度で
約１分間行う。ベーキング処理は、絶縁フィルムの脱湿
を行うことができ、次段工程の本圧着時において発泡の
発生を防止することができる。
また、第１回目のベーキング処理は、２００〜２６０
［℃］の高い範囲のガラス転移温度を有するポリエーテ
ルアミド又はポリエーテルアミドイミド層を接着層３Ａ
とする場合、接着層３Ａ中に残存する余分な溶媒を低減
することができ、同様に本圧着時の発泡の発生を防止す
ることができる。
［℃］の高い範囲のガラス転移温度を有するポリエーテ
ルアミド又はポリエーテルアミドイミド層を接着層３Ａ
とする場合、接着層３Ａ中に残存する余分な溶媒を低減
することができ、同様に本圧着時の発泡の発生を防止す
ることができる。
さらに、第１回目のベーキング処理は、前記接着層３Ａ
中に残存する溶媒を気化させ、この気化された溶媒を被
接着面となるインナーリード２Ａの表面に吸着させるこ
とができる。このインナーリード２Ａの表面に吸着され
た溶媒は、もともと接着Ｆ！！（ポリエーテルアミド又
はポリエーテルアミドイミド層）３Ａと親和性を有する
ものなので、インナーリード２Ａと接着層３Ａとの謬れ
性を高め、両者の接着強度を高めることができる。
中に残存する溶媒を気化させ、この気化された溶媒を被
接着面となるインナーリード２Ａの表面に吸着させるこ
とができる。このインナーリード２Ａの表面に吸着され
た溶媒は、もともと接着Ｆ！！（ポリエーテルアミド又
はポリエーテルアミドイミド層）３Ａと親和性を有する
ものなので、インナーリード２Ａと接着層３Ａとの謬れ
性を高め、両者の接着強度を高めることができる。
ベーキング処理は仮付は温度以下つまり一旦経験した温
度以下においては接着層３Ａは良好な接着性を示さない
ので前記２５０［℃］以上の温度で行う。また、ベーキ
ング処理は３７０［℃］を趣えると接着層３Ａが分解し
て接着性を失うので３００［℃］以下の温度で行う。
度以下においては接着層３Ａは良好な接着性を示さない
ので前記２５０［℃］以上の温度で行う。また、ベーキ
ング処理は３７０［℃］を趣えると接着層３Ａが分解し
て接着性を失うので３００［℃］以下の温度で行う。
次に、仮付けされかつ第１回目のベーキング処理が施さ
れた絶縁フィルムに本圧着を施し、インナーリード２Ａ
の表面に接着層３Ａを介して絶縁性樹脂フィルム層３Ｂ
を確実に接着する＜１５〉。
れた絶縁フィルムに本圧着を施し、インナーリード２Ａ
の表面に接着層３Ａを介して絶縁性樹脂フィルム層３Ｂ
を確実に接着する＜１５〉。
本圧着は約３００ ［℃］の温度で約１０秒行う。本圧
着は、リードフレームユニット単位で行い、リードフレ
ームユニットの各リードフレーム２のインナーリード２
Ａの表面に仮付けされた絶縁フィルムを一括して接着す
る。したがって、各リードフレーム２当りに要する本圧
着時間は１回の仮付は時間と略同等になる。本圧着は各
インナーリード２Ａの絶縁フィルムに均一に押付は圧力
を加えることが肝要である。このように本圧着を行うこ
とにより、絶縁フィルムの接着層３Ａとインナーリード
２Ａとの接着界面に空気が巻込まれることを低減し、前
記接着界面の接着強度を向上することができる。本圧着
は、リードフレームユニットに対する全体の押付は圧力
を例えば約１３０［ｋｇｌで行う。したがって１本圧着
は絶縁フィルムに受ける単位面積当りの圧力が約２５０
［ｇ／ｎ＋ｍ”１．リードフレーム２Ａに受ける単位面
積当りの圧力が約８００ ［ｇ／１ｍ１］程度の極わず
かの押付は力で行うことができる。
着は、リードフレームユニット単位で行い、リードフレ
ームユニットの各リードフレーム２のインナーリード２
Ａの表面に仮付けされた絶縁フィルムを一括して接着す
る。したがって、各リードフレーム２当りに要する本圧
着時間は１回の仮付は時間と略同等になる。本圧着は各
インナーリード２Ａの絶縁フィルムに均一に押付は圧力
を加えることが肝要である。このように本圧着を行うこ
とにより、絶縁フィルムの接着層３Ａとインナーリード
