JPH02288396A - 多層回路カード構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 本発明は、電子デバイスを搭載させるための多層回路カ
ード構造に関する。さらに、特に本発明は、熱的及び／
又は電気的に伝導性あるコアを有する複数の基板から形
成された多層回路カード構造に関し、上記伝導性あるコ
アは、−緒に取りつけることができるか、若しくは冷媒
手段が中を通れるように隣接した基板を離隔保持する導
体によって電気的に相互接続することができる。

Ｂ、従来の技術及び発明が解決しようとする課題電子計
算機において、電子デバイス若しくはモジュールハウジ
ング電子デバイスは、電子デバイスとモジュールを電気
的に相互接続する回路カード上に搭載される。多層回路
カードは、従来から各々の側上に銅からなる回路を有す
る多数の基板（すなわち、エポキシ／ガラス繊維）とと
もに積層状にすることによって製造されている。次に、
上記多層構造は、各眉間の相互接続のための多数のバイ
アを形成するために穴開けされる。導体コアの配置は、
その位置ずれが回路カードを使用不能にしてしまうので
非常に精密でなければならない。

回路カードの電気的性能は、多くの制約に依存している
。重要な要因の１つは、エポキシ／ガラス繊維の誘電率
である。多層カードの温度性能は、エポキシ／ガラス繊
維の熱導電度が非常に低いために悪い。そのため、動作
中に大量の熱を放出する半導体チップは、エポキシ／ガ
ラス繊維カードに直接取りつけることができない。した
がって、集積回路からの過剰熱は、パッケージング、チ
ップキャリア若しくはモジュールの他の層で消散させな
ければならない。

小型機用回路カードにおいて放出される熱の消散は、電
子部品の集積化が進むにつれてより太きな問題となって
いる。誘電体としてエポキシ樹脂若しくは他の有機材料
を用いた従来の回路カードは熱特性が悪く、そのため、
熱はシステムの外に十分に伝導することができない。こ
のことは、カード上に置くことができるチップの数若し
くは電力のいづれか一方を制限する。この問題に対する
一つの解決策は、高熱導電度を持つ材料からカードを作
ることである。しかしながら、例えばベリリウム酸化物
等のような高熱導電度を持つ絶縁材料は、高価である。

代りの手段は、比較的薄い絶縁材料の層で被覆された熱
的に伝導性のある材料を使用することである。

米国特許第３６０６６７７号には、導電パターン間で金
属被覆されていないようにした絶縁体基板を積層化する
ことによって形成された多層構造が開示されている。

米国特許第３７９５０４７号には、隣接した層間のエポ
キシ樹脂に埋めこまれた均一な球形の微粒子粉によって
電気的に相互接続された小組立て部品を積層化すること
によって形成された多層構造が開示されている。

米国特許第４６８３６５３号には、回路をその上に有す
る誘電体ベース板を積層することにより形成された多層
回路基板が開示されている。

米国特許第３４３６８１９号には、回路化された絶縁体
基板を積層化して形成された多層回路基板が開示されて
いる。

米国特許第４４９６７９３号には、上記積層体の熱膨張
係数を調節するための１つ若しくはそれ以上の金属安定
化シートを含んでいる多層回路基板を開示している。

本発明の構造と違って、従来技術の構造は、絶縁体材料
で被覆された熱的及び／又は電気的に伝導性のあるコア
から形成された基板から作り上げられるものではない。

上記コアは、各基板に対する構造的安定を与える。その
ため、複数のこれら基板から作り上げられる本発明の構
造は、構造的安定性が向上している。上記コアは、電気
的に伝導性がある場合、当該コアは接地レベル若しくは
出力レベルとして使用することができ、それにょって接
地レベル若しくは出力レベルとして導体層若しくはシー
トを別々に含ませる必要がない。上記コアが熱的に伝導
している場合、各基板はコアを持っているので、それ自
体の構造は、その上に据え付けられる電子デバイスによ
って放出される熱を消散するために、ヒートシンクとし
ての機能を果たすことができる。

本発明の目的は、集積回路電子デバイスを搭載すること
ができる構造を提供するものであり、その構造は、熱的
及び／又は電気的に伝導性のあるコアを有している複数
の基板から製造された多層回路カード構造を提供するこ
とにある。

本発明の別の目的は、集積回路電子デバイスを搭載する
ことができる構造を提供するものであり、その構造は、
電子デバイスによって放出された熱の消散手段を提供す
るものである。

本発明のさらに別の目的は、低誘電率を持つ材料を用い
、また多層回路カードを構成する基板相互間に空隙を設
けて基板相互間に基板の電気的相互接続手段を配置し、
これによっても隣接した基板相互間を離隔させるように
した低誘電率回路カードを提供することにある。

Ｃ０課題を解決するための手段 本発明を最も広い側面からとらえると、本発明は各々第
１及び第２の主表面を持つ複数の基板を有する構造であ
る。該基板は誘電性材料で被覆された少なくとも１つの
熱的及び／又は電気的伝導性のあるコアから形成されて
いる。電気的導体パターンは、各基板の主表面上に選択
的に形成され得る。

本発明を１つの特定の側面からとらえると、本発明は複
数の基板のうちの１つの主表面が当該構造における隣接
した基板の主表面に面して置かれている。隣接した基板
間には複数のコネクタが存在する。複数のコネクタの少
なくとも一部分が隣接した基板の主表面上の導体パター
ンの少なくとも一部分に電気的に相互接続する。当該コ
ネクタは隣接した基板の主表面間に空間を保持させる。

本発明を別の特定の側面からとらえると、本発明は、本
構造において複数の基板のうちの１っの主要表面が、隣
接した基板の主要表面に対向して付着している。本構造
の外部主要表面の少なくとも１つの上に導体パターンが
存在している。導電性のスルーホールは末端主要表面上
の導体パターンからなる集合体の少なくとも２つ及び本
構造の少なくとも１つの電気的に伝導性のあるコアとの
間を電気的に接続させる。

さらに本発明を別の特定の側面がらとらえると、本発明
は、本構造は複数のコネクタによって電気的に相互接続
され、一定の間隔が置かれたｍｈの組立体を含んでいる
。各組立体は複数の基板を含んでいる。

上記基板のうちの１つの主要表面は、本構造における隣
接した基板の主表面に対向して付着している。上記組立
体の外部主要表面の少なくとも１つの主表面上に導体パ
ターンが存在している。

導電性のスルーホールは外部主表面上の導体パターンか
らなる集合体の少なくとも２つ及び本構造の少なくとも
１つの電気的に伝導性のあるコアとの間を電気的に接続
させる。

さらに本発明を別の特定の側面からとらえると、電子デ
バイスは多層構造上に電気的に搭載される。

さらに本発明を別の特定の側面からとらえると、両主要
表面上に導体パターンを有している複数の基板は、本構
造におけるスルーホールを電気的に伝導させることによ
って電気的に相互接続される。

