JP3373848B2 - 半導体用接着フィルム - Google Patents

半導体用接着フィルム

Info

Publication number
JP3373848B2
JP3373848B2 JP2002174119A JP2002174119A JP3373848B2 JP 3373848 B2 JP3373848 B2 JP 3373848B2 JP 2002174119 A JP2002174119 A JP 2002174119A JP 2002174119 A JP2002174119 A JP 2002174119A JP 3373848 B2 JP3373848 B2 JP 3373848B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive film
resin layer
lead frame
semiconductor
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2002174119A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003017648A (ja
Inventor
紀安 河合
秀一 松浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd, Showa Denko Materials Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2002174119A priority Critical patent/JP3373848B2/ja
Publication of JP2003017648A publication Critical patent/JP2003017648A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3373848B2 publication Critical patent/JP3373848B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3511—Warping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム及
び封止樹脂から簡便に引き剥がせるため、半導体パッケ
ージを高い作業性で製造できる半導体用接着フィルムに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体パッケージは、ダイパッド
上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子を接着し、
これとリードフレームをワイヤで接合した後に、外部接
続用のアウターリードを残して全体を封止する構造のパ
ッケージが用いられてきた。しかし近年、半導体パッケ
ージの高密度化、小面積化、薄型化等の要求に伴い、さ
まざまな構造のパッケージ開発されてきている。その中
には、例えば、ＬＯＣ（ｌｅａｄ ｏｎ ｃｈｉｐ）や
ＣＯＬ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｌｅａｄ）構造などがある
が、小面積化、薄型化の点では問題がある。一方、これ
らの課題を解決するために、パッケージの片面（半導体
素子側）のみを封止し、裏面のむき出しのリードフレー
ムを外部接続用に用いる構造のパッケージが開発されて
きた。この構造のパッケージはリードフレームが封止樹
脂から突出していないので、小面積化及び薄型化が図れ
るが、封止時にリードフレーム裏面に封止樹脂がまわり
込むなどの不具合が起きやすい。本発明者らは、はじめ
にリードフレーム裏面に接着フィルムを貼り付けて保護
し、封止後に引き剥がす方法により、上記の不具合を防
ぐことができることを見出した。しかし、この場合に用
いる接着フィルムはリードフレームに対して十分な接着
力が必要であり、なおかつ樹脂封止後に加熱等によって
簡易に引き剥がせる必要がある。このように相反する特
性を満たす半導体用接着フィルムはなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、リードフレ
ームに対して十分な接着力を有し、樹脂封止後に簡易に
剥離可能であり、かつ半導体用途に必要とされる諸特性
を兼ね備える半導体用接着フィルム、これを用いたリー
ドフレーム及び半導体装置を提供することを目的とす
る。また、本発明は、高密度化、小面積化及び薄型化し
た半導体装置を優れた生産性で製造することのできる半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、下記の
（１）〜（１５）に関する。 （１） リードフレーム裏面に接着フィルムを貼り付け
て保護し、封止後に引き剥がす方法に使用される半導体
用接着フィルムであって、支持フィルムの片面に接着性
を有する樹脂層Ａが形成されており、その反対面に接着
性を有しない樹脂層Ｂが形成されている半導体用接着フ
ィルム。 （２） 樹脂層Ａが、半導体用接着フィルムをリードフ
レームに接着した後の樹脂層Ａとリードフレームとの２
５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、
かつ、半導体用接着フィルムを接着したリードフレーム
を封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び
封止材との０〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点に
おける９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下
であり、樹脂層Ｂが、２３０℃における弾性率が１０Ｍ
Ｐａ以上である上記（１）に記載の半導体用接着フィル
ム。
【０００５】（３） 樹脂層Ａと樹脂層Ｂの厚みの比が
０．８：１〜１．２：１である上記（１）又は（２）に
記載の半導体用接着フィルム。 （４） 樹脂層Ａの厚さ(A)と支持フィルムの厚さ(B)と
の比(A/B)が、０．５以下である上記（１）〜（３）の
いずれかに記載の半導体用接着フィルム。 （５） 樹脂層Ａの厚さが１〜２０μｍである上記
（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体用接着フィル
ム。 （６） 支持フィルムの厚さが５μｍ以上５０μｍ以下
である上記（１）〜（５）のいずれかに記載の半導体用
接着フィルム。
【０００６】（７） 支持フィルムは、２０〜２００℃
における線熱膨張係数が３．０×１０−５／℃以下であ
る上記（１）〜（６）のいずれかに記載の半導体用接着
フィルム。 （８） 支持フィルムは、２００℃で２時間加熱した際
の加熱収縮率が０．１５％以下である上記（１）〜
（７）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。 （９） 樹脂層Ｂが２３０℃における弾性率が１００〜
２０００ＭＰａである上記（１）〜（８）のいずれかに
記載の半導体用接着フィルム。
【０００７】（１０） 樹脂層Ａ及び樹脂層Ｂが、共
に、アミド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を
有する熱可塑性樹脂を含むものである上記（１）〜
（９）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。 （１１） 樹脂層Ｂが、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を
組み合わせてなるものである上記（１）〜（１０）のい
ずれかに記載の半導体用接着フィルム。 （１２） 熱可塑性樹脂１００重量部に対して、熱硬化
性樹脂が５〜１００重量部である上記（１１）に記載の
半導体用接着フィルム。
【０００８】（１３） 熱硬化性樹脂が、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂又はビスマレイミド樹脂である上記
（１１）又は（１２）に記載の半導体用接着フィルム。 （１４） 樹脂層Ｂがフィラー又はカップリング剤を含
むものである上記（１）〜（１３）のいずれかに記載の
半導体用接着フィルム。 （１５） 樹脂層Ｂが、金型又はジグとの２５℃におけ
る９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満である上記（１）〜
（１４）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明の半導体用接着フィル
ム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置並びに
半導体装置の製造方法の実施の形態について詳しく説明
する。
【００１０】半導体用接着フィルム 本発明の半導体用接着フィルムは、例えば、半導体装置
の製造法に好適に使用することができる。本発明の半導
体用接着フィルムを半導体装置の製造法に使用する場
合、下記の工程からなる方法により半導体装置を製造す
ることが好ましい。即ち、(1)リードフレームに１５０
〜４００℃で本発明の半導体用接着フィルムを接着する
工程、(2)リードフレームのダイパッドに銀ペースト等
の接着剤を用いて半導体素子を接着し、１４０〜２００
℃で３０分〜２時間の加熱を行うことにより銀ペースト
等の接着剤を硬化する工程、(3)２００〜２７０℃で３
分〜３０分加熱して、リードフレームのインナーリード
と半導体素子とに金線等のワイヤボンドを行う工程、
(4)１５０〜２００℃で封止材で封止する工程、(5)１５
０〜２００℃で４〜６時間の加熱を行うことにより、封
止材樹脂を硬化する工程、(6)０〜２５０℃で半導体用
接着フィルムをリードフレーム及び封止材から引き剥が
す工程である。リードフレームが各々ダイパッド及びイ
ンナーリードを有する複数のパターンからなるものであ
る場合には、必要に応じ、各々１つの半導体素子を有す
る複数の半導体装置に分割される。
【００１１】本発明において、２５℃における樹脂層Ａ
とリードフレームとの９０度ピール強度は、JIS Z 0237
の９０度引き剥がし法に準じて、リードフレームに対し
て半導体用接着フィルムを９０度方向に引き剥がして測
定する。具体的には、２５℃において、毎分２７０〜３
３０ｍｍ、好ましくは毎分３００ｍｍの速さで半導体用
接着フィルムを引きはがす際の９０度ピール強度を、９
０度剥離試験機（テスタ産業製）で測定される。本発明
において、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームと
の９０度ピール強度は５Ｎ／ｍ以上とされ、１０Ｎ／ｍ
以上が好ましく、５０Ｎ／ｍ以上がより好ましく、１０
０Ｎ／ｍ以上がさらに好ましく、１５０Ｎ／ｍ以上が特
に好ましい。９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満の場合、
半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後
の搬送工程で、半導体用接着フィルムがリードフレーム
から剥がれやすく、また封止工程時に、リードフレーム
と樹脂層Ａ間に封止用樹脂が入り込むなどの問題があ
る。また、この９０度ピール強度は、２０００Ｎ／ｍ以
下であることが好ましく、１５００Ｎ／ｍ以下であるこ
とがより好ましく、１０００Ｎ／ｍ以下であることがよ
り好ましい。
【００１２】なお、このピール強度を測定するために半
導体用接着フィルムとリードフレームとを接着する条件
としては特に制限はないが、後述の本発明のリードフレ
ームの製造方法における接着条件で行うことが好まし
い。例えば、リードフレームとして、パラジウムを被覆
した銅リードフレーム又は４２アロイ製リードフレーム
を用い、(1)温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０
秒、(2)温度３５０℃、圧力３ＭＰａ、時間３秒、又は
(3)温度２８０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒のいずれ
かの接着条件で接着する。
【００１３】本発明においては、特に封止工程を行う直
前の２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０
度ピール強度が上記の範囲（即ち、５Ｎ／ｍ以上、好ま
しくは１０Ｎ／ｍ以上、より好ましくは５０Ｎ／ｍ以
上）にあることが好ましい。封止工程を行う直前の９０
度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満である場合、封止工程時に
リードフレームと樹脂層Ａ間に封止用樹脂が入り込むな
どの問題が生じる。また、上記において封止工程を行う
直前とは、封止工程の前でありなおかつ封止工程の前に
行う全ての工程が終了した状態を意味する。
【００１４】また、上記において半導体用接着フィルム
をリードフレームに接着した後、封止工程を行う前に、
加熱を行うことにより、樹脂層Ａとリードフレームとの
接着強度を向上させることもできる。この加熱温度は特
に限定されないが、樹脂層Ａとリードフレームとの接着
強度を向上させるためには１００℃以上で加熱すること
が好ましい。また、リードフレームや半導体用接着フィ
ルムの耐熱性の点から、３００℃以下で加熱することが
好ましい。同様の理由で、１３０℃以上２７０℃以下に
加熱することがより好ましい。また、加熱時間は特に限
定されないが、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度
を十分に向上させるために１０秒以上が好ましい。同様
の理由で加熱時間は１分以上２時間以下がより好まし
い。
【００１５】上記の加熱工程を、生産性の点から、封止
工程に移る前の諸工程（例えば、銀ペースト等の接着剤
の硬化工程、ワイヤボンド工程等）における加熱によっ
て行うことが好ましい。例えば、上記したように、半導
体素子の接着工程では通常、接着に用いる接着剤を硬化
させるために１４０〜２００℃で３０分〜２時間の加熱
が行われる。また、ワイヤボンド工程では、通常、２０
０℃〜２７０℃程度で３分〜３０分程度の加熱が行われ
る。従って、上記の加熱工程をこれらの諸工程における
加熱により行うことができる。
【００１６】本発明において、封止材で封止した後の０
〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における樹脂層
Ａとリードフレーム及び封止材との９０度ピール強度
は、JIS Z 0237の９０度引き剥がし法を準じて、リード
フレームと接着フィルムを室温で、又は０〜２５０℃の
オーブン中で、リードフレームに対して接着フィルムを
９０度方向に引き剥がして測定する。具体的には、０〜
２５０℃の温度範囲の少なくとも一点において、毎分２
７０〜３３０ｍｍ、好ましくは毎分３００ｍｍの速さで
半導体用接着フィルムを引き剥がす際の９０度ピール強
度をテンシロンＲＴＭ−１００（オリエンテック製）で
測定する。このピール強度の測定温度の好ましい範囲は
１００〜２５０℃であり、より好ましくは１５０〜２５
０℃である。
【００１７】封止材で封止した後の０〜２５０℃の温度
範囲の少なくとも一点において樹脂層Ａとリードフレー
ム及び封止材との９０度ピール強度は、どちらも１００
０Ｎ／ｍ以下とされ、８００Ｎ／ｍ以下が好ましく、５
００Ｎ／ｍ以下がより好ましい。この９０度ピール強度
が１０００Ｎ／ｍを超える場合、リードフレームや封止
材に応力が加わり、破損する問題がある。なお、測定温
度が高くなるにつれ、通常、上記の９０度ピール強度は
