JPS58143343A - 現像溶媒 - Google Patents
現像溶媒Info
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- JPS58143343A JPS58143343A JP2462182A JP2462182A JPS58143343A JP S58143343 A JPS58143343 A JP S58143343A JP 2462182 A JP2462182 A JP 2462182A JP 2462182 A JP2462182 A JP 2462182A JP S58143343 A JPS58143343 A JP S58143343A
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- Japan
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- solvent
- swelling
- solubility parameter
- developing solvent
- alcohol
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ー線用ネガ形レジストであるクロロメチル化ボリα−メ
チルスチレン（以下αＭ−ＣＭＳと略称する）の現像溶
媒に関する。
チルスチレン（以下αＭ−ＣＭＳと略称する）の現像溶
媒に関する。
半導体素子、磁気バブル素子、超伝導素子、光応用部品
を製造するに当り、その被加工体上にレジスト材料のパ
ターンを形成するために現像処理が適用されている。
を製造するに当り、その被加工体上にレジスト材料のパ
ターンを形成するために現像処理が適用されている。
ところで、αＭ−ＣＭＳは高エネルギー線用ネガ形レジ
スト材料として高感度、高解像度、耐ドライエツチング
性などのレジスト特性を有し、優れたレジスト材料であ
ることが見い出されている。（助用 健，″″含芳香族
ネガ型レジストにおける置換基の効果”第４０回 応用
物理学会学術講演大会予稿集，Ｐ２６８，７９’秋９、
一般に前記被加工体にレジスト材料によるパターンを形
成するには、被加工体上に電子線、Ｘ線、紫外線などの
高エネルギー線に対して感応性全有するレジスト材料全
被覆し、その後高エネルギー線全レジスト材料の必要と
する領域に選択的に照射し、次に現像溶媒によって現像
処理全行い所望のパターンを形成する。
スト材料として高感度、高解像度、耐ドライエツチング
性などのレジスト特性を有し、優れたレジスト材料であ
ることが見い出されている。（助用 健，″″含芳香族
ネガ型レジストにおける置換基の効果”第４０回 応用
物理学会学術講演大会予稿集，Ｐ２６８，７９’秋９、
一般に前記被加工体にレジスト材料によるパターンを形
成するには、被加工体上に電子線、Ｘ線、紫外線などの
高エネルギー線に対して感応性全有するレジスト材料全
被覆し、その後高エネルギー線全レジスト材料の必要と
する領域に選択的に照射し、次に現像溶媒によって現像
処理全行い所望のパターンを形成する。
しかし、一般にネガ形レジスト材料における前記の現像
処理は次のような問題がある。ネガ形レジスト材料の現
像溶媒は必要とする領域すなわち照射領域のネガ形レジ
スト材料に対して溶解性と膨潤がなく、必要としない領
域すなわち非照射領域に対して溶解性のあることが要求
される。一般に非照射領域のネガ形しジスト材料を溶解
、除去して不溶化像によるパターン全形成しようとする
と、これと同時に不溶化像が現像溶媒により膨潤し、不
溶化像の形状精度（解像度）が低下するという問題があ
る。（三好−功、小暮 攻、“電子線ネガ形レジストの
現像″信学論、Ｖｏ１．．Ｊ ６４−０． Ｎｏ、
＋ １． Ｐ７４８〜７５３，８ｊ’、） 本発明は前記問題を解決するために、特にレジスト材料
としてαＭ −ＣＭ、Ｓネガ形レジストを対象として、
その現像溶媒を多角的に検討した結果なされたもので、
その目的はαＭ −ＣＭＳネガ形レジスト材料によるパ
ターン形成に適した現像溶媒を提供することであり、又
αＭ〜ＣＭＳネガ形レジスト材料からなる不溶化像の形