Ｄ、実施例 第１図は、基板４．６．８及び１０から形成された多層
回路カード構造２を示している。各基板は熱的に伝導性
のあるコア１２を備えている。熱的に伝導性のあるコア
１２は、例えば金属のような高熱伝導材料で作られるの
が好ましいが、それに限定されるものではない。一般的
な金属は、銅、アルミニウム、鉄、銅−インパール（ｉ
ｎｖａｒ）−銅及び同種のものである。一般的に、上記
コアは約２．５４ｘｌＯ−’ｃｍから約１．０１　ｅｘ
　１０−”ｃｍ、好ましくは、約２．５４．ｘｌＯ−’
ｃｍから約２．５４ＸＩＯ−”ｃｍ、最も好ましくは、
約２．５４ｘｌＯ−’ｃｍから約１．２７ｘｌｏ−２ｃ
ｍまでの厚さを有している。第１図に示した構造２上に
搭載した電子デバイスが製造される材料の熱膨脹係数に
厳密に整合する熱膨脹係数を基板に与えるために金属コ
アを選択することができる。一般的に、電子デバイスは
、シリコン若しくはガリウム砒素のような材料から作ら
れる。シリコン電子デバイスの場合、シリコンの熱膨脹
係数に厳密に整合する熱膨脹係数を備えている金属コア
１２の例は、銅−インパール（ｉｎｖａｒ）−銅及びモ
リブデンである。上記コアはまた、銅、アルミニウム及
びどのような他の金属であってもよい。搭載された電子
デバイスに厳密に整合する熱膨脹係数を持つコア１２は
、電子デバイスと回路カード間の熱的不整合から来る信
頼性の懸念なしに製作されるデバイスを、直かに回路カ
ードに取りつけさせることができる。

各基板４．６．８及び１０は、絶縁材料１８で被覆され
る。該絶縁材料はポリマー、セラミック及び他のいかな
る絶縁材料であってもよい。ポリマー材料の例は、ポリ
イミド、マイラー（商標）、ポリエーテルイミド、ポリ
テトラフルオロエチレン、エポキシ（ＦＲ４）及びビス
マルイミド（ｂｉｓｍａｌｅｉａ＋１ｄｅ）樹脂である
。最も好適な材料はポリイミドである。ポリマー材料を
混ぜることもできるし、混ぜないこともできる。

適したポリイミドの例は、デュポン社のポリイミドのバ
イラリン（Ｐｙｒａｌ　ｉｎ）シリーズ、チバガイギー
社のプロピミド（Ｐｒｏｂｉｍｉｄａｓ）、ロジャース
社のドウリミド（Ｄｕｒｉｍｉｄ）を含んでいる。化学
・科学技術百科辞典（Ｔｈｅ　ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉ
ａ　ｏｆｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｔｅｃｈｎ。

１ｏｇｙ）第３版、１８巻、７０４頁乃至７１９頁にお
ける°ポリイミド゛と題する記述の中に、ホノポリマー
（ｈｏｎｏｐｏ　ｌｙｍｅｒｓ　）を含んでいる種々の
ポリイミドについて記載されている。

各基板は、第１主要表面及び第２主要表面を持っている
。基板４は、主要表面１８及び主要表面２０を有するよ
うに示されている。基板６は、主要表面２２及び主要表
面２４を有するように示されている。基板８は、主要表
面２６及び主要表面２８を有するように示されている。

基板１０は、主要表面３０及び３２を有するように示さ
れている。

基板４は、主要表面１８上に金属パターン３４及び主要
表面２０上に金属パターン３６を有するように示されて
いる。基板４．６及び１０は、各主要表面に電気的導体
パターンを有するように示されている。多層回路カード
構造２の適用によって、各基板は、各主要表面上に導体
パターンを備える必要がない。基板４の主要表面１８上
のパターンは、電気的に導電しているスルーホール４０
によって主要表面２０上の導体パターン３６に電気的に
接続されている。

第１図は、各主要表面上の導体パターンを電気的に相互
接続しているスルーホールを有する各基板４．６．８、
及び１０を示している。基板４は電気的コネクタ４２に
よって基板６と電気的に相互接続されている。電気的コ
ネクタ４２は、基板４の主要表面２０上の導体パターン
３６の一部と基板６の主要表面２２上の導体パターンと
の間に接着されている。電気的コネクタ４２は、はんだ
山、伝導性エポキシ構成若しくは伝導性エラストマー構
成から形成され得る。電気的コネクタ４２は、約２．５
４ｘ１０−３ｃｍ乃至約２．５４ｘｌＯ−２ｃｍの寸法
を持つはんだ山であるのが好ましい。

電気的コネクタ４２は、多層回路カード構造２の各基板
に空間４６を形成する。

電気的コネクタ４２は、電気的に伝導する基板コアに電
気的に接続され得る。当該コアは、接地面若しくは出力
面として用いられ得る。電気的コネクタ４２°は、基板
４上の導体３６°と基板６上の導体４４°とを電気的に
接続する。導体３６゛は、基板４上の絶縁層２０におけ
る穴を介してコア１２に電気的に接続される。導体４４
゛は、絶縁層１３の穴を介して基板６の電気的に伝導性
あるコアに電気的に接続される。あるいは、以下に述べ
ているように、導体４４°はスルーホールの側壁に沿っ
て電気的伝導性コアに電気的に接続され得る。

好ましい実施例において、バイア４０は、熱的に伝導性
あるコア１２を貫いて延びている穴４９で形成される。

穴４９の側壁５０は、好ましくは主要表面１８と同じ材
料である絶縁材料で被覆される。電気的に伝導する材料
５２は、側壁５ｏを被覆する絶縁材料５１上に堆積され
る。第１図に示すように、−殻内に穴４９の中心に空間
５４が存在する。電気的伝導バイア４０は、側壁導体５
２から形成される。好ましい実施例において、バイア４
０の側壁導体５２は、基板４．６．８及び１０の主表面
上の金属化居（導体パターン）と同じ伝導材料から形成
される。

