JPH0227995B2 - - Google Patents
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- JPH0227995B2 JPH0227995B2 JP57200034A JP20003482A JPH0227995B2 JP H0227995 B2 JPH0227995 B2 JP H0227995B2 JP 57200034 A JP57200034 A JP 57200034A JP 20003482 A JP20003482 A JP 20003482A JP H0227995 B2 JPH0227995 B2 JP H0227995B2
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- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般式〔〕
〔式中、RはC1〜C5の直鎖または分岐の低級ア
ルキル基である〕で表わされるエポキシカルバセ
フエム化合物(以下、化合物〔〕という。他の
式番号の化合物についても同様)に関する。
ルキル基である〕で表わされるエポキシカルバセ
フエム化合物(以下、化合物〔〕という。他の
式番号の化合物についても同様)に関する。
カルバセフエム類はもとよりセフアロスポリン
類についてもエポキシ基を有する化合物は知られ
ていない。化合物〔〕は後述のごとく3−ヒド
ロキシカルバセフエム化合物等を経て抗菌作用を
有する化合物に変換できる有用な中間体である。
類についてもエポキシ基を有する化合物は知られ
ていない。化合物〔〕は後述のごとく3−ヒド
ロキシカルバセフエム化合物等を経て抗菌作用を
有する化合物に変換できる有用な中間体である。
一般式〔〕中、Rについて「C1〜C5の直鎖
または分岐の低級アルキル基」としてはメチル、
エチル、tert−ブチル等があげられる。
または分岐の低級アルキル基」としてはメチル、
エチル、tert−ブチル等があげられる。
化合物〔〕は一般式〔〕
(式中、Rは前記と同義である)で表わされる、
特開昭54−128591に記載されている公知の化合物
を出発化合物として、以下のプロセスに従つて
合成される。
特開昭54−128591に記載されている公知の化合物
を出発化合物として、以下のプロセスに従つて
合成される。
(式中、Rは前記と同様であり、Zはハロゲン原
子である) ハロヒドリン化はオレフインのハロヒドリン化
の一般的手法に従つて行うことができる。好まし
くは、ハロヒドリン化は含水溶媒中で化合物
〔〕とハロゲン化剤とを−10〜50℃で反応させ
ることにより行われる。
子である) ハロヒドリン化はオレフインのハロヒドリン化
の一般的手法に従つて行うことができる。好まし
くは、ハロヒドリン化は含水溶媒中で化合物
〔〕とハロゲン化剤とを−10〜50℃で反応させ
ることにより行われる。
溶媒としてはジメトキシエタン、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、アセト
ン、ジメチルホキシド、ジメチルホルムアミド等
が使用できる。ハロゲン化剤としてはN−ハロサ
クシミド、N−ハロアセタミド、第3ブチルハイ
ポクロライト、第3ブチルハイポブロマイト、ハ
ロゲン等を化合物〔〕に対して1〜1.5当量用
いる。
フラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、アセト
ン、ジメチルホキシド、ジメチルホルムアミド等
が使用できる。ハロゲン化剤としてはN−ハロサ
クシミド、N−ハロアセタミド、第3ブチルハイ
ポクロライト、第3ブチルハイポブロマイト、ハ
ロゲン等を化合物〔〕に対して1〜1.5当量用
いる。
エポキシ化は不活性溶媒中、化合物〔〕を塩
基で0〜50℃で処理することにより行う。不活性
溶媒としてはジクロルメタン、クロロホルム、ジ
メトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ジエチルエーテル、トルエン、ベンゼン、酢
酸エチル、ジメチルスルホキシド、ジメチルホル
ムアミド等を使用する。塩基としてはトリエチル
アミン、ジエチルアミン、ピリジン、1.5−ジア
ザビシクロ〔4.3.0〕ノネン−5、さらに1,8
−ジアザビシクロ〔5.4.0〕ウンデセン−7のよ
