JPH02264955A - ポジ型電子線レジスト - Google Patents
ポジ型電子線レジストInfo
- Publication number
- JPH02264955A JPH02264955A JP1087703A JP8770389A JPH02264955A JP H02264955 A JPH02264955 A JP H02264955A JP 1087703 A JP1087703 A JP 1087703A JP 8770389 A JP8770389 A JP 8770389A JP H02264955 A JPH02264955 A JP H02264955A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- electron beam
- formula
- cyclohexyl
- electron beams
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 17
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Substances OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- -1 perchloric acid quaternary ammonium salt Chemical class 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 13
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 12
- ILRMPAUJTPZAIQ-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl 2-cyanoprop-2-enoate Chemical compound N#CC(=C)C(=O)OC1CCCCC1 ILRMPAUJTPZAIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 5
- KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M tetrabutylazanium;perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 5
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 abstract description 4
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 abstract 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は高感度、高解像度のポジ型電子線レジストに関
するものである。更に詳しくは半導体工業におけるフォ
トマスクの製造およびシリコンウェハーへの直接描画に
よる半導体の製造時における選択的エツチングや選択的
拡散のためのレジストの提供を目的とする。
するものである。更に詳しくは半導体工業におけるフォ
トマスクの製造およびシリコンウェハーへの直接描画に
よる半導体の製造時における選択的エツチングや選択的
拡散のためのレジストの提供を目的とする。
［従来技術とその問題点］
ネガ型レジストは高感度であるが、解像性が低い、これ
に対して、ポジ型電子線レジストは解像性が高いために
ＩＣの高集積化に伴い、ネガ型からポジ型に移行しつつ
ある。ポジ型電子線レジストの代表例としてポリメタク
リル酸メチル（ＰＭＭＡ）が知られているが、解像度は
０．ｌｔＩｍと非常に高いが、感度が１００μＣ／ ｃ
ｒｒｒと低いために電子ｓＩＡ描画装置のスルーブツ
トが問題となり、感度を高めるために数多くの研究がな
されてきた。
に対して、ポジ型電子線レジストは解像性が高いために
ＩＣの高集積化に伴い、ネガ型からポジ型に移行しつつ
ある。ポジ型電子線レジストの代表例としてポリメタク
リル酸メチル（ＰＭＭＡ）が知られているが、解像度は
０．ｌｔＩｍと非常に高いが、感度が１００μＣ／ ｃ
ｒｒｒと低いために電子ｓＩＡ描画装置のスルーブツ
トが問題となり、感度を高めるために数多くの研究がな
されてきた。
ＰＭＭＡのα−メチル基をシアノ基に、エステル基のメ
チル基をシクロヘキシル基に置換した２−シアノアクリ
ル酸シクロヘキシル重合体は、現像液にメチルセロソル
ブを用いると１μＣ／ ｃ ｒｒｒと高感度であるが、
現像時間は１０分以上かかり、スプレー現像に適さず、
また現像時間が長くなることにより、レジストパターン
剥離が発生する。
チル基をシクロヘキシル基に置換した２−シアノアクリ
ル酸シクロヘキシル重合体は、現像液にメチルセロソル
ブを用いると１μＣ／ ｃ ｒｒｒと高感度であるが、
現像時間は１０分以上かかり、スプレー現像に適さず、
また現像時間が長くなることにより、レジストパターン
剥離が発生する。
［発明が解決しようとする課題Ｊ
本発明は、例えば１６メガビツ）ＤＲＡＭ以上の大規模
集積回路用としての高感度かつ高解像度を同時に有する
ポジ型電子線レジストを提供することを目的とする。
集積回路用としての高感度かつ高解像度を同時に有する
ポジ型電子線レジストを提供することを目的とする。
［課題を解決する手段］
本発明は、次式（１）
％式％（１）
で表わされる２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重合
体に、−綴代（２） ％式％（２） （式中、Ｒ＋ Ｒ＊ Ｒｓ Ｒ４は炭素数１〜
２０のアルキル基を示す）で表わされる過塩素酸第４級
アンモニウム塩を添加することより成るポジ型電子線レ
ジストである。
体に、−綴代（２） ％式％（２） （式中、Ｒ＋ Ｒ＊ Ｒｓ Ｒ４は炭素数１〜
２０のアルキル基を示す）で表わされる過塩素酸第４級