第２図は、第１図の構造の遠近図を示している。

第１図及び第２図に示した全ての部材は、同じ特徴を表
している。第２図では、基板４の主要表面１８上に搭載
された電子デバイス６０が示されている。電子デバイス
６０の活性面６２は、主要表面１８から離れて向かい合
うようにして置かれている。電子デバイス６０の背面６
４は、絶縁層１８の穴を介してコア１２の表面１７に対
して万がれている。電子デバイス６ｏの背面６４は、絶
縁層１８上に、若しくは従来がら普通に用いられている
方法によって絶縁層１８の穴を介してコア表面１７に、
熱的に据えられる。熱的な取り付は技術は含んでいるが
、次のもの、即ち背面６４と表面１８間に熱グリースを
用いたり、金属層や、表面１８上の金属層に金属層を接
着するはんだで背面６４を覆ったりすることに水足され
ない。電子デバイス６０の活性面６２は、その上に複数
の接点パッド６６を備えている。複数のビームリード６
８は、基板４ρ主要表面１８上の金属化パターン３４に
接点パッド６６を相互接続させる。ビームリード６８の
内側エンド７０は、従来がら普通に用いられている技術
、例えば、はんだボンディング及び熱圧着ボンディング
のような手段によって電子デバイス６０上の接点バッド
６６に電気的に接続され得る。ビームリード６８の外側
エンド７０は、従来から普通に用いられている技術、例
えば、はんだボンディング及び熱圧着ボンディングのよ
うな手段によって基板４の主要表面１８上の導体パター
ン３４に電気的に接続され得る。

電子デバイス６０を表面１８に電気的に接続させるため
の他の技術が用いられ得る。例えば、電子デバイス６０
は、電子デバイス６０の活性面６２と表面１８との間の
複数のはんだ山を持つ表面１８上のフリップ・チップ構
成（普通、Ｃ４ｓのように言われる）内に据えられ得る
。電子デバイス６０は、さらに電子デバイス６０上の接
点バッド６６と導体パターン３４上の対応する位置との
間に、電気的ワイヤを、ワイヤ結合することによって表
面１８上の導体パターン３４に電気的に接続され得る。

電子デバイス６０は、さらに電子デバイス６０に電気的
に接続されるビンを有する普通に使われるチップキャリ
ヤ上に搭載され得る。上記ビンは、基板４若しくは基板
１０におけるバイア４０の配列の穴５４内に挿入され得
る。

好ましい実施例において、電子デバイスの背面は、基板
４の主要表面１８に熱的に据えられる。

電子デバイスの動作中、熱が発生し、その熱は電子デバ
イスの背面から基板４へ伝わる。この熱は、容易に基板
４の薄い絶縁Ｐ３１８を通過する。基板４は高熱伝導材
料のコア１２を有しているので、基板４中くまなく伝わ
る。熱は、コネクタ４２を介して他の基板６．８、及び
１０に伝わる。隣接した基板間にある空間４６は、熱対
流によって基板４．６．８及び１０から空間４６内に熱
が逃げ込むのを許容する。本構造２の熱消散特性を高め
るために、例えば、空気若しくはその他の気体又は液体
のような流体は、電子デバイス６０によって発生させら
れた熱をより十分に取り除くために空間４６内を通過さ
せることができる。そのため、本構造２は、電子デバイ
スへの接続手段及び電子デバイス６０によって発生させ
られた熱消散手段として作用する。空気は低い誘電率を
持っているので、空間４６は、隣接した基板上の導体パ
ターン間に低い誘電率を持つ媒体を備えていることにな
る。

第２図は、本構造２上に据えられた１つの電子デバイス
を示している。複数の電子デバイスを本構造２上に搭載
することができる。本構造２を形成している複数の基板
の各主表面上の導体パターンは、複数の電子デバイス間
を電気的に相互接続するために用いられる。第２図の構
造は、図示していないが、電子計算機を形成するために
複数の基板２間を電気的に相互接続するフレームに、本
構造２とその上の電子デバイスとを電気的に接続するた
めに、−殻内に本構造２の縁に複数のコネクタを備えて
いる。

第１図及び第２図の構造は、現在使われる技術と比較す
ると４つの重要なメリットを持っている。

、、かなり高い製造合格率をもたらすであろう製造方法
。

２、回路間の絶１体の効果的な低誘電率。

３、チップ直接取り付けの適合性によりパッケージング
工程を少なくすること。

４、回路カードにシステムの熱荷重の全てとまでは行か
なくとも多くの熱を吸収させることができる熱消散能力
。

５、鰺理若しくは設計変更が可能な回路構成。

これら４つのメリットは、第１図及び第２図の構造に本
来備わっているものである。第１に、複数の基板は、別
々に製造され、検査され、他の基板に接続される前にテ
ストされる。したがって、不良基板は、廃棄されるか全
体の合格率にあまり影雷を与えないで作り直すことがで
きる。さらに、相互接続は、現在の技術における、基板
の積層化及び穴開けと違ったやり直し可能な工程であり
得る。したがって、相互接続の欠点は直され若しくは取
り除かれることができる。

第２に、空気は、１．０の誘電率を持ち、そしてそのた
め、第１図及び第２図の構造における絶縁体の有効な誘
電率は、空気の誘電率と基板の熱的に伝導性のあるコア
を覆っている誘電性絶縁体の誘電率の加重平均である。

第３に、各基板上の熱伝導コアは、第１図の構造上に搭
載された電子デバイスの熱膨張率にぴったり一致する熱
膨張率を与えるように選択することができる。電子デバ
イスがシリコンチップである場合、銅−インパール（−
ｉｎｖａｒ）−銅若しくはモリブデンによると、チ・ン
ブとカード間の熱的不整合から来る信頼性の懸念なしに
すませられるように、カードにチップを直かに取りつけ
ることができる。

第４に、各基板における金属の出力／接地面の熱導電度
は、カードの上部表面に搭載された集積回路によって発
生させられた熱を効果的に消散させることができる。当
甚熱は、基板相互接続の上部表面のポリマー膜を介して
他の金属面に伝達される。各基板の金属面は、冷却材を
循環させるためにカードの一端に接続され得る。低電力
を印加した場合、基板間の空間における空気の循環は、
熱を消散させるために十分である。

第１図及び第２図の構造２の製造方法が、第３図乃至第
７図に示されている。清浄で、十分平面的な熱的に伝導
性のあるコア８０が第３図に示されている。当該コア８
０は、例えば、銅、アルミニウム、銅−インパール（ｉ
ｎｖａｒ）−銅、モリブデン、黄胴、ステンレス鋼のよ
うな金属で作るのが好ましいが、金属に限定されない。

好ましい金属は、銅若しくはアルミニウムである。金属
コアの厚みは、約２．５４ｘｌＯ−３ｃｍ乃至約１．０
１　ｅｘ　１０−’ｃｍである。好ましい厚みは、５．
０８ｘｌＯ−３ａｍ乃至約２．５４ｘｌＯ−”　　ｃｍ
である。

コア８０における穴パターン８２を穿孔し、ドリル穴開
けし若しくはエツチングする。穴パターンを穿孔し、ド
リル穴開けし、エツチングする技術は、従来から通常知
られている。

基板が金属コア８０に対する電気的接続を持つべき場合
には、レジスト材料がコアに塗布され、露光され、レジ
スト材料を選択的に取り除くために、現像される。この
フォトリソグラフィ方法は従来技術において通常行なわ
れている。基板が金属コア８０と電気的接続を行わない
ならば、この工程は行なわれない。