２Ａとの接着界面に空気が巻込まれることを低減し、前
記接着界面の接着強度を向上することができる。本圧着
は、リードフレームユニットに対する全体の押付は圧力
を例えば約１３０［ｋｇｌで行う。したがって１本圧着
は絶縁フィルムに受ける単位面積当りの圧力が約２５０
［ｇ／ｎ＋ｍ”１．リードフレーム２Ａに受ける単位面
積当りの圧力が約８００ ［ｇ／１ｍ１］程度の極わず
かの押付は力で行うことができる。
次に、２００〜２６０ ［℃］の高い範囲のガラス転移
温度を有するポリエーテルアミド又はポリエーテルアミ
ドイミド層を接着層３Ａとする場合、接着層３Ａ中に残
存する余分な溶媒を実質的に除去するために第２回目の
ベーキング処理を行う〈１６〉。第２回目のベーキング
処理は前記第１回目のベーキング処理と路間等の温度及
び時間で行う。
温度を有するポリエーテルアミド又はポリエーテルアミ
ドイミド層を接着層３Ａとする場合、接着層３Ａ中に残
存する余分な溶媒を実質的に除去するために第２回目の
ベーキング処理を行う〈１６〉。第２回目のベーキング
処理は前記第１回目のベーキング処理と路間等の温度及
び時間で行う。
前述の第１回目のベーキング処理、本圧着、第２回目の
ベーキング処理の夫々はフィルム貼付装置７に組込んだ
ヒートブロック７Ａを用いて行うが、本発明は必ずしも
これに限定されない。
ベーキング処理の夫々はフィルム貼付装置７に組込んだ
ヒートブロック７Ａを用いて行うが、本発明は必ずしも
これに限定されない。
次に、フィルム貼付装置７からリードフレームユニット
を取り出しく１７） 、このリードフレームユニットを
ペレットボンディング装置に搬送する。
を取り出しく１７） 、このリードフレームユニットを
ペレットボンディング装置に搬送する。
ペレットボンディング装置においては、リードフレーム
ユニットの各リードフレーム２のインナーリード２Ａ上
に接着された絶縁性樹脂フィルム層３Ｂの表面上にダイ
ボンド材層３Ｃを塗布し、このダイボンド材ｆｆ３ｃを
介して絶縁性樹脂フィルム暦３Ｂ上に半導体ペレット４
を搭載する〈１８〉。
ユニットの各リードフレーム２のインナーリード２Ａ上
に接着された絶縁性樹脂フィルム層３Ｂの表面上にダイ
ボンド材層３Ｃを塗布し、このダイボンド材ｆｆ３ｃを
介して絶縁性樹脂フィルム暦３Ｂ上に半導体ペレット４
を搭載する〈１８〉。
次に、ワイヤボンディング装置でワイヤボンディングを
行い、半導体ペレット４の外部端子４Ａとインナーリー
ド２Ａとをボンディングワイヤ５を介して接続する〈１
９〉。
行い、半導体ペレット４の外部端子４Ａとインナーリー
ド２Ａとをボンディングワイヤ５を介して接続する〈１
９〉。
次に、リードフレームユニットをボンディング装置から
樹脂封止装置に搬送し、この樹脂封止装置で前記半導体
ペレット４等を樹脂封止材６で封止する〈２０〉。
樹脂封止装置に搬送し、この樹脂封止装置で前記半導体
ペレット４等を樹脂封止材６で封止する〈２０〉。
次に、前記リードフレームユニットを切断成型装置に搬
送し、この切断成型装置でリードフレーム２の外枠２Ｆ
や内枠２Ｅ等を切断し、所定の形状に成型〈２１〉する
ことによって、本実施例のＤＩＰ型の樹脂封止型半導体
装置１の組立工程が完了する。
送し、この切断成型装置でリードフレーム２の外枠２Ｆ
や内枠２Ｅ等を切断し、所定の形状に成型〈２１〉する
ことによって、本実施例のＤＩＰ型の樹脂封止型半導体
装置１の組立工程が完了する。
このように、タブレス構造の樹脂封止型半導体装置１の
組立方法において、前記絶縁性樹脂フィルムｆｆ３Ｂの
インナーリード２Ａに接着される側の表面に接着層３Ａ
として溶媒を若干量残存させたガラス転移温度が約２０
０〜２６０ ［℃］の範囲のポリエーテルアミド又はポ
リエーテルアミドイミド層を形成する工程と、前記イン
ナーリード２Ａに前記ポリエーテルアミド又はポリエー
テルアミドイミド層（３Ａ）を介在させて前記絶縁性樹
