JPH0230211Y2 - - Google Patents

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JPH0230211Y2
JPH0230211Y2 JP1985185980U JP18598085U JPH0230211Y2 JP H0230211 Y2 JPH0230211 Y2 JP H0230211Y2 JP 1985185980 U JP1985185980 U JP 1985185980U JP 18598085 U JP18598085 U JP 18598085U JP H0230211 Y2 JPH0230211 Y2 JP H0230211Y2
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JP
Japan
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workpiece
polishing
holding head
vacuum
holding
Prior art date
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JP1985185980U
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JPS6295863U (ja
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  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の技術分野〕 この考案はシリコンウエハーなどのワークを研
磨するポリシング装置に関する。
〔考案の技術的背景とその問題点〕
この種のポリシング装置は、保持ヘツドの下面
に液体の表面張力を利用したマウンテイングパツ
ドによりシリコンウエハーなどのワークを取付
け、このワークを保持ヘツドの動作で研磨台に接
触させ、この状態で保持ヘツドとともにワークを
回転させてその表面を研磨するようになつてい
る。
ところが研磨が終了し、ワークを保持ヘツドか
ら取出そうとする際、そのワークが研磨台の表面
に表面張力により強固に密着し、これにより離脱
が困難となることが多く、このため作業能率が低
下し、また研磨工程の自動化を実現する上での障
害となる難点があつた。
そこで、ワークを薄板舌片等で機械的に研磨台
から剥離させる手段が一応考えられるが、しかし
このような手段ではワークや研磨台を損傷してし
まう恐れがあり、実用的でない。
〔考案の目的〕
この考案はこのような点に着目してなされたも
ので、その目的とするところは、ワークや研磨台
を損傷することなく、容易にかつ的確にワークを
研磨台から離脱させることができるようにしたポ
リシング装置を提供することにある。
〔考案の概要〕
すなわちこの考案は、保持ヘツドのワーク保持
面に液体の表面張力を利用したマウンテイングパ
ツドによりワークを装着保持し、このワークを研
磨台に接触させて研磨するものにおいて、上記保
持ヘツドのワーク保持面に吸引孔を形成し、この
吸引孔に真空源を接続するとともに、これら吸引
孔と真空源との間に、研磨終了後の保持ヘツド引
上げ時に開放操作される開閉弁を設け、研磨終了
後、保持ヘツドを研磨台から引上げる際に、この
吸引孔に真空吸引力を働かせてワークが研磨台に
残らないようにしたものである。
〔考案の実施例〕
以下、この考案の一実施例について図面を参照
して説明する。
図中1はポリシング装置の本体で、この本体1
の上面に凹部2が形成され、この凹部2内に研磨
台3が設けられている。この研磨台3は水平に配
置する回転駆動可能な定盤4の上面に研磨布5を
張り付けてなる。
本体1の上面の一側縁部には支柱6が設けら
れ、この支柱6にアーム7が回動自在に取付けら
れている。このアーム7は支柱6から水平に突出
し、その突出端部に垂直に主軸8が回転かつ上下
動自在に貫挿され、この主軸8が図示しない回転
駆動源に連動して回転するとともに、シリンダ1
0のピストンロツド10aに連動して上下動する
ようになつている。主軸8の下端にはユニバーサ
ルジヨイント11を介して保持ヘツド12が取付
けられ、この保持ヘツド12の下面に液体の表面
張力を利用したマウンテイングパツド12aが貼
られてワーク保持面13が構成され、このワーク
保持面13の周縁に円環状のワークガイド14が
設けられている。
主軸8の中心部および保持ヘツド12の内部に
はそれぞれ気密的な真空路15,16が形成さ
れ、主軸8の真空路15に真空源として真空ポン
プ17が開閉弁18を介して連通接続し、またこ
の主軸8の真空路15がフレキシブルチユーブ1
9,19を介して保持ヘツド12の真空路16に
連通している。そして保持ヘツド12にその内部
の真空路16をワーク保持面13に開放させる複
数の微細な吸引孔20…が穿設されている。な
お、21は本体1の上面に設けられたワーク搬送
装置である。
次に、作用について述べる。
まず、保持ヘツド12が研磨台3の上方の所定
位置に配置する状態において、ワーク搬送装置2
1によりワークaを保持ヘツド12のワーク保持
面13に搬送し、このワーク保持面13に液体の
表面張力を利用したマウンテイングパツド12a
によりそのワークaを装着して保持する。つい