主要表面８６及びコア８０の主要表面８８を被覆するた
め及び絶縁材料を付着させたスルーホール８２の側壁８
４を被覆するためにポリマー材料を堆積する。好ましい
絶縁材料は、ポリマー材料である。最も好ましい材料は
ポリイミドである。

ポリマー材料は、電気泳動堆積によって規則的にコア８
０を被覆するために堆積され得る。ポリイミドの電気泳
動技術について、Ｓ、　Ｌ、　Ｂｕｃｈｗａｌｔｅ「に
よって１９７８年１月２日に出願された、米国特許出願
第０００２７８号に記載されている。

本出願に係る発明の名称は、「電気泳動におけるポリイ
ミド反応生成物と使用」である。

上記Ｂｕｃｌ＋ｗａｌＬｅｒ特許出願において、水溶性
乳状液は、アミンが加減されたポリイミドの重量が約１
％乃至約１０％及び水の重量が約９９％乃至９０％を含
むように作られる。アミンが加減されたポリイミドは、
有機溶解性ポリイミドとポリアミンの反応生成物である
。採用されたポリアミンは、第２次／第３次のポリアミ
ン及び／又は第１次／第３次のポリアミン及び／又は守
られた第１次／第２次のポリアミンである。採用された
ポリアミンは、反応に利用できるただ１つだけのの第２
次アミノ基、若しくはただ１つだけの第１次アミノ基を
含んでいる。これは、電気泳動堆積を行うのに有害であ
るポリイミドの交差連鎖（ｃｒｏｓｓ−Ｉ　ｉｎｋｉｎ
ｇ）を防ぐ。

コア８０は、上記のような乳状液内に浸漬される。コア
８０は、その上にポリイミドが電気泳動で堆積されるカ
ソードとして作用する。その堆積はカソード上に生じ、
アノードとしては、炭素棒、例えばアルミニウム、銅、
ステンレス鋼等の金属の基板の如きに被覆される電気的
導電性基板が用いられ、また上記乳状液を含んでいる容
器にそのようなアノードを備えたりすることができる。

アノードとカソードは、約５０ボルトから約４００ボル
ト、好ましくは約５０ボルトから約４００ボルト、最も
好ましくは約５０ボルトから約１００ボルトの一定電圧
を供給するＤＣ電源に接続される。被覆は、−殻内に約
１分乃至約５分で終了し、約５ミクロン乃至約３０ミク
ロン、好ましくは約１０ミクロン乃至約３０ミクロンの
被膜ができる。

被覆されたコアが乳状液から取り出され、水ですすがれ
た後、調整されたポリイミドは、組１及中に残っている
水及び揮発性有機物を取り除くため及び膜の合体及び流
動を増進させるためにかポスト・ベーキングが必要とさ
れる。加えて、ポスト・ベーキングは、ポリイミドにお
けるイオン基を形成するために用いられるポリアミンを
取り除くために作用する。従って、ポスト・ベーキング
の後、ポリイミドは、もしあるとしても残りのポリアミ
ン及び酸の存在はほとんどみえない。このことは、ポリ
イミド膜の熱的／電気的特性の低下を予防するために望
まれる。しかしながら、例えば、ポリアミンの１０％ま
でのわずかな量が膜中に残っている。ポリイミドは、粘
性の無い状態まで、十分なフォトレジストの除去に耐え
られる得る点まで、約１時間、約１００”ｃ乃至約２０
０°Ｃの温度で硬化される。次の電気泳動堆積の場合、
レジスト材料は除去される。それから、ポリイミドは、
３時間乃至６時間にわたって約４００°Ｃまで温度を上
げ、そして約１時間約４００”　ｃに保つことによって
十分に硬化される。第５図は、ポリイミド層８６により
下地に沿って被覆されたコア８０を示している。ポリミ
ド層は、約２．５４ｘｌＯ−’ｃｍから約１．２７ｘ　
１０−２ｃｍ、好ましくは、１．２７ｘ１０−３ｃｍか
ら約６．３５ｘｌＯ−３ｃｍの厚みを持っている。この
ような配置は、ポリイミドの電気波動堆積中、レジスト
材料によって覆われていた。

ポリイミドの全表面は、適切な種材料、例えば、プラチ
ナ、パラジウム、ニッケル及び同種の材料がまかれてい
る。好ましい極材料は、パラジウムである。１９８８年
１２月２３日に、ｖ　１ｅｂｂｅｃｋその他、により出
願された米国特許出願第２９０４８６号、発明の名称「
有機ポリマー材料を条件付けるための方法」は、ポリマ
ー材料、特に、パラジウムのような極材料を持つポリイ
ミド材料を種まきするための電気化学及び化学方法を開
示している。ｖ　１ｅｈｂｅｃｋ　ｅＬａｌ、　　によ
るプロセスは、別の形式で電子や逆イオンを運ぶことが
できる有機ポリマー材料の少なくとの１つの表面で条件
付ける方法である。当該プロセスは、電解液から同時に
発生する逆イオンを吸収するポリマー材料の拠点、即ち
、還元及び酸化を受けることができる拠点で酸化還元反
応を起こすために電子を加えることを含んでいる。それ
から、還元されたポリマー材料は、有機ポリマー材料内
に拡散し、酸化還元反応を起こす拠点に接触する金属の
陽イオン含む水溶液を用いて接点内に充填される。それ
によって、酸化還元反応拠点は、酸化還元反応拠点がら
電子を受は取るようにエネルギ的に配向された陽イオン
の方に電子を運び、これにより陽イオンを非酸化状態の
金属原子に還元する。そのような方法による金属堆積は
、ポリマーからのｍ続する電子の移動を仲介することが
でき、前に堆積した金属の近くに更に金属が堆積するこ
とになる。次に、第２金属が無酸化状態金属上に無電解
めっき浴から堆積される。

カソードに印加される電位がポリマーの還元電位と等し
いか、負である、電気化学回路におけるカソード手段、
又は還元物質の酸化電位は、ポリマーの還元電位に関し
て負である、好ましくは還元物質及び溶液の手段のいづ
れか一方の手段によって電子は、電気化学回路における
ポリマー材料の酸化還元反応拠点に供給される。さもな
ければ、テトラキス（ｔｅＬｒａｋｉｓ）　（ジメチル
アミノ）エチレンを有するポリマー材料に接触すること
によってポリマー材料の酸化還元反応拠点に、電子が供
給され得る。還元物質は、帯電した状態若しくは中性の
形態で存在し得る。ポリマーは、還元電位が金属イオン
の還元電位に関して負である化学的機能性を有していな
ければならない。ポリマー表面を条件付けるための適切
な還元物質は、電解液としてテトラブチルアンモニアフ
ルオロホウ酸塩を含んでいるアセトニトリル中のベンゾ
フェノン基の陰イオンである。これは、好適例であって
、これに限定されない。他のいくつかの例は、上記ｖ　
１ｅｈｂｅｃｋその他、による特許出願明細書中に見つ
けることができる。従来から知られている他のシーディ
ング技術もまた用いることができる。