脂フィルムＷ３Ｂを熱圧着で接着する工程とを何えるこ
とにより、前記ポリエーテルアミド又はポリエーテルア
ミドイミド層（３Ａ）の高温軟化流動性を改善し、イン
ナーリード２Ａに絶縁性樹脂フィルム層３Ｂを接着する
熱圧着温度を約２０〜５０［℃］低減することができる
ので、低温プロセスを採用し、樹脂封止型半導体装置１
の組立工程における作業性を向上することができる。ま
た、樹脂封止型半導体装置１の組立工程は、低温度で熱
圧着が行えるので、組立工程時間を短縮することができ
る。
組立方法において、前記絶縁性樹脂フィルムｆｆ３Ｂの
インナーリード２Ａに接着される側の表面に接着層３Ａ
として溶媒を若干量残存させたガラス転移温度が約２０
０〜２６０ ［℃］の範囲のポリエーテルアミド又はポ
リエーテルアミドイミド層を形成する工程と、前記イン
ナーリード２Ａに前記ポリエーテルアミド又はポリエー
テルアミドイミド層（３Ａ）を介在させて前記絶縁性樹
脂フィルムＷ３Ｂを熱圧着で接着する工程とを何えるこ
とにより、前記ポリエーテルアミド又はポリエーテルア
ミドイミド層（３Ａ）の高温軟化流動性を改善し、イン
ナーリード２Ａに絶縁性樹脂フィルム層３Ｂを接着する
熱圧着温度を約２０〜５０［℃］低減することができる
ので、低温プロセスを採用し、樹脂封止型半導体装置１
の組立工程における作業性を向上することができる。ま
た、樹脂封止型半導体装置１の組立工程は、低温度で熱
圧着が行えるので、組立工程時間を短縮することができ
る。
また、タブレス構造の樹脂封止型半導体装置１の組立方
法において、前記絶縁性樹脂フィルム層３Ｂのインナー
リード２Ａに接着される側の表面に接着層３Ａとしてガ
ラス転移温度が約１７０〜２６０ ［℃］の範囲のポリ
エーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層を形成
する工程と、前記インナーリード２Ａに前記ポリエーテ
ルアミド又はポリエーテルアミドイミド層（３Ａ）を介
在させて前記絶縁性樹脂フィルム層３Ｂを部分的に熱圧
着で仮付けする工程と、前記インナーリード２Ａに仮付
けされた絶縁性樹脂フィルム層３Ｂを熱圧着で本付けす
る工程とを備えることにより、前記インナーリード２Ａ
に複数回の熱圧着で絶縁性樹脂フィルム層３Ｂを接着し
、前記インナーリード２Ａとポリエーテルアミド又はポ
リエーテルアミトイミド層（３Ａ）との接着界面に熱圧
着時に生じる空気の巻込みを低減することができるので
、インナーリード２Ａとポリエーテルアミド又はポリエ
ーテルアミドイミド層（３Ａ）との接着強度を高めて接
着不良を低減し、樹脂封止型半導体装置１の製造上の歩
留りを向上することができる。
法において、前記絶縁性樹脂フィルム層３Ｂのインナー
リード２Ａに接着される側の表面に接着層３Ａとしてガ
ラス転移温度が約１７０〜２６０ ［℃］の範囲のポリ
エーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層を形成
する工程と、前記インナーリード２Ａに前記ポリエーテ
ルアミド又はポリエーテルアミドイミド層（３Ａ）を介
在させて前記絶縁性樹脂フィルム層３Ｂを部分的に熱圧
着で仮付けする工程と、前記インナーリード２Ａに仮付
けされた絶縁性樹脂フィルム層３Ｂを熱圧着で本付けす
る工程とを備えることにより、前記インナーリード２Ａ
に複数回の熱圧着で絶縁性樹脂フィルム層３Ｂを接着し
、前記インナーリード２Ａとポリエーテルアミド又はポ
リエーテルアミトイミド層（３Ａ）との接着界面に熱圧
着時に生じる空気の巻込みを低減することができるので
、インナーリード２Ａとポリエーテルアミド又はポリエ
ーテルアミドイミド層（３Ａ）との接着強度を高めて接
着不良を低減し、樹脂封止型半導体装置１の製造上の歩
留りを向上することができる。
また、タブレス構造の樹脂封止型半導体装１ｉ！１の組
立方法において、前記絶縁性樹脂フィルム層３Ｂのイン
ナーリード２Ａに接着される側の表面に接着層３Ａとし