低下する。この９０度ピール強度は、０Ｎ／ｍ以上であ
ることが好ましく、３Ｎ／ｍ以上であることが好まし
く、５Ｎ／ｍ以上であることがより好ましい。
【００１８】なお、本発明においては、半導体用接着フ
ィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後
に半導体用接着フィルムをリードフレーム及び封止材か
ら引き剥がすときの温度における樹脂層Ａとリードフレ
ーム及び封止材との９０度ピール強度がどちらも１００
０Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。封止材で封止した
後、半導体用接着フィルムを引き剥がす温度は、通常、
０〜２５０℃の間が好ましい。上記の０〜２５０℃の温
度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度を測
定するための封止材による封止条件としては、特に制限
はないが、後述の本発明の半導体装置の製造方法におけ
る封止条件において封止することが好ましい。例えば、
封止材としてＣＥＬ−９２００（商品名、日立化成工業
（株）製ビフェニル封止材）を用い、温度１８０℃、圧
力１０ＭＰａ、時間３分の条件で封止を行い、次いで１
８０℃で５時間加熱して封止材を硬化させることが好ま
しい。
【００１９】本発明においては、半導体用接着フィルム
は、樹脂層Ａ単層からなるものであってもよいし、支持
フィルム上に少なくとも樹脂層Ａが形成されたものであ
ってもよい。後者の例としては、樹脂層Ａが支持フィル
ムの片面又は両面に形成されているもの、及び、支持フ
ィルムの片面に樹脂層Ａが形成され、反対面に他の樹脂
層が形成されたものが挙げられる。支持フィルムを有す
るものが好ましい。
【００２０】本発明においては、支持フィルム上に樹脂
層Ａを形成する方法は、特に制限はないが、樹脂層Ａの
形成に用いられる樹脂（ａ）をN-メチル-2-ピロリド
ン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノ
ン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等の溶
剤に溶解して作製した接着剤ワニスを、支持フィルムの
片面又は両面上に塗工した後、加熱処理して溶剤を除去
することにより、二層構造又は三層構造の接着フィルム
を得ることができる。又は、ワニス塗布後に加熱処理等
によって耐熱性樹脂（ａ）（例えばポリイミド樹脂）と
なる樹脂（ａ）の前駆体（例えばポリアミド酸）を溶剤
に溶解した前駆体ワニスを支持フィルムの片面又は両面
上に塗工した後、加熱処理することで、二層構造又は三
層構造の接着フィルムを得ることができる。この場合、
塗工後の加熱処理により、溶剤を除去し、前駆体を樹脂
（ａ）とする（例えばイミド化）。塗工面の表面状態等
の点から、接着剤ワニスを用いることが好ましい。
【００２１】上記において、ワニスを塗工した支持フィ
ルムを溶剤の除去やイミド化等のために加熱処理する場
合の処理温度は、接着剤ワニスであるか前駆体ワニスで
あるかで異なる。接着剤ワニスの場合には溶剤が除去で
きる温度であればよく、前駆体ワニスの場合には、イミ
ド化させるために樹脂層Ａのガラス転移温度以上の処理
温度が好ましい。上記において、支持フィルムの片面に
塗布される接着剤ワニス又は前駆体ワニスの塗工方法に
は、特に制限はないが、例えば、ロールコート、リバー
スロールコート、グラビアコート、バーコート、コンマ
コート等を用いて行なうことができる。また、接着剤ワ
ニス又は前駆体ワニス中に支持フィルムを通して塗工し
ても良い。
【００２２】本発明においては、樹脂層Ａのガラス転移
温度は１００〜３００℃であることが好ましく、１５０
〜３００℃であることがより好ましく、１５０〜２５０
℃であることが特に好ましい。ガラス転移温度が１００
℃未満の場合、リードフレーム及び封止材から引き剥が
した際、樹脂層Ａと支持フィルムの界面で剥離が生じた
り、樹脂層Ａが凝集破壊しやすい傾向がある。また、リ
ードフレーム及び封止材に樹脂が残留しやすく、また、
ワイヤボンド工程での熱によって樹脂層Ａが軟化し、ワ
イヤの接合不良が生じやすい傾向がある。さらには、封
止工程での熱によって樹脂層Ａが軟化し、リードフレー
ムと樹脂層Ａ間に封止材が入り込むなどの不具合が起き
やすい傾向がある。また、ガラス転移温度が３００℃を
超える場合、接着時に樹脂層Ａが十分軟化せず、２５℃
におけるリードフレームとの９０度ピール強度が低下し
やすい傾向がある。
【００２３】本発明においては、樹脂層Ａが５重量％減
少する温度が３００℃以上であることが好ましく、３５
０℃以上であることがより好ましく、４００℃以上であ
ることがさらに好ましい。樹脂層Ａが５重量％減少する
温度が３００℃未満の場合、リードフレームに接着フィ
ルムを接着する際の熱や、ワイヤボンド工程での熱でア
ウトガスが生じ、リードフレームやワイヤを汚染しやす
い傾向がある。尚、樹脂層Ａが５重量％減少する温度
は、示差熱天秤（セイコー電子工業製、ＴＧ／ＤＴＡ２
２０）により、昇温速度１０℃／分で測定して求めた。
【００２４】本発明においては、樹脂層Ａの２３０℃に
おける弾性率は１ＭＰａ以上であることが好ましく、３
ＭＰａ以上であることがより好ましい。ワイヤボンド温
度は、特に制限はないが、一般には２００〜２６０℃程
度であり、２３０℃前後が広く用いられる。したがっ
て、２３０℃における弾性率が１ＭＰａ未満の場合、ワ
イヤボンド工程での熱により樹脂層Ａが軟化し、ワイヤ
の接合不良が生じやすい。樹脂層Ａの２３０℃における
弾性率の好ましい上限は、２０００ＭＰａであり、より
好ましくは１５００ＭＰａであり、さらに好ましくは１
０００ＭＰａである。樹脂層Ａの２３０℃における弾性
率は、動的粘弾性測定装置、ＤＶＥ ＲＨＥＯＳＰＥＣ
ＴＯＬＥＲ（レオロジ社製）を用いて、昇温速度２℃／
分、測定周波数１０Ｈｚの引張モードによって測定され
る。
【００２５】本発明においては、樹脂層Ａの形成に用い
られる樹脂（ａ）は、アミド基（−ＮＨＣＯ−）、エス
テル基（―ＣＯ−Ｏ−）、イミド基（−ＮＲ2、ただし
Ｒはそれぞれ−ＣＯ−である）、エーテル基（−Ｏ−）
又はスルホン基（−ＳＯ 2−）を有する熱可塑性樹脂で
あることが好ましい。特に、アミド基、エステル基、イ
ミド基又はエーテル基を有する熱可塑性樹脂であること
が好ましい。具体的には、芳香族ポリアミド、芳香族ポ
リエステル、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミ
ド、芳香族ポリエーテル、芳香族ポリエーテルアミドイ
ミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳香族ポリエステル
イミド及び芳香族ポリエーテルイミド等が挙げられる。
これらのなかで、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳
香族ポリエーテルイミド及び芳香族ポリエーテルアミド
が、耐熱性、接着性の点から好ましい。
【００２６】上記の樹脂はいずれも、塩基成分である芳
香族ジアミン又はビスフェノール等と、酸成分であるジ
カルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸若しく
は芳香族塩化物又はこれらの反応性誘導体を重縮合させ
て製造することができる。すなわち、アミンと酸との反
応に用いられている公知の方法で行うことができ、諸条
件等についても特に制限はない。芳香族ジカルボン酸、
芳香族トリカルボン酸又はこれらの反応性誘導体とジア
ミンの重縮合反応については、公知の方法が用いられ
る。
【００２７】芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエ
ーテルアミドイミド又は芳香族ポリエーテルアミドの合
成に用いられる塩基成分としては、例えば、２，２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパ
ン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ス
ルホン、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、ビス
[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]エーテル、
２，２−ビス[４−（４−アミノフェノキシ）]ヘキサフ
ルオロプロパン等のエーテル基を有する芳香族ジアミ
ン；４，４′−メチレンビス（２，６−ジイソプロピル
アミン）等のエーテル基を有しない芳香族ジアミン；
１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジ
シロキサン等のシロキサンジアミン；及び１，１２−ジ
アミノドデカン、１，６−ジアミノヘキサン等のα，ω
−ジアミノアルカンが好適に用いられる。塩基成分総量
中、上記のエーテル基を有する芳香族ジアミンを４０〜
１００モル％、好ましくは５０〜９７モル％、エーテル
基を有しない芳香族ジアミン、シロキサンジアミン及び
α，ω−ジアミノアルカンから選ばれる少なくとも１種
を０〜６０モル％、好ましくは３〜５０モル％の量で用
いることが望ましい。好ましい塩基成分の具体例として
は、（１）エーテル基を有する芳香族ジアミン６０〜８
９モル％、好ましくは６８〜８２モル％、シロキサンジ
アミン１〜１０モル％、好ましくは３〜７モル％、及び
α，ω−ジアミノアルカン１０〜３０モル％、好ましく
は１５〜２５モル％からなる塩基成分、（２）エーテル
基を有する芳香族ジアミン９０〜９９モル％、好ましく
は９３〜９７モル％、及びシロキサンジアミン１〜１０
モル％、好ましくは３〜７モル％からなる塩基成分、
（３）エーテル基を有する芳香族ジアミン４０〜７０モ
ル％、好ましくは４５〜６０モル％、エーテル基を有し
ない芳香族ジアミン３０〜６０モル％、好ましくは４０
〜５５モル％からなる塩基成分が挙げられる。
【００２８】芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエ
ーテルアミドイミド又は芳香族ポリエーテルアミドの合
成に用いられる酸成分としては、例えば、（Ａ）無水ト
リメリット酸、無水トリメリット酸クロライド等の無水
トリメリット酸の反応性誘導体、ピロメリット酸二無水
物等の単核芳香族トリカルボン酸無水物又は単核芳香族
テトラカルボン酸二無水物、（Ｂ）ビスフェノールＡビ
ストリメリテート二無水物、オキシジフタル酸無水物等
の多核芳香族テトラカルボン酸二無水物、（Ｃ）テレフ
タル酸、イソフタル酸、テレフタル酸クロライド、イソ
フタル酸クロライド等のフタル酸の反応性誘導体等の芳
香族ジカルボン酸などが挙げられる。中でも、上記塩基
成分（１）又は（２）１モル当たり、上記酸成分（Ａ）
０．９５〜１．０５モル、好ましくは０．９８〜１．０
２モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルアミド
イミド、及び、上記塩基成分（３）１モル当たり、上記
酸成分（Ｂ）０．９５〜１．０５モル、好ましくは０．
９８〜１．０２モルを反応させて得られる芳香族ポリエ
ーテルイミドが好適に用いられる。
【００２９】本発明においては、樹脂（ａ）にセラミッ
ク粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等の
フィラーや、カップリング剤を添加してもよい。フィラ
ーを添加する場合、その添加量は、樹脂（ａ）１００重
量部に対して１〜３０重量部が好ましく、５〜１５重量
部がより好ましい。
【００３０】カップリング剤としては、ビニルシラン、
エポキシシラン、アミノシラン、メルカプトシラン、チ
タネート、アルミキレート、ジルコアルミネート等のカ
ップリング剤が使用できるが、シランカップリング剤が
好ましい。シランカップリング剤としては、ビニルトリ
メトキシシラン、ビニルトリエトシシラン、ビニルトリ
ス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エ
ポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリ
シドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β−
（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキ
シシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ
−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、
γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等の末端に
有機反応基を有するシランカップリング剤で、これらの
内、エポキシ基を有するエポキシシランカップリング剤
が好ましく用いられる。なお、ここで有機反応性基と
は、エポキシ基、ビニル基、アミノ基、メルカプト基等
の官能基である。シランカップリング剤の添加は、樹脂
の支持フィルムに対する密着性を向上させ、１００〜３
００℃の温度で引き剥がした際に、樹脂層と支持フィル
ムの界面で剥離が生じにくくするためである。カップリ
ング剤の添加量は、樹脂（ａ）１００重量部に対して、
１〜１５重量部が好ましく、２〜１０重量部がより好ま
しい。
【００３１】本発明においては、支持フィルムには特に
制限はないが、樹脂の塗工、乾燥、半導体装置組立工程
中の熱に耐えられる樹脂からなるフィルムが好ましく、
樹脂は、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族
ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエ
ーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポ
リエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテ
ルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりな
る群から選ばれることが好ましい。また。支持フィルム
のガラス転移温度は、耐熱性を向上させるために２００
℃以上であることが好ましく、２５０℃以上であること
がより好ましい。上記の耐熱性樹脂フィルムを用いるこ
とにより、接着工程、ワイヤボンド工程、封止工程、引
き剥がし工程などの熱の加わる工程において、支持フィ
ルムが軟化せず、効率よく作業を行うことができる。
【００３２】上記の支持フィルムは、樹脂層Ａに対して
密着性が十分高いことが好ましい。密着性が低いと、１
００〜３００℃の温度でリードフレーム及び封止材から
引き剥がした際、樹脂層Ａと支持フィルムの界面で剥離
が生じやすく、リードフレーム及び封止材に樹脂が残留
しやすい。支持フィルムは、耐熱性を有し、かつ樹脂層
Ａに対する密着性が十分高いことが好ましいことから、
ポリイミドフィルムがより好ましい。
【００３３】上記ポリイミドフィルムの種類は特に限定
されないが、半導体用接着フィルムをリードフレームに
貼り付けた後のリードフレームの反りを低減するため
に、２０〜２００℃における線熱膨張係数が３．０×１
０-5／℃以下であることが好ましく、２．５×１０-5／
℃以下であることがより好ましく、２．０×１０-5／℃
以下であることがさらに好ましい。また半導体用接着フ
ィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレー
ムの反りを低減するために、２００℃で２時間加熱した