状精度を上げ、被加工体の加工精度を向上させることに
ある。
処理は次のような問題がある。ネガ形レジスト材料の現
像溶媒は必要とする領域すなわち照射領域のネガ形レジ
スト材料に対して溶解性と膨潤がなく、必要としない領
域すなわち非照射領域に対して溶解性のあることが要求
される。一般に非照射領域のネガ形しジスト材料を溶解
、除去して不溶化像によるパターン全形成しようとする
と、これと同時に不溶化像が現像溶媒により膨潤し、不
溶化像の形状精度（解像度）が低下するという問題があ
る。（三好−功、小暮 攻、“電子線ネガ形レジストの
現像″信学論、Ｖｏ１．．Ｊ ６４−０． Ｎｏ、
＋ １． Ｐ７４８〜７５３，８ｊ’、） 本発明は前記問題を解決するために、特にレジスト材料
としてαＭ −ＣＭ、Ｓネガ形レジストを対象として、
その現像溶媒を多角的に検討した結果なされたもので、
その目的はαＭ −ＣＭＳネガ形レジスト材料によるパ
ターン形成に適した現像溶媒を提供することであり、又
αＭ〜ＣＭＳネガ形レジスト材料からなる不溶化像の形
状精度を上げ、被加工体の加工精度を向上させることに
ある。
前記目的を達成する本発明は溶解パラメーターが８０か
ら９０の範囲にあり、かつ分岐構造の脂肪族炭化水素基
を有する化合物を少なくとも１種以上含むことを特徴と
する高エネルギー線用ネガ形しジストクロロメチル化ポ
リα−メチルスチレンの現像溶媒に関し、又（ａ）溶解
パラメーターが８．０から９．０の範囲にあり、かつ分
岐構造の脂肪族炭化水素基を有する化合物の少なくとも
１種以上及び（ｂ）ジアセトンアルコ〜ノへアルキルセ
ロソルブ及び脂肪族飽和アルコールよりなる群から選ば
れた少なくとも１種以上の化合物を含むこと全特徴とす
る高エネルギー線用ネガ形レジストクロロメチル化ポリ
α−メチルスチレンの現像溶媒に関する。
ら９０の範囲にあり、かつ分岐構造の脂肪族炭化水素基
を有する化合物を少なくとも１種以上含むことを特徴と
する高エネルギー線用ネガ形しジストクロロメチル化ポ
リα−メチルスチレンの現像溶媒に関し、又（ａ）溶解
パラメーターが８．０から９．０の範囲にあり、かつ分
岐構造の脂肪族炭化水素基を有する化合物の少なくとも
１種以上及び（ｂ）ジアセトンアルコ〜ノへアルキルセ
ロソルブ及び脂肪族飽和アルコールよりなる群から選ば
れた少なくとも１種以上の化合物を含むこと全特徴とす
る高エネルギー線用ネガ形レジストクロロメチル化ポリ
α−メチルスチレンの現像溶媒に関する。
本発明における高エネルギー線用ネガ形レジスト材料で
あるαＭ−ＯＭＳは一般には重量平均分子量が１万ない
し数１０万、望捷しくは約５万ないし約５０万であり、
クロロメチル化率は望ましくは約５０％以上である。こ
のようなαＭ−ＣＭＥ３の高解像度は、その高感度性に
もよるが、現像溶媒による膨潤の程度と溶解パラメータ
ーとの関係により左右される０本発明はαＭ−ＯＭＳと
現像溶媒の溶解パラメーターとの関係及び膨潤の程度と
の関係を多角的に検討した結果によシ得られた知見に基
ずくものである。
あるαＭ−ＯＭＳは一般には重量平均分子量が１万ない
し数１０万、望捷しくは約５万ないし約５０万であり、
クロロメチル化率は望ましくは約５０％以上である。こ
のようなαＭ−ＣＭＥ３の高解像度は、その高感度性に
もよるが、現像溶媒による膨潤の程度と溶解パラメータ
ーとの関係により左右される０本発明はαＭ−ＯＭＳと
現像溶媒の溶解パラメーターとの関係及び膨潤の程度と
の関係を多角的に検討した結果によシ得られた知見に基
ずくものである。
一般に高分子化合物と溶媒の相容性音調べるために用い
られる溶解パラメーター（δ）は次式で定義される。
られる溶解パラメーター（δ）は次式で定義される。
δ＝（△Ｅ／Ｖ ）”Ａ （１）式（１）に
おいて△Ｅは蒸発エネルギーでｖＨ分子容である。そし
て、所望の高分子化合物が良く溶ける溶媒は、高分子化
合物の溶解パラメーターδｐ と溶媒の溶解パラメータ
ー６日 の差１δｐ−δＳ１ が小さくなる溶媒、即ち
高分子化金物の溶解パラメーターδｐ に近い溶解パラ
メーターδＳ ｆ持つ溶媒の中から選択できる。
おいて△Ｅは蒸発エネルギーでｖＨ分子容である。そし