て溶媒を若干量残存させたガラス転移温度が約２００〜
２６０［℃］の範囲のポリエーテルアミド又はポリエー
テルアミドイミド層を形成する工程と、前記インナーリ
ード２Ａに前記ポリエーテルアミド又はポリエーテルア
ミドイミド層（３Ａ）を介在させて前記絶縁性樹脂フィ
ルム層３Ｂを部分的に熱圧着で仮付けする工程と、前記
ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層（
３Ａ）の溶媒の残存量をベーキング処理によって低減す
る工程と、前記インナーリード２Ａに仮付けされた絶縁
性樹脂フィルム層３Ｂを熱圧着で本付けする工程とを備
えることにより、前記ポリエーテルアミド又はポリエー
テルアミドイミド層（３Ａ）の高温軟化流動性を改善し
て、作業性の高い低温度の熱圧着でインナーリード２Ａ
に絶縁性樹脂フィルム層３Ｂを仮付けすることができる
と共に、前記ベーキング処理で絶縁性樹脂フィルム層３
Ｂの脱湿及びポリエーテルアミド又はポリエーテルアミ
ドイミド層（３Ａ）の余分な溶媒を気化させ、インナー
リード２Ａに絶縁性樹脂フィルム層３Ｂを本付けする際
に生じる発泡を低減することができるので、接着強度を
高めて接着不良を低減し、樹脂封止型半導体装置１の組
立工程上の歩留りを向上することができる。また、前記
ベーキング処理はポリエーテルアミド又はポリエーテル
アミドイミド層（３Ａ）から気化された溶媒をインナー
リード２Ａの被接着面に吸着させ、インナーリード２Ａ
とポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミドｆ
ｆ１（３Ａ）との濡れ性を向上することができるので、
接着強度をさらに高めることができる。
立方法において、前記絶縁性樹脂フィルム層３Ｂのイン
ナーリード２Ａに接着される側の表面に接着層３Ａとし
て溶媒を若干量残存させたガラス転移温度が約２００〜
２６０［℃］の範囲のポリエーテルアミド又はポリエー
テルアミドイミド層を形成する工程と、前記インナーリ
ード２Ａに前記ポリエーテルアミド又はポリエーテルア
ミドイミド層（３Ａ）を介在させて前記絶縁性樹脂フィ
ルム層３Ｂを部分的に熱圧着で仮付けする工程と、前記
ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層（
３Ａ）の溶媒の残存量をベーキング処理によって低減す
る工程と、前記インナーリード２Ａに仮付けされた絶縁
性樹脂フィルム層３Ｂを熱圧着で本付けする工程とを備
えることにより、前記ポリエーテルアミド又はポリエー
テルアミドイミド層（３Ａ）の高温軟化流動性を改善し
て、作業性の高い低温度の熱圧着でインナーリード２Ａ
に絶縁性樹脂フィルム層３Ｂを仮付けすることができる
と共に、前記ベーキング処理で絶縁性樹脂フィルム層３
Ｂの脱湿及びポリエーテルアミド又はポリエーテルアミ
ドイミド層（３Ａ）の余分な溶媒を気化させ、インナー
リード２Ａに絶縁性樹脂フィルム層３Ｂを本付けする際
に生じる発泡を低減することができるので、接着強度を
高めて接着不良を低減し、樹脂封止型半導体装置１の組
立工程上の歩留りを向上することができる。また、前記
ベーキング処理はポリエーテルアミド又はポリエーテル
アミドイミド層（３Ａ）から気化された溶媒をインナー
リード２Ａの被接着面に吸着させ、インナーリード２Ａ
とポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミドｆ
ｆ１（３Ａ）との濡れ性を向上することができるので、
接着強度をさらに高めることができる。
以上の説明においては、主にタブレス構造の樹脂封止型
半導体装置に本発明を適用した場合について説明したが
、本発明は、タブ上に半導体ペレットを搭載しかつイン
ナーリードを絶縁性樹脂フィルム（絶縁性樹脂テープ）
で固定する樹脂封止型半導体装置に適用することができ
る。この絶黴性樹脂テープは特に長いインナーリードの