従来から一般に知られている手段によって、別の金属が
めつき基部を形成するために、種層上に無電解堆積され
る。例えば、銅、金、パラジウム、銀、二・νケル及び
同種のもののような金属が種層上に無電解堆積され得る
。無電解堆積された金属の厚みは、約０．０５乃至約３
５ミクロン、好ましくは約０．１ミクロン乃至約８ミク
ロン、さらにもっと好ましいのは、約０．１ミクロン乃
至約２ミクロンである。

めっき基部の堆積に引き続き、従来から一般に知られて
いる手段による電気めっき、即ち、露光されためっき基
部上に金属線をめっき仕上げするために、露光され、無
電気的に堆積されためっき基部層上に、銅、金、銀、コ
バルト、ニッケル、及び同種のもののような金属をめっ
きする前に、フォトレジストを塗布し、露光し、現像す
ることによって所望のパターンが製造され得る。めっき
仕上げされた金属線は、約１．２７ｘｌＯ−３ｃｍ乃至
約２．５４ｘ１０−２ｃｍ、好ましくは、ｌ、２７ｘｌ
ｏ−３ｃｍ乃至約１．２７ｘ１０−２ｃｍ、最も好まし
いのは、２．５４ｘｌＯ−３ｃｍ乃至約７．６２ｘｌｏ
−３ｃｍの厚みを持っている。めっき仕上げされた金属
線は、第６図における電気的導体９０を形成し、その導
体は、絶縁材料８６の表面上に配置されている。さらに
、電気的に伝導性のあるバイア１００を形成するために
、スルーホール８２のポリマー側壁９４上に配置されて
いるめっき基部を、電気めっきされた金属８３が覆う。

金属線１０２は、第６図に示すように、コア８０に電気
的に接続するポリマー材料の開口８８における種材斜上
に堆積されためっき基部上に電気めっきされている。

余分なめっきフォトレジストは、従来一般に知られてい
る手段によって除去される。電気めっきされた導体９０
．８３及び１０２の下になっていない余分なめっき基部
や極材料は、従来一般に知られている方法によって除去
される。めっき基部が銅である場合、めっき基部は、例
えば過硫酸塩アンモニウム若しくは塩化第二鉄のような
胴のエッチャントによって除去され得る。余分な極材料
、例えば、パラジウムは大いに拡散され、除去される必
要はないが、もしも除去を望むならば、硝酸により除去
され得る。これらは好適例であるが、これらに限定され
ない。上記工程は、第１図及び第２図の構造を製造する
ために用いられる各基板に関して繰り返される。基板が
コア８０への電気的接続を要求しない場合、ポリマー材
料８６における８８のような開口は必要とされないので
、レジストのような材料の最初の堆積は除かれる。それ
から、各基板は、第１図及び第２図の構造に組み立てる
前に、物理的及び電気的に試験される。

第１図及び第２図の構造の１実施例において、第７図の
基板１０４．１０６は、第７図に示すようにはんだ山１
０８によって物理的及び電気的に相互接続される。はん
だ山は、約２．５４ｘｌＯ−３ｃｍ乃至約２．５４ｘ１
０−２ｃｍ、好ましくは、５゜０８　ｘ　１０−３ｃｍ
乃至約２．０３２ｘ１０−２ｃｒｎ、最も好ましいのは
、７．６２ｘｌ　Ｏｏ−３ａ乃至約２゜０３２ｘｌ（ｌ
”ｃｍの直径を持っている。隣接した基板１０４及び１
０６間の空間は用いられるはんだ山の直径におおよそ一
致している。

はんだ山を用いて基板１０４と１０６を電気的に相互接
続する技術は、はんだリフローで調整される圧潰による
チップ接続法として従来一般に知られている。本件出願
人に譲渡されたＬｏｕｉｓＦ。

Ｍｉｌｌｅｒの米国特許第３４０１１２６号及び第３４
２９０４０号は、キャリヤへの半導体チップの下向き結
合の上記へこみチップ接続技術について詳細に記述して
いる。上記Ｍｉｌｌｅｒ特許に記述された技術は、電気
的に接続している基板１０４及び１０６に直接的に適用
することかできる。一般に、これらの特許に記述されて
いるのは、チップキャリヤの導体上の半導体デバイスの
接点位置及びはんだ接合可能位置上の金属はんだの可鍛
性パッドの形成である。上記デバイスのキャリヤはんだ
接合可能位置は、はんだ付けできない防壁によって囲ま
れている半導体デバイス接点位置上のはんだが融解する
とき、表面張力がキャリヤの上方に、自由に動くように
取り付けられた半導体デバイスを保持する。

はんだ山ｌＯ８が電気的に接続される基板１０４上の導
体パターン１１４の表面１１０は、はんだぬれ性を持つ
材料、例えば金、銀、ニッケル、コバルト及び銅から形
成される。はんだ山１０８が接着される基板１０６上の
導体パターン１１６の表面１１２は、さらに、はんだぬ
れ性を持つ同じ種類の材料から形成される。はんだ山１
０８が接着される領域１１０及び１１２のそれぞれを取
り囲んでいる導体パターン１１４及び１０６の表面は、
はんだぬれ性を持たない材料、例えば、はんだぬれ性を
持つ材料の酸化物がら形成される。

はんだ山が領域１１０及び１１２に電気的接続をもたら
すために融解されるとき、はんだ山は、はんだぬれ性の
ある表面１１０及び１１２上をじ吟ずつなぎになるが、
領域１１０及び１１２を取り囲んでいるぬれ性を持たな
いはんだ領域上に流れ出さない。それによって、溶融は
んだ山の一般的な球形状を維持している。第６図に示さ
れているような種類の第３基板は、第７図に示された構
造１２０の表面１２２若しくは１２４のいずれかの上に
、はんだ山を用いて据えることができる。多くの基板は
、第１図及び第２図に示すように、多層基板構造を形成
するために、電気的及び物理的に相互接続され得る。は
んだ山なので、溶融したはんだぬれ性を持つ表面１１０
及び１１２上にじゆずつなざになり、そして一般に球形
状を維持するとき、基板１０４及び１０６は、基板１０
４と１０６間のギヤ・ンプ１１８を残して物理的に一定
の間隔を持って離れて置かれている。