際の加熱収縮率が０．１５％以下であることが好まし
く、０．１％以下であることがさらに好ましく、０．０
５％以下であることが特に好ましい。
【００３４】上記の支持フィルムは、樹脂層Ａに対する
密着性を十分高めるために、表面を処理することが好ま
しい。支持フィルムの表面処理方法には特に制限はない
が、アルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処
理、サンドマット処理等の物理的処理、プラズマ処理、
コロナ処理等が挙げられる。上記の支持フィルムの厚さ
は特に制限はないが、半導体用接着フィルムをリードフ
レームに貼り付けた後のリードフレームの反りを低減す
るために、１００μｍ以下であることが好ましく、５０
μｍ以下がより好ましく、２５μｍ以下がさらに好まし
い。なお支持フィルムの厚さは、５μｍ以上であること
が好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましい。
【００３５】また、支持フィルムの材質を、上記した樹
脂以外の、銅、アルミニウム、ステンレススティール及
びニッケルよりなる群から選ぶこともできる。支持フィ
ルムを上記の金属とすることにより、リードフレームと
支持フィルムの線膨張係数を近くし、半導体用接着フィ
ルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレーム
の反りを低減することができる。
【００３６】本発明になる半導体用接着フィルムは、支
持フィルムの片面又は両面に樹脂層を設けた場合、特に
支持フィルムの片面に樹脂層Ａを設けた場合、樹脂層の
厚さ(A)と、支持フィルムの厚さ(B)との比(A/B)が０．
５以下であることが好ましく、０．３以下がより好まし
く、０．２以下がさらに好ましい。樹脂層の厚さ(A)
と、支持フィルムの厚さ(B)との比(A/B)が０．５を超え
る場合、塗工後の溶剤除去時の樹脂層の体積減少により
フィルムがカールしやすく、リードフレームに接着する
際の作業性や生産性が低下しやすい傾向がある。支持フ
ィルムの両面に樹脂層を設けた場合には、両樹脂層の厚
みの比を０．８：１〜１．２：１とすることが好まし
く、０．９：１〜１．１：１とすることがより好まし
く、１：１とすることが特に好ましい。なお、樹脂層Ａ
の厚さ(A)は１〜２０μｍであることが好ましく、３〜
１５μｍであることがより好ましく、４〜１０μｍであ
ることがさらに好ましい。
【００３７】溶剤除去時の樹脂層Ａの体積減少に起因す
る半導体用接着フィルムのカールを相殺するために、支
持フィルムの両面に樹脂層Ａを設けてもよい。支持フィ
ルムの片面に樹脂層Ａを設け、反対面に高温で軟化しに
くい樹脂層を設けることが好ましい。すなわち、前記支
持フィルムの片面に接着性を有する樹脂層Ａを形成し、
その反対面に２３０℃における弾性率が１０ＭＰａ以上
の接着性を有しない樹脂層Ｂを形成することが好まし
い。本発明においては、接着性を有しない樹脂層Ｂの２
３０℃での弾性率は１０ＭＰａ以上であることが好まし
く、１００ＭＰａ以上がより好ましく、１０００ＭＰａ
以上がさらに好ましい。樹脂層Ｂの２３０℃での弾性率
が１０ＭＰａ未満の場合、ワイヤボンド工程などの熱の
加わる工程で軟化しやすく、金型やジグに貼り付きやす
い傾向がある。この弾性率は、２０００ＭＰａ以下であ
ることが好ましく、１５００ＭＰａ以下であることがよ
り好ましい。
【００３８】上記の接着性を有しない樹脂層Ｂの金型や
ジグに対する接着力は、工程上、金型やジグに張り付か
ない程度に低ければ特に制限はないが、２５℃における
樹脂層Ｂと金型やジグとの９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ
未満であることが好ましく、１ Ｎ／ｍ以下であること
がより好ましい。このピール強度は、例えば、真鍮製の
金型に温度２５０℃、圧力８ＭＰａで１０秒間圧着した
後に測定する。上記の２３０℃での弾性率が１０ＭＰａ
以上である樹脂層Ｂのガラス転移温度は、接着工程、ワ
イヤボンド工程、封止工程、引き剥がし工程などで軟化
しにくく、金型やジグに貼り付きにくくするため、１５
０℃以上であることが好ましく、２００℃以上がより好
ましく、２５０℃以上がさらに好ましい。なお、このガ
ラス転移温度は、３５０以下であることが好ましく、３
００℃以下であることがより好ましい。
【００３９】上記の樹脂層Ｂの形成に用いられる樹脂
（ｂ）の組成には特に制限はなく、熱可塑性樹脂及び熱
硬化性樹脂のいずれも用いることができる。熱可塑性樹
脂の組成は、特に制限はないが、前記した樹脂と同様
の、アミド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を
有する熱可塑性樹脂が好ましい。特に、上記の塩基成分
（３）１モルと上記の酸成分（Ａ）０．９５〜１．０５
モル、好ましくは０．９８〜１．０２モルを反応させて
得られる芳香族ポリエーテルアミドイミドが好ましい。
また、熱硬化性樹脂の組成には、特に制限はないが、例
えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド
樹脂（例えば、ビス（４−マレイミドフェニル）メタン
をモノマーとするビスマレイミド樹脂）などが好まし
い。また、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を組み合せて用
いることもできる。熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を組み
合わせる場合、熱可塑性樹脂１００重量部に対し、熱硬
化性樹脂５〜１００重量部とすることが好ましく、２０
〜７０重量部とすることがより好ましい。
【００４０】さらには、上記の樹脂（ｂ）にセラミック
粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフ
ィラーやカップリング剤を添加することが好ましい。フ
ィラーを添加する場合、その添加量は、樹脂（ｂ）１０
０重量部に対して１〜３０重量部とすることが好まし
く、５〜１５重量部とすることがより好ましい。カップ
リング剤の添加量は、樹脂（ｂ）１００重量部に対して
１〜２０重量部とすることが好ましく、５〜１５重量部
とすることがより好ましい。
【００４１】上記の接着性を有しない樹脂層Ｂを支持フ
ィルム上に形成する方法としては、特に制限はないが、
通常、樹脂（ｂ）をN-メチル-2-ピロリドン、ジメチル
アセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエ
チルケトン、ジメチルホルムアミド等の溶剤に溶解して
作製した樹脂ワニスを、支持フィルム上に塗工した後、
加熱処理して溶剤を除去することにより形成することが
できる。又は、ワニス塗布後に加熱処理等によって耐熱
性樹脂（ｂ）（例えばポリイミド樹脂）となる樹脂
（ｂ）の前駆体（例えばポリアミド酸）を溶剤に溶解し
た前駆体ワニスを支持フィルム上に塗工した後、加熱処
理することで、形成することができる。この場合、塗工
後の加熱処理により、溶剤を除去し、前駆体を樹脂
（ｂ）とする（例えばイミド化）。塗工面の表面状態等
の点から、樹脂ワニスを用いることが好ましい。
【００４２】上記のワニスを塗工した支持フィルムを溶
剤の除去やイミド化等のために加熱処理する場合の処理
温度は、樹脂ワニスであるか前駆体ワニスであるかで異
なる。樹脂ワニスの場合には溶剤が除去できる温度であ
ればよく、前駆体ワニスの場合には、イミド化させるた
めに樹脂層Ｂのガラス転移温度以上の処理温度が好まし
い。上記の樹脂（ｂ）として熱硬化性樹脂又は熱可塑性
樹脂と熱硬化性樹脂の組合せを用いる場合は、塗工後の
加熱処理によって、熱硬化性樹脂を硬化させ、樹脂層Ｂ
の弾性率を１０ＭＰａ以上にすることもできる。この加
熱処理は、溶剤の除去やイミド化と同時に行うこともで
きるし、別途行うこともできる。
【００４３】上記の樹脂層Ｂにおいて、溶剤除去時の樹
脂層Ｂの体積減少又はイミド化や熱硬化性樹脂の硬化の
際の収縮により、樹脂層Ａの体積減少に起因する半導体
用接着フィルムのカールを相殺することができる。上記
において、樹脂（ｂ）の樹脂ワニス又は前駆体ワニスの
塗工方法は特に制限はないが、例えば、ロールコート、
リバースロールコート、グラビアコート、バーコート、
コンマコート等を用いて行なわれる。また、樹脂ワニス
又は前駆体ワニス中に支持フィルムを通して塗工しても
良い。
【００４４】リードフレーム本発明のリードフレーム
は、例えば、本発明の半導体用接着フィルムを、樹脂層
Ａをリードフレームの片面に接して接着することにより
製造することができる。本発明において、リードフレー
ムへの半導体用接着フィルムの接着条件は特に制限はな
いが、接着温度は１５０〜４００℃の間であることが好
ましく、１８０〜３５０℃がより好ましく、２００〜３
００℃がさらに好ましい。温度が１５０℃未満の場合、
リードフレームと樹脂層Ａとの９０度ピール強度が低下
する傾向がある。また４００℃を超えると、リードフレ
ームが劣化する傾向がある。
【００４５】本発明において、リードフレームへの半導
体用接着フィルムの接着圧力は０．５〜３０ＭＰａの間
が好ましく、１〜２０ＭＰａがより好ましく、３〜１５
ＭＰａがさらに好ましい。接着圧力が０．５ＭＰａ未満
の場合、樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強
度が低下する傾向がある。また３０ＭＰａを超えると、
リードフレームが破損しやすい傾向がある。本発明にお
いて、リードフレームへの半導体用接着フィルムの接着
時間は０．１〜６０秒の間が好ましく、１〜３０秒がよ
り好ましく、３〜２０秒がさらに好ましい。接着時間が
０．１秒未満の場合、樹脂層Ａとリードフレームとの９
０度ピール強度が低下しやすい傾向がある。また６０秒
を超えると、作業性と生産性が低下しやすい傾向があ
る。また、圧力を加える前に、５〜６０秒程度の予備加
熱を行うことが好ましい。
【００４６】本発明において、リードフレームの材質に
は特に制限はないが、例えば、４２アロイなどの鉄系合
金、又は銅や銅系合金などを用いることができる。ま
た、銅や銅系合金のリードフレームの表面には、パラジ
ウム、金、銀などを被覆することもできる。
【００４７】半導体装置 本発明の半導体用接着フィルムを用いて製造される半導
体装置の構造は特に限定されないが、例えばパッケージ
の片面（半導体素子側）のみを封止し、裏面のむき出し
のリードフレームを外部接続用に用いる構造のパッケー
ジ（Non Lead Type Package）が挙げられる。上記パッ
ケージの具体例としては、ＱＦＮ（QuadFlat Non-leade
d Package）やＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Pack
age）等が挙げられる。
【００４８】本発明の半導体装置は、例えば、半導体用
接着フィルム、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに片面
を接して接着されたリードフレーム、リードフレームの
ダイパッドに接着された半導体素子、半導体素子とリー
ドフレームのインナーリードとを接続するワイヤ並びに
半導体素子及びワイヤを封止している封止材からなる構
造を有する接着フィルム付き半導体装置から、半導体用
接着フィルムを剥離して製造される。本発明の半導体用
接着フィルムを用いて製造される半導体装置は、高密度
化、小面積化、薄型化等の点で優れており、例えば携帯
電話等の情報機器に組み込まれる。
【００４９】半導体装置の製造方法 本発明の半導体装置の製造方法は、インナーリード及び
ダイパッドを有するリードフレームの片面に、半導体用
接着フィルムを接着する工程、リードフレームの露出面
上のダイパッドに半導体素子を接着する工程、ワイヤボ
ンディングにより、半導体素子とインナーリードとをワ
イヤで接続する工程、リードフレームの露出面、半導体
素子及びワイヤを封止材で封止する工程、並びに、半導
体用接着フィルムをリードフレーム及び封止材から剥離
する工程からなる。本発明において、リードフレームが
各々ダイパッド及びインナーリードを有する複数のパタ
ーンからなるものである場合、必要に応じ、封止したリ
ードフレームを分割することにより、各々１個の半導体
素子を有する複数の半導体装置を得ることができる。こ
の分割工程は、封止する工程後又は半導体用接着フィル
ムを剥離する工程の後のいずれにおいて行ってもよい。
【００５０】本発明の製造方法に用いられる半導体用接
着フィルムには、特に制限はない。例えば、本発明の半
導体用接着フィルムを用いることができ、本発明のリー
ドフレームを用いることもできる。本発明の製造方法に
使用することのできるリードフレーム、及び、半導体用
接着フィルムをリードフレームに接着する際の接着条件
は、先に本発明のリードフレームの製造について記載し
たと同様である。半導体素子をリードフレームのダイパ
ッドに接着するために用いる接着剤としては、特に制限
はなく、例えば銀ペースト等のペースト状の接着剤や、
接着テープ等を用いることができる。半導体素子をダイ
パッドに接着した後、通常、接着剤を１４０〜２００℃
で３０分〜２時間加熱することにより硬化させる。
【００５１】本発明において、ワイヤボンディングに用
いるワイヤの材質には特に制限はないが、金線などが挙
げられる。ワイヤボンディング工程では、例えば、２０
０〜２７０℃で３〜３０分加熱してワイヤを半導体素子
及びインナーリードに接合する。本発明において、封止
材の材質には特に制限はないが、クレゾールノボラック
エポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビ
フェニルジエポキシ、ナフトールノボラックエポキシ樹
脂などのエポキシ樹脂等が挙げられる。封止材には、フ
ィラーや、ブロム化合物等の難燃性物質等の添加材が添
加されていてもよい。封止材による封止条件は、特に制
限はないが、通常、１５０〜２００℃、圧力１０〜１５
ＭＰａで、２〜５分の加熱を行うことにより行われる。
【００５２】封止材で封止した後、半導体用接着フィル
ムを引き剥がす温度は、０〜２５０℃の間が好ましい。
温度が０℃未満の場合、リードフレーム及び封止材に樹
脂が残りやすい。また温度が２５０℃を超えると、リー
ドフレームや封止材が劣化する傾向がある。同様の理由
で１００〜２００℃がより好ましく、１５０〜２５０℃
が特に好ましい。一般に、封止材で封止した後、封止材
を１５０℃〜２００℃程度で数時間加熱することにより
硬化させる工程がある。上記半導体用接着フィルムを封
止材及びリードフレームから引き剥がす工程は、上記の
封止材を硬化させる工程の前後のどちらで行ってもよ
い。
【００５３】本発明において、封止材で封止した後に半
導体用接着フィルムを０〜２５０℃で引き剥がした際、
リードフレーム及び封止材に樹脂が残らないことが好ま
しい。樹脂の残留量が多い場合、外観が劣るだけでな
く、リードフレームを外部接続用に用いると、接触不良
の原因になりやすい。従って、リードフレーム及び封止
材に残留した樹脂を機械的ブラッシング、溶剤等で除去
することが好ましい。溶剤には特に制限はないが、N-メ
チル-2-ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、
シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホル
ムアミド等が好ましい。
【００５４】
【実施例】次に実施例により本発明を具体的に説明する
が、これらは本発明を制限するものではない。 製造例１（実施例１〜４、７及び８に使用した芳香族ポ