うな有機アミン類を化合物〔〕に対して1〜2
当量用いる。
基で0〜50℃で処理することにより行う。不活性
溶媒としてはジクロルメタン、クロロホルム、ジ
メトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ジエチルエーテル、トルエン、ベンゼン、酢
酸エチル、ジメチルスルホキシド、ジメチルホル
ムアミド等を使用する。塩基としてはトリエチル
アミン、ジエチルアミン、ピリジン、1.5−ジア
ザビシクロ〔4.3.0〕ノネン−5、さらに1,8
−ジアザビシクロ〔5.4.0〕ウンデセン−7のよ
うな有機アミン類を化合物〔〕に対して1〜2
当量用いる。
反応混合物中から化合物〔〕や化合物〔〕
の単離精製はペニシリン類、セフアロスポリン類
の合成において通常用いられる手法、例えば抽
出、カラムクロマトグラフイー、再結晶等により
行うことができる。もつとも化合物〔〕を単離
せずに反応を行うこともできる。
の単離精製はペニシリン類、セフアロスポリン類
の合成において通常用いられる手法、例えば抽
出、カラムクロマトグラフイー、再結晶等により
行うことができる。もつとも化合物〔〕を単離
せずに反応を行うこともできる。
本発明により得られる化合物〔〕は本発明者
らにより開発された以下のプロセスにより、例
えば触媒として、塩化亜鉛、臭化亜鉛、塩化アル
ミニウム、臭化アルミニウム、四塩化チタン、臭
化マグネシウム、臭化リチウム、沃化リチウム、
塩化リチウム、過塩素酸リチウム、フツ化水素、
トリ−n−ブチルホスフインオキサイド等を用い
て、抗菌作用を有するセフアロスポリン類縁体の
母核である3−ハイドロキシ体〔〕や更に3−
メトキシ体〔〕に導くことができ、したがつて
化合物〔〕は有用な中間体である。プロセス
の詳細な説明は参考例によつて例示する。
らにより開発された以下のプロセスにより、例
えば触媒として、塩化亜鉛、臭化亜鉛、塩化アル
ミニウム、臭化アルミニウム、四塩化チタン、臭
化マグネシウム、臭化リチウム、沃化リチウム、
塩化リチウム、過塩素酸リチウム、フツ化水素、
トリ−n−ブチルホスフインオキサイド等を用い
て、抗菌作用を有するセフアロスポリン類縁体の
母核である3−ハイドロキシ体〔〕や更に3−
メトキシ体〔〕に導くことができ、したがつて
化合物〔〕は有用な中間体である。プロセス
の詳細な説明は参考例によつて例示する。
3位にヒドロキシ基やメトキシ基を有するカル
バセフエム化合物についてはChem.Pharm.Bull.,
28(5)1563(1980)に記載がある。
バセフエム化合物についてはChem.Pharm.Bull.,
28(5)1563(1980)に記載がある。
以上のようにして得られる化合物〔〕のう
ち、2位のCO2Rで示されるエステル基は、ペニ
シリン、セフアロスポリンの化学で頻用されてい
る手法を用いて、適当な条件、試剤を選ぶことに
より分子中の置換基、官能基を損なわずにカルボ
キシル基に変換し得る。また7位のアジド基を、
好ましい手法として接触還元法、または硫化水素
をトリエチルアミン、ピリジン等の塩基の存在下
で作用される方法等により、アミノ基へ変換でき
る。そのアミノ基に、ペニシリン、セフアロスポ
リンの化学の領域で常用される種々のアシル基を
導入することにより、有用な抗菌活性を有するセ
フアロスポリン類縁化合物を得ることができる。
ち、2位のCO2Rで示されるエステル基は、ペニ
シリン、セフアロスポリンの化学で頻用されてい
る手法を用いて、適当な条件、試剤を選ぶことに
より分子中の置換基、官能基を損なわずにカルボ
キシル基に変換し得る。また7位のアジド基を、
好ましい手法として接触還元法、または硫化水素
をトリエチルアミン、ピリジン等の塩基の存在下
で作用される方法等により、アミノ基へ変換でき
る。そのアミノ基に、ペニシリン、セフアロスポ
リンの化学の領域で常用される種々のアシル基を
導入することにより、有用な抗菌活性を有するセ
フアロスポリン類縁化合物を得ることができる。
本発明の実施態様を以下に例示する。
実施例 1
(±)−6,7−シス−7−アジド−1−アザ
ビシクロ〔4.2.0〕オクト−2,3−エポキシ
−8−オキソ−2−カルボン酸 第三ブチルエ
ステルの製造法: (±)−シス−7−アジド−1−アザビシクロ
〔4.2.0〕オクト−2−エン−8−オキソ−2−カ
ルボン酸 第三ブチルエステル2g(7.58m mol)