て、所望の高分子化合物が良く溶ける溶媒は、高分子化
合物の溶解パラメーターδｐ と溶媒の溶解パラメータ
ー６日 の差１δｐ−δＳ１ が小さくなる溶媒、即ち
高分子化金物の溶解パラメーターδｐ に近い溶解パラ
メーターδＳ ｆ持つ溶媒の中から選択できる。
しかしながら、前記のように現像溶媒の選択は溶解パラ
メーターのみにより定まるものではなく、膨潤の程度全
考慮しなければならない。
メーターのみにより定まるものではなく、膨潤の程度全
考慮しなければならない。
そこで本発明者は各種の溶媒について、溶解パラメータ
ー及び膨潤の程度との関係を次の実験により調査した。
ー及び膨潤の程度との関係を次の実験により調査した。
ネガ形レジスト材料として重量平均分子量が１３万、ク
ロロメチル化率が６５％のαＭ−ＣＭＳ′ｆｒ：用い、
これを被加工体基板であるシリコンウェハ７に０７μｍ
の厚さとなるように被覆し、これに所望の不溶化像が形
成できるように電子線照射した後、溶解パラメーターが
８，０から１００の範囲内の種々の現像溶媒に浸漬して
現像した。現像時間は測定精度を上げるために１０分間
とした。
ロロメチル化率が６５％のαＭ−ＣＭＳ′ｆｒ：用い、
これを被加工体基板であるシリコンウェハ７に０７μｍ
の厚さとなるように被覆し、これに所望の不溶化像が形
成できるように電子線照射した後、溶解パラメーターが
８，０から１００の範囲内の種々の現像溶媒に浸漬して
現像した。現像時間は測定精度を上げるために１０分間
とした。
第１図は各種溶媒の溶解パラメーターと膨潤比との関係
を示す図面である。
を示す図面である。
膨潤比（ＳＲ） は膨潤の程度を示す０第２図はパタ
ーン形成における不溶化像の形成の模型図であり、ａは
高エネルギー線、ｂはレジスト材料、Ｃは被加工体、ｄ
は膨潤している不溶化像、ｅは現像後の不溶化像、Ｓｌ
１ Ｓ２１８３は不溶化像間隔でＳｌ〈Ｓｚ＜８３
の順に間隔が広い。またＬｎ は不溶化像の幅であ
る。そして膨゛潤比（ＳＲ） は第２図の８２ の
ように不溶化像が接触しはじめる不溶化像間の距離（Ｓ
ｎ ） と不溶化像の幅（Ｌｎ ） より次式によ
り求める。
ーン形成における不溶化像の形成の模型図であり、ａは
高エネルギー線、ｂはレジスト材料、Ｃは被加工体、ｄ
は膨潤している不溶化像、ｅは現像後の不溶化像、Ｓｌ
１ Ｓ２１８３は不溶化像間隔でＳｌ〈Ｓｚ＜８３
の順に間隔が広い。またＬｎ は不溶化像の幅であ
る。そして膨゛潤比（ＳＲ） は第２図の８２ の
ように不溶化像が接触しはじめる不溶化像間の距離（Ｓ
ｎ ） と不溶化像の幅（Ｌｎ ） より次式によ
り求める。
ＳＲ＝ （Ｌｎ ＋ Ｓｎ ）”／ Ｌｎ２（２）実験
において膨潤比を評価するために、不溶化像は幅が６μ
ｍ で、不溶化像間隔ヲ０．６μｍから１００μｍまで
変えた評価パターンを使用した。
において膨潤比を評価するために、不溶化像は幅が６μ
ｍ で、不溶化像間隔ヲ０．６μｍから１００μｍまで
変えた評価パターンを使用した。
第１図における点Ａは酢酸エチル、Ｂは酢酸ノルマルプ
ロピル、Ｃは酢酸インプロピル、Ｄは酢酸ノルマルブチ
ル、Ｅは酢酸イソブチル、Ｆは酢酸ノルマルアミル、Ｇ
は酢酸イソアミル、Ｈ（ｆ−Ｊ、アセトン、■はメチル
エチルケトン、Ｊはメチルイソブチルケトン、Ｋはベン
ゼン、Ｌはキシレン、Ｍはシクロヘキサン、Ｎはメチル
セロソルブアセテート、０はエチルセロソルブアセテー
ト、Ｐはテトラハイドロフラン、Ｑはジオキサン、Ｒは
クロロホルム、Ｓはジクロルエチレン、ＴＦｉトリクロ
ルエタンをそれぞれ現像溶媒として用いた場合を示す。
ロピル、Ｃは酢酸インプロピル、Ｄは酢酸ノルマルブチ
ル、Ｅは酢酸イソブチル、Ｆは酢酸ノルマルアミル、Ｇ
は酢酸イソアミル、Ｈ（ｆ−Ｊ、アセトン、■はメチル
エチルケトン、Ｊはメチルイソブチルケトン、Ｋはベン
ゼン、Ｌはキシレン、Ｍはシクロヘキサン、Ｎはメチル
セロソルブアセテート、０はエチルセロソルブアセテー
ト、Ｐはテトラハイドロフラン、Ｑはジオキサン、Ｒは
クロロホルム、Ｓはジクロルエチレン、ＴＦｉトリクロ
ルエタンをそれぞれ現像溶媒として用いた場合を示す。
第１図より最も膨潤比が小さい溶媒は溶解パラメーター
が８０から９． ［）の範囲内にある酢酸イソプロピル