で、シリンダ10を介して保持ヘツド12を下降
させ、ワークaを定盤4の研磨布5に接触させる
とともに、回転駆動源を介して保持ヘツド12と
一体的にワークaを回転させ、また定盤4も回転
させる。このような動作でワークaの表面や研磨
される。この際、保持ヘツド12はユニバーサル
ジヨイント11を介して主軸8に連結されてお
り、このため保持ヘツド12が常に定盤4と確実
に平行を保つて回転し、したがつてワークaに対
して均一に精度のよい研磨が施される。
ワークaの研磨が終了したのちには、まず開閉
弁18を開放する。この開放により真空ポンプ1
7の動作で真空路15,16内の空気が吸引され
てほぼ真空となり、吸引孔20…を通してワーク
aの裏面側に真空吸引力が働き、この真空吸引力
でワーク保持面13に対するワークaの密着力が
増大し、したがつてこののち保持ヘツド12を上
昇させると、ワークaが研磨台3に残るようなこ
となく、確実に研磨布5から離脱し、保持ヘツド
12と一体的に上昇する。保持ヘツド12が所定
位置まで上昇したのちには、開閉弁18を閉止
し、真空吸引力を解き、ワークaが搬送装置21
により保持ヘツド12から取出す。
このように、研磨台3上のワークaを真空吸引
力で容易にかつ的確に離脱させることができ、ま
たワークaの離脱に真空吸引力を利用するため、
ワークaや研磨台3に損傷を与えるような恐れが
全くない。
〔考案の効果〕
以上説明したようにこの考案によれば、ワーク
や研磨台を損傷することなく、容易にかつ的確に
ワークを研磨台から離脱させることができ、した
がつて作業能率が向上し、また研磨工程の自動化
も容易に実現が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例を示す全体の正面
図、第2図は同じく要部の断面図である。 12……保持ヘツド、12a……マウンテイン
グパツド、13……ワーク保持面、17……真空
ポンプ(真空源)、20……吸引孔、a……ワー
ク。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 保持ヘツドのワーク保持面に液体の表面張力を
    利用したマウンテイングパツドによりワークを装
    着保持し、このワークを研磨台に接触させて研磨
    するものにおいて、上記保持ヘツドのワーク保持
    面に吸引孔を形成し、この吸引孔に真空源を接続
    するとともに、これら吸引孔と真空源との間に、
    研磨終了後の保持ヘツド引上げ時に開放操作され
    て上記吸引孔に真空吸引力を作用させる開閉弁を
    設けたことを特徴とするポリシング装置。
JP1985185980U 1985-12-04 1985-12-04 Expired JPH0230211Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1985185980U JPH0230211Y2 (ja) 1985-12-04 1985-12-04

Applications Claiming Priority (1)

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JP1985185980U JPH0230211Y2 (ja) 1985-12-04 1985-12-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6295863U JPS6295863U (ja) 1987-06-18
JPH0230211Y2 true JPH0230211Y2 (ja) 1990-08-14

Family

ID=31135116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1985185980U Expired JPH0230211Y2 (ja) 1985-12-04 1985-12-04

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JP (1) JPH0230211Y2 (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52155494A (en) * 1976-06-21 1977-12-23 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Process for w orking parallel plane of wafer

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52155494A (en) * 1976-06-21 1977-12-23 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Process for w orking parallel plane of wafer

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Publication number Publication date
JPS6295863U (ja) 1987-06-18

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