を、1,2−ジメトキシエタン200ml、水100mlの
混合溶媒に溶解し、氷冷下撹拌しつつ、N−プロ
モサクシイミド2.02g(11.36m mol)を加え、1.5
時間撹拌をつづける。ここに酢酸エチル100mlを
加え、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウム
で乾燥後、溶媒を留去する。得られた残渣に無水
塩化メチレンン20mlを加え、このものにトリエチ
ルアミン1.55mlを添加して、室温で一夜撹拌をつ
づける。溶媒を減圧下留去した後、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフイーに付し(シリカゲ
ル80g)、n−ヘキサン−酢酸エチル(4:1)
により溶出される目的物を含有する画分を集め、
減圧濃縮すると850mg(40.1%)の固化物を得る。
このものの物性値は以下の通りである。
ビシクロ〔4.2.0〕オクト−2,3−エポキシ
−8−オキソ−2−カルボン酸 第三ブチルエ
ステルの製造法: (±)−シス−7−アジド−1−アザビシクロ
〔4.2.0〕オクト−2−エン−8−オキソ−2−カ
ルボン酸 第三ブチルエステル2g(7.58m mol)
を、1,2−ジメトキシエタン200ml、水100mlの
混合溶媒に溶解し、氷冷下撹拌しつつ、N−プロ
モサクシイミド2.02g(11.36m mol)を加え、1.5
時間撹拌をつづける。ここに酢酸エチル100mlを
加え、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウム
で乾燥後、溶媒を留去する。得られた残渣に無水
塩化メチレンン20mlを加え、このものにトリエチ
ルアミン1.55mlを添加して、室温で一夜撹拌をつ
づける。溶媒を減圧下留去した後、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフイーに付し(シリカゲ
ル80g)、n−ヘキサン−酢酸エチル(4:1)
により溶出される目的物を含有する画分を集め、
減圧濃縮すると850mg(40.1%)の固化物を得る。
このものの物性値は以下の通りである。
IR νKBr nax(cm-1):3460,2980,2120,1780,
1740 NMR(CDCl3)δ:4.89(1H,d,J=4.88
Hz),3,63(1H.br.s),3.42−
3.61(1H,m),1.68−2.53
(4H,m),1.51(9H,s) 実施例 2 (±)−6,7−シス−7−アジド−1−アザ
ビシクロ〔4.2.0〕オクト−2,3−エポキシ
−8−オキソ−2−カルボン酸 第三ブチルエ
ステルの製造法(別法): (1) (±)−6,7−シス−7−アジド−1−ア
ザビシクロ〔4.2.0〕オクト−2−ハイドロキ
シ−3−ブロモ−8−オキソ−2−カルボン酸
第三ブチルエステルの製造法: (±)−6,7−シス−7−アジド−1−ア
ザビシクロ〔4.2.0〕オクト−2−エン−8−
オキソ−2−カルボン酸 第三ブチルエステル
2g(7.58m mol)を1,2−ジメトキシエタン
200ml、水100mlの混合溶媒に溶解し、氷冷下撹
拌しつつ、N−プロモサクシイミド2.02g
(11.36m mol)を加え、1.5時間撹拌をつづけ
る。次に酢酸エチル100mlを加え、酢酸エチル
層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウム
で乾燥後、溶媒を留去する。得られた残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフイーに付し(シ
リカゲル50g)、n−ヘキサン−酢酸エチル
(4:1)により溶出される目的物を含有する
画分を集め、減圧濃縮すると1.70mg(62.2%)
の油状物を得る。このものは2種類の異性体か
らなつている。このものの物性値は以下の通り
である。
1740 NMR(CDCl3)δ:4.89(1H,d,J=4.88
Hz),3,63(1H.br.s),3.42−
3.61(1H,m),1.68−2.53
(4H,m),1.51(9H,s) 実施例 2 (±)−6,7−シス−7−アジド−1−アザ
ビシクロ〔4.2.0〕オクト−2,3−エポキシ
−8−オキソ−2−カルボン酸 第三ブチルエ
ステルの製造法(別法): (1) (±)−6,7−シス−7−アジド−1−ア