アンモニウム塩を添加することより成るポジ型電子線レ
ジストである。
本発明は、（１）式で表わされる２−シアノアクリル酸
シクロヘキシル重合体を主成分とするレジストに一般式
（２）で表わされる過塩素酸第４級アンモニウム塩を添
加することにより高感度と高解像度を同時に満たすポジ
型電子線レジストを提供する。
シクロヘキシル重合体を主成分とするレジストに一般式
（２）で表わされる過塩素酸第４級アンモニウム塩を添
加することにより高感度と高解像度を同時に満たすポジ
型電子線レジストを提供する。
なお、過塩素酸第４級アンモニウム塩の添加量は前記２
−シアノアクリル酸シクロヘキシル重合体に対して１〜
３０重量％で、感度および解像度を考慮すると５〜１５
重量％が好ましい。
−シアノアクリル酸シクロヘキシル重合体に対して１〜
３０重量％で、感度および解像度を考慮すると５〜１５
重量％が好ましい。
また本発明で用いる２−シアノアクリル酸シクロヘキシ
ル重合体は通常の合成法で得られた２−シアノアクリル
酸シクロヘキシル単量体をアニオン重合またはラジカル
重合することによって得られ、分子量は１万から３００
万であるが、分子量が大きすぎると塗布性が低下し、ま
た分子量が小さいと感度が低下することから１０万〜１
００万が好ましい。
ル重合体は通常の合成法で得られた２−シアノアクリル
酸シクロヘキシル単量体をアニオン重合またはラジカル
重合することによって得られ、分子量は１万から３００
万であるが、分子量が大きすぎると塗布性が低下し、ま
た分子量が小さいと感度が低下することから１０万〜１
００万が好ましい。
［作用］
図面の第１図は、分子量５１万の２−シアノアクリル酸
シクロヘキシル重合体に過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルア
ンモニウム塩を添加した本発明のポジ型電子線レジスト
と、無添加の場合の比較を示す残Ｍ悪度曲線である。な
お、照射電子線の加速電圧は１０ｋＶであり、照射後の
現像条件は現像液−−−−−−２−メチルセロソルブ：
２−プロパノ−ルー８５：１５ 現像時間−ｍ−−２分 現像温度−−−−２０℃ である。
シクロヘキシル重合体に過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルア
ンモニウム塩を添加した本発明のポジ型電子線レジスト
と、無添加の場合の比較を示す残Ｍ悪度曲線である。な
お、照射電子線の加速電圧は１０ｋＶであり、照射後の
現像条件は現像液−−−−−−２−メチルセロソルブ：
２−プロパノ−ルー８５：１５ 現像時間−ｍ−−２分 現像温度−−−−２０℃ である。
この第１図かられかるように、本発明のポジ型電子線レ
ジストは感度の向上が顕著に見られる。
ジストは感度の向上が顕著に見られる。
［実施例１］
分子量５１万の２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重
合体の５重量％のシクロヘキサノン溶液を作り、さらに
過塩素酸テトラ−ｎ−プチルアンギニウム塩を重合体に
対して１０重量％加え、１０００人の厚さでクロム薄着
されたガラス基板上に回転塗布法により１５００ｒｐｍ
で４３００人の厚さのレジスト被膜を形成し、１２０℃
で３０分間熱処理後、照射ＩＩμＣ／ ｃ ｒｒｔ、加
速電圧１ＯｋＶで電子線照射した。電子線照射後、２−
メトキシエタノール：２−プロパノ−ルー８５：１５の
混合溶媒に２０℃において１分間浸漬し、２−プロパツ
ール中にてリンスして乾燥することによってポジ型レジ
ストパターンが得られた。さらに、１２０℃、３０分間
加熱処理し、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸
のクロムエツチング液にて５０秒間、浸漬すると１００
０人のクロム層がエツチングされ、アセトンでレジスト
被膜を除去すると、ガラス基板上に０，５μｍ線幅のク
ロムパターンが得られた。
合体の５重量％のシクロヘキサノン溶液を作り、さらに
過塩素酸テトラ−ｎ−プチルアンギニウム塩を重合体に
対して１０重量％加え、１０００人の厚さでクロム薄着
されたガラス基板上に回転塗布法により１５００ｒｐｍ
で４３００人の厚さのレジスト被膜を形成し、１２０℃
で３０分間熱処理後、照射ＩＩμＣ／ ｃ ｒｒｔ、加
速電圧１ＯｋＶで電子線照射した。電子線照射後、２−
メトキシエタノール：２−プロパノ−ルー８５：１５の
混合溶媒に２０℃において１分間浸漬し、２−プロパツ
ール中にてリンスして乾燥することによってポジ型レジ
ストパターンが得られた。さらに、１２０℃、３０分間
加熱処理し、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸
のクロムエツチング液にて５０秒間、浸漬すると１００
０人のクロム層がエツチングされ、アセトンでレジスト
被膜を除去すると、ガラス基板上に０，５μｍ線幅のク
ロムパターンが得られた。
［実施例２］
実施例１と同様に被膜形成し、加熱処理後、１＃ Ｃ／
ｃ ｒｄで電子線照射した。電子線照射後、２−メト
キシエタノール＝２−ブトキシェタノール−６０：４０
の混合溶媒に２０℃にて２分間浸漬し、その後２−プロ
パツールでリンスし、乾燥した、得られたレフ−ストパ
ターンを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ
、非常にシャープなパターンが観測された。
ｃ ｒｄで電子線照射した。電子線照射後、２−メト
キシエタノール＝２−ブトキシェタノール−６０：４０
の混合溶媒に２０℃にて２分間浸漬し、その後２−プロ
パツールでリンスし、乾燥した、得られたレフ−ストパ
ターンを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ
、非常にシャープなパターンが観測された。
［比較例１］
分子量５１万の２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重