リエーテルアミドイミド接着剤ワニスの製造） 温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５
リットルの4つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
２５８．３ｇ（０．６３モル）、１，３−ビス（３−ア
ミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン１０．４ｇ
（０．０４２モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン１４５０ｇに溶解した。この溶液を７０℃に昇温し、
１，１２−ジアミノドデカン３３．６ｇ（０．１６８モ
ル）を溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、無水
トリメリット酸クロライド１８０．４ｇ（０．８５７モ
ル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解
したら、トリエチルアミン１３０ｇを添加した。室温で
２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応
させてイミド化を完結させた。得られた反応液をメタノ
ール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した
後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解しメタノール中
に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥し
て精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得
られたポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇ及びシラ
ンカップリング剤（信越化学工業株式会社製、商品名：
ＳＨ６０４０）６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン３６
０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤
ワニスを得た。
【００５５】製造例２（実施例５及び６に使用した芳香
族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスの製造） 温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５
リットルの4つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
２５８．６ｇ（０．６３モル）、１，３−ビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルジシロキサン６７．０ｇ
（０．２７モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
１５５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却
し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１８７．
３ｇ（０．８９モル）を添加した。無水トリメリット酸
クロライドが溶解したら、トリエチルアミン１００ｇを
添加した。室温で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇
温して５時間反応させてイミド化を完結させた。得られ
た反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させ
た。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに
溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。
その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイ
ミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉
末１２０ｇ及びシランカップリング剤（信越化学工業株
式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）３．６ｇをＮ−メチ
ル−２−ピロリドン３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエー
テルアミドイミド接着剤ワニスを得た。
【００５６】製造例３（実施例５で樹脂層Ｂに用いた芳
香族ポリエーテルアミドイミドワニスの製造） 温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５
リットルの4つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
１７２．４ｇ（０．４２モル）、４，４′−メチレンビ
ス（２，６−ジイソプロピルアニリン）１５３．７ｇ
（０．４２モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
１５５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却
し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１７４．
７ｇ（０．８３モル）を添加した。無水トリメリット酸
クロライドが溶解したら、トリエチルアミン１３０ｇを
添加した。室温で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇
温して５時間反応させてイミド化を完結させた。得られ
た反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させ
た。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに
溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。
その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイ
ミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉
末１２０ｇにシランカップリング剤（信越化学工業株式
会社製、商品名：ＳＨ６０４０）６ｇをＮ−メチル−２
−ピロリドン３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルア
ミドイミドワニスを得た。
【００５７】製造例４（実施例６で樹脂層Ｂに用いた芳
香族ポリエーテルアミドイミド粉末の合成） 温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５
リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビ
ス［−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２
７０．９ｇ（０．６６モル）、１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）−テトラメチルジシロキサン８．７ｇ
（０．０３５モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン１９５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却
し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１４９．
５ｇ（０．７１モル）を添加した。無水トリメリット酸
クロライドが溶解したら、トリエチルアミン１００ｇを
添加した。室温で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇
温して５時間反応させてイミド化を完結させた。得られ
た反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させ
た。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに
溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。
その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイ
ミド粉末を得た。
【００５８】製造例５（実施例９に使用した芳香族ポリ
エーテルアミドイミド接着剤ワニスの製造） 製造例４で得られたポリエーテルアミドイミド粉末１２
０ｇ及びシランカップリング剤（信越化学工業株式会社
製、商品名：ＳＨ６０４０）３．６ｇをＮ−メチル−２
−ピロリドン３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルア
ミドイミド接着剤ワニスを得た。
【００５９】製造例６（実施例１０に使用した芳香族ポ
リエーテルイミド接着剤ワニスの製造） 温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５
リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
１０２．５ｇ（０．２５モル）、４，４′−メチレンビ
ス（２，６−ジイソプロピルアニリン）９１．５ｇ
（０．２５モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
１９００ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却
し、この温度でビスフェノールＡビストリメリテート二
無水物２８２．２ｇ（０．４９モル）を添加した。その
後、室温で２０分間、６０℃で２時間撹拌を続けた後、
１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結さ
せた。得られた反応液をメタノール中に投入して重合体
を単離させた。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を
単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテ
ルイミド粉末を得た。得られたポリエーテルイミド粉末
１２０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン３６０ｇに溶解
し、芳香族ポリエーテルイミド接着剤ワニスを得た。
【００６０】製造例７（実施例１１及び１２に使用した
芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスの製造） 温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５
リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン２５０．
９ｇ（０．５８モル）、１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）−テトラメチルジシロキサン７．４ｇ（０．０３
モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１５００ｇ
に溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、この温度
で無水トリメリット酸クロライド１２６．３ｇ（０．６
モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶
解したら、トリエチルアミン６７ｇを添加した。室温で
２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応
させてイミド化を完結させた。得られた反応液をメタノ
ール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した
後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解しメタノール中
に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥し
て精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得
られたポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇ及びシラ
ンカップリング剤（信越化学工業株式会社製、商品名：
ＳＨ６０４０）６．０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン
３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドイミド接
着剤ワニスを得た。
【００６１】製造例８（比較例１に使用したポリシロキ
サンポリアミドブロック共重合体接着剤ワニスの製造） 温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５
リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
２９５．２ｇ（０．７２モル）、シリコーンジアミン
（信越化学工業株式会社製、商品名：Ｘ−２２−１６１
Ｂ）５４０ｇ（０．１８モル）を入れ、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル２４００ｇに溶解した。さらに
この溶液を−１０℃に冷却し、この温度でイソフタル酸
クロライド１８８．８ｇ（０．９３モル）を添加した。
その後、１時間撹拌した後、プロピレンオキサイド２１
４ｇを添加した。さらに室温で３０分間撹拌を続けた
後、４０℃に昇温して５時間反応させた。得られた反応
液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これ
を乾燥した後、ジメチルホルムアミドに溶解しメタノー
ル中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾
燥して精製されたポリシロキサンポリアミドブロック共
重合体粉末を得た。得られた樹脂粉末１２０ｇ及びシラ
ンカップリング剤（信越化学工業株式会社製、商品名：
ＳＨ６０４０）６．０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン
３６０ｇに溶解し、ポリシロキサンポリアミドブロック
共重合体接着剤ワニスを得た。
【００６２】実施例１ 厚さ１２５μｍの表面に化学処理を施したポリイミドフ
ィルム（宇部興産（株）製 ユーピレックスＳＧＡ）
を、支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィル
ムの片面に、製造例１で製造した芳香族ポリエーテルア
ミドイミド接着剤ワニスを９０μｍの厚さに流延し、１
００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィ
ルム（１）の片面に厚さ２５μｍの樹脂層Ａ（２）がつ
いた図１の構成の半導体用接着フィルムを得た。樹脂層
Ａは、ガラス転移温度が１９５℃、５重量％減少温度が
４２１℃、２３０℃における弾性率が７ＭＰａのもので
あった。樹脂層Ａ（２）の厚さ(A)と、支持フィルム