、メチルイソブチルケトン、酢酸イソブチルなどである
。一般に高分子化合物と溶媒の溶解性との関係は両者の
溶解パラメーターが近い値をとるものほど良く溶け、膨
潤の程度が太きくなる。従ってαＭ−ＯＭＳの溶解パラ
メーターと同程度の溶解パラメーターであるテトラハイ
ドロフラン、クロロホルムなトラ現像溶媒として用いた
場合には、αＭ−ＯＭＳの不溶化像の膨潤の程度が最大
となる。一方、溶解パラメーターが８．０から９０の範
囲内の溶媒では、溶解性があり、しかもαＭ−ＱＭＳの
溶解パラメーター９６から離れているために膨潤の程度
が小さく、現像溶媒として適した溶媒となる。溶解パラ
メーターが８０未満の溶媒では溶解パラメーターが離れ
すぎるため、及び溶解パラメーターが１００以上では極
性の強い溶媒となシ溶解性が極端に異なるために不溶解
となる。
が８０から９． ［）の範囲内にある酢酸イソプロピル
、メチルイソブチルケトン、酢酸イソブチルなどである
。一般に高分子化合物と溶媒の溶解性との関係は両者の
溶解パラメーターが近い値をとるものほど良く溶け、膨
潤の程度が太きくなる。従ってαＭ−ＯＭＳの溶解パラ
メーターと同程度の溶解パラメーターであるテトラハイ
ドロフラン、クロロホルムなトラ現像溶媒として用いた
場合には、αＭ−ＯＭＳの不溶化像の膨潤の程度が最大
となる。一方、溶解パラメーターが８．０から９０の範
囲内の溶媒では、溶解性があり、しかもαＭ−ＱＭＳの
溶解パラメーター９６から離れているために膨潤の程度
が小さく、現像溶媒として適した溶媒となる。溶解パラ
メーターが８０未満の溶媒では溶解パラメーターが離れ
すぎるため、及び溶解パラメーターが１００以上では極
性の強い溶媒となシ溶解性が極端に異なるために不溶解
となる。
同様に第１図のＢ、Ｏ，、Ｄ、Ｅ、ＦＸＧの酢酸エステ
ル系溶媒について現像溶媒の分子構造の違いによる膨潤
の程度を比較すると、ＣＸＥｌＧのような分岐構造をも
つアルキルエステルの方がＢ、Ｄ、Ｆのような直鎖構造
のアルキルエステルよりも膨潤の程度は小さくなる。現
像溶媒の分子構造によって膨潤の程度が異なるのは、α
Ｍ−ＯＭＳと溶媒との相互作用が変るためであるが、以
上の説明からαＭ−ＯＭＳの現像溶媒として、溶解パラ
メーターが８．０から９０の範囲にあシ、かつ分岐構造
の脂肪族炭化水素基を有する化合物が適することは明ら
かであろう。
ル系溶媒について現像溶媒の分子構造の違いによる膨潤
の程度を比較すると、ＣＸＥｌＧのような分岐構造をも
つアルキルエステルの方がＢ、Ｄ、Ｆのような直鎖構造
のアルキルエステルよりも膨潤の程度は小さくなる。現
像溶媒の分子構造によって膨潤の程度が異なるのは、α
Ｍ−ＯＭＳと溶媒との相互作用が変るためであるが、以
上の説明からαＭ−ＯＭＳの現像溶媒として、溶解パラ
メーターが８．０から９０の範囲にあシ、かつ分岐構造
の脂肪族炭化水素基を有する化合物が適することは明ら
かであろう。
そして本発明の現像溶媒は酢酸アルキルエステル系化合
物及びジアルキルケトン系化合物に限られるものではな
く、又これらの化合物を２種以上使用することができる
。次に本発明においては現像溶媒として、前記化合物に
ジアセトンアルコール、メチルセＷ・ソルダ又はエチル
セロソルブ等のアルキルセロ・ソルダ及び脂肪族飽和ア
ルコールよりなる群から選ばれた少なくとも１種以上の
化合物すなわち貧溶媒を配合した混合溶媒が含まれる。
物及びジアルキルケトン系化合物に限られるものではな
く、又これらの化合物を２種以上使用することができる
。次に本発明においては現像溶媒として、前記化合物に
ジアセトンアルコール、メチルセＷ・ソルダ又はエチル
セロソルブ等のアルキルセロ・ソルダ及び脂肪族飽和ア
ルコールよりなる群から選ばれた少なくとも１種以上の
化合物すなわち貧溶媒を配合した混合溶媒が含まれる。
良溶媒としてメチルエチルケトンを用い、これに種々の
貧溶媒を配合した場合の混合溶媒組成と膨潤比との関係
を調べた０膨潤比は前記の第１図と同様め方法、条件で
求めた。結果を第３図−に、又、溶媒組成による膨潤の
変化率を第５図の膨潤比２での接線より求め結果全表１
に示した。
貧溶媒を配合した場合の混合溶媒組成と膨潤比との関係