変形を防止するためにその固定用として使用され、絶縁
性樹脂テープ自体も樹脂封止材で封止される。したがっ
て、絶縁性樹脂テープの構造としては、前述の実施例と
同様に、絶縁性樹脂フィルム層とそのインナーリード側
の面に設けられた接着層（ポリエーテルアミド又はポリ
エーテルアミドイミド層）との複合膜で構成される。
半導体装置に本発明を適用した場合について説明したが
、本発明は、タブ上に半導体ペレットを搭載しかつイン
ナーリードを絶縁性樹脂フィルム（絶縁性樹脂テープ）
で固定する樹脂封止型半導体装置に適用することができ
る。この絶黴性樹脂テープは特に長いインナーリードの
変形を防止するためにその固定用として使用され、絶縁
性樹脂テープ自体も樹脂封止材で封止される。したがっ
て、絶縁性樹脂テープの構造としては、前述の実施例と
同様に、絶縁性樹脂フィルム層とそのインナーリード側
の面に設けられた接着層（ポリエーテルアミド又はポリ
エーテルアミドイミド層）との複合膜で構成される。
また、本発明は、半導体ペレットやインナーリード部分
にポツティング法で樹脂封止材が塗布される、タブレス
構造成はタブがある構造のセラミック封止型半導体装置
に適用することができる。
にポツティング法で樹脂封止材が塗布される、タブレス
構造成はタブがある構造のセラミック封止型半導体装置
に適用することができる。
また、本発明は、前記タブレス構造の樹脂封止型半導体
装置１の半導体ペレット４をＤＲＡＭ以外の記憶機能や
論理記能で構成してもよい。
装置１の半導体ペレット４をＤＲＡＭ以外の記憶機能や
論理記能で構成してもよい。
また、本発明は、前記タブレス構造の樹脂封止型半導体
装置１のインナーリード２Ａと半導体ペレット４との間
に介在させる接着層３Ａ、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂ、
グイボンド材ｆｆ３ｃの夫々として下記の材料を使用し
てもよい。
装置１のインナーリード２Ａと半導体ペレット４との間
に介在させる接着層３Ａ、絶縁性樹脂フィルム層３Ｂ、
グイボンド材ｆｆ３ｃの夫々として下記の材料を使用し
てもよい。
（１）接着層３Ａ・・・ポリエーテルアミド又はポリエ
ーテルアミドイミド樹脂以外の熱可塑性樹脂、シリコー
ン樹脂、Ｂステージのエポキシ系樹脂、Ｂステージのポ
リイミド系樹脂等。熱可塑性樹脂としては、脂環式ポリ
イミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスルホン樹脂、芳
香族ポリエーテルイミド樹脂、芳香族ポリエステルイミ
ド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリケトン
イミド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエーテルサ
ルホン樹脂、ポリサルホン樹脂等である。
ーテルアミドイミド樹脂以外の熱可塑性樹脂、シリコー
ン樹脂、Ｂステージのエポキシ系樹脂、Ｂステージのポ
リイミド系樹脂等。熱可塑性樹脂としては、脂環式ポリ
イミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスルホン樹脂、芳
香族ポリエーテルイミド樹脂、芳香族ポリエステルイミ
ド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリケトン
イミド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエーテルサ
ルホン樹脂、ポリサルホン樹脂等である。
（２）絶縁性樹脂フィルムＷＪ３Ｂ・・・前記熱可塑性
樹脂、ポリイミド樹脂、ガラスクロス人すエボキシ樹脂
等。
樹脂、ポリイミド樹脂、ガラスクロス人すエボキシ樹脂
等。
（３）ダイボンド材層３Ｃ・・・前記接着層３Ａと同様
。
。
以上、本発明者によってなされた発明を前記実施例に基
づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において
種々変形し得ることは勿論である。
づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において
種々変形し得ることは勿論である。
本願において開示された発明のうち、代表的なものの効
果を簡単に説明すれば、次のとおりである。
果を簡単に説明すれば、次のとおりである。
（１）半導体装置の電気的信頼性を向上することができ
る。
る。
（２）前記半導体装置の電気的信頼性をより向上するこ
とができる。
とができる。
（３）半導体装置の製造上の作業性を向上することがで
きる。
きる。
（４）半導体装置の製造上の歩留りを向上することがで
きる。
きる。
（５）半導体装置の製造上の歩留りを向上することがで
きると共に、半導体装置の電気的信頼性を向上すること
ができる。
きると共に、半導体装置の電気的信頼性を向上すること
ができる。
第１図は、本発明の一実施例であるタブレス構造の樹脂
封止型半導体装置の基本的構造を示す要部断面図、 第２図は、前記樹脂封止型半導体装置の平面図、第３図
は、前記樹脂封止型半導体装置の電流リーク特性を示す
図、 第４図は、本発明の一実施例であるタブレス構造のＩｕ
Ｐ型の樹脂封止型半導体装置の具体的な構造を示す部分
断面平面図、 第５図は、前記樹脂封止型半導体装置の半導体ペレット
のチップレイアウト図、 第６図は、前記樹脂封止型半導体装置で使用されるリー
ドフレームの要部拡大平面図。 第７図は、前記リードフレームの平面図、第８図は、本
発明の一実施例であるタブレス構造のＺＩＰ型の樹脂封
止型半導体装置の具体的な構造を示す半導体ペレット搭
載時の部分断面平面図、 第９図は、前記樹脂封止型半導体装置の半導体ペレット
非搭載時の部分断面平面図。 第１０図及び第１１図は、本発明の一実施例であるタブ
レス構造のＳＯＪ型の樹脂封止型半導体装置の具体的な
構造を示す断面図、 第１２図は、前記樹脂封止型半導体装置の組立方法を説
明する組立フロー図、 第１３図及び第１４図は、前記組立工程で使用されるフ
ィルム貼付装置の概略構成図である。 図中、１・・・樹脂封止型半導体装置、２・・・リード
フレーム、２Ａ・・・インナーリード、２Ｂ・・・アウ
ターリード、３Ａ・・・接着層、３Ｂ・・・絶縁性樹脂
フィルム層１，３Ｃ・・・ダイボンド材層、４・・・半
導体ペレット、４Ａ・・・外部端子、５・・・ボンディ
ングワイヤ、６・・・樹脂封止材、７・・・フィルム貼
付装置である。 第２図
封止型半導体装置の基本的構造を示す要部断面図、 第２図は、前記樹脂封止型半導体装置の平面図、第３図
は、前記樹脂封止型半導体装置の電流リーク特性を示す
図、 第４図は、本発明の一実施例であるタブレス構造のＩｕ
Ｐ型の樹脂封止型半導体装置の具体的な構造を示す部分
断面平面図、 第５図は、前記樹脂封止型半導体装置の半導体ペレット
のチップレイアウト図、 第６図は、前記樹脂封止型半導体装置で使用されるリー
ドフレームの要部拡大平面図。 第７図は、前記リードフレームの平面図、第８図は、本
発明の一実施例であるタブレス構造のＺＩＰ型の樹脂封
止型半導体装置の具体的な構造を示す半導体ペレット搭
載時の部分断面平面図、 第９図は、前記樹脂封止型半導体装置の半導体ペレット
非搭載時の部分断面平面図。 第１０図及び第１１図は、本発明の一実施例であるタブ
レス構造のＳＯＪ型の樹脂封止型半導体装置の具体的な
構造を示す断面図、 第１２図は、前記樹脂封止型半導体装置の組立方法を説
明する組立フロー図、 第１３図及び第１４図は、前記組立工程で使用されるフ
ィルム貼付装置の概略構成図である。 図中、１・・・樹脂封止型半導体装置、２・・・リード
フレーム、２Ａ・・・インナーリード、２Ｂ・・・アウ
ターリード、３Ａ・・・接着層、３Ｂ・・・絶縁性樹脂
フィルム層１，３Ｃ・・・ダイボンド材層、４・・・半
導体ペレット、４Ａ・・・外部端子、５・・・ボンディ