（１）の厚さ(B)との厚さの比(A/B)は０．２であった。
次に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒でパラ
ジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００
ｍｍ）に接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレ
ームとの９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３０
０ｍｍ、以下同様）を測定したところ、１５０Ｎ／ｍ
で、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導
体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は
良好であった。次に図２のように、半導体用接着フィル
ム（４）を接着後のリードフレーム（３）を台（５）の
上に載せ、リードフレーム（３）の長手方向の反り
（Ｘ）を測定したところ、５ｍｍ程度であった。さら
に、この接着フィルムを接着したリードフレームを用い
て、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程
を行った。得られたパッケージは、図３のパッケージが
複数繋がった構造のものである。半導体素子の接着には
銀ペーストを用い、１５０℃で６０分加熱して銀ペース
トを硬化させた。ワイヤボンドは、ワイヤとして金線を
用い、２６０℃で５分加熱して行った。封止工程には封
止材としてビフェニル封止材（日立化成工業株式会社
製、商品名：ＣＥＬ９２００）を用い、温度１８０℃、
圧力１０ＭＰａ、時間３分で行い、その後、１８０℃で
５時間の加熱を行い、封止樹脂を硬化させた。いずれの
工程でも問題は生じなかった。図３において、４は半導
体用接着フィルム、６はワイヤ、７は封止材、３はリー
ドフレーム、８は半導体素子 、９はダイパッドを表す
（銀ペーストは図示せず）。封止工程後、２３５℃でリ
ードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き
剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以
下同様）、９０度ピール強度は３３０Ｎ／ｍで簡単に引
き剥がせ、樹脂はリードフレーム及び封止樹脂にほとん
ど残留しなかった。ごくわずかに残留した樹脂もN-メチ
ル-2-ピロリドンで洗浄することにより、除去すること
ができた。さらに、このパッケージを分割して各々１つ
の半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程
中、問題はなかった。
【００６３】実施例２ 支持フィルムとして厚さ５０μｍの表面に化学処理を施
したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユーピレ
ックスＳＧＡ）を用いた以外は、実施例１と同様にして
半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層Ａの厚さ(A)
と、支持フィルムの厚さ(B)との厚さの比(A/B)は０．５
であった。次に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１
０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレームに接着
し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０
度ピール強度を測定したところ、１５０Ｎ／ｍで、搬送
時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用接着
フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であ
った。さらには図２のように、接着後のリードフレーム
の反りを測定したところ、１ｍｍ程度であった。さら
に、この半導体用接着フィルムを接着したリードフレー
ムを用いて、実施例１と同様にして半導体素子の接着、
ワイヤボンド工程及び封止工程を行ない、図３のパッケ
ージが複数繋がった構造のパッケージを作製したが、い
ずれの工程でも問題は生じなかった。封止工程後、２３
５℃でリードフレームと封止材から半導体接着フィルム
を引き剥がしたところ、９０度ピール強度は３００Ｎ／
ｍで簡単に引き剥がせた。樹脂はリードフレーム及び封
止材にほとんど付着残留しなかった。
【００６４】実施例３ 支持フィルムとして厚さ２５μｍの表面に化学処理を施
したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユーピレ
ックスＳＧＡ）を用いた以外は、実施例１と同様にして
半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層Ａの厚さ(A)
と、支持フィルムの厚さ(B)との厚さの比(A/B)は１．０
であった。次に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１
０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレームに接着
し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０
度ピール強度を測定したところ、１５０Ｎ／ｍで、搬送
時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用接着
フィルムのカールはやや大きかったが、接着時の作業性
は良好であった。さらには図２のように、接着後のリー
ドフレームの反りを測定したところ、０．５ｍｍ程度で
あった。さらに、この半導体用接着フィルムを接着した
リードフレームを用いて、実施例１と同様にして半導体
素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程及び切断を
行ない、図３のパッケージが複数繋がった構造のパッケ
ージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかっ
た。封止工程後、２３５℃でリードフレームと封止材か
ら接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強
度は３００Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせた。また、樹脂は
リードフレーム及び封止材にほとんど付着残留しなかっ
た。
【００６５】実施例４ 支持フィルムとして厚さ１２５μｍの表面にプラズマ処
理を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユ
ーピレックスＳＰＡ）を用いた以外は、実施例１と同様
にして半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層Ａの厚
さ(A)と、支持フィルムの厚さ(B)との厚さの比(A/B)は
０．２であった。次に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、
時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレームに
接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの
９０度ピール強度を測定したところ、１５０Ｎ／ｍで、
搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用
接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好
であった。さらには図２のように、半導体用接着フィル
ムの接着後のリードフレームの反りを測定したところ、
５ｍｍ程度であった。さらに、この半導体用接着フィル
ムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様
に半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を
行ない、図３のパッケージが複数繋がった構造のパッケ
ージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかっ
た。封止工程後、２３５℃でリードフレームと封止材か
ら接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強
度は３３０Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせた。さらには、樹
脂はリードフレーム及び封止材にほとんど付着残留しな
かった。
【００６６】実施例５ 支持フィルムとして、厚さ２５μｍの表面にプラズマ処
理を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユ
ーピレックスＳＰＡ））を用いた。このポリイミドフィ
ルムの片面に、製造例２で製造した芳香族ポリエーテル
アミドイミド接着剤ワニスを５０μｍの厚さに流延し、
１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、厚さ１
０μｍの樹脂層Ａを形成した。この樹脂層Ａのガラス転
移温度は１８７℃、５％重量減少温度は４２９℃、２３
０℃における弾性率は５ＭＰａであった。さらに、ポリ
イミドフィルムの反対面に、製造例３で製造した芳香族
ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを５０μｍの厚さ
に流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥し
て、厚さ１０μｍの樹脂層Ｂを形成した。この樹脂層Ｂ
のガラス転移温度は２６０℃、５％重量減少温度は４２
１℃、２３０℃における弾性率は１７００ＭＰａであっ
た。これにより図４のように、支持フィルム（１）に樹
脂層Ａ（２）と樹脂層Ｂ（１０）が片面ずつに塗布され
た半導体用接着フィルムを得た。
【００６７】次に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間
１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレームに接着
した後の２５℃におけるリードフレームとの９０度ピー
ル強度を測定したところ、１５０Ｎ／ｍで、搬送時に剥
がれる不具合は生じなかった。また半導体用接着フィル
ムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であ
った。さらには図２のように、半導体用接着フィルムの
接着後のリードフレームの反りを測定したところ、０．
１５ｍｍ程度であった。さらに、この半導体用接着フィ
ルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同
様にして半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止
工程を行ない、図３のパッケージが複数繋がった構造の
パッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じ
なかった。封止工程後、２０５℃でリードフレームと封
止材から接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピ
ール強度は３００Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせた。さらに
は、樹脂はリードフレーム及び封止材にほとんど付着残
留しなかった。
【００６８】実施例６ 支持フィルムとして、厚さ２５μｍの表面に化学処理を
施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユーピ
レックスＳＧＡ）を用いた。このポリイミドフィルムの
片面に、製造例２で製造した芳香族ポリエーテルアミド
イミド接着剤ワニスを５０μｍの厚さに流延し、１００
℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、厚さ１０μｍ
の樹脂層Ａを形成した。この樹脂層Ａのガラス転移温度
は１８７℃、５％重量減少温度は４２９℃、２３０℃に
おける弾性率は５ＭＰａであった。さらに、ポリイミド
フィルムの反対面に、製造例４で製造したガラス転移温
度２３０℃の芳香族ポリエーテルアミドイミド粉末とビ
ス（４−マレイミドフェニル）メタンを６／４（前者／
後者）の重量比で混合した樹脂ワニスを５０μｍの厚さ
に流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥し
て、厚さ１０μｍの樹脂層Ｂを形成した。樹脂層Ｂの２
３０℃における弾性率は５００ＭＰａであった。これに
より図４のように、支持フィルム（１）に樹脂層Ａ
（２）と樹脂層Ｂ（１０）が片面ずつに塗布された半導
体用接着フィルムを得た。その後、温度２５０℃、圧力
８ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リード
フレームに接着した後の２５℃における樹脂層Ａとリー
ドフレームとの９０度ピール強度を測定したところ、１
５０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかっ
た。また半導体用接着フィルムのカールはほとんどな
く、接着時の作業性は良好であった。さらには図２のよ
うに、半導体用接着フィルムの接着後のリードフレーム
の反りを測定したところ、０．１５ｍｍ程度であった。
さらに、この半導体用接着フィルムを接着したリードフ
レームを用いて、実施例１と同様にして半導体素子の接
着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行ない、図３のパ
ッケージが複数繋がった構造のパッケージを作製した
が、いずれの工程でも問題は生じなかった。封止工程
後、２０５℃でリードフレームと封止材から接着フィル
ムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は３００Ｎ
／ｍで簡単に引き剥がせた。さらには、樹脂はリードフ
レーム及び封止材にほとんど付着残留しなかった。
【００６９】実施例７ 支持フィルムとして、厚さ１２５μｍの表面に化学処理
を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユー
ピレックスＳＧＡ）のかわりに、厚さ１２５μｍのポリ
エチレンナフタレートフィルム（帝人（株）製、商品
名：ＴＥＯＮＥＸ）を用いた以外は、実施例１と同様に
して半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層Ａの厚さ
(A)と、支持フィルムの厚さ(B)との厚さの比(A/B)は
０．２であった。次に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、
時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレームに
接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの
９０度ピール強度を測定したところ、１５０Ｎ／ｍで、
搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用