を調べた０膨潤比は前記の第１図と同様め方法、条件で
求めた。結果を第３図−に、又、溶媒組成による膨潤の
変化率を第５図の膨潤比２での接線より求め結果全表１
に示した。
表１ 貧溶媒様による膨潤の変化率
第５図でＵはジアセトンアルコール、■はエチルセロソ
ルブ、Ｗはメチルセロソルブ、Ｘはノルマルアミルアル
コール、Ｙはイソプロピルアルコール、ＺＵメチルアル
コールである。膨潤の変化率は組成比１％当りの膨潤比
の変化である。第３図、及び表１よシメチルアルコーノ
へイソプロピルアルコール、ノ・ルマルアミルアルコー
ルなどの脂肪族飽和アルコールでは、低級なものよりも
高級なものほど膨潤の変化率が小さくなる。さらにメチ
ルセロソルブ、エチルセロソルブ、ジアセトンアルコー
ルなどの貧溶媒を用いた場合には、比較的高級な脂肪族
飽和アルコールを用いた場合よりもさらに膨潤の変化率
が小さくなる。これは膨潤を少なくするために必要な現
像溶媒中の貧溶媒の組成比が上記脂肪族飽和アルコール
を用いた場合よりも多く、壕だ上記貧溶媒が大きな分子
構造によるためである。
ルブ、Ｗはメチルセロソルブ、Ｘはノルマルアミルアル
コール、Ｙはイソプロピルアルコール、ＺＵメチルアル
コールである。膨潤の変化率は組成比１％当りの膨潤比
の変化である。第３図、及び表１よシメチルアルコーノ
へイソプロピルアルコール、ノ・ルマルアミルアルコー
ルなどの脂肪族飽和アルコールでは、低級なものよりも
高級なものほど膨潤の変化率が小さくなる。さらにメチ
ルセロソルブ、エチルセロソルブ、ジアセトンアルコー
ルなどの貧溶媒を用いた場合には、比較的高級な脂肪族
飽和アルコールを用いた場合よりもさらに膨潤の変化率
が小さくなる。これは膨潤を少なくするために必要な現
像溶媒中の貧溶媒の組成比が上記脂肪族飽和アルコール
を用いた場合よりも多く、壕だ上記貧溶媒が大きな分子
構造によるためである。
本発明の現像溶媒は前記化合物に加えて、界面活性剤の
ような添加剤を加えてもよく、高エネルギー線として電
子線以外の高エネルギー線を使用してもその溶解パラメ
ーター、膨潤比に格別の差はないが、αＭ−ＯＭＳの分
子量の変化については、影響があるので留意すべきであ
る０ 次に本発明を実施例について説明するが、本発明はこれ
によりなんら限定されるものではない。
ような添加剤を加えてもよく、高エネルギー線として電
子線以外の高エネルギー線を使用してもその溶解パラメ
ーター、膨潤比に格別の差はないが、αＭ−ＯＭＳの分
子量の変化については、影響があるので留意すべきであ
る０ 次に本発明を実施例について説明するが、本発明はこれ
によりなんら限定されるものではない。
実施例１
ネガ形レジスト材料として重量平均分子量が１５万、ク
ロロメチル化率が６６ｑ６のαＭ−ＣＭＳ＞用い、これ
を被加工体基板であるシリコンウェハーに０７μｍの厚
さとなるように被覆し、これに所望の不溶化像が形成で
きるように電子線照射した後、溶解パラメーターが８４
の酢酸イソプロピルとメチルイソブチルケトン、９１の
テトラハイドロフラン（比較例）、及び９．６のメチル
エチルケトン（比較例）のそれぞれ単独溶媒で膨潤全低
減するため６０秒間現像し、次にメチルアルコールで３
０秒間リンス全行い、解像性を評価した。解像性評価に
用いた不溶化像は幅が５μｍで不溶化像間を０１μｍ間
隔に０，５から３０μｍま−で変えたもの音用いた。照
射量は３μＯ／ｃｎ？で行った。現像溶媒に酢酸イソプ
ロピルを使用した場合には、不溶化像間隔１．３μｍ以
上、メチルイソブチルケトンでは１．５μｍ以上、メチ
ルエチルケトンでｉｊ ２．３μｍ以上、そして、テト
ラハイドロフランでは３０μｍ以上のものが解像した。
ロロメチル化率が６６ｑ６のαＭ−ＣＭＳ＞用い、これ
を被加工体基板であるシリコンウェハーに０７μｍの厚
さとなるように被覆し、これに所望の不溶化像が形成で
きるように電子線照射した後、溶解パラメーターが８４
の酢酸イソプロピルとメチルイソブチルケトン、９１の
テトラハイドロフラン（比較例）、及び９．６のメチル
エチルケトン（比較例）のそれぞれ単独溶媒で膨潤全低
減するため６０秒間現像し、次にメチルアルコールで３