ングワイヤ、６・・・樹脂封止材、７・・・フィルム貼
付装置である。 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、インナーリードに絶縁性樹脂フィルム層を接着する
部分が少なくとも樹脂封止材で封止される半導体装置に
おいて、前記絶縁性樹脂フィルム層のインナーリードに
接着される側の表面に接着層としてガラス転移温度が１
７０〜２６０［℃］の範囲のポリエーテルアミド又はポ
リエーテルアミドイミド層を設けたことを特徴とする半
導体装置。 ２、前記ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイ
ミド層は１７０〜２２０［℃］の低い範囲のガラス転移
温度を有していることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の半導体装置。 ３、前記ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイ
ミド層は２００〜２６０［℃］の高い範囲のガラス転移
温度を有していることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の半導体装置。 ４、前記ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイ
ミド層は、約１０〜５０［μｍ］程度の膜厚で形成され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項に記載の夫々の半導体装置。 ５、前記絶縁性樹脂フィルム層はポリイミド樹脂層であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第４項に
記載の夫々の半導体装置。 ６、前記絶縁性樹脂フィルム層は約５×１０＾−＾６〜
３０×１０＾−＾６［℃＾−＾１］の範囲の線熱膨張係
数を有していることを特徴とする特許請求の範囲第５項
に記載の半導体装置。 ７、前記絶縁性樹脂フィルム層は約２５〜３００［μｍ
］程度の膜厚で形成されていることを特徴とする特許請
求の範囲第５項又は第６項に記載の半導体装置。 ８、前記インナーリードは鉄−ニッケル合金材料又は銅
系材料で形成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項又は第７項に記載の半導体装置。 ９、前記絶縁性樹脂フィルム層のインナーリードを接着
する表面とは反対側の表面には半導体ペレットを搭載し
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第８
項に記載の夫々の半導体装置。 １０、前記絶縁性樹脂フィルム層と半導体ペレットとの
間には接着層としてポリイミド樹脂系ダイボンド材層又
はエポキシ樹脂系ダイボンド材層が形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第９項に記載の半導体装置
。 １１、前記樹脂封止材はフェノール硬化型エポキシ系樹
脂材料であることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃
至第１０項に記載の夫々の半導体装置。 １２、前記樹脂封止材はシリコーンゴム及びフィラーが
添加されていることを特徴とする特許請求の範囲第１１
項に記載の半導体装置。 １３、インナーリードに絶縁性樹脂フィルム層を接着す
る部分が少なくとも樹脂封止材で封止される半導体装置
において、前記絶縁性樹脂フィルム層のインナーリード
に接着される側の表面をブラスト法で粗面にし、該絶縁
性樹脂フィルム層の表面に接着層としてガラス転移温度
が１７０〜２６０［℃］の範囲のポリエーテルアミド又
はポリエーテルアミドイミド層を設けたことを特徴とす
る半導体装置。 １４、インナーリードに絶縁性樹脂フィルム層を接着す