第８図は、本発明に従った他の回路カード構造を示して
いる。第８図は、物理的及び電気的に相互接続された２
つの基板１４０及び１４２を有している回路カード構造
を示している。基板１４０は、熱的及び／又は電気的に
伝導性のあるコア１４４を備えている。基板１４０は、
主要表面１４６及び主要表面１４８を備えている。基板
１４２は、熱的及び／又は電気的に伝導性のあるコア１
５０及び主要表面１５２と主要表面１５４を備えている
。基板１４０の主要表面１４８は、基板１４２の主要表
面１５４に物理的に取りつけられる。

主要表面１４８は、粘着性材料、例えば、ポリイミド、
例えば、ロジャーズドウリミド（Ｒｏｇｅｒｓ　Ｄｕ　
ｒｉｍｉｄはロジャーズ　コーポレーションの商標）に
よって主要表面１５４に取りつけることができる。

仮に、表面１４８と１５４とが直接的に相互に粘着する
ならば、粘着性材料は必要としない。基板１４０のコア
１４４は、絶縁材料１５６により被覆される。基板１４
２は、類似する絶縁材料１５８により被覆される。絶縁
材料は、セラミック若しくはポリマー材料、好ましくは
ポリマー材料、最も好ましいのはポリイミド材料である
。基板１４０は、複数のスルーホール１６２．１６４及
び２００を有している。基板１４２は、複数のスルーホ
ール１６８及び１７０を有している。第８図の基板１４
０及び１４２におけるスルーホールの組合せは、好適例
であるが、これに限定されない。

スルーホールの側壁は、伝導性のある材料１７２により
被覆される。基板１４０におけるスルーホール１６２は
、第８図の構造を通してスルーホール１８２を形成する
ために基板１４２におけるスルーホール１６８と一致さ
せる。スルーホール１６２は、側壁を被覆している絶縁
材料１７８を有している。スルーホール１６８は、側壁
を被覆している絶縁材料１８０を有している。絶縁材料
１７８及び１８０は、絶縁材料１５６と同じものである
。絶縁波１１７８及び１８０は、表面１５２上の伝導リ
ードパターンに、表面１４Ｂ上の伝導リードパターン１
７４を電気的に接続するバイアを形成するために伝導材
料１７２により一列に並べられる。そのため、スルーホ
ール１６２及び１６８によって形成されたバイア１８２
は、基板１４０の導体コア１４４及び基板１４２の導体
コア１５０から電気的に絶縁される。

バイア１８４は、バイア１８２に類似しているが、同一
ではない。基板１４２のスルーホール１７０は、基板１
４０のスルーホール１６４と整合している。絶縁材料１
５６と同じである絶縁材料１９０は、スルーホール１６
４の側壁を被覆する。

基板１４２におけるスルーホール１７０の側壁１９２を
被覆している絶縁材料は存在しない。電気的に伝導性の
ある材料１９４は、スルーホール１６４の絶縁材料１９
０の表面である側壁１９１を被覆する。電気的に伝導性
のある材料１９４は、スルーホール１８４におけるコア
が絶縁材料により被覆されないために、基板１４２及び
スルーホール１８４の電気的に伝導性のあるコア１５０
上に直接配設される。電気的に伝導性のある材料１９４
は、基板１４０の表面１４６上の電気的に伝導性のある
材料１９６に電気的に接続され、基板１４２の表面１５
２上の電気的に伝導性のある材料１９８に電気的に接続
される。そのため、電気的に伝導性のある材料は、導体
１９６と導体１９８との間に、電気的に伝導性のあるバ
イアを形成し、さらに、基板１４２の電気的に伝導性の
あるコア１５０に電気的接続を形成する。

電気的に伝導性のあるバイアは、外部表面１４６及び１
５２上の導体パターン及び各基板の伝導コアに電気的に
接続することができる。１つの基板のコアは、他の基板
の１つ若しくはそれ以上のコアに接続され得る。１つの
外部主表面上の導体パターンは、１つ若しくはそれ以上
のコアに接続され得る。複数の外部主表面上の複数の導
体パターンは接続され得る。

基板１４０のスルーホール２００は、基板１４２のスル
ーホールに整合している。基板１４０の電気的に伝導す
るコア１４４中を通るスルーホール２００の一部は、絶
縁材料により被覆されない。

スルーホール２００の側壁２０２は、表面１４．６上の
電気的導体２０６に電気的に接続される電気的導体２０
４により被覆される。そのため、電気的導体２０４及び
スルーホール２００は、コア１４４に導体２０６を電気
的に接続している電気的に伝導性のあるバイアを形成す
る。

電子デバイスが第２図の構造の表面１６上に搭載される
のと類似の方法で、電子デバイスは、第８図の構造の表
面１４６若しくは表面１５２上に搭載され得る。電気的
に伝導性のするコア１４４及び１５０は、第８図の構造
の接地及び出力面としての機能を果たすことができる。

熱的に伝導性のあるコアは、電子デバイスによって発生
させられる出力の消散のための熱のたまり場となる。第
８図の構造は、第８図の構造を形成している２つの基板
１４０及び１４２を示しているけれども、多くの基板が
第８図の基板１４０及び１４２間に、第５図に示すよう
な基板を配設することによって第８図の多層基板構造を
作成するために用いられ得るということは、当業者にお
いて明らかである。

第８図の構造の各基板は、第１図及び第２図の基板に類
似するやり方で作りあげられ得る。第４図、第５図及び
第６図に関して示され、記述されたようなプロセス工程
は、スルーホールにおいてコアに接触させるためにレジ
スト工程を経る必要がないということを除き同じである
。

第１図及び第８図の構造は、結合させることができる。

第１図の基板４．６．８及びｌＯの１つ若しくはそれ以
上は、離れて一定の間隔を置いていない基板組立て第８
図の構造によって置換可能である。その結果できた構造
は、各々少なくとも１つの基板を含んでおり、電気的に
相互接続する複数のコネクタを有し、基板組立てから離
れて一定の間隔を置いている複数の組立体を含んでいる
。

第９図を参照すると、電気的に伝導性あるコア２１０は
、絶縁材料２１２により被覆されている。

スルーホール２１６の側壁２１４は、絶縁材料２１８に
より被覆される。絶縁材料により被覆された側壁を持た
ないスルーホールを形成するために、スルーホールは、
ポリマー材料２１２がコア２１０上に堆積された後、第
９図の基板２２０に穿孔され、エツチングされ、若しく
はドリル穴開けされる。この型のスルーホールは、第９
図において符合２２１として示されている。その後、絶
縁物で被覆されたスルーホール２１６若しくは、非絶縁
物で被覆されたスルーホール２２１のいずれかに伝導バ
イアを形成するためにスルーホールの側壁を被覆してい
る伝導材料を形成するための金属化工程は、第６図に関
して記述し、図示したのと同じである。コアは、例えば
、銅、金、銀、コバルトのような材料及びめっき基部と
なるような他の材料から作られるのが好ましい。なかで
も好ましい材料は、銅である。