ザビシクロ〔4.2.0〕オクト−2−ハイドロキ
シ−3−ブロモ−8−オキソ−2−カルボン酸
第三ブチルエステルの製造法: (±)−6,7−シス−7−アジド−1−ア
ザビシクロ〔4.2.0〕オクト−2−エン−8−
オキソ−2−カルボン酸 第三ブチルエステル
2g(7.58m mol)を1,2−ジメトキシエタン
200ml、水100mlの混合溶媒に溶解し、氷冷下撹
拌しつつ、N−プロモサクシイミド2.02g
(11.36m mol)を加え、1.5時間撹拌をつづけ
る。次に酢酸エチル100mlを加え、酢酸エチル
層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウム
で乾燥後、溶媒を留去する。得られた残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフイーに付し(シ
リカゲル50g)、n−ヘキサン−酢酸エチル
(4:1)により溶出される目的物を含有する
画分を集め、減圧濃縮すると1.70mg(62.2%)
の油状物を得る。このものは2種類の異性体か
らなつている。このものの物性値は以下の通り
である。
<低極性異性体>
IR νCHCl3 nax(cm-1):3500,2980,2120,1780,
1745 NMR(CDCl3)δ:4.70(1H,br,s),4.70
(1H,d,J=4.88Hz),3,
82−4.14(2H,m),2.37−2.62
(2H,m),1.69−1.93(2H,
m),1.58(9H,s) <高極性異性体> IR νCHCl3 nax(cm-1):3500,2980,2120,1780,
1745 NMR(CDCl3)δ:4.73(1H,br,s),4.71
(1H,d,J=4.89Hz),3.92−
4.14(2H,m),1.74−2.53
(4H,m),1.58(9H,s) (2) (±)−6,7−シス−7−アジド−1−ア
ザビシクロ〔4.2.0〕オクト−2,3−エポキ
シ−8−オキソ−2−カルボン酸 第三ブチル
エステルの製造: 上記(1)で得られた(±)−6,7−シス−7
−アジド−1−アザビシクロ〔4.2.0〕オクト
−2−ハイドロキシ−3−ブロモ−8−オキソ
−2−カルボン酸 第3ブチルエステル1.7gを
無水塩化メチレン20mlに溶解する。このものに
トリエチルアミン1.55mlを加えて室温で一夜撹
拌を行う。溶媒を減圧下留去した後、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフイーに付し(シ
リカゲル80g)、n−ヘキサン−酢酸エチル
(4:1)により溶出される目的物を含有する
画分を集め、減圧濃縮すると680mg(51.4%)
の固化物を得る。このものの物性値は実施例1
で得られた物と全く同一である。
1745 NMR(CDCl3)δ:4.70(1H,br,s),4.70
(1H,d,J=4.88Hz),3,
82−4.14(2H,m),2.37−2.62
(2H,m),1.69−1.93(2H,
m),1.58(9H,s) <高極性異性体> IR νCHCl3 nax(cm-1):3500,2980,2120,1780,
1745 NMR(CDCl3)δ:4.73(1H,br,s),4.71
(1H,d,J=4.89Hz),3.92−
4.14(2H,m),1.74−2.53
(4H,m),1.58(9H,s) (2) (±)−6,7−シス−7−アジド−1−ア
ザビシクロ〔4.2.0〕オクト−2,3−エポキ
シ−8−オキソ−2−カルボン酸 第三ブチル
エステルの製造: 上記(1)で得られた(±)−6,7−シス−7
−アジド−1−アザビシクロ〔4.2.0〕オクト
−2−ハイドロキシ−3−ブロモ−8−オキソ
−2−カルボン酸 第3ブチルエステル1.7gを
無水塩化メチレン20mlに溶解する。このものに
トリエチルアミン1.55mlを加えて室温で一夜撹
拌を行う。溶媒を減圧下留去した後、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフイーに付し(シ
リカゲル80g)、n−ヘキサン−酢酸エチル
(4:1)により溶出される目的物を含有する
画分を集め、減圧濃縮すると680mg(51.4%)
の固化物を得る。このものの物性値は実施例1
で得られた物と全く同一である。
参考例 1