接着フィルムのカールはやや大きかったが、接着時の作
業性は良好であった。さらには図２のように、接着後の
リードフレームの反りを測定したところ、５ｍｍ程度で
あった。さらに、この半導体用接着フィルムを接着した
リードフレームを用いて、実施例１と同様にして半導体
素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行ない、
図３のパッケージが複数繋がった構造のパッケージを作
製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。封止
工程後、２３５℃でリードフレームと封止材から接着フ
ィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は３３
０Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせた。さらには、樹脂はリー
ドフレーム及び封止材にほとんど付着残留しなかった。
【００７０】実施例８ 実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを作製し、
温度３５０℃、圧力３ＭＰａ、時間３秒で４２アロイリ
ードフレームに接着し、２５℃における樹脂層Ａとリー
ドフレームとの９０度ピール強度を測定したところ、８
００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかっ
た。また半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着
時の作業性は良好であった。さらには図２のように、半
導体用接着フィルムの接着後のリードフレームの反りを
測定したところ、４ｍｍ程度であった。さらに、この半
導体用接着フィルムを接着したリードフレームを用い
て、実施例１と同様にして半導体素子の接着、ワイヤボ
ンド工程及び封止工程を行ない、図３のパッケージが複
数繋がった構造のパッケージを作製したが、いずれの工
程でも問題は生じなかった。封止工程後、２３５℃でリ
ードフレームと封止材から接着フィルムを引き剥がした
ところ、９０度ピール強度は２５０Ｎ／ｍで簡単に引き
剥がせた。さらには、樹脂はリードフレーム及び封止材
にほとんど付着残留しなかった
【００７１】実施例９ 樹脂層Ａの形成用に製造例５で製造した芳香族ポリエー
テルアミドイミド接着剤ワニスを用いた以外は、実施例
１と同様にして半導体用接着フィルムを作製した。樹脂
層Ａのガラス転移温度は２３０℃、５重量％減少温度は
４５１℃、２３０℃における弾性率は１５０ＭＰａであ
った。次に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒
でパラジウムを被覆した銅リードフレームに接着した。
接着後の２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの
９０度ピール強度を測定したところ、５０Ｎ／ｍで、搬
送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用接
着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好で
あった。さらには図２に従い、半導体用接着フィルムの
接着後のリードフレームの反りを測定したところ、５ｍ
ｍ程度であった。さらに、この半導体用接着フィルムを
接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にし
て半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を
行ない、図３のパッケージが複数繋がった構造のパッケ
ージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかっ
た。封止工程後、２０５℃でリードフレームと封止材か
ら半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度
ピール強度は３００Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせた。さら
には、樹脂はリードフレーム及び封止材にほとんど付着
残留しなかった。
【００７２】実施例１０ 樹脂層Ａの形成用に製造例６で製造した芳香族ポリエー
テルイミド接着剤ワニスを用いた以外は、実施例１と同
様にして半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層Ａの
ガラス転移温度は２４０℃、５％重量減少温度は４１０
℃、２３０℃における弾性率は３００ＭＰａであった。
次に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で、半
導体用接着フィルムをパラジウムを被覆した銅リードフ
レームに接着した。接着後の２５℃における樹脂層Ａと
リードフレームとの９０度ピール強度を測定したとこ
ろ、５０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなか
った。また半導体用接着フィルムのカールは少なく、接
着時の作業性は良好であった。さらには図２に従い、半
導体用接着フィルムの接着後のリードフレームの反りを
測定したところ、５ｍｍ程度であった。さらに、この半
導体接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、
実施例１と同様にして半導体素子の接着、ワイヤボンド
工程及び封止工程を行ない、図３のパッケージが複数繋
がった構造のパッケージを作製したが、いずれの工程で
も問題は生じなかった。封止工程後、２３５℃でリード
フレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥が
したところ、９０度ピール強度は６００Ｎ／ｍで簡単に
引き剥がせた。さらには、樹脂はリードフレーム及び封
止材にほとんど付着残留しなかった。
【００７３】実施例１１ 支持フィルムとして、厚さ２５μｍの表面にサンドマッ
ト処理を施したポリイミドフィルム（東レ・デュポン
（株）製、商品名：カプトンＥＮ、２０〜２００℃にお
ける線熱膨張係数が１５×１０-5／℃、２００℃で２時
間加熱した際の加熱収縮率が０．０２％）を用いた。こ
のポリイミドフィルムの片面に、製造例７で製造した芳
香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを２５μｍ
の厚さに硫延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分
乾燥して、厚さ４μｍの樹脂層Ａが支持フィルムの片面
についた図１の構成の半導体用接着フィルムを得た。こ
の樹脂層Ａのガラス転移温度は２６０℃、５％重量減少
温度は４３０℃、２３０℃における弾性率は１５００Ｍ
Ｐａであった。次に、温度２８０℃、圧力６ＭＰａ、時
間１０秒で、半導体用接着フィルムをパラジウムを被覆
した銅リードフレームに接着した。接着後の樹脂層Ａと
リードフレームとの２５℃における９０度ピール強度を
測定したところ、１０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具
合は生じなかった。また半導体用接着フィルムのカール
はほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。さら
には図２のように、半導体用接着フィルムの接着後のリ
ードフレームの反りを測定したところ、０．１ｍｍ程度
であった。
【００７４】さらに、この半導体用接着フィルムを接着
したリードフレームを用いて、ダイパッドへの半導体素
子の接着工程を行った。この際、接着用の銀ペーストを
硬化させるために１５０℃で９０分加熱した後、２５℃
におけるリードフレームと樹脂層Ａとの９０度ピール強
度を測定したところ、１０Ｎ／ｍであった。さらに、こ
の半導体素子を接着したリードフレームを用いてワイヤ
ボンドを行った。この際、２６０℃で５分加熱した後、
２５℃におけるリードフレームと樹脂層Ａとの９０度ピ
ール強度を測定したところ、１５Ｎ／ｍであった。さら
にこのリードフレームを用いて、実施例１と同様にして
封止工程を行い、図３のパッケージが複数繋がった構造
のパッケージを作製したが、封止工程時にリードフレー
ムと樹脂層Ａ間に封止材が入り込むなどの問題は生じな
かった。封止工程後、１７５℃でリードフレームと封止
材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、９
０度ピール強度は５０Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせた。
【００７５】実施例１２ 実施例１１と同様にして、半導体用接着フィルムの作
製、リードフレーム（異なるリードフレームを使用）へ
の接着、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程、封止工
程を行い、図５のパッケージを作製したが、いずれの工
程でも問題は生じなかった。封止工程後、１７５℃でリ
ードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き
剥がしたところ、９０度ピール強度は５０Ｎ／ｍで簡単
に引き剥がせた。さらには、接着剤はリードフレーム及
び封止材にほとんど付着残留しなかった。さらに、この
パッケージを分割して図６のパッケージを作製したが、
工程中、問題は生じなかった。
【００７６】比較例１ 支持フィルムとして、厚さ１２５μｍの表面に化学処理
を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユー
ピレックスＳＧＡ）を用いた。この支持フィルムの片面
に、製造例８で製造したポリシロキサンポリアミドブロ
ック共重合体接着剤ワニスを９０μｍの厚さに流延し、
１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、厚さ２
５μｍの樹脂層Ａ（２）が支持フィルム（１）の片面に
ついた図１の構成の半導体用接着フィルムを得た。この
樹脂層Ａのガラス転移温度は１８２℃、５％重量減少温
度は３８０℃、２３０℃における弾性率は１ＭＰａ未満
であった。樹脂層Ａの厚さ(A)と、支持フィルムの厚さ
(B)との厚さの比(A/B)は０．２であった。次に、この半
導体用接着フィルムを、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、
時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレームに
接着し、２５℃におけるリードフレームと樹脂層Ａとの
９０度ピール強度を測定したところ、０Ｎ／ｍで、搬送
時に剥がれてしまい、後の工程を行うことができなかっ
た。また半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着
時の作業性は良好であった。さらには図２に従い、接着
後のリードフレームの反りを測定したところ、５ｍｍ程
度であった。
【００７７】比較例２ 支持フィルムとして、厚さ１２５μｍの表面に化学処理
を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユー
ピレックスＳＧＡ）を用いた。この支持フィルムの片面
に、フェノール樹脂系接着剤ワニスを８０μｍの厚さに
流延し、１００℃で１０分、１５０℃で１０分乾燥し
て、厚さ２５μｍの樹脂層Ａ（２）が支持フィルム
（１）の片面についた図１の構成の半導体用接着フィル
ムを得た。樹脂層Ａのガラス転移温度は１８０℃、５％
重量減少温度は２８０℃、２３０℃における弾性率はｈ
１０ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ(A)と支持フィル
ムの厚さ(B)との厚さの比(A/B)は０．２であった。
【００７８】次に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間
１０秒で、この半導体接着フィルムをパラジウムを被覆
した銅リードフレームに接着し、２５℃におけるリード
フレームと樹脂層Ａとの９０度ピール強度を測定したと
ころ、３００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じ
なかった。また半導体用接着フィルムのカールは少な
く、接着時の作業性は良好であった。さらには図２のよ
うに、接着後のリードフレームの反りを測定したとこ
ろ、５ｍｍ程度であった。さらに、この半導体用接着フ
ィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と
同様にして半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封
止工程を行ない、図３のパッケージが複数繋がった構造
のパッケージを作製したが、ワイヤボンド工程でアウト
ガスが生じ、ワイヤを汚染する不具合が生じた。封止工
程後、１９０℃でリードフレームと封止材から半導体用
接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度
は１１００Ｎ／ｍで封止材の一部が破損した。また、樹
脂がリードフレーム及び封止材に大量に付着残留し、N-
メチル-2-ピロリドンで洗浄しても除去するのが難しか
った。
【００７９】実施例１〜１２及び比較例１〜２の結果よ
り、２５℃におけるリードフレームとの９０度ピール強
度が５Ｎ／ｍ以上で、なおかつ樹脂封止後、０℃〜２５
０℃の温度範囲の少なくとも１点においてリードフレー
ム及び封止材との９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以
下であるリードフレーム及び封止材より剥離可能な半導
体用接着フィルムを用いることにより、半導体パッケー
ジを高い作業性と生産性で製造できることが示される。
【００８０】
【発明の効果】本発明になる半導体用接着フィルムは、
２５℃でリードフレームとの密着性が高く、なおかつ樹
脂封止後、０〜２５０℃で、リードフレーム及び封止樹
脂から簡便に引き剥がせるため、半導体パッケージを高
い作業性と生産性で製造することを可能とするものであ
る。また、この半導体用接着フィルムを用いて作製され
る本発明の半導体装置は、高密度化、小面積化、薄型化
の点で優れており、例えば、携帯電話等の情報機器への
使用に適している。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の一態様の半導体用接着フィル
ムの断面図である。
【図２】図２は、半導体用接着フィルムを接着したリー
ドフレームの反りの測定方法を示す側面図である。
【図３】図３は、本発明の一態様の半導体装置を示す断
面図である。
【図４】図４は、本発明の一態様の半導体用接着フィル
ムの断面図である。
【図５】図５は、本発明の一態様の半導体用接着フィル
ムを備えた半導体装置を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の半導体用接着フィルムを用い
て作製された半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 支持フィルム ２ 樹脂層Ａ ３ リードフレーム ４ 半導体用接着フィルム ５ 台 ６ ワイヤ ７ 封止材 ８ 半導体素子 ９ ダイパッド １０ 樹脂層Ｂ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 23/12 H01L 21/56