合体の５重量％のシクロヘキサノン溶液を作り、過塩素
酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム塩は添加せず、実施
例１と同様に処理したが、電子線照射部のレジストはす
べて溶解せず、膜残りが生じた。なお、電子線照射部を
すべて溶解させるには１２分の現像時間を必要としたが
、このとき、レジストパターンは膨潤し、剥離が発生し
た。
合体の５重量％のシクロヘキサノン溶液を作り、過塩素
酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム塩は添加せず、実施
例１と同様に処理したが、電子線照射部のレジストはす
べて溶解せず、膜残りが生じた。なお、電子線照射部を
すべて溶解させるには１２分の現像時間を必要としたが
、このとき、レジストパターンは膨潤し、剥離が発生し
た。
［発明の効果］
上記より本発明のレジストを用いることにより、高感度
かつ高解像度でレジストパターンを形成することが可能
となリミ半導体の製造において高生産性とコスト低減に
大きな効果をもたらすことができる。
かつ高解像度でレジストパターンを形成することが可能
となリミ半導体の製造において高生産性とコスト低減に
大きな効果をもたらすことができる。
第１図は、２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重合体
に過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム塩を１０重
量％添加した場合と無添加の場合の残膜感度曲線の比較
を示すグラフ図である。 特 許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫
に過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム塩を１０重
量％添加した場合と無添加の場合の残膜感度曲線の比較
を示すグラフ図である。 特 許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫
Claims (1)
- （１）次式（１）： ▲数式、化学式、表等があります▼……（１） で表わされる２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重合
体に、一般式（２）： ▲数式、化学式、表等があります▼…（２） （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４は炭素数１〜
２０のアルキル基を示す）で表わされる過塩素酸第４級
アンモニウム塩を添加することより成るポジ型電子線レ
ジスト。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087703A JPH0823697B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | ポジ型電子線レジスト |
| KR1019890006845A KR900018743A (ko) | 1988-05-24 | 1989-05-22 | 포지티브(positive)형 전자선 레지스트 및 이를 이용한 레지스트 패턴 형성방법 |
| EP89109284A EP0343603B1 (en) | 1988-05-24 | 1989-05-23 | High-sensitivity, high-resolution positive-type electron-beam resist |
| DE68917521T DE68917521T2 (de) | 1988-05-24 | 1989-05-23 | Hoch-empfindlicher Positivresist mit hohem Auflösungsvermögen für Elektronenstrahlen. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087703A JPH0823697B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | ポジ型電子線レジスト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02264955A true JPH02264955A (ja) | 1990-10-29 |
| JPH0823697B2 JPH0823697B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=13922280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1087703A Expired - Lifetime JPH0823697B2 (ja) | 1988-05-24 | 1989-04-06 | ポジ型電子線レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0823697B2 (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108213A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ２−シアノアクリル酸エステル重合体の製造方法 |
| JPS6391653A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 熱現像用感光材料 |
| JPS63277218A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-11-15 | Toppan Printing Co Ltd | 単分散重合体の製造方法 |
| JPS6433109A (en) * | 1986-12-29 | 1989-02-03 | Toppan Printing Co Ltd | Production of alpha-cyanoacrylate polymer |