(±)−シス−7−アジド−1−アザビシクロ
〔4.2.0〕オクト−2−エン−3−ハイドロキシ
−8−オキソ−2−カルボン酸 第三ブチルエ
ステル: 実施例1で得られたエポキシ体850mg(3.03m
mol)を無水ベンゼン20mlに溶解し、塩化亜鉛
200mgを加え、50℃に2時間激しく撹拌する。無
機塩を別し、液を減圧濃縮する。
〔4.2.0〕オクト−2−エン−3−ハイドロキシ
−8−オキソ−2−カルボン酸 第三ブチルエ
ステル: 実施例1で得られたエポキシ体850mg(3.03m
mol)を無水ベンゼン20mlに溶解し、塩化亜鉛
200mgを加え、50℃に2時間激しく撹拌する。無
機塩を別し、液を減圧濃縮する。
得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フイーに付し(シリカゲル50g)、n−ヘキサン
−酢酸エチル(4:1)により溶出される目的物
を含有する画分を集め、減圧濃縮すると149mg
(17.5%)の結晶を得る。
フイーに付し(シリカゲル50g)、n−ヘキサン
−酢酸エチル(4:1)により溶出される目的物
を含有する画分を集め、減圧濃縮すると149mg
(17.5%)の結晶を得る。
このものの物性値は以下の通りである。
IR νCHCl3 nax(cm-1):2980,2120,1775,1660
NMR(CDCl3)δ:11.50(1H,s),4.85(1H,
d,J=4.88Hz),3.62−3.82
(1H,m),2.44−2.59(2H,
m),1.77−2.38(2H,m),
1.55(9H,s) 参考例 2 (±)−シス−7−アジド−1−アザビシクロ
〔4.2.0〕オクト−2−エン−3−メトキシ−8
−オキソ−2−カルボン酸 第三ブチルエステ
ル: 実施例1で得られたエポキシ体850mg(3.03m
mol)を無水ベンゼン20mlに溶解し、塩化亜鉛
200mgを加え、50℃に2時間激しく撹拌する。無
機塩を別し、適量のジアゾメタンエーテル溶液
を加え、室温で30分撹拌後、減圧濃縮し、得られ
た残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイーに
付し(シリカゲル10g)、n−ヘキサン−酢酸エ
チル(4:1)により溶出される目的物を含有す
る画分を集め減圧濃縮すると100mg(11.2%)の
結晶を得る。
d,J=4.88Hz),3.62−3.82
(1H,m),2.44−2.59(2H,
m),1.77−2.38(2H,m),
1.55(9H,s) 参考例 2 (±)−シス−7−アジド−1−アザビシクロ
〔4.2.0〕オクト−2−エン−3−メトキシ−8
−オキソ−2−カルボン酸 第三ブチルエステ
ル: 実施例1で得られたエポキシ体850mg(3.03m
mol)を無水ベンゼン20mlに溶解し、塩化亜鉛
200mgを加え、50℃に2時間激しく撹拌する。無
機塩を別し、適量のジアゾメタンエーテル溶液
を加え、室温で30分撹拌後、減圧濃縮し、得られ
た残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイーに
付し(シリカゲル10g)、n−ヘキサン−酢酸エ
チル(4:1)により溶出される目的物を含有す
る画分を集め減圧濃縮すると100mg(11.2%)の
結晶を得る。
IR νCHCl3 nax(cm-1):2980,2120,1775,1715
NMR(CDCl3)δ:4.87(1H,d,J=4.89
Hz),3,76(3H,s),3.42−
3.96(1H,m),2.40−2.72
(2H,m),1.79−2.33(2H,
m),1.53(9H,s) 参考例 3 (±)−シス−7−アミノ−1−アザビシクロ
〔4.2.0〕オクト−2−エン−3−メトキシ−8
−オキソ−2−カルボン酸 第三ブチルエステ
ル塩酸塩: 実施例2で得られたメトキシ体198mg(0.67m
mol)を20mlのエタノールに溶解し、1N
HCl0.673ml及び10%パルジウム−炭素触媒50mg
を加えて30分間接触還元を行う。触媒を別し、
別を減圧濃縮する。得られた残渣にエーテル10
mlを加えてよく破砕すると目的物70mg(34.1%)
が固化物として得られる。
Hz),3,76(3H,s),3.42−
3.96(1H,m),2.40−2.72
(2H,m),1.79−2.33(2H,