０秒間リンス全行い、解像性を評価した。解像性評価に
用いた不溶化像は幅が５μｍで不溶化像間を０１μｍ間
隔に０，５から３０μｍま−で変えたもの音用いた。照
射量は３μＯ／ｃｎ？で行った。現像溶媒に酢酸イソプ
ロピルを使用した場合には、不溶化像間隔１．３μｍ以
上、メチルイソブチルケトンでは１．５μｍ以上、メチ
ルエチルケトンでｉｊ ２．３μｍ以上、そして、テト
ラハイドロフランでは３０μｍ以上のものが解像した。
本実施例で明らかなように溶解パラメーターが８．３か
ら８５の範囲内の酢酸イソプロピルと、メチルイソブチ
ルケトンは前記範囲外のメチルエチルケトンとテトラハ
イドロフランよりも解像性が高い。これは溶解パラメー
ターが８．３から８５の範囲内の単独の現像溶媒では、
溶解性が良く、比較的膨潤が少ないためである。
ら８５の範囲内の酢酸イソプロピルと、メチルイソブチ
ルケトンは前記範囲外のメチルエチルケトンとテトラハ
イドロフランよりも解像性が高い。これは溶解パラメー
ターが８．３から８５の範囲内の単独の現像溶媒では、
溶解性が良く、比較的膨潤が少ないためである。
実施例２
実施例１と同様のレジスト材料と被加工体基板を用い、
実施例１と同様の膜厚にレジスト材料を被加工体基板に
被覆し、同様の条件で電子線照射した。次に現像は、単
独の現像溶媒で、アルキル基が分岐鎖と直鎖のそれぞれ
の酢酸アルキルエステルを用い、分子構造による解像性
を実施例１と同じ方法で比較評価した。酢酸アルキルエ
ステルは一般式がＯＨ３Ｃ！０ＯＲ（Ｒ＝＝ＣｎＨ２Ｈ
＋１ ）でｎが６．４．５の溶媒について検討した。リ
ンス条件は実施例１と同じである。結果を表２に示す。
実施例１と同様の膜厚にレジスト材料を被加工体基板に
被覆し、同様の条件で電子線照射した。次に現像は、単
独の現像溶媒で、アルキル基が分岐鎖と直鎖のそれぞれ
の酢酸アルキルエステルを用い、分子構造による解像性
を実施例１と同じ方法で比較評価した。酢酸アルキルエ
ステルは一般式がＯＨ３Ｃ！０ＯＲ（Ｒ＝＝ＣｎＨ２Ｈ
＋１ ）でｎが６．４．５の溶媒について検討した。リ
ンス条件は実施例１と同じである。結果を表２に示す。
表２ 現像溶媒の分子構造と解像性
ｎが同数で分子構造が異なる現像溶媒相互の解像性を比
較すると直鎖構造よりも分岐鎖構造の方が解像性の高い
ことは明らかである。
較すると直鎖構造よりも分岐鎖構造の方が解像性の高い
ことは明らかである。
実施例６
実施例１と同様のレジスト材料と被加工体基板を用い、
同様の条件で電子線照射した。現像溶媒には良溶媒と貧
溶媒からなる混合溶媒を用いた。使用した混合溶媒と混
合比は酢酸インプロピル／ジアセトンアルコール−５０
／７０（例１）、Ｎｌ酸イソグロピル／エチルセロソル
ブ＝６０／４０（例２）、酢酸イソプロピル／イソプロ
ビルアルコール−８（ＩＩ／２０（例′５）、酢酸イソ
プロピル／メチルアルコール（例４）で解像性を実施例
１と同様の方法で評価した。リンス条件は実施例１と同
じである。結果ケ表６に示す。
同様の条件で電子線照射した。現像溶媒には良溶媒と貧
溶媒からなる混合溶媒を用いた。使用した混合溶媒と混
合比は酢酸インプロピル／ジアセトンアルコール−５０
／７０（例１）、Ｎｌ酸イソグロピル／エチルセロソル
ブ＝６０／４０（例２）、酢酸イソプロピル／イソプロ
ビルアルコール−８（ＩＩ／２０（例′５）、酢酸イソ
プロピル／メチルアルコール（例４）で解像性を実施例
１と同様の方法で評価した。リンス条件は実施例１と同
じである。結果ケ表６に示す。
表３ 混合溶媒種による解像性の変化
解像性の変化は貧溶媒にジアセトンアルコールを用いた
場合に最も少なぐ、メチルアルコールを用いた場合に最
も犬きくなる。
場合に最も少なぐ、メチルアルコールを用いた場合に最
も犬きくなる。
実施例４
レジスト材料の重量平均分子量が１８万クロロメチル化
率が６０％のαＭ−ＯＭＳ−ｊｉ７用い、こね、を実施
例１と同様の被加工体基板に０７μｍの厚さとなるよう
に被覆し、実施例１と同様の方法で不溶化像を形成し、
同様の方法で解像性を評価した。電子線照射量は２μＣ
／ｃｒｎ２で行い、リンス条件は実施例１と同じである
。現像溶媒として、溶解パラメーターが８．４のメチル
