KR900018743A - 포지티브(positive)형 전자선 레지스트 및 이를 이용한 레지스트 패턴 형성방법 - Google Patents

포지티브(positive)형 전자선 레지스트 및 이를 이용한 레지스트 패턴 형성방법 Download PDF

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KR900018743A
KR900018743A KR1019890006845A KR890006845A KR900018743A KR 900018743 A KR900018743 A KR 900018743A KR 1019890006845 A KR1019890006845 A KR 1019890006845A KR 890006845 A KR890006845 A KR 890006845A KR 900018743 A KR900018743 A KR 900018743A
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electron beam
positive electron
solvent
beam resist
general formula
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KR1019890006845A
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아끼라 다무라
게이시 다나까
다께오 스기우라
Original Assignee
스즈끼 가즈오
돗빤 인사쯔 가부시끼가이샤
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

포지티브(positive)형 전자선 레지스트 및 이를 이용한 레지스트 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (6)

  1. 하기의 일반식(Ⅰ) :
    (단, R은 메틸기 또는 에틸기이고, m, n은 몰비로 n/m=0-0.4)로 표현되고, 중량 평균분자량(Mw)이 10만 -150만의 범위에 있는 시크로헥실-2-시아노아크릴레이트의 단독중합체, 또는 알킬-2-시아노아크릴레이트와 시크로헥실-2-시아노아크릴레이트와의 공중합체를 주성분으로하는 포지티브형 전자선 레지스트.
  2. 제1항에 있어서, 하기의 일반식(Ⅱ) :
    (단 R1, R2, R3, R4는 탄소수 1-20의 알킬기이다)로 표현되는 과염소산 제4급 암모늄염을 일반식(Ⅰ)의 중합체에 대하여 5-20% 첨가하는 포지티브형 전자선 레지스트.
  3. 제1항에 있어서, 단독 중합체 또는 공중합체의 분산도(중량 평균분자량 Mw)/수평균 분자량(Mn)의 값이, 3이하인 포지티브형 전자선 레지스트.
  4. 하기의 일반식(Ⅰ) :
    (단, R은 메틸기 또는 에틸기이고, m, n은 몰비로 n/m=0-0.4)로 표현되고, 중량 평균분자량(Mw)이 10만 -150만의 범위에 있는 시크로헥실-2-시아노아크릴레이트의 단독중합체, 또는 알킬-2-시아노아크릴레이트와 시크로헥실-2-시아노아크릴레이트와의 공중합체를 주성분으로하는 포지티브형 전자선 레지스트에, 전자선을 선택적으로 조사한 후, 주사슬분열하여 저분자량화한 부분을 용매로 선택적으로 용해시켜서 포지티브형 전자선 레지스트 패턴을 얻는 현상처리공정에, 현상액으로 상기 레지스트의 가용성 유기용매와, 불용성 유기용매와의 혼합용매를 사용하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 전자선 레지스트의 패턴 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 현상액이, 가용성 유기용매로서의 2-메톡시에탄올과 또 일종이상의 가용성 유기용매, 및 불용성용매로서의 일종이상을 포함한 3가지성분 이상의 혼합용매인 포지티브형 전자선 레지스트의 패턴 형성방법.
  6. 제4항에 있어서, 가용성용매가 2-메톡시에탄올이고, 불용성 용매가 일반식(Ⅲ) :R5OCH2CH2OH -(Ⅲ)
    (단, R5는 탄소수 2-4의 알킬기임)로 표현되는 2-알콕시에탄올을 포함한 혼합용매의 현상액인 포지티브형 전자선 레지스트의 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890006845A 1988-05-24 1989-05-22 포지티브(positive)형 전자선 레지스트 및 이를 이용한 레지스트 패턴 형성방법 KR900018743A (ko)

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JP63-126164 1988-05-24
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JP63-267507 1988-10-24
JP8556989A JP2525891B2 (ja) 1989-04-03 1989-04-03 ポジ型電子線レジストの現像方法
JP1-85569 1989-04-03
JP1-87703 1989-04-06
JP1087703A JPH0823697B2 (ja) 1989-04-06 1989-04-06 ポジ型電子線レジスト

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