m),1.53(9H,s) 参考例 3 (±)−シス−7−アミノ−1−アザビシクロ
〔4.2.0〕オクト−2−エン−3−メトキシ−8
−オキソ−2−カルボン酸 第三ブチルエステ
ル塩酸塩: 実施例2で得られたメトキシ体198mg(0.67m
mol)を20mlのエタノールに溶解し、1N
HCl0.673ml及び10%パルジウム−炭素触媒50mg
を加えて30分間接触還元を行う。触媒を別し、
別を減圧濃縮する。得られた残渣にエーテル10
mlを加えてよく破砕すると目的物70mg(34.1%)
が固化物として得られる。
IR νKBr nax(cm-1):3670−3300,3070−2730,
1770,1715,1620 参考例 4 (±)−シス−7−アミノ−1−アザビシクロ
〔4.2.0〕オクト−2−エン−3−メトキシ−8
−オキソ−2−カルボン酸 トリフルオロ酢酸
塩: 参考例3で得られたアミノ体70mg(0.23m
mol)を塩化メチレン3mlに溶解し氷冷下トリフ
ルオロ酢酸を0.2ml加え、そのまま3時間撹拌を
つづける。反応液を減圧濃縮後、エーテル5mlを
加えて、よく破砕すると目的物30mg(40.2%)が
固化物として得られる。
1770,1715,1620 参考例 4 (±)−シス−7−アミノ−1−アザビシクロ
〔4.2.0〕オクト−2−エン−3−メトキシ−8
−オキソ−2−カルボン酸 トリフルオロ酢酸
塩: 参考例3で得られたアミノ体70mg(0.23m
mol)を塩化メチレン3mlに溶解し氷冷下トリフ
ルオロ酢酸を0.2ml加え、そのまま3時間撹拌を
つづける。反応液を減圧濃縮後、エーテル5mlを
加えて、よく破砕すると目的物30mg(40.2%)が
固化物として得られる。
IR νKBr nax(cm-1):3700−3200,3100−2800,
1770,1620,1550 NMR(CD3OD)δ:3.80(3H,s),3.64−
4.02(1H,m),1.80−2.35
(2H,m)
1770,1620,1550 NMR(CD3OD)δ:3.80(3H,s),3.64−
4.02(1H,m),1.80−2.35
(2H,m)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式〔〕 〔式中、RはC1〜C5の直鎖または分岐の低級ア
ルキル基である〕で表わされるエポキシカルバセ
フエム化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57200034A JPS5989685A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | エポキシカルバセフエム化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57200034A JPS5989685A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | エポキシカルバセフエム化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5989685A JPS5989685A (ja) | 1984-05-23 |
JPH0227995B2 true JPH0227995B2 (ja) | 1990-06-20 |
Family
ID=16417715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57200034A Granted JPS5989685A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | エポキシカルバセフエム化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5989685A (ja) |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP57200034A patent/JPS5989685A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5989685A (ja) | 1984-05-23 |
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