第８図の構造を製造するために、第９図に示すような個
々の基板は、一致させた対応するスルーホールを持つい
る隣接した基板の主要面に押し付けて置かれた主要面と
同じ方向に配設されている。

その後、金属化工程が、第８図の主要表面１４６及び１
５２上の伝導バイア材及び伝導材を形成するために行な
われる。

基板のスルーホールの側壁上に絶縁物を形成するための
代りの方法は、導体コアの両主要表面上に液体ポリマー
材料を堆積することである。ポリマー材料は、導体コア
上に液体ポリマーをロール被覆することによって堆積さ
せることができ、このことは、従来から一般に用いられ
ている技術である。その後、スルーホールは、ポリマー
材料及び導体コアを貫いて穿孔され、ドリル穴開けされ
るか若しくはエツチングされる。それから、スルーホー
ルを備えた導体コアは、後で絶ｍ材料の被覆をスルーホ
ールの側壁上に堆積するためにポリマー材料の希釈溶液
中に浸漬される。基板は、側壁の絶縁材料の厚みを形成
するために液体ポリマー中に浸漬される。次に、液体ポ
リマー材料は、硬化されるか、若しくは液体ポリマー材
料は、希釈液体ポリマー溶液中にそれぞれ浸漬した後、
硬化され得る。スルーホールの側壁に沿った液体ポリマ
ー材料の保持力を高めるために、伝導コアは、スルーホ
ールのいずれか一方の側止にポリマー材料２３０ののオ
ーバーハングを残すために第１０図に示すようにエッチ
パックされる。オーバーハングは、わかりやすくするた
めに誇張したものである。オーバーハングは、基板２３
４が液体ボリマー材料の希釈溶液中に浸漬されるとき、
液体ポリマー材料を捕える隙間２３２を形成する。これ
によって側壁は、より大きな均一性のある厚みを備える
ことになる。隙間２３２とオーバーハングにより、基板
２３４は、より少ない時間液体ポリマー溶液中に浸漬さ
れなければならない。液体ポリマー溶液の例は、デュポ
ン社のバイラリン（ｐｙｒａｌ　ｉｎ）ポリイミド前駆
物質溶液、チバーガイギー社のプロピミド（ｐｒｏｂｉ
ｍｉｄｅ）溶液及びナショナルスターチアンドケミカル
社のサーミド（Ｔｈｅｒｍｉｄ）溶液である。これらの
溶液は、例えば、Ｎ−メチルピロリジン（ｍｅｔｈｙｌ
ｐｙｒｒｏｌ　１ｄｉｎｏｎｅ）、ジメチルアセトアミ
ド、若しくはジエチレングリコールジメチルエーテルの
ような適した溶媒により適切な濃度に希釈される。適切
な濃度は、目方で約１％乃至約２５％のポリマー、好ま
しくは、約３％乃至約１５％である。電気的に伝導性あ
るコアに電気的接続を与える第８図の型２００の電気的
に伝導性あるバイアは、第１図及び第２図の構造におい
て用いられ得る。

基板におけるスルーホールの側壁上の絶縁材料を付着さ
せる他の代りの方法は、基板におけるスルーホール若し
くはめくら穴内に材料を押し付ける方法である。上記絶
縁材料は基板表面上に配置される。ガラスの転移温度若
しくはそれ以上に材料を加熱することによって材料が流
れ出すような雰囲気が与えられる。その後、材料の流れ
を引き起こすような圧力を加え、最初に穴の側壁を被覆
し、その圧力を連続して加えると、材料は完全に穴を満
たすために流れる。その結果、基板は、絶縁材料により
被覆され若しくは絶縁材料により完全に満たされた内縁
部を持つ穴を有している十分子な表面を持つことができ
る。材料は、好ましくは、ポリイミド及び過ふっ化ポリ
マーのような熱可塑性ポリマー材料である。

第３図に示すような基板８０は、熱可塑性ポリマーであ
るデュポン社のバイラリン（ｐｙｒａｌｉｎ）ＰＩ２５
２５のような絶縁層を持っている両側面上に被覆される
。スルーホールは第９図において符号２２１で示されて
いる。仮に、穴が開けられるならば、基板材料は、穿孔
機の移動方向に塗りつけられる。塗りつけられた材料は
、第１Ｏ図に示すように基板におけるスルーホールに付
着しているポリマーを残しておくためにエツチングによ
って除去され得る。次に、基板は２つのプラテン間に置
かれ、ポリマーは、ガラスの転移温度若しくはそれ以上
に加熱され、上記プラテンは、スルーホールに押し込み
ながらポリマー層上に圧力をかけて一緒に押し付けられ
る。ポリマーは最初に側壁を被覆する。十分な時間経過
後、スルーホールは完全に満たされる。絶縁被覆された
スルーホールは、側壁が被覆されるとき、圧力をかける
のを停止するか、若しくは上記のような同じ方法によっ
て、基板のスルーホールを満たすポリマーを貫通して穴
を形成するか、いずれかによって形成され得る。次の例
は、スルーホール側壁を被覆するこの方法を用いた例及
びスルーホールを満たした例である。

（例１） 熱可塑性ポリマーであるデュポン社のバイラリン（ｐｙ
ｒａｌｉｎ）　Ｐ　Ｉ　２５２５は、約７．８２ｘｌＯ
−３ｃｍの調筋上に浸液による被覆が行なわれた。各浸
液からおおよそ１．２７ｘｌｏ−３ｃｍのポリマーの厚
みが得られた。複合的な浸液が銅箔の両側上に２．５４
ｘｌＯ−３ｃｍ及び５．０８ｘ　１０−３ｃｒｎの最終
のポリマーの厚みを達成するために用いられた。両サン
プルは、２００°Ｃで５分間、各浸液層間でベークされ
、その後、最後の被覆が完了する。１．２７ｘ１０−２
ｃｍの直径を有するスルーホールは、各サンプルを貫通
して機械的に穴開けされた。これらスルーホールは、ス
ルーホールの内側の銅のコアを露出させた。銅のコアは
、５０°Ｃの塩化第二鉄中に４分間上記サンプルを浸漬
することによってエッチバックされた。次に、サンプル
は、脱イオン水により洗浄され、それから乾燥される。

サンプルは、Ｔｇ３１０’Ｃ以上で加熱され、２つのプ
ラテン間で押し付けられる。

２．５４ｘｌＯ−３ｃｍのポリマーの厚みを持つサンプ
ルの場合、１５秒間、３５０°Ｃで５０００プシ一粒子
（ｐｓｉ）が使用された。５．０８ｘｌＯ−３ｃｍのポ
リマーの厚みを持つサンプルの場合、１０秒間、３４０
″Ｃで５０００ブシ一粒子（ｐｓｉ）が使用された。