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードフレーム裏面に接着フィルムを貼
    り付けて保護し、封止後に引き剥がす方法に使用される
    半導体用接着フィルムであって、支持フィルムの片面に
    接着性を有する樹脂層Ａが形成されており、その反対面
    に接着性を有しない樹脂層Ｂが形成されている半導体用
    接着フィルム。
  2. 【請求項２】 樹脂層Ａが、半導体用接着フィルムをリ
    ードフレームに接着した後の樹脂層Ａとリードフレーム
    との２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上で
    あり、かつ、半導体用接着フィルムを接着したリードフ
    レームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレー
    ム及び封止材との０〜２５０℃の温度範囲の少なくとも
    一点における９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／
    ｍ以下であり、樹脂層Ｂが、２３０℃における弾性率が
    １０ＭＰａ以上である請求項１記載の半導体用接着フィ
    ルム。
  3. 【請求項３】 樹脂層Ａと樹脂層Ｂの厚みの比が０．
    ８：１〜１．２：１である請求項１又は２記載の半導体
    用接着フィルム。
  4. 【請求項４】 樹脂層Ａの厚さ(A)と支持フィルムの厚
    さ(B)との比(A/B)が、０．５以下である請求項１〜３の
    いずれかに記載の半導体用接着フィルム。
  5. 【請求項５】 樹脂層Ａの厚さが１〜２０μｍである請
    求項１〜４のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
  6. 【請求項６】 支持フィルムの厚さが５μｍ以上５０μ
    ｍ以下である請求項１〜５のいずれかに記載の半導体用
    接着フィルム。
  7. 【請求項７】 支持フィルムは、２０〜２００℃におけ
    る線熱膨張係数が３．０×１０−５／℃以下である請求
    項１〜６のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
  8. 【請求項８】 支持フィルムは、２００℃で２時間加熱
    した際の加熱収縮率が０．１５％以下である請求項１〜
    ７のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
  9. 【請求項９】 樹脂層Ｂが２３０℃における弾性率が１
    ００〜２０００ＭＰａである請求項１〜８のいずれかに
    記載の半導体用接着フィルム。
  10. 【請求項１０】 樹脂層Ａ及び樹脂層Ｂが、共に、アミ
    ド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を有する熱
    可塑性樹脂を含むものである請求項１〜９のいずれかに
    記載の半導体用接着フィルム。
  11. 【請求項１１】 樹脂層Ｂが、熱可塑性樹脂と熱硬化性
    樹脂を組み合わせてなるものである請求項１〜１０のい
    ずれかに記載の半導体用接着フィルム。
  12. 【請求項１２】 熱可塑性樹脂１００重量部に対して、
    熱硬化性樹脂が５〜１００重量部である請求項１１に記
    載の半導体用接着フィルム。
  13. 【請求項１３】 熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、フェ
    ノール樹脂又はビスマレイミド樹脂である請求項１１又
    は１２記載の半導体用接着フィルム。
  14. 【請求項１４】 樹脂層Ｂがフィラー又はカップリング
    剤を含むものである請求項１〜１３のいずれかに記載の
    半導体用接着フィルム。
  15. 【請求項１５】 樹脂層Ｂが、金型又はジグとの２５℃
    における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満である請求項
    １〜１４のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
JP2002174119A 1999-11-10 2002-06-14 半導体用接着フィルム Expired - Lifetime JP3373848B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002174119A JP3373848B2 (ja) 1999-11-10 2002-06-14 半導体用接着フィルム

