JPH023189A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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Publication number
JPH023189A
JPH023189A JP63148970A JP14897088A JPH023189A JP H023189 A JPH023189 A JP H023189A JP 63148970 A JP63148970 A JP 63148970A JP 14897088 A JP14897088 A JP 14897088A JP H023189 A JPH023189 A JP H023189A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
selector
memory cell
transistors
output
Prior art date
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Pending
Application number
JP63148970A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumio Kimura
木村 富美男
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
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Publication of JPH023189A publication Critical patent/JPH023189A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ダイナミック・リード・オンリー・メモリ 
(以下DROMと称す)を有する半導体集積回路に関す
る。
〔発明の概要〕
本発明は、DROMにおいてメモリ・セル・トランジス
タとそれに続くセレクタ用トランジスタの後にトランジ
スタを設け、DROM出力の電位を次段のフリップ・フ
ロップ(以下F・Fと称す)にラッチする直前で切り換
える事により、メモリ・セル・トランジスタおよびセレ
クタ用トランジスタのオフリークの影響及び寄生容量の
影響を押さえるようにしたものである。
〔従来の技術〕
従来、DROMとして、一般に第2図に示すように、読
み出し時以外の時プリチャージ人力2によって導通ずる
Pチャネル型MISFETl−1゜1−2 、 −−−
−−、 1− nと、該MISFETl−1゜1−2.
・・−・・−,1−n4出力3を通してつながり、読み
出し時に導遥か非導通かを制御する信号がアドレス人力
1に入る選択的に配置されたNチャネル型MISFET
4−1.4−2.・・−・−・、4−1で構成され、読
み出し時に縦積みとなっている該Nチャネル型MISF
ET4−1.4−2゜4−1の1列の中のいずれかが非
導通で、それがすべて列にわたっていれば出力3はダイ
ナミックな状態となり、寄生容量6により保持してたV
OWの電位が出力となり、また該Nチャネル型MISF
ET4−1.4−2.・・−・・・・、4−1の1列す
べてのトランジスタが導通状態であれば寄生容t6によ
って保持されていたVDllの電位がVSS側に放電さ
れる事により、出力3がVtSの電位となる。
これにより、貫il電流を押さえ低消費電流を実現する
事が知られていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、従来のDROMの形式では、低電圧・低速動作
・高温動作では出力3の電位が非導通状態の≦亥Nチャ
ネル型MISFETのオフリークにより寄生容量6によ
り保持していたVDllの電位が次段のF−Fに記憶さ
れている以前に寄生容I6に蓄積された電荷が放電して
しまい、VDDの電位が出力されないという欠点があっ
た。
そこで本発明は、従来のこのような欠点を解決するため
、読み出し時の出力がダイナミック状態になっている時
に、電荷が放電している時間を短くすると共に、VSS
側の寄生容量を少なくする事により、正常に次段のF・
Fに出力3の状態を記憶する事を目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題を解決するためにメモリ・セル・トランジスタ
とそれに続くセレクタ用トランジスタの後にトランジス
タを設け、F−Fにデータを記憶する直前まで、該トラ
ンジスタを非導通にしておき、F・Fにデータを記憶す
る直前に導通させるようにした。
〔作用〕
上記のようにF−Fにデータを記憶する直前まで入力信
号5によりトランジスタ2−1゜2−mを非導通として
おく事により、メモリ・セル及びセレクタ用トランジス
タの寄生容量C31、−、c 3−p、  c 4−1
.−−−−−−−、  c 4−11により寄生容量6
に充電された電荷が放電される事がなくなり、正常に次
段のF−Fに出力3の状態が記憶される。
〔実施例] 以下に、本発明の実施例を図面に基づいて、詳細に説明
する。
第1図が本発明によるDROMの回路図である。
本発明では、プリチャージ用トランジスタとセレクタ用
トランジスタの間に直列にトランジスタが接続される。
該トランジスタの基板電位はVSSとなる。
次に、その動作をタイミング・チャートに基づいて説明
する。
第3図において、2はプリチャージ人力信号であり、タ
イミングT1でプリチャージ・トランジスタ1 1. 
1−2.−−−、  l−nが非導通となる。また、1
.8はアドレス入力信号、セレクタ人力信号であり、タ
イミングT2でアドレス人力信号1.8が変更される。
次にリード入力信号5のタイミングT3でメモリ・セル
部のトランジスタがもしエンハンスメント型であれば、
アドレス入力信号1およびセレクタ入力信号8により選
択されたトランジスタは非導通となり出力3はプリチャ
ージされた電位VDDが出力される。またアドレス入力
信号1およびセレクタ入力信号8により選択されたトラ
ンジスタがデブレッンヨン型であれば、プリチャージさ
れた電荷は、VSSに放電され、VSSの電位が出力さ
れる0次にF−Fクロック入力信号4のタイミングT4
で次段のF−Fに記42される。
従来の回路方式であるとタイミングTIからタイミング
T4の間がすべてダイナミック状態となり、低電圧・低
速・高温動作でのトランジスタのオフリークにより電荷
が放電されるという影響ががあるが、本発明の回路方式
並びにタイミングにする事により、ダイナミック状態と
なる状態がタイミングT3からタイミングT4の間だけ
となるとともに、メモリ・セル・トランジスタ、セレク
タ用トランジスタの寄生容量の影響を橿力小さくする事
ができる。
〔発明の効果〕
本発明は、以上説明したように、DROMを使用する上
で問題となる、電荷の放電およびメモリ・セル・トラン
ジスタおよびセレクタ用トランジスタの寄生容量の影響
を押え、DROMの誤動作を防止する効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明にかかる半導体集積回路の回路図、第2
回は従来のDROMの回路図、第3図は本発明にかかる
DROMのタイミング・チャートである。 アドレス入力信号 プリチャージ入力信号 DROM出力信号 F−Fクロック入力信号 リード入力信号 寄生容量 フリップ・フロツグ セレクタ入力信号 プリチャージ部 セレクタ部 メモリ・セル部 リード部 qプ゛)+v−ソ′節

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  ダイナミック・リード・オンリー・メモリにおいて、
    メモリ・セル・トランジスタとそれに続くセレクタ用ト
    ランジスタの後にトランジスタを設けたことを特徴とす
    る半導体集積回路。
JP63148970A 1988-06-16 1988-06-16 半導体集積回路 Pending JPH023189A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63148970A JPH023189A (ja) 1988-06-16 1988-06-16 半導体集積回路

Applications Claiming Priority (1)

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JP63148970A JPH023189A (ja) 1988-06-16 1988-06-16 半導体集積回路

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Publication Number Publication Date
JPH023189A true JPH023189A (ja) 1990-01-08

Family

ID=15464744

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63148970A Pending JPH023189A (ja) 1988-06-16 1988-06-16 半導体集積回路

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JP (1) JPH023189A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03248397A (ja) * 1990-02-23 1991-11-06 Nec Ic Microcomput Syst Ltd センスアンプ回路
JPH0579796U (ja) * 1992-04-01 1993-10-29 ティアック株式会社 固定磁気ディスク装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03248397A (ja) * 1990-02-23 1991-11-06 Nec Ic Microcomput Syst Ltd センスアンプ回路
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