る部分が少なくとも樹脂封止材で封止される半導体装置
の製造方法において、前記絶縁性樹脂フィルム層のイン
ナーリードに接着される側の表面に接着層として溶媒を
若干量残存させたガラス転移温度が約２００〜２６０［
℃］の範囲のポリエーテルアミド又はポリエーテルアミ
ドイミド層を形成する工程と、前記インナーリードに前
記ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層
を介在させて前記絶縁性樹脂フィルム層を熱圧着で接着
する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造
方法。 １５、前記ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミド
イミド層に残存させる溶媒はノルマルーメチル−２−ピ
ロリドン、ブチルセロソルブアセテート等であることを
特徴とする特許請求の範囲１４項に記載の半導体装置の
製造方法。 １６、前記ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミド
イミド層に残存させる溶媒は０．１〜１０［重量％］程
度であることを特徴とする特許請求の範囲第１４項又は
第１５項に記載の半導体装置の製造方法。 １７、インナーリードに絶縁性樹脂フィルム層を接着す
る部分が少なくとも樹脂封止材で封止される半導体装置
の製造方法において、前記絶縁性樹脂フィルム層のイン
ナーリードに接着される側の表面に接着層としてガラス
転移温度が約１７０〜２６０［℃］の範囲のポリエーテ
ルアミド又はポリエーテルアミドイミド層を形成する工
程と、前記インナーリードに前記ポリエーテルアミド又
はポリエーテルアミドイミド層を介在させて前記絶縁性
樹脂フィルム層を部分的に熱圧着で仮付けする工程と、
前記インナーリードに仮付けされた絶縁性樹脂フィルム
層を熱圧着で本材けする工程とを備えたことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 １８、インナーリードに絶縁性樹脂フィルム層を接着す
る部分が少なくとも樹脂封止材で封止される半導体装置
の製造方法において、前記絶縁性樹脂フィルム層のイン
ナーリードに接着される側の表面に接着層として溶媒を
若干量残存させたガラス転移温度が約２００〜２６０［
℃］の範囲のポリエーテルアミド又はポリエーテルアミ
ドイミド層を形成する工程と、前記インナーリードに前
記ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド層
を介在させて前記絶縁性樹脂フィルム層を部分的に熱圧
着で仮付けする工程と、前記ポリエーテルアミド又はポ
リエーテルアミドイミド層の溶媒の残存量をベーキング
によって低減する工程と、前記インナーリードに仮付け
された絶縁性樹脂フィルム層を熱圧着で本付けする工程
とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63187179A JP2547823B2 (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63187179A JP2547823B2 (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0236542A true JPH0236542A (ja) | 1990-02-06 |
| JP2547823B2 JP2547823B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=16201489
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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