| JPH01273039A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-10-31 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジスト |
| JPH03150568A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-26 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジスト |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP1087703A patent/JPH0823697B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108213A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ２−シアノアクリル酸エステル重合体の製造方法 |
| JPS6391653A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 熱現像用感光材料 |
| JPS63277218A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-11-15 | Toppan Printing Co Ltd | 単分散重合体の製造方法 |
| JPS6433109A (en) * | 1986-12-29 | 1989-02-03 | Toppan Printing Co Ltd | Production of alpha-cyanoacrylate polymer |
| JPH01273039A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-10-31 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジスト |
| JPH03150568A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-26 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジスト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0823697B2 (ja) | 1996-03-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63146038A (ja) | 感光性組成物 | |
| US3738835A (en) | Electrophoretic photoresist composition and a method of forming etch resistant masks | |
| JPS63146029A (ja) | 感光性組成物 | |
| DE2628467A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines positiven lackbildes | |
| EP0231028B1 (en) | High contrast low metal ion photoresist developing method and composition | |
| JPH02264955A (ja) | ポジ型電子線レジスト | |
| EP0188568B1 (en) | Method of developing radiation sensitive negative resists | |
| JPH03150568A (ja) | ポジ型電子線レジスト | |
| JP2867509B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| US4302529A (en) | Process for developing a positive electron resist | |
| JP2550655B2 (ja) | ポジ型電子線レジスト | |
| JP2525891B2 (ja) | ポジ型電子線レジストの現像方法 | |
| JP2598492B2 (ja) | ポジ型電子線レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6113733B2 (ja) | ||
| JPH0381143B2 (ja) | ||
| JPH01217341A (ja) | ポジ型電子線レジストのパターン形成方法 | |
| JPS60138543A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH02264259A (ja) | ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法 | |
| JPS58143343A (ja) | 現像溶媒 | |
| JPS58122531A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS6360376B2 (ja) | ||
| EP0343603A2 (en) | High-sensitivity, high-resolution positive-type electron-beam resist | |
| JPH041764A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPS5840548A (ja) | 高解像度レジスト現像処理剤 | |
| JPS5876836A (ja) | 高解像度レジスト現像処理剤 |