イソブチルケトン及び比較として溶解パラメーターが９
．３のメチルエチルケトンを使用した。これらの解像性
の比較を行なったところ、前者では１．５μｍ以上、後
者では２．５１１ｍ以上が解像した０ 本実施例から明らかなように実施例１で使用したαＭ−
ＯＭＳとは異なる分子量のαＭ−ＯＭＳｉ用いた場合に
も実施例１及び実施例２と同様に現像溶媒の溶解パラメ
ーターが８０から９０の範囲内で、分岐構造であるメチ
ルイソブチルケトンの方が溶解パラメーターが９０以上
で直鎖構造であるメチルエチルケトンよりも解像性は高
くなる。
率が６０％のαＭ−ＯＭＳ−ｊｉ７用い、こね、を実施
例１と同様の被加工体基板に０７μｍの厚さとなるよう
に被覆し、実施例１と同様の方法で不溶化像を形成し、
同様の方法で解像性を評価した。電子線照射量は２μＣ
／ｃｒｎ２で行い、リンス条件は実施例１と同じである
。現像溶媒として、溶解パラメーターが８．４のメチル
イソブチルケトン及び比較として溶解パラメーターが９
．３のメチルエチルケトンを使用した。これらの解像性
の比較を行なったところ、前者では１．５μｍ以上、後
者では２．５１１ｍ以上が解像した０ 本実施例から明らかなように実施例１で使用したαＭ−
ＯＭＳとは異なる分子量のαＭ−ＯＭＳｉ用いた場合に
も実施例１及び実施例２と同様に現像溶媒の溶解パラメ
ーターが８０から９０の範囲内で、分岐構造であるメチ
ルイソブチルケトンの方が溶解パラメーターが９０以上
で直鎖構造であるメチルエチルケトンよりも解像性は高
くなる。
以上の説明から明らかなように本発明の高エネルギー線
ネガ形レジスト材料αＭ−ＯＭＳの現像溶媒によれば、
現像処理による不溶化像の膨潤が抑制され、不溶化像の
形状精度が向上するという利点がある。
ネガ形レジスト材料αＭ−ＯＭＳの現像溶媒によれば、
現像処理による不溶化像の膨潤が抑制され、不溶化像の
形状精度が向上するという利点がある。
第１図はαＭ−ＣＭＳについて各種現像溶媒の溶解パラ
メーターと膨潤比との関係を示す図面、第２図はパター
ン形成における不溶化像の形成の模型図、第６図は混合
現像溶媒における溶媒組成と膨潤比との関係を示す図面
である。 第２図中ａ・・・高エネルギー線、ｂ・・・レジスト材
料、Ｃ・・・被加工体、ｄ・・・膨潤している不溶化像
、ｅ・・・現像後の不溶化像、Ｓｌ ＋ Ｓ２ ＋ Ｓ
３ ・・・不溶化像間隔、Ｌｎ ・・・不溶化像の
幅。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 中本 宏
メーターと膨潤比との関係を示す図面、第２図はパター
ン形成における不溶化像の形成の模型図、第６図は混合
現像溶媒における溶媒組成と膨潤比との関係を示す図面
である。 第２図中ａ・・・高エネルギー線、ｂ・・・レジスト材
料、Ｃ・・・被加工体、ｄ・・・膨潤している不溶化像
、ｅ・・・現像後の不溶化像、Ｓｌ ＋ Ｓ２ ＋ Ｓ
３ ・・・不溶化像間隔、Ｌｎ ・・・不溶化像の
幅。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 中本 宏
Claims (1)
- （１）溶解パラメーターが８．０から９０の範囲にあり
、かつ分岐構造の脂肪族炭化水素基を有する化合物を少
なくとも１種以上含むことを特徴とする高エネルギー線
用ネガ形レジストクロロメチル化ポリα−メチルスチレ
ンの現像溶媒。 ｆ２１ （ａ）溶解パラメーターが８０から９０の範
囲にあり、かつ分岐構造の脂肪族炭化水素基全有する化
合物の少なくとも１種以上及び（ｂ）ジアセトンアルコ
ール、アルキルセロンルブ及び脂肪族飽和アルコールよ
りなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物を含むこ
と全特徴とする高エネルギー線用ネガ形レジストクロロ