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11-320301 1999-11-10
JP32030199 1999-11-10
JP2002174119A JP3373848B2 (ja) 1999-11-10 2002-06-14 半導体用接着フィルム

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001537101A Division JP3543800B2 (ja) 1999-11-10 2000-11-08 半導体用接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置並びに半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003017648A JP2003017648A (ja) 2003-01-17
JP3373848B2 true JP3373848B2 (ja) 2003-02-04

Family

ID=26570041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002174119A Expired - Lifetime JP3373848B2 (ja) 1999-11-10 2002-06-14 半導体用接着フィルム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3373848B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8379721B2 (en) 2005-09-22 2013-02-19 Qualcomm Incorported Two pass rate control techniques for video coding using a min-max approach
KR101966958B1 (ko) * 2018-09-07 2019-04-09 (주)아이피아이테크 반도체 패키지용 폴리이미드 필름

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003017648A (ja) 2003-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3543800B2 (ja) 半導体用接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置並びに半導体装置の製造方法
US7449367B2 (en) Adhesive film for semiconductor, metal sheet with such adhesive film, wiring substrate with adhesive film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
KR102664369B1 (ko) 반도체 밀봉 성형용 가보호 필름, 가보호 필름 구비 리드 프레임, 가보호 필름 구비 밀봉 성형체, 및 반도체 장치를 제조하는 방법
JP3719234B2 (ja) 半導体用接着フィルム、およびこれを用いた半導体用接着フィルム付きリードフレームならびに半導体装置
JP6747621B2 (ja) 半導体封止成形用仮保護フィルム、仮保護フィルム付きリードフレーム、仮保護フィルム付き封止成形体及び半導体装置を製造する方法
JP3575480B2 (ja) 半導体用接着フィルム
JP2006295064A (ja) 半導体用接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置並びに半導体装置の製造方法
JP2007073921A (ja) 半導体用フィルム付複合金属層、半導体用フィルム、これを用いた配線回路付フィルム及び半導体用フィルム付半導体装置、半導体装置並びに半導体装置の製造方法
JP3373848B2 (ja) 半導体用接着フィルム
JP3445266B2 (ja) 半導体用接着フィルム
JP2008095063A (ja) 半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルム付きリードフレーム、半導体用接着フィルム付き半導体装置、半導体装置
JP2007335843A (ja) 半導体用接着フィルム付き金属板、これを用いてなる半導体用接着フィルム付き配線基板および半導体用接着フィルム付き半導体装置ならびに半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20021101

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3373848

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131122

Year of fee payment: 11

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131122

Year of fee payment: 11

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term