（例２） デウボン社によって製造されたデイツプコートポリアミ
ック酸（Ｄｉｐ　ｃｏａＬｐｏｌｙａｍｉｃ　ａｃｉｄ
）　６８１１Ｄは、予め穴開けされた約２８ｇの銅−イ
ンバールー銅のコア上のＢＰＤＡ−ＰＤＡのポリイミド
前駆物質である。当芯コアはスパッタされたクロム表面
を有している。被覆されたコアは、８５°Ｃの温度で１
時間ベークされる。次に、コアは、１２５’Ｃの温度で
４５分間７５０プシ一粒子（ｐｓｉ）で押し付けられ、
次に、穴開けされた穴をポリマーで満たすために２５０
°Ｃの温度で１時間、７５０ブシ一粒子（ｐｓｉ）で押
し付けられる。

要約すると、本発明は、電子回路カードとして有用な多
層構造である。電子回路カードは、複数の基板から作ら
れ、各基板は、絶縁材料の薄層によって取り囲まれた電
気的及び／又は熱的に伝導性あるコアを有している。１
実施例において、基板は、その基板から離れて置かれて
いるコネクタによって電気的に接続されている。それに
よって、本構造における電子デバイスによって発生させ
られる余分な熱を、冷却流動体が伝えることができる空
間を設けている。本発明の他の実施例において、各基板
は、互いに押し付けられるようにして配置されている。

電気的に伝導性あるコアは、構造に対する安定性を備え
、構造に対する接地面及び出力面を備えている。本発明
の他の実施例において、複数の組立体は、電気的に相互
接続され、及び複数のコネクタによって離れて配置され
ている。当該組立体は、互いに押し付けられて配置され
た１以上の基板を備えている。

Ｅ０発明の効果 本発明によると、多層回路カードの構造的な安定性を向
上させることができ、電気的に伝導性のあるコアを用い
ることによって、当該コアは接地若しくは出力レベルと
して使用することができ、それによって接地若しくは出
力レベルとして導体層若しくはシートを別々に含ませる
必要がない。

上記コアが熱的に伝導している場合、各基板はコアを持
っているので、それ自体の構造は、その上に据え付けら
れる電子デバイスによって放出される熱を消散するため
に、ヒートシンクとしての機能を果たすことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、隣接した基板が電気的に相互接続され、複数
のコネクタによって離れて一定の間隔を置かれた本発明
に係る多層構造の概略図である。 第２図は、第１図の構造上に電子デバイスを振え付けた
多層構造の概略図である。 第３図乃至第７図は、本発明の好適な実施例において使
用された金属コア基板の製造方法を示す概略図である。 第８図は、隣接した基板が粘着して一緒に配置される本
発明に係る多層構造の概略図である。 第９図は、第１図、第２図及び第９図の構造において設
けられるスルーホールを示した概略図である。 第１０図は、第９図のスルーホールのさらに別の実施例
を示した概略図である。 ２・・・多層回路カード構造、４．６．８．１０・・・
基板、１８．２０．２２．２４．２６．２８．３０．３
２・・・主要表面、１２・・・伝導性のあるコア、３４
．３６・・・導体パターン、４０・・・スルーホール（
バイア）、４２・・・電気的コネクタ、４６・・・空間
、６０・・・電子デバイス。 出願人　インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・
コーポレーション

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）第１及び第２の主要表面をそれぞれ有している複
   数の基板であって、前記各々の基板が少なくとも１つの
   伝導性のあるコアを有しており、前記少なくとも１つの
   コアの少なくとも一部が絶縁性材料で被覆されているも
   のと、各々の前記基板の少なくとも１つの前記主要表面
   上の導体パターンと、隣接した基板の主要表面に面して
   いる前記複数の基板のうち１つの主要表面と、隣接した
   基板間及び基板から一定の間隔をおいて配置された複数
   のコネクタと、前記隣接した基板の前記主要表面上の前
   記導体パターンの一部と電気的に接続している前記複数
   のコネクタの少なくとも一部とを含んでいる多層回路カ
   ード構造。
2. （２）第１及び第２の主要表面をそれぞれ有している複
   数の基板と、前記基板の各々は電気的及び熱的に伝導性
   のあるコアを少なくとも１つ有しており、前記コアの少
   なくとも一部がポリマー材で被覆されていることと、前
   記各々の基板の前記主要表面少なくとも１つの上の導体
   パターンと、隣接した基板の主要表面に面している前記
   複数の基板のうちの１つの主要表面と、隣接した基板間
   及び基板からて一定の間隔をおいて配置された複数のは
   んだ山と、前記隣接した基板の前記主要表面上の前記導
   体パターンの一部と電気的に接続している前記複数のは
   んだ山の少なくとも一部と、その上に接点位置を有して
   いる活性面と前記構造の外部主表面の１つに熱伝達関係
   に設けられた背面とを有している電子デバイスと、前記
   外部主要表面上の導体パターンに前記接点位置を電気的
   に接続している伝導リードとを含んでいる多層回路カー
   ド構造。
3. （３）第１及び第２の主要表面をそれぞれ有している複
   数の基板と、前記基板の各々は少なくとも１つの電気的
   及び熱的に伝導性のあるコアを有しており、前記少なく
   とも１つのコアの少なくとも一部が絶縁性材料で被覆さ
   れていることと、前記基板の少なくとも１つにある絶縁
   性被覆された主要表面は隣接する基板の絶縁性被覆され
   た主要表面に面してこれに付着していることと、前記構
   造の外部主要表面の少なくとも１つの上の導体パターン
   とを含んでいる多段階回路カード構造。
4. （４）第１及び第２の主要表面をそれぞれ有している複
   数の基板と、前記基板の各々は電気的及び熱的に伝導性
   のあるコアを少なくとも１つ有し、前記コアの少なくと
   も一部が絶縁性材料で被覆されており、前記基板の１つ
   にある絶縁性被覆された主要表面は隣接した基板の絶縁
   性被覆された主要表面に面しており隣接する基板の絶縁
   性被覆の間に粘着性物質が存在することと、、前記構造
   の外側主要表面の少なくとも１つの上にある導体パター
   ンと、前記少なくとも１つの外側主要表面上の前記導体
   パターンのグループの少なくとも一構成要素と前記複数
   の基板の電気的に伝導性のあるコアとの間に電気的な接
   続を与える伝導バイアと、その上に接点位置を有してい
   る活性面と外側主要表面の１つに熱伝達関係をなすよう
   に取り付けられた背面とを有している電子デバイスと、
   前記少なくとも１つの外側主要表面上の導体パターンに
   前記接点場所を電気的に接続している伝導リードとを含
   んでいる多層回路カード構造。