メチル化ポリα−メチルスチレンの現像溶媒０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2462182A JPS58143343A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | 現像溶媒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2462182A JPS58143343A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | 現像溶媒 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58143343A true JPS58143343A (ja) | 1983-08-25 |
| JPH0147775B2 JPH0147775B2 (ja) | 1989-10-16 |
Family
ID=12143213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2462182A Granted JPS58143343A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | 現像溶媒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58143343A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58187926A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 放射線ネガ型レジストの現像方法 |
| JPS5984520A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-16 | Hitachi Ltd | 現像液 |
| EP0365987A2 (de) * | 1988-10-26 | 1990-05-02 | Hoechst Aktiengesellschaft | Entwicklungslösemittel für durch Photopolymerisation vernetzbare Schichten sowie Verfahren zur Herstellung von Reliefformen |
| JP2011065105A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Fujifilm Corp | レジストパターン形成方法及びそれに用いられる現像液 |
-
1982
- 1982-02-19 JP JP2462182A patent/JPS58143343A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58187926A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 放射線ネガ型レジストの現像方法 |
| JPH0546535B2 (ja) * | 1982-04-28 | 1993-07-14 | Tosoh Corp | |
| JPS5984520A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-16 | Hitachi Ltd | 現像液 |
| EP0365987A2 (de) * | 1988-10-26 | 1990-05-02 | Hoechst Aktiengesellschaft | Entwicklungslösemittel für durch Photopolymerisation vernetzbare Schichten sowie Verfahren zur Herstellung von Reliefformen |
| JP2011065105A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Fujifilm Corp | レジストパターン形成方法及びそれに用いられる現像液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0147775B2 (ja) | 1989